JP6003897B2 - 中空封止構造 - Google Patents
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Description
また、高価なフィルム樹脂によってキャップを固定する構成となっているため、コストが高くなる問題があった。
さらに、はんだや接着剤などでキャップを固定する場合、中空封止したキャップ内部の基板上にはんだや接着剤が侵入する。このため、中空封止される基板上の電子部品や配線などの実装面積が低下するという問題があった。
さらに、樹脂層は、位置決め部および固定部と接続される構成となっている。この構成により、基板と樹脂層の密着、および固定部と樹脂層の密着がさらに強固となる。その結果、外部から圧力が加えられた場合でも、中空封止を維持できる。
また、キャップを覆う樹脂層を安価な樹脂層で構成しているので、中空封止構造を低コストで作製することができる。
また、基板上に保持されたキャップを樹脂層が覆う構成としている。この構成により、樹脂が中空封止された基板上に侵入することが抑制され、中空封止構造の内部の基板上に配置される電子部品や配線の実装面積を十分に確保することが可能である。
本発明の実施形態は、基板上に設けられた素子部をキャップと樹脂層により封止する中空封止構造に関する。
本実施形態では、素子部120は、ボンディングワイヤーで基板110と電気的に接続されている。
円柱状の突起部131は、その上側と下側の径が異なるテーパー状としてもよい。
突起部131の中心と基板110の貫通孔の中心の位置関係は同心であってもよい。
まず、図4Aおよび4Bで示すように、基板110上に、基板110の所定の配線と素子部120をはんだでワイヤーボンディングする。この処理により、基板110と素子部120とを電気的に接続するとともに、基板110上に素子部120を固定する。そして、図5Aおよび5Bで示すように、キャップ130に設けられた突起部131を基板110の貫通孔に挿通しキャップ130を基板110上に固定する。
このとき、突起部131は、貫通孔外径の素子部120に近い側と接して、キャップ130を基板110に固定できる。
トランスファーモールド法を実施した際の条件は、樹脂の射出圧力が、3.25MPa、射出速度が10mm/sec、樹脂の温度が175℃である。この射出条件としては、キャップ130の強度や素子部120の耐熱温度などに応じて、適宜最適な条件を選択すれば良い。
突起部131の形状が異なること以外は、上述した第一の実施形態と同様の構成である。このため、同一の要素には、同一の符号を付して、詳細な記載を省略する。中空封止構造100の作製方法についても、上述の実施形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
変形例1においては、図7Aおよび7Bで示すように、突起部132が角柱形状をしている。円柱形状の場合と同様に、角柱状の突起部132は、その上側と下側の大きさが異なるテーパー状としてもよい。突起部132が角柱形状の場合、挿通することで位置が決まるようになっていれば、基板110側の位置決め部の形状は、丸孔(丸穴)、角孔(角穴)など、突起部132の形状と異なっていてもよい。
変形例2においては、図8A〜8Cで示すように、突起部133が、基板110の貫通孔を貫通し、さらに基板110と平行方向に伸びたツメ形状をしている。突起部133の先端面は、突起部133の下面から斜め上方に基板110の裏面へと延在した形状をしている。基板110の裏面と接する突起部133の面は、平面となっている。キャップ130の突起部133が基板110の貫通孔に挿通され、ツメの上面が基板110の裏面と接して基板110を係止することにより、キャップ130を基板110に固定できるようになっている。
変形例3は、図9Aおよび9Bで示すように、キャップ130の厚みが2箇所厚くなっており、厚くなっている箇所の端面(基板110と接する面)に円柱形上の突起部134が設けられた構成となっている。すなわち、キャップ130の側面の二箇所(突起部134と接続している部分)の幅が、キャップ130のその他の部分の側面の幅よりも厚い。
キャップ130の厚みが均一な場合、キャップ130の厚みは突起部134の大きさ(径)以上であることが必要となり、その結果、キャップ130の外形が大きくなることがある。一方で、変形例3における構成のキャップ130および突起部134の場合、キャップ130の厚みを薄くしても、キャップ130の端面と基板110上面との接触面積を十分に確保でき、樹脂が中空封止される空間に入り込むことを抑制することができる。
変形例3においては、突起部134が円柱形状の場合について説明したが、突起部134は角柱形状やツメ形状としてもよい。
変形例4においては、図10Aおよび10Bで示すように、樹脂層140がキャップ130の外面を全て覆うとともにキャップ130の貫通孔を埋め、さらに基板110の下面(一面の逆側の面である他面(第2面))側にも回り込んでいる構成となっている。樹脂層140を形成するためには、樹脂充填時に、図10Aおよび10Bで示すような樹脂層140となるように、基板110の下面にモールド金型を配置しておけばよい。このような構成の樹脂層140によれば、キャップ130を強固に密着固定し、中空封止構造170の信頼性を向上させることができる。
変形例4では、キャップ130を挿通する基板110の孔を通じて基板110の下面に樹脂層140が形成される場合について説明した。別の構成として、基板110に別の貫通孔を設けておき、基板110の下面に樹脂層140が回り込み、キャップ30を固定しても良い。
特に、キャップ230を樹脂層240と同一の材料で構成した場合には、キャップ230と樹脂層240の熱膨張係数の差がなくなる。このため、この構成の場合、キャップ230と樹脂層240の熱膨張係数の差により生じる界面の剥離が抑制される。
突起部211に凹部231を係合させると、凹部231が突起部211に動きを制限されて、基板210上にキャップ230が固定されるようになっている。
突起部211は、円柱形状でも角柱形状でもよい。突起部211は、その上面と下面の径が異なるテーパー状としても良い。突起部211は、基板110の実装面より凸となるフレーム(枠)形状でもよい。
まず、基板210上に、基板210の所定の配線と素子部220をはんだでワイヤーボンディングする。この処理により、基板210と素子部220を電気的に接続するとともに、基板210上に素子部220を固定する。そして、基板210上に設けられた突起部211とキャップ230の凹部231を係合させて、キャップ230を基板210上に固定させる。
次に、キャップ230上にトランスファーモールド法により、樹脂層240を形成する。トランスファーモールド法の実施方法は、上述した実施形態において説明した実施方法と同じあるので詳細な説明を省略する。樹脂層240は、キャップ230を覆うように形成され、突起部211と凹部231に囲まれる領域にも樹脂層240が形成される。
突起部211の形状およびキャップ230の凹部231の形状が異なること以外は、上述した第二の実施形態と同様の構成である。このため、同一の要素には、同一の符号を付して、詳細な記載を省略する。また、中空封止構造の作製方法についても、上述の実施形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
変形例5の中空封止構造260においては、図12Aおよび12Bで示すように、突起部212が基板210上に設けられている。突起部212は、下面が小さく上面が大きいツメ形状である。突起部212は素子部220の方向に、ツメ(鋭角の部分)が向くように配置されている。樹脂層240は、突起部212とキャップ230の凹部232の隙間にも形成される。
また、突起部212がツメ形状をしているので、キャップ230の凹部232を突起部212に係合させ易く、作業性が良好となる。
変形例6の中空封止構造270においては、図13Aおよび13Bで示すように、基板210上に複数の突起部213が設けられている(図13Aおよび13Bに示す例では、合計6箇所)。キャップ230には、突起部213に対応した凹部が設けられる。凹部は、キャップ230の端面が部分的に窪んだ部分である。キャップ230の端面(基板110とキャップ230が接する面)は平面となっている。基板210の突起部213にキャップ230の凹部が係合され、基板210と平行方向(図13Aおよび13Bの左右または前後方向)へのキャップ230の動きが制限されるようになっている。
110、210 基板
120、220 素子部
130、230 キャップ
131、132、133、134 突起部(固定部)
140、240 樹脂層
211、212、213 突起部(位置決め部)
231、232 凹部(固定部)
Claims (5)
- 基板と、前記基板の第1面に設けられた素子部と、前記素子部を覆うキャップと、前記キャップを覆う樹脂層と、を備えた中空封止構造であって、
前記基板は、前記キャップの位置決めをする位置決め部を有し、
前記キャップは、前記位置決め部に配置され前記キャップを前記基板に固定する固定部を有し、
前記樹脂層は、前記位置決め部および固定部と接続され、
前記位置決め部は、前記基板に設けられた穴であり、
前記固定部は、前記キャップに設けられた突起部である中空封止構造。 - 基板と、前記基板の第1面に設けられた素子部と、前記素子部を覆うキャップと、前記キャップを覆う樹脂層と、を備えた中空封止構造であって、
前記基板は、前記キャップの位置決めをする位置決め部を有し、
前記キャップは、前記位置決め部に配置され前記キャップを前記基板に固定する固定部を有し、
前記樹脂層は、前記位置決め部および固定部と接続され、
前記位置決め部は、前記基板に設けられた突起部であり、
前記固定部は、前記キャップに設けられた凹部である中空封止構造。 - 前記固定部は、前記キャップの端面の外側寄りに設けられ、前記基板の一面と接する前記キャップの端面は、平面である請求項1又は請求項2に記載の中空封止構造。
- 前記樹脂層は、前記位置決め部を貫通し前記第1面とは逆側の面である前記基板の第2面に接続されている請求項1に記載の中空封止構造。
- 前記樹脂層は、前記位置決め部とは異なる貫通孔を貫通し前記第1面とは逆側の面である前記基板の第2面に接続されている請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の中空封止構造。
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Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6240750A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置 |
JPH0229104A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Iida Sangyo Kk | 発振器及びその製造方法 |
JPH06281210A (ja) | 1993-03-29 | 1994-10-07 | Toshiba Corp | ダイナミック型氷蓄熱装置 |
JP3201063B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2001-08-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JPH0922954A (ja) | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 半導体装置 |
JP2000174151A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体搭載基板の気密封止構造とその製造方法 |
JP3815936B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2006-08-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | Icカード |
JP2002110833A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002231843A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Tdk Corp | 電子部品保護用キャップおよびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法 |
US6952046B2 (en) * | 2002-06-19 | 2005-10-04 | Foster-Miller, Inc. | Electronic and optoelectronic component packaging technique |
JP2008060289A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi Ltd | 半導体パッケージ |
JP2009283553A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Nec Electronics Corp | 電子装置およびその製造方法 |
JP5495176B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2014-05-21 | 日本電気株式会社 | 中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置 |
JP5231382B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2013-07-10 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP5879866B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2016-03-08 | 日本電気株式会社 | 中空封止構造の製造方法 |
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