JP6383147B2

JP6383147B2 - パッケージ

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Publication number: JP6383147B2
Application number: JP2013255248A
Authority: JP
Inventors: 豊加地
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2013-12-10
Filing date: 2013-12-10
Publication date: 2018-08-29
Anticipated expiration: 2033-12-10
Also published as: JP2015115403A

Description

本発明は、上下２つの絶縁基体からなり、これらの間に単数あるいは複数の電子部品を実装するキャビティを内設するパッケージに関する。

例えば、水晶振動子などのような圧電振動子を、半導体素子などのような他の電子部品と共に気密に収容するため、上側中央部に半導体素子を搭載した平板状の第１の絶縁基体と、下面に開口する凹部の天井面に圧電振動子を搭載した箱形状の第２の絶縁基体とを、両者の周辺部に沿って形成した矩形枠状のパッド同士の間に封止材でもあるハンダを介して電気的に接続した圧電振動子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかし、前記圧電振動子収納用パッケージでは、第１の絶縁基体と第２の絶縁基体との周辺部に沿って形成した矩形枠状のパッド同士の間にハンダを充填して、前記凹部を外部から封止するため、該ハンダが凹部側に流れ込むことにより、前記電子部品を損傷したり、その性能を劣化させるおそれがある。そのため、第１の絶縁基体の上面中央部に搭載した上記電子部品を樹脂によって、予めモールディングしたり、第２の絶縁基体における前記凹部の開口部を蓋体で封止する必要があった。その結果、上記凹部の深さを大きくしたり、上記蓋体を取着するための段差を上記凹部の開口部の周辺に形成する必要があるため、前記パッケージの厚みが過度に厚くなったり、第２の絶縁基体の構造が複雑化することで、製造工数および製造コストが上昇する、という問題点があった。

特開２００６−４１９２４号公報（第１〜１１頁、図１，２）

本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、単一のキャビティ内に単数あるいは複数の電子部品を実装でき、且つ該キャビティを形成する第１絶縁基体と第２絶縁基体とを両者の周辺部で封止する封止材が上記キャビティ内に流れ込まず、該キャビティ内に実装された電子部品に対する悪影響を確実に防止できるパッケージを提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、下層側となる第１絶縁基体の表面おけるキャビティの周辺部に沿って該キャビティを囲む堰となる凸部を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明のパッケージ（請求項１）は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する第１絶縁基体と、絶縁材からなり、表面および裏面を有し、且つ上記第１絶縁基体の上側に積層される第２絶縁基体と、少なくとも上記第１絶縁基体の表面に開口するキャビティと、上記第１絶縁基体の表面側の周辺部と第２絶縁基体の裏面側の周辺部との間に沿って位置し、且つ封止材を充填するための隙間と、上記キャビティの底面および第２絶縁基体の裏面側にそれぞれ設けられた電子部品を実装するための実装用端子と、を含むパッケージであって、上記第１絶縁基体の表面側の周辺部で且つ上記封止材が充填される上記隙間となる領域の上記キャビティ側には、該キャビティの周囲を囲む単一の凸部が形成されていると共に、上記隙間は、上記凸部と上記第１絶縁基体の表面を構成する絶縁材の側面と挟まれた上方に開口する凹溝である、ことを特徴とする。

これによれば、前記第１絶縁基体の表面側の周辺部で且つ前記封止材が充填される前記隙間となる領域の前記キャビティ側には、該キャビティの周囲を囲む単一の凸部が形成されている。そのため、例えば、上記キャビティの底面に電子部品を実装した第１絶縁基体と、前記表面および裏面のみからなる平板状の第２絶縁基体、あるいは該裏面に開口する凹部の天井面に前記と異なる種類の電子部品を実装した第２絶縁基体とを、両者の表面側および裏面側の周辺部同士の間に液状または半液状の封止材により接合して外部から封止した際に、該封止材が上記キャビティ内に流れ込む事態を前記凸部によって、確実に阻止することができる。従って、上記キャビティ内に実装される電子部品に対する悪影響を確実に防止できるパッケージを提供することが可能となる。

尚、前記絶縁材は、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミック、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミック、あるいは、エポキシなどの樹脂である。
また、前記第１絶縁基体におけるキャビティの底面、および第２絶縁基体の裏面あるいは該第２絶縁基体に形成された凹部の天井面には、追って互いに異なる個別に電子部品（例えば、ＡＳＩＣとサーミスタ素子）が実装される。
更に、前記第１絶縁基体の表面側とは、該第１絶縁基体の裏面とは反対側の面全体を指し、前記第２絶縁基体の裏面側とは、該第２絶縁基体の表面とは反対側の面全体を指している。
また、前記キャビティは、更に前記第２絶縁基体の裏面における中央側に開口する凹部を含んでいても良い。第１および第２絶縁基体の双方に凹部が形成された場合、かかる第１および第２絶縁基体を積層した際に、上記２つの凹部からなる単一のキャビティが形成される。但し、第１絶縁基体にのみ形成された凹部は、かかる凹部自体が単独でキャビティを形成し、該キャビティの底面に単数または複数の電子部品が実装され、凹部を有しない第２絶縁基体は、平板状の形態となる。加えて、上記単数の電子部品の場合、その表面（上面）側の電極は、平板状の第２絶縁基体の裏面に形成される実装用端子と追って導通される。

更に、前記凸部は、絶縁材または導体の何れかからなり、液状または半液状の封止材が前記キャビティ内に流入しないようにするため、一定の高さ（厚み）で前記キャビティの周囲に突設される。但し、キャビティの周辺部における封止材の流れ具合を考慮して、長手方向において高低差を付けた形態、例えば、平面視が矩形状のキャビティに対し、該キャビティと相似形の平面視が矩形枠状とした場合、四辺の中央部分と各コーナ部との間で頂部の高さに差を付けても良い。
また、前記凸部の垂直断面は、矩形（正方形または長方形）状、台形状、半円形状、あるいは、半楕円形状などである。
更に、前記キャビティに単数の電子部品を実装する場合には、かかる電子部品の表面および裏面において、上記キャビティの底面および第２絶縁基体の裏面側にそれぞれ設けられた実装用端子と個別に導通可能とされる。
加えて、前記封止材は、前記第１および第２絶縁基体が対向する表面および裏面の周辺部同士を接合することで、内側に位置し且つ１種類または２種類の電子部品が実装されたキャビティを外部から封止するものである。該封止材には、例えば、エポキシ系樹脂、プリプレグ、アンダーフイル、ホットメルトなどの有機系接着剤、あるいは、前記第１および第２絶縁基体が対向する一対の周辺部に予め形成された一対の前記金属層間に充填されるハンダなどのロウ材（低融点金属または低融点合金）が含まれる。

また、本発明には、前記第１絶縁基体のキャビティは、平面視で矩形状であると共に、前記凸部も平面視で矩形枠状である、パッケージ（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記第１絶縁基体のキャビティは、平面視で矩形（正方形または長方形）状であり、且つ前記凸部も平面視で矩形枠状であるので、例えば、両者が平面視でほぼ相似形を呈する形態とすることで、比較的少ないスペースにより前記単一の凸部を形成できる。従って、パッケージ全体の寸法を過度に厚くすることなく、上記凸部を配設することが可能となる。
尚、前記キャビティは、平面視で正三角形以上の多角形、あるいは変形三角形以上の多角形である場合、前記凸部も平面視で該キャビティとほぼ相似形にして形成される。

更に、本発明には、前記第１絶縁基体の表面側および第２絶縁基体の裏面側の周辺部ごとのうち、少なくも前記隙間となる領域には、前記キャビティを囲む平面視が矩形枠状の金属層がそれぞれ形成されている、パッケージ（請求項３）も含まれる。
これによれば、第１絶縁基体の表面上に第２絶縁基体の裏面を接近するように、かかる第１絶縁基体および第２絶縁基体を積層した際に、それぞれの前記金属層同士は、垂直方向において互いに対向する。かかる金属層同士の間に、ハンダなどのロウ材からなる封止材を配設し、且つ該封止材を加熱および溶融した際に、溶けた液状または半液状となった封止材は、前記凸部によってキャビティ内に流入しなくなる。しかも、該キャビティ内に予め実装された電子部品は、凝固した上記封止材によって、外部から確実に封止される。従って、前記パッケージによれば、上記電子部品の性能を確実に保証することが可能となる。

本発明による一形態のパッケージを示す垂直断面図。図１中の部分拡大断面図。上記パッケージを構成する第１絶縁基体を示す斜視図。図２と直交する視覚における上記パッケージの部分拡大断面図。異なる形態のパッケージを示す垂直断面図。図５中の部分拡大断面図。異なる形態の凸部を含む第１絶縁基体を示す部分拡大断面図。（Ａ），（Ｂ）は更に異なる形態の凸部付近を示す部分拡大断面図。（Ａ），（Ｂ）は異なる形態のキャビティ付近を示す部分平面図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態のパッケージ１ａを示す垂直断面図、図２は、図１中の部分拡大断面図、図３は、上記パッケージ１ａを構成する第１絶縁基体２ａを示す斜視図、図４は、図２と直交する視覚における部分拡大断面図である。
上記パッケージ１ａは、図１〜図３に示すように、全体が扁平な箱形状を呈する第１絶縁基体２ａと、該第１絶縁基体２ａの上側に追って積層され且つ全体が平板状を呈する第２絶縁基体１２ａとから構成されている。
上記第１絶縁基体２ａは、複数のセラミック層（絶縁材）ｃ１〜ｃ３を積層してなり、平面視の外形が矩形（正方形または長方形）枠状の表面３および矩形状の裏面４を有する。該表面３の中央側には、平面視が矩形状のキャビティ６が開口している。該キャビティ６は、平面視が矩形状の底面７、その四辺から立設した側面８とからなる。更に、該側面８から外側に水平に延び且つ平面視が矩形枠状の中段９と、該中段９の四辺から上記表面３に向けて立ち上がった側面１０とは、前記第２絶縁基体１２ａの周辺部を受け入れる部分であり、且つ第１絶縁基体２ａの表面３側の周辺部である。

また、前記第２絶縁基体１２ａは、上下２層のセラミック層ｃ４，ｃ５を積層してなり、平面視で矩形状の表面１３および裏面１４を有すると共に、四辺の外側面が平面視で第１絶縁基体２ａにおける前記中段９の上方に位置している。尚、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５は、例えば、アルミナなどを主成分としている。
更に、図１〜図４に示すように、前記第１絶縁基体２ａにおけるキャビティ６の底面７には、４個（複数）の実装用端子（電極）１５が形成され、該端子１５は、最下層のセラミック層ｃ１を貫通するビア導体１７を介して、裏面４に形成された複数の外部（接続）端子１６と個別に導通可能とされている。上記電極１５の上方には、追って、一方の電子部品（例えば、ＡＳＩＣ（カスタムＩＣ））が実装される。
また、図３，図４に示すように、前記第１絶縁基体２ａのキャビティ６に隣接して対向する二辺の中段９上には、一対の配線層２０の端部が個別に形成されている。該配線層２０は、中層および最上層のセラミック層ｃ２，ｃ３間を外側面５まで貫通し、対向する外側面５ごとに形成された凹部導体１８を介して、前記裏面４に形成された複数の外部（接続）端子１９と個別に導通可能とされている。

更に、図４に例示するように、前記第２絶縁基体１２ａの裏面１４には、左右一対の実装用端子（電極）２１が形成され、該端子２１は、前記セラミック層ｃ４を貫通する内外一対のビア導体２３およびセラミック層ｃ４，ｃ５間に形成された配線層２２を介して、上記裏面１４の外周側に形成された一対の接続端子２４と個別に導通可能とされている。かかる接続端子２４の位置は、第２絶縁基体１２ａを前記第１絶縁基体２ａの上側に積層すべく接近させた際に、前記配線層２０の中央側の端部と個別に対向するように予め設定されている。
尚、上記一対の電極２１の上方（図示では下側）には、前記電子部品２６とは異なる他方の電子部品（例えば、サーミスタ素子）２７が追って実装される。
また、前記電極１５，２１、外部端子１６，１９、ビア導体１７，２３、配線層２０、および接続端子２４は、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃｕなどからなる。

更に、図１〜図４に示すように、前記第１絶縁基体２ａのキャビティ６の側面８寄りで且つ中段９の内周側に沿って、断面が台形状で且つ平面視が矩形枠状を呈する単一の凸部３０が形成されている。該凸部３０は、前記同様のセラミックからなり、その底部は、最上層のセラミック層ｃ３と一体化されている。
加えて、図１，図４に示すように、前記電子部品２６，２７が実装された第１絶縁基体２ａの上側に第２絶縁基体１２ａを積層した際に、かかる第１絶縁基体２ａの表面３の周辺部である前記中段８および側面１０と、第２絶縁基体１２ａの裏面１４側の周辺部との間には、側面視で矩形状の隙間１１ａが位置している。かかる隙間１１ａには、例えば、エポキシ樹脂などからなる液状または半液状の封止材２８が追って充填される。

前記のようなパッケージ１ａは、以下のようにして組み立てられる。
予め、アルミナ粉末などを含む複数層のグリーンシートを用意し、何れかのグリーンシートの中央部を打ち抜き加工し、該グリーンシートに穿孔した貫通孔にＷ粉末などを含む導電性ペーストを充填し、打ち抜き加工されたグリーンシートの開口部に沿った表面にアルミナ粉末などを含む絶縁性ペーストを、矩形枠状にスクリーン印刷する。次に、何れかのグリーンシートの表面に前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷した後、かかる複数層のグリーンシートを積層および圧着してから焼成することで、第１絶縁基体２ａと第２絶縁基体１２ａを制作しておく。以上の各工程は、多数個取りにより行った後、個片に分割しても良い。
引き続いて、第１絶縁基体２ａにおけるキャビティ６の底面７および第２絶縁基体１２ａの裏面１４に、電子部品２６，２７を個別に実装する。

次いで、図４に示すように、第１絶縁基体２ａにおける中段９に位置する一対の配線層２０の中央側の端部ごとの上に、例えば、Ａｇロウからなるハンダ２５を個別に配設し、該ハンダ２５の上に第２絶縁基体１２ａの裏面１４における一対の接続端子２４を個別に載置し且つ加熱して、前記一対の実装用端子２１と第１絶縁基体２ａにおける一対の前記外部端子１９とを個別に導通可能としておく。
更に、前記一対のハンダ２５を含む第１絶縁基体２ａの上側に第２絶縁基体１２ａを配置し、両者間の前記隙間１１ａ内に、エポキシ系樹脂からなる半液状の封止材２８を、平面視で矩形枠状にして充填する。この際、かかる封止材２８は、前記凸部３０が堰として機能するため、キャビティ６の底面７側には流れ込まない。また、前記ハンダ２５は、その周囲を封止材２８によって包囲される。
以上の結果、前記キャビティ６内に個別に実装された２種類の電子部品２６，２７を外部から封止したパッケージ１ａを得ることができる。
尚、第１絶縁基体２ａの上側に第２絶縁基体１２ａを配置した際に、凸部３０の頂面の少なくとも一部が、第２絶縁基体１２ａの裏面１４に接触しても良い。

以上のようなパッケージ１ａによれば、前記第１絶縁基体２ａの表面３（中段９および側面１０を含む）の周辺部で且つ前記封止材２８が充填される前記隙間１１ａとなる領域の前記キャビティ６側には、該キャビティ６の周囲を囲む単一の凸部３０が形成されている。そのため、上記キャビティ６の底面７に電子部品２６を実装した第１絶縁基体２ａと、前記表面１３および裏面１４のみからなる平板状で、且つ該裏面１４に前記と異なる種類の電子部品２７を実装した第２絶縁基体１２ａとを、両者の表面３側および裏面１４側の周辺部同士間の隙間１１ａに液状または半液状の封止材２８により接合して外部から封止した際に、該封止材２８が上記キャビティ６内に流れ込む事態を前記凸部３０によって、確実に阻止できる。従って、上記キャビティ６内に実装された電子部品２６，２７に対する悪影響を確実に防止できるパッケージ１ａを提供することができる。

図５は、異なる形態のパッケージ１ｂを示す垂直断面図、図６は、図５中の部分拡大断面図である。
上記パッケージ１ｂは、図５，図６に示すように、全体が前記同様の箱形状を呈する第１絶縁基体２ｂと、全体が平板状の第２絶縁基体１２ｂとから構成されている。
上記第１絶縁基体２ｂは、前記同様のセラミック層ｃ１〜ｃ３を積層してなり、平面視が矩形枠状の表面３および矩形状の裏面４を有し、該表面３の中央側には、前記同様のキャビティ６が開口していると共に、前記同様の実装用端子１５、外部端子１６、およびビア導体１７を備えている。該第１絶縁基体２ｂにおいて対向する一対の外側面５には、垂直方向に沿った帯状である一対の側面導体３２が個別に形成されている。該側面導体３２の下端部は、裏面４の外側面５側に形成された一対の外部端子３３と個別に接続され、該側面導体３２の上端部は、表面３の対向する一対の辺上に個別に形成された一対の接続端子３４と個別に接続されている。

また、図５に示すように、前記第１絶縁基体２ｂのキャビティ６の側面８側で且つ中段９上の内周側に沿って、断面が半円形状または半楕円形状で且つ平面視が矩形枠状を呈する単一の凸部３１が形成されている。該凸部３１も、前記同様のセラミックからなり、その底部は、最上層のセラミック層ｃ３に一体とされていると共に、その頂部は、ほぼ一定の高さに揃えられている。
更に、前記キャビティ６を囲む中段９の全周辺上には、平面視が矩形枠状の金属層３５が形成されている。
一方、前記第２絶縁基体１２ｂは、図５，図６に示すように、上層側のセラミック層ｃ５が、下層側のセラミック層ｃ４よりも少なくとも図示の左右方向において若干長くされている。該第２絶縁基体１２ｂの裏面１４に形成された前記同様の端子２１は、前記同様のピア導体２３を介して配線層２２に導通可能とされている。該配線層２２における外側の端部は、前記接続端子３４と対向している。
また、第２絶縁基体１２ｂの裏面１４側における周辺部には、平面視が矩形枠状の金属層３６が形成され、該金属層３６は、前記金属層３５と対向している。
尚、前記金属層３５，３６も、前記同様のＷ、Ｍｏ、Ｃｕなどからなる。

前記のようなパッケージ１ｂは、以下のようにして組み立てられる。
予め、前記と同様に、第１絶縁基体２ｂと第２絶縁基体１２ｂを制作しておく。
次に、第１絶縁基体２ｂにおけるキャビティ６の底面７および第２絶縁基体１２ｂの裏面１４に、電子部品２６，２７を個別に実装する。
次いで、図６に示すように、第１絶縁基体２ｂにおける中段９上に位置する金属層３７上に沿って、前記同様のハンダ３７を平面視で矩形状に配設すると共に、第１絶縁基体２ｂにおける一対の接続端子３４の上に、前記同様のハンダ３８を個別に配置する。更に、上記ハンダ３７上に金属層３６が載置され、且つ上記ハンダ３８上に第２絶縁基体１２ｂの裏面１４の外側に露出する配線層２０の外端部を個別に載置し且つ加熱して、上記ハンダ３６，３８を軟化および溶融する。
この際、図６に示すように、ハンダ３７，３８は、何れも溶融するが、キャビティ６側のハンダ３６は、前記凸部３１によってキャビティ６の底面７側に流れ込まない。同時に、前記一対の電極２１と第１絶縁基体２ｂにおける一対の前記外部端子１９とが前記ハンダ３８などを介して個別に導通可能となる。
以上の各工程により、図５，図６に示すパッケージ１ｂを得ることができる。
以上のようなパッケージ１ｂによっても、前記パッケージ１ａと同様な効果を奏することが可能である。しかも、第１絶縁基体２ｂおよび第２絶縁基体１２ｂは、前記金属層３５，３６間に配置され且つ溶融した平面視が矩形枠状のハンダ３７によって、両者の表面３および裏面１４の周辺部において外部から一層確実に封止されている。従って、キャビティ６の底面７上および該キャビティ６の開口部付近に実装された電子部品２６，２７を確実に外部から封止できる。

図７は、前記と異なる形態の凸部３０ｍを形成した第１絶縁基体２ａを示す図２と同様な部分拡大断面図である。
図７に示すように、キャビティ６の側面８の開口部に沿った中段９の上に、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕなどの導体からなり、断面が台形状の凸部３０ｍが形成されている。かかる凸部３０ｍは、追ってセラミック層ｃ２となるグリーンシートに穿孔した貫通孔の周囲にＷ粉末などを含む導電性ペーストをスクリーン印刷し、前記各工程を経ることで形成される。該凸部３０ｍによっても、前記封止材２８（３７）がキャビティ６の底面７側に流入する事態を防止することができる。尚、凸部３０ｍは、前記第１絶縁基体２ｂにも、適用することが可能である。

また、図８（Ａ）は、更に異なる形態の凸部３０ｎを形成した第１絶縁基体２ａを示す前記同様の断面図である。かかる凸部３０ｎは、前記同様の導体からなり、図示のように、断面が矩形状で且つ頂面の内外の角部（コーナ）ごとにアールを付したものである。
更に、図８（Ｂ）は、別異な形態の凸部３１ｍを形成した第１絶縁基体２ａを示す前記同様の断面図である。かかる凸部３１ｍは、前記同様の導体からなり、図示のように、断面が前記凸部３１と同様な半円形状または半楕円形状を呈する。
以上のような凸部３０ｎ，３１ｍによっても、前記封止材２８（３７）がキャビティ６の底面７側に流入する事態を防止することができる。
尚、上記凸部３０ｎ，３１ｍは、前記第１絶縁基体２ｂにも、適用することが可能である。また、上記凸部３０ｎに替えて、これと同様な断面形状を有し且つ前記同様のセラミックからなる凸部を第１絶縁基体２ａ，２ｂに設けても良い。

図９（Ａ）は、前記第１絶縁基体２ａ，２ｂに設けた異なる形態のキャビティ６ａと、その周囲に形成した前記凸部３０ｍとを示す部分平面図である。
上記キャビティ６ａは、図９（Ａ）に示すように、平面視が正方形状で各コーナ部（内隅）ごとにアールが付された底面７ａと、該底面７ａの周辺から立設した側面８ａとを含んでいる。そのため、かかる側面８ａを囲み且つ該側面８ａ側である中段９の上には、平面視が上記底面７ａとほぼ相似形の凸部３０ｍが形成されている。かかる凸部３０ｍによっても、前記封止材２８（３７）がキャビティ６ａの底面７ａ側に流入する事態を防止することができる。尚、上記凸部３０ｍに替えて、前記凸部３０，３０ｎ，３１，３１ｍを配設しても良い。

図９（Ｂ）は、前記第１絶縁基体２ａ，２ｂに設けられた更に異なる形態のキャビティ６ｂと、その周囲に形成した前記凸部３０ｍとを示す部分平面図である。
上記キャビティ６ｂは、図９（Ｂ）に示すように、平面視がほぼ正八角形状の底面７ｂと、該底面７ｂの周辺から立設した８つの側面８ｂとを含んでいる。そのため、該側面８ｂを囲み且つ側面８ｂ側である中段９の上には、平面視が上記底面７ａとほぼ相似形の凸部３０ｍが形成されている。かかる凸部３０ｍによっても、前記封止材２８（３７）がキャビティ６ａの底面７ａ側に流入する事態を防止することができる。尚、上記凸部３０ｍに替えて、前記凸部３０，３０ｎ，３１，３１ｍを配設しても良い。

本発明は、前記のような各実施形態に限定されるものではない。
例えば、前記第１絶縁基体および第２絶縁基体を構成する絶縁材には、前記アルミナ以外のセラミック（例えば、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスーセラミック）を適用したり、あるいは、エポキシ系などの樹脂を適用しても良い。
また、前記キャビティは、第２絶縁基体の裏面に開口する凹部を上方側に含む形態としても良い。この形態の場合、上記凹部の天井面に電子部品が実装される。
更に、前記キャビティは、平面視で、正三角形または正五角形以上の多角形、あるいはこれらの変形多角形としても良く、かかる形態の場合、該キャビティの周囲に形成される凸部も、平面視でほぼ相似形状を呈する形態とされる。
また、第１絶縁基体の表面に開口する凹部のみからなるキャビティの場合、かかるキャビティの底面にのみ単一の電子部品を実装する形態としても良い。
更に、前記キャビティを形成する第１絶縁基体の凹部や、第２絶縁基体の裏面または凹部には、それぞれに複数の電子部品を実装しても良い。
加えて、前記凸部は、キャビティにおける前記した側面の開口部を囲む中段９の上に、少なくも単数を立設した形態のほか、内外２重以上に併設した形態としても良い。かかる形態の場合、内側の凸部と外側の凸部との高さを変えても良い。

本発明によれば、単一のキャビティ内に単数あるいは複数の電子部品を実装でき、且つ該キャビティを形成する第１絶縁基体と第２絶縁基体とを両者の周辺部で封止する封止材が上記キャビティ内に流れ込まず、該キャビティ内に実装された電子部品に対する悪影響を確実に防止できるパッケージを提供し得る。

１ａ，１ｂ…………………………………パッケージ
３，１３……………………………………表面
４，１４……………………………………裏面
２ａ，２ｂ…………………………………第１絶縁基体
６，６ａ，６ｂ……………………………キャビティ
１０…………………………………………側面
１１ａ，１１ｂ……………………………隙間
１２ａ，１２ｂ……………………………第２絶縁基体
１５，２１…………………………………実装用端子
２８，３７…………………………………封止材
３０，３０ｍ，３０ｎ，３１，３１ｍ…凸部
ｃ１〜ｃ５…………………………………セラミック層（絶縁材）

Claims

絶縁材からなり、表面および裏面を有する第１絶縁基体と、
絶縁材からなり、表面および裏面を有し、且つ上記第１絶縁基体の上側に積層される第２絶縁基体と、
少なくとも上記第１絶縁基体の表面に開口するキャビティと、
上記第１絶縁基体の表面側の周辺部と第２の絶縁基体の裏面側の周辺部との間に沿って位置し、且つ封止材を充填するための隙間と、
上記キャビティの底面および第２絶縁基体の裏面側にそれぞれ設けられた電子部品を実装するための実装用端子と、を含むパッケージであって、
上記第１絶縁基体の表面側の周辺部で且つ上記封止材が充填される上記隙間となる領域の上記キャビティ側には、該キャビティの周囲を囲む単一の凸部が形成されていると共に、
上記隙間は、上記凸部と上記第１絶縁基体の表面を構成する絶縁材の側面と挟まれた上方に開口する凹溝である、
ことを特徴とするパッケージ。
前記第１絶縁基体のキャビティは、平面視で矩形状であると共に、前記凸部も平面視で矩形枠状である、
ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
前記第１絶縁基体の表面側および第２絶縁基体の裏面側の周辺部ごとのうち、少なくも前記隙間となる領域には、前記キャビティを囲む平面視が矩形枠状の金属層がそれぞれ形成されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のパッケージ。