JP6003897B2 - 中空封止構造 - Google Patents

中空封止構造 Download PDF

Info

Publication number
JP6003897B2
JP6003897B2 JP2013536222A JP2013536222A JP6003897B2 JP 6003897 B2 JP6003897 B2 JP 6003897B2 JP 2013536222 A JP2013536222 A JP 2013536222A JP 2013536222 A JP2013536222 A JP 2013536222A JP 6003897 B2 JP6003897 B2 JP 6003897B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
substrate
resin layer
sealing structure
hollow sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013536222A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013047354A1 (ja
Inventor
卓司 上田
卓司 上田
田子 雅基
雅基 田子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of JPWO2013047354A1 publication Critical patent/JPWO2013047354A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6003897B2 publication Critical patent/JP6003897B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06Hermetically-sealed casings
    • H05K5/065Hermetically-sealed casings sealed by encapsulation, e.g. waterproof resin forming an integral casing, injection moulding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/06Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/163Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/16315Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Description

本発明は、基板上に設けられた素子部を中空封止する中空封止構造に関する。
近年、BS・CS放送、マイクロ波通信機、レーダー装置など、高周波帯域で使用される通信機器の利用が増加している。一般的に、周波数が高くなると、比誘電率の高い物質中を伝播するときに、電磁波のエネルギーの減衰が大きくなる。その結果、通信性能が劣化する問題が生じる。そのため、通信機器の電子部品において、高周波特性を十分に引き出すために、電子部品の素子部の周囲に、比誘電率の低い空気層を形成して中空封止した気密封止構造が採用されている。
電子部品には、高性能化、良好な信頼性、小型化、低コスト化など、多様な特性が求められている。素子部自体の改良に加えて、素子を中空封止するパッケージ(中空封止構造)の改良も必要となってきている。中空封止構造への要求としては、良好な気密性、低コスト化、十分な実装面積の確保などが挙げられる。
素子部を中空封止する中空封止構造として、例えば、特許文献1に提案されている中空封止構造は、基板と、基板上に設けられた素子部と、素子部を覆い中空封止する樹脂キャップと、樹脂キャップを基板上に接着する接着部とを備えている。樹脂キャップは固定用のフィルムを有している。
特許文献2に提案されている構成は、基板と、基板上に設けられた素子部と、素子部を覆い中空封止するキャップとを備える。基板にはキャップの位置合わせを行う段差が設けられている。
また、特許文献3に提案されている構成は、穴が形成された基板と、基板上に設けられた素子部と、素子部を中空封止し、突起部が設けられたキャップとを備える。キャップの突起部が基板の孔に配置されキャップを固定する。
日本国特開2009−283553号公報 日本国特開2008−60289号公報 日本国特開平9−22954号公報
特許文献1に開示されている中空封止構造では、キャップを基板上に固定する際に、キャップの位置が所定の位置からずれる場合がある。この場合、外気あるいは固定用のフィルム樹脂が、中空封止されるキャップ内部へ侵入することがある。この場合、中空部の気密性を保つことができず、高周波特性が劣化する問題があった。
また、高価なフィルム樹脂によってキャップを固定する構成となっているため、コストが高くなる問題があった。
さらに、はんだや接着剤などでキャップを固定する場合、中空封止したキャップ内部の基板上にはんだや接着剤が侵入する。このため、中空封止される基板上の電子部品や配線などの実装面積が低下するという問題があった。
上述した、キャップの位置ずれの問題に対し、特許文献2のように、基板に段差を設けたり、特許文献3のように基板に穴を形成し、キャップの突起部を穴に挿通したりするような構成にすることで、位置ずれを抑制することも考えられる。ところが、固定した後の強度が不十分のため、中空封止部の空気がリークしてしまう問題があった。
この発明は前述した事情に鑑みてなされた。本発明の目的の一例は、基板に設けられた素子部を封止するキャップおよび樹脂層の基板との密着を良好にして中空封止の信頼性が高く、かつ、低コストで製造可能な中空封止構造を提供することである。
前述の課題を解決するために、本発明の実施態様に係る中空封止構造は、基板と、前記基板の第1面に設けられた素子部と、前記素子部を覆うキャップと、前記キャップを覆う樹脂層とを備える。前記基板は、前記キャップの位置決めをする位置決め部を有する。前記キャップは、前記位置決め部に配置され前記キャップを前記基板に固定する固定部を有する。前記樹脂層は、前記位置決め部および固定部と接続されている。前記位置決め部は、前記基板に設けられた穴であり、前記固定部は、前記キャップに設けられた突起部である
本発明の実施態様に係る中空封止構造によれば、キャップの固定部が基板上に設けられた位置決め部に配置され、キャップが基板上に固定される構成となっている。この構成により、キャップを樹脂層で覆う際に位置ずれが生じることがなく、基板と樹脂層との密着を良好にすることができ、中空封止の信頼性を向上させることができる。
さらに、樹脂層は、位置決め部および固定部と接続される構成となっている。この構成により、基板と樹脂層の密着、および固定部と樹脂層の密着がさらに強固となる。その結果、外部から圧力が加えられた場合でも、中空封止を維持できる。
また、キャップを覆う樹脂層を安価な樹脂層で構成しているので、中空封止構造を低コストで作製することができる。
また、基板上に保持されたキャップを樹脂層が覆う構成としている。この構成により、樹脂が中空封止された基板上に侵入することが抑制され、中空封止構造の内部の基板上に配置される電子部品や配線の実装面積を十分に確保することが可能である。
本発明の第一の実施形態に係る中空封止構造の縦断面図である。 本発明の第一の実施形態に係る中空封止構造の平面図である。 本発明の第一の実施形態に係るキャップの縦断面図である。 本発明の第一の実施形態に係るキャップの下面図である。 本発明の第一の実施形態の貫通孔付近の拡大図である。 本発明の第一の実施形態における基板上に配置された素子部の縦断面図である。 本発明の第一の実施形態における基板上に配置された素子部の平面図である。 本発明の第一の実施形態における基板上に配置されたキャップの縦断面図ある。 本発明の第一の実施形態における基板上に配置されたキャップの平面図である。 本発明の第一の実施形態におけるトランスファーモールド法の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態におけるトランスファーモールド法の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例1の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例1の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例2の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例2の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例2の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例3の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例3の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例4の概略説明図である。 本発明の第一の実施形態の変形例4の概略説明図である。 本発明の第二の実施形態に係る中空封止構造の縦断面図である。 本発明の第二の実施形態おける突起部付近の拡大図である。 本発明の第二の実施形態の変形例5の概略説明図である。 本発明の第二の実施形態の変形例5の概略説明図である。 本発明の第二の実施形態の変形例6の概略説明図である。 本発明の第二の実施形態の変形例6の概略説明図である。
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。
本発明の実施形態は、基板上に設けられた素子部をキャップと樹脂層により封止する中空封止構造に関する。
本発明の第一の実施形態の中空封止構造100は、図1Aおよび1Bで示すように、基板110と、素子部120と、キャップ130と、樹脂層140とを備えている。素子部120は、基板110の上面(一面、第1面)に設けられている。キャップ130は、素子部120を覆うように配置されている。樹脂層140は、キャップ130を覆う。
基板110は、電子回路を形成する板形状の部品である。基板110の表面には、素子部120や電子部品が固定される。基板110と、素子部120や電子部品との間が基板110上の配線で接続される。基板110としては、例えば、ガラスエポキシのような樹脂材料や柔軟性に優れるフレキシブル基板などを使用してもよい。基板110には、円柱形状の貫通孔(位置決め部、穴)が、所定の位置に2箇所形成されている。この貫通孔には、キャップ130および樹脂層140が配置される。
素子部120は、基板110の上に設けられている。素子部120は、例えば、はんだや導電性接着剤などで基板110に固定される。素子部120は、基板110上に形成された配線と電気的に接続される。
本実施形態では、素子部120は、ボンディングワイヤーで基板110と電気的に接続されている。
キャップ130は、図2Aおよび2Bで示すように、下方に向けて開口した箱型の形状をしている。キャップ130は、素子部120を覆うように配置されている。キャップ130は、素子部120およびボンディングワイヤーと物理的に接触しないように、十分に大きな空間をもつ箱型の形状をしている。キャップ130の端面(基板110とキャップ130が接する面)は、平面となっている。キャップ130は、例えば、樹脂材料、金属材料、セラミック材料などで構成されている。特に、キャップ130を樹脂層140と同一の材料で構成した場合には、キャップ130と樹脂層140の熱膨張係数の差がなくなる。このため、この構成の場合、キャップ130と樹脂層140の熱膨張係数の差により生じる界面の剥離が抑制される。
本実施形態において、キャップ130の下方(キャップ130の端面)には、円柱形状の突起部131が、基板110の貫通孔と対応するように2箇所形成されている。この突起部131の大きさ(図3に示すφA)は、貫通孔の大きさ(図3に示すφB)よりも小さい。このため、突起部131を貫通孔に挿通したときに隙間(φB−φA)が生じる。貫通孔に突起部131を挿通したときに、突起部131によってキャップ130が固定される。突起部131はキャップ130端面の外側(素子部120に対して逆方向側)寄りに設けられていている。
円柱状の突起部131は、その上側と下側の径が異なるテーパー状としてもよい。
突起部131の中心と基板110の貫通孔の中心の位置関係は同心であってもよい。
樹脂層140は、キャップ130およびキャップ130の突起部131を覆うように配置されている。樹脂層140は、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などで構成されている。樹脂層140は、基板110と密着し、素子部120を中空封止する。キャップ130と樹脂層140により素子部120を中空封止した中空封止構造100の内部に外気が流入しない。外気が中空封止構造100の内部に流入した場合、外気の湿気などにより素子部120や配線の劣化が生じ、電子部品の性能の低下を引き起こし、本来の性能が得られなくなる。
このように構成された本実施形態の中空封止構造100の作製方法について、以下に説明する。
まず、図4Aおよび4Bで示すように、基板110上に、基板110の所定の配線と素子部120をはんだでワイヤーボンディングする。この処理により、基板110と素子部120とを電気的に接続するとともに、基板110上に素子部120を固定する。そして、図5Aおよび5Bで示すように、キャップ130に設けられた突起部131を基板110の貫通孔に挿通しキャップ130を基板110上に固定する。
このとき、突起部131は、貫通孔外径の素子部120に近い側と接して、キャップ130を基板110に固定できる。
次に、キャップ130の上に樹脂層140を形成する。本実施形態では、樹脂層140は、トランスファーモールド法(射出成型)により形成される。トランスファーモールド法とは、軟化する温度に加熱した樹脂に圧力を加えて金型に押し込み、型に充填して成形する樹脂の加工方法である。
トランスファーモールド法によって樹脂層140を形成するために、図6Aおよび6Bで示すように、キャップ130を覆うようにトランスファーモールド金型(以下、金型)150と、樹脂の注入口のゲート151と、樹脂の流入路のランナー152と、樹脂をランナー152へ送るカル153が配置される。本実施形態では、金型150は縦断面視において、図6Aで示すように台形形状をしている。成形される樹脂層140の厚みは基板110と接する側が厚い。上方にいくに従い、樹脂層140の厚みが薄くなっている。ゲート151はサイドに設けられたサイドゲートである。
カル153から送り出された樹脂は、キャップ130と射出成型金型150との間の空間領域(隙間)に射出され、キャップ130を覆うように形成され、素子部120を中空封止する。このとき、貫通孔は、図2Aおよび2Bで示したように、キャップ130の突起部131と貫通孔の隙間(図3に示すφB−φA)の空間にも、樹脂層140が形成される。
トランスファーモールド法を実施した際の条件は、樹脂の射出圧力が、3.25MPa、射出速度が10mm/sec、樹脂の温度が175℃である。この射出条件としては、キャップ130の強度や素子部120の耐熱温度などに応じて、適宜最適な条件を選択すれば良い。
本実施形態の中空封止構造100によれば、キャップ130の突起部131が基板110上に設けられた貫通孔に配置されて、キャップ130が基板110上に固定される構成となっている。この構成により、トランスファーモールド法を用いてキャップ130を樹脂層140で覆う際に、位置ずれが生じることがない。これによって、基板110と樹脂層140との密着を良好にすることができ、素子部120の中空封止の信頼性を向上させることができる。
さらに、樹脂層140は、貫通孔とキャップの突起部131の隙間にも形成される構成となっている。この構成により、キャップ130と樹脂層140の密着、および、基板110と樹脂層140の密着がより強固となる。その結果、樹脂層140の外部から圧力が加えられた場合でも、中空封止を維持し、信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態では、基板110と接するキャップ130の端面を平面としている。この構成により、キャップ130を基板110に十分に密着させることができ、中空封止構造の信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態では、トランスファーモールド法によってキャップ130を覆う樹脂層140を成形するので、低コストで樹脂層140を形成することができる。
また、基板110上に保持されたキャップ130を樹脂層140が覆う構成としている。この構成により、樹脂が中空封止された基板110上に侵入することが抑制され、中空封止された空間内部における素子部120や配線の基板110上の実装面積を十分に確保することができる。
上述の実施形態では、位置決め部が円柱形状の貫通孔である場合について説明したが、この構成に限られない。貫通孔は、長孔でも角孔であってもよい。また、位置決め部は、貫通孔でなくてもよく、基板110上に設けられた貫通していない穴(凹み)であってもよい。
突起部131の形状は、上述した形状以外でも良い。突起部131の形状が上述した実施形態とは異なる例について、以下に変形例1〜変形例4として詳細を説明する。
突起部131の形状が異なること以外は、上述した第一の実施形態と同様の構成である。このため、同一の要素には、同一の符号を付して、詳細な記載を省略する。中空封止構造100の作製方法についても、上述の実施形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
(変形例1)
変形例1においては、図7Aおよび7Bで示すように、突起部132が角柱形状をしている。円柱形状の場合と同様に、角柱状の突起部132は、その上側と下側の大きさが異なるテーパー状としてもよい。突起部132が角柱形状の場合、挿通することで位置が決まるようになっていれば、基板110側の位置決め部の形状は、丸孔(丸穴)、角孔(角穴)など、突起部132の形状と異なっていてもよい。
突起部132を角柱形状の構成とした中空封止構造によれば、突起部132が貫通孔に接触する面積が増加する。このため、基板110上にキャップ130が強固に固定されて、トランスファーモールド法を用いて樹脂層140を形成するときの位置ずれを抑制でき、基板110と樹脂(樹脂層140)の密着をより強くすることができる。その結果、中空封止の信頼性を向上させることができる。
(変形例2)
変形例2においては、図8A〜8Cで示すように、突起部133が、基板110の貫通孔を貫通し、さらに基板110と平行方向に伸びたツメ形状をしている。突起部133の先端面は、突起部133の下面から斜め上方に基板110の裏面へと延在した形状をしている。基板110の裏面と接する突起部133の面は、平面となっている。キャップ130の突起部133が基板110の貫通孔に挿通され、ツメの上面が基板110の裏面と接して基板110を係止することにより、キャップ130を基板110に固定できるようになっている。
突起部133をツメ形状の構成とした中空封止構造160によれば、突起部133が基板110の裏面において基板110と係止される構成となっている。この構成により、基板110上により強固にキャップ130が固定されて、トランスファーモールド法を用いて樹脂層140を形成するときに、位置ずれを抑制できる。これによって、基板110と樹脂(樹脂層140)の密着をより強くし、中空封止の信頼性を向上させることができる。
また、突起部133がツメ形状となっているので、キャップ130が上方向に位置ずれをすることがなく、キャップ130と基板110の隙間から樹脂が侵入し難い。このため、中空封止構造160のリークを抑制するとともに、配線や素子部120などの実装面積を確保することができる。
さらに、突起部133のツメ形状は、突起部133の下面から斜め上方に基板110の裏面へと延在した形状となっている。このため、キャップ130の突起部133を貫通孔に挿通するときに、突起部133が貫通孔に挿通しやすく、かつ突起部133が貫通孔から抜けにくい。このため、作業性に優れている。
(変形例3)
変形例3は、図9Aおよび9Bで示すように、キャップ130の厚みが2箇所厚くなっており、厚くなっている箇所の端面(基板110と接する面)に円柱形上の突起部134が設けられた構成となっている。すなわち、キャップ130の側面の二箇所(突起部134と接続している部分)の幅が、キャップ130のその他の部分の側面の幅よりも厚い。
キャップ130の厚みが均一な場合、キャップ130の厚みは突起部134の大きさ(径)以上であることが必要となり、その結果、キャップ130の外形が大きくなることがある。一方で、変形例3における構成のキャップ130および突起部134の場合、キャップ130の厚みを薄くしても、キャップ130の端面と基板110上面との接触面積を十分に確保でき、樹脂が中空封止される空間に入り込むことを抑制することができる。
また、キャップ130の厚みを薄くすることができるので、キャップ130のコストを低減することが可能となる。
変形例3においては、突起部134が円柱形状の場合について説明したが、突起部134は角柱形状やツメ形状としてもよい。
(変形例4)
変形例4においては、図10Aおよび10Bで示すように、樹脂層140がキャップ130の外面を全て覆うとともにキャップ130の貫通孔を埋め、さらに基板110の下面(一面の逆側の面である他面(第2面))側にも回り込んでいる構成となっている。樹脂層140を形成するためには、樹脂充填時に、図10Aおよび10Bで示すような樹脂層140となるように、基板110の下面にモールド金型を配置しておけばよい。このような構成の樹脂層140によれば、キャップ130を強固に密着固定し、中空封止構造170の信頼性を向上させることができる。
変形例4では、キャップ130を挿通する基板110の孔を通じて基板110の下面に樹脂層140が形成される場合について説明した。別の構成として、基板110に別の貫通孔を設けておき、基板110の下面に樹脂層140が回り込み、キャップ30を固定しても良い。
上述の実施形態では、キャップ130に設けられた突起部(固定部)131が基板110に形成された貫通孔(位置決め部)に挿通され、キャップ130を固定する構成について説明した。別の構成として、基板に形成された突起部に、キャップに形成された凹部が係合され、キャップを基板に固定する構成としても良い。その実施の形態について、第二の実施形態として、以下に詳細を説明する。
第二の実施形態の中空封止構造200は、図11Aおよび11Bで示すように、基板210と、素子部220と、キャップ230と、樹脂層240とを備えている。素子部220は、基板210上に設けられている。キャップ230は、素子部220を覆うように配置されている。樹脂層240は、キャップ230を覆う。
基板210は、電子回路を形成する板形状の部品である。基板210の表面には、素子部220や電子部品が固定される。基板210と、素子部220や電子部品と間が基板210上の配線で接続される。基板210としては、例えば、ガラスエポキシのような樹脂材料や柔軟性に優れるフレキシブル基板などを使用してもよい。基板210には、突起部211が、所定の位置に2箇所形成されている。突起部211は、キャップ230および樹脂層240を固定する。
素子部220は、基板210の上に設けられている。素子部220は、例えば、はんだや導電性接着剤などで基板210に固定される。素子部220は、基板210上に形成された配線と電気的に接続される。本実施形態では、素子部220はボンディングワイヤーで基板210と電気的に接続されている。
キャップ230は、下方に向けて開口した箱型の形状をしている。キャップ230は、素子部220を覆うように配置されている。キャップ230の端面(キャップ230と基板110が接する面)は、平面となっている。キャップ230は、素子部220およびボンディングワイヤーと物理的に接触しないように、十分に大きな空間をもつ箱型の形状をしている。キャップ230は、例えば、樹脂材料、金属材料、セラミック材料などで構成されている。
特に、キャップ230を樹脂層240と同一の材料で構成した場合には、キャップ230と樹脂層240の熱膨張係数の差がなくなる。このため、この構成の場合、キャップ230と樹脂層240の熱膨張係数の差により生じる界面の剥離が抑制される。
本実施形態において、キャップ230の下方(キャップ230の端面)には、基板210に設けられた突起部211と対応する凹部231が2箇所設けられている。凹部231は、キャップ230の側面の下端部が部分的に窪んだ部分である。突起部211は、図11Aおよび11Bで示すように、キャップ230端面の外側(素子部220に対して逆方向側)寄りに設けられている。突起部211の素子部220側にはキャップ230の凹部231が配置される。突起部211の素子部220側とは反対側には樹脂層240が配置されている。
突起部211に凹部231を係合させると、凹部231が突起部211に動きを制限されて、基板210上にキャップ230が固定されるようになっている。
突起部211は、円柱形状でも角柱形状でもよい。突起部211は、その上面と下面の径が異なるテーパー状としても良い。突起部211は、基板110の実装面より凸となるフレーム(枠)形状でもよい。
樹脂層240は、キャップ230および基板210の突起部211を覆うように配置されている。樹脂層240は、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などで構成されている。樹脂層240は、基板210と密着し、素子部220を中空封止する。キャップ230と樹脂層240により素子部220を中空封止した中空封止構造200の内部に外気が流入しない。外気が中空封止構造200の内部に流入した場合、外気の湿気などにより素子部220や配線の劣化が生じ、電子部品の性能の低下を引き起こし、本来の性能が得られなくなる。
このように構成された本実施形態の中空封止構造200の作製方法について、以下に説明する。
まず、基板210上に、基板210の所定の配線と素子部220をはんだでワイヤーボンディングする。この処理により、基板210と素子部220を電気的に接続するとともに、基板210上に素子部220を固定する。そして、基板210上に設けられた突起部211とキャップ230の凹部231を係合させて、キャップ230を基板210上に固定させる。
次に、キャップ230上にトランスファーモールド法により、樹脂層240を形成する。トランスファーモールド法の実施方法は、上述した実施形態において説明した実施方法と同じあるので詳細な説明を省略する。樹脂層240は、キャップ230を覆うように形成され、突起部211と凹部231に囲まれる領域にも樹脂層240が形成される。
第二の実施形態の中空封止構造200によれば、キャップ230の凹部231が基板210上に設けられた突起部211と係合し、キャップ230が基板210上に固定される構成となっている。この構成により、トランスファーモールド法を用いてキャップ230を樹脂層240で覆う際に、位置ずれが生じることがなく、基板210と樹脂層240との密着を良好にすることができる。そのため、確実に素子部220の中空封止を行い、中空封止の信頼性を向上させることができる。
さらに、樹脂層240は、基板210の突起部211およびキャップ230の凹部231の周りにも形成される構成となっている。この構成により、キャップ230と樹脂層240の密着、および、基板210と樹脂層240の密着がより強固となる。その結果、樹脂層240の外部から圧力が加えられた場合でも、中空封止を維持し、信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態では、トランスファーモールド法によってキャップ230を覆う樹脂層240を成形するので、低コストで樹脂層240を形成することができる。
また、突起部211と凹部231が係合し、基板210上に固定されたキャップ230を樹脂層240が覆う構成としている。この構成により、樹脂が中空封止された基板210上に侵入することが抑制され、中空封止構造200の内部において電子部品や配線の基板210上の実装面積を十分に確保することができる。
基板210上の突起部211の形状は、上述した形状以外でも良い。突起部231の形状が上述した実施形態とは異なる例について、以下に変形例5および変形例6として詳細を説明する。
突起部211の形状およびキャップ230の凹部231の形状が異なること以外は、上述した第二の実施形態と同様の構成である。このため、同一の要素には、同一の符号を付して、詳細な記載を省略する。また、中空封止構造の作製方法についても、上述の実施形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
(変形例5)
変形例5の中空封止構造260においては、図12Aおよび12Bで示すように、突起部212が基板210上に設けられている。突起部212は、下面が小さく上面が大きいツメ形状である。突起部212は素子部220の方向に、ツメ(鋭角の部分)が向くように配置されている。樹脂層240は、突起部212とキャップ230の凹部232の隙間にも形成される。
このような構成の中空封止構造260によれば、突起部212とキャップ230の隙間にも樹脂層240が形成される。この構成により、キャップ230と樹脂層240とがより強固に密着し、また、基板210と樹脂層240とがより強固に密着する。その結果、外部からの強い圧力が加わった時でも、中空封止構造260を維持し、信頼性を向上させることができる。
また、突起部212がツメ形状をしているので、キャップ230の凹部232を突起部212に係合させ易く、作業性が良好となる。
(変形例6)
変形例6の中空封止構造270においては、図13Aおよび13Bで示すように、基板210上に複数の突起部213が設けられている(図13Aおよび13Bに示す例では、合計6箇所)。キャップ230には、突起部213に対応した凹部が設けられる。凹部は、キャップ230の端面が部分的に窪んだ部分である。キャップ230の端面(基板110とキャップ230が接する面)は平面となっている。基板210の突起部213にキャップ230の凹部が係合され、基板210と平行方向(図13Aおよび13Bの左右または前後方向)へのキャップ230の動きが制限されるようになっている。
このような構成の中空封止構造270によれば、複数の突起部213と複数のキャップ230の凹部が係合し、キャップ230の動きを制限するようになっている。このため、トランスファーモールド法で樹脂層240を形成する際に、キャップ230が位置ずれを生じることがない。そのため、所定の位置に樹脂層240が形成され、確実に中空封止し、信頼性を向上させることができる。
また、突起部213とキャップ230の凹部が係合し、基板210と平行方向の動きが制限される。このため、サイドゲートをどの方向に設けても、キャップ230が位置ずれを起こすことがなく、確実に中空封止することが可能となる。
この基板210上の突起部213は、配線パターンでもよい。配線パターン形成時に突起部213となるパターンを形成してもよい。また、キャップ230端部のコーナー部分と対応する基板210の箇所にL字形状のパターンやリング形状のパターンを形成してもよい。
また、第二の実施形態において、基板210に貫通孔を形成しておき、変形例4で説明したように、基板210の裏面にも樹脂層240が形成されるようにしてもよい。この構成により、キャップ230をより強固に固定できる。
以上、本発明の実施形態である中空封止構造について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
上記実施の形態では、位置決め部(貫通孔、突起部)、固定部(突起部、凹部)の数を所定数に限定した。しかしながら、位置決め部や固定部の数は、一つ以上であればよい。また、位置決め部や固定部は、樹脂層を形成する際の条件に応じて、適宜必要な箇所に設けるようにすればよい。
また、上記実施の形態では、基板の上面に素子部が設けられる構成としたが、基板の下面に素子部が設けられる構成としてもよい。
また、上記の実施形態において、トランスファーモールド法で用いられる樹脂の粘度、流動性、フィラーサイズを最適に選択することによりキャップと基板の間隙にも、樹脂を充填することが可能である。この場合、中空封止構造の信頼性を向上させることが可能である。
また、上記の実施形態では、基板の突起部が円柱形状の場合を説明したがこれに限られない。基板の突起部を、半円柱形状や、円柱側面に溝が形成された形状とし、隙間に樹脂が充填されやすくしても良い。
この出願は、2011年9月26日に出願された日本国特願2011−208642を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
本発明は、中空封止構造に適用することができる。本発明を適用した中空封止構造は、中空封止の信頼性が高く、かつ、低コストで製造可能である。
100、160、170、200、260、270 中空封止構造
110、210 基板
120、220 素子部
130、230 キャップ
131、132、133、134 突起部(固定部)
140、240 樹脂層
211、212、213 突起部(位置決め部)
231、232 凹部(固定部)

Claims (5)

  1. 基板と、前記基板の第1面に設けられた素子部と、前記素子部を覆うキャップと、前記キャップを覆う樹脂層と、を備えた中空封止構造であって、
    前記基板は、前記キャップの位置決めをする位置決め部を有し、
    前記キャップは、前記位置決め部に配置され前記キャップを前記基板に固定する固定部を有し、
    前記樹脂層は、前記位置決め部および固定部と接続され、
    前記位置決め部は、前記基板に設けられた穴であり、
    前記固定部は、前記キャップに設けられた突起部である中空封止構造。
  2. 基板と、前記基板の第1面に設けられた素子部と、前記素子部を覆うキャップと、前記キャップを覆う樹脂層と、を備えた中空封止構造であって、
    前記基板は、前記キャップの位置決めをする位置決め部を有し、
    前記キャップは、前記位置決め部に配置され前記キャップを前記基板に固定する固定部を有し、
    前記樹脂層は、前記位置決め部および固定部と接続され、
    前記位置決め部は、前記基板に設けられた突起部であり、
    前記固定部は、前記キャップに設けられた凹部である中空封止構造。
  3. 前記固定部は、前記キャップの端面の外側寄りに設けられ、前記基板の一面と接する前記キャップの端面は、平面である請求項1又は請求項2に記載の中空封止構造。
  4. 前記樹脂層は、前記位置決め部を貫通し前記第1面とは逆側の面である前記基板の第2面に接続されている請求項1に記載の中空封止構造。
  5. 前記樹脂層は、前記位置決め部とは異なる貫通孔を貫通し前記第1面とは逆側の面である前記基板の第2面に接続されている請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の中空封止構造。
JP2013536222A 2011-09-26 2012-09-21 中空封止構造 Active JP6003897B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011208642 2011-09-26
JP2011208642 2011-09-26
PCT/JP2012/074184 WO2013047354A1 (ja) 2011-09-26 2012-09-21 中空封止構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013047354A1 JPWO2013047354A1 (ja) 2015-03-26
JP6003897B2 true JP6003897B2 (ja) 2016-10-05

Family

ID=47995386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013536222A Active JP6003897B2 (ja) 2011-09-26 2012-09-21 中空封止構造

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9125311B2 (ja)
JP (1) JP6003897B2 (ja)
WO (1) WO2013047354A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9470394B2 (en) * 2014-11-24 2016-10-18 Cree, Inc. LED light fixture including optical member with in-situ-formed gasket and method of manufacture
JP6485257B2 (ja) * 2015-07-01 2019-03-20 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US11488880B2 (en) 2017-06-30 2022-11-01 Intel Corporation Enclosure for an electronic component
JPWO2023282317A1 (ja) * 2021-07-07 2023-01-12

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6240750A (ja) * 1985-08-16 1987-02-21 Nec Corp 樹脂封止半導体装置
JPH0229104A (ja) * 1988-07-19 1990-01-31 Iida Sangyo Kk 発振器及びその製造方法
JPH06281210A (ja) 1993-03-29 1994-10-07 Toshiba Corp ダイナミック型氷蓄熱装置
JP3201063B2 (ja) * 1993-03-31 2001-08-20 ソニー株式会社 半導体装置
JPH0922954A (ja) 1995-07-04 1997-01-21 Toyota Autom Loom Works Ltd 半導体装置
JP2000174151A (ja) * 1998-12-10 2000-06-23 Sharp Corp 半導体搭載基板の気密封止構造とその製造方法
JP3815936B2 (ja) * 2000-01-25 2006-08-30 株式会社ルネサステクノロジ Icカード
JP2002110833A (ja) * 2000-10-04 2002-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2002231843A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Tdk Corp 電子部品保護用キャップおよびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法
US6952046B2 (en) * 2002-06-19 2005-10-04 Foster-Miller, Inc. Electronic and optoelectronic component packaging technique
JP2008060289A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Hitachi Ltd 半導体パッケージ
JP2009283553A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Nec Electronics Corp 電子装置およびその製造方法
JP5495176B2 (ja) * 2009-11-05 2014-05-21 日本電気株式会社 中空樹脂パッケージの形成方法および形成装置
JP5231382B2 (ja) * 2009-11-27 2013-07-10 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP5879866B2 (ja) * 2011-09-26 2016-03-08 日本電気株式会社 中空封止構造の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140166352A1 (en) 2014-06-19
JPWO2013047354A1 (ja) 2015-03-26
US9125311B2 (en) 2015-09-01
WO2013047354A1 (ja) 2013-04-04
CN103765576A (zh) 2014-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101991644B1 (ko) 전자 장치 및 그 제조 방법
US9706661B2 (en) Electronic device module and manufacturing method thereof
US20100208442A1 (en) Wiring board assembly and manufacturing method thereof
US9392695B2 (en) Electric component module
JP6003897B2 (ja) 中空封止構造
CN101587871A (zh) 电子器件以及制造电子器件的方法
CN103021981A (zh) 集成电路及制造方法
KR101514518B1 (ko) 전자부품 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
WO2009113507A1 (ja) 半導体装置とこれを備えた通信機器及び電子機器
JP2010050150A (ja) 半導体装置及び半導体モジュール
US9980407B2 (en) Electronic device, and electronic structure provided with electronic device
WO2016143317A1 (ja) 電子装置及びその製造方法
JP5949667B2 (ja) モールドパッケージおよびその製造方法
US9064882B2 (en) Package substrate, manufacturing method thereof, and mold therefor
JP2010258137A (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法
JP5879866B2 (ja) 中空封止構造の製造方法
KR101539885B1 (ko) 전자 소자 모듈
JP6007535B2 (ja) 中空封止構造及びそれを備えた中空パッケージ
JP6194804B2 (ja) モールドパッケージ
JP2014072346A (ja) 中空封止構造及び中空封止構造の製造方法
KR101224356B1 (ko) 고주파 멤스 소자 패키지
JP6155763B2 (ja) 中空封止構造および中空封止方法
JP6217109B2 (ja) 気密封止体
US20140027160A1 (en) Printed circuit board and fabricating method thereof
JPWO2017002775A1 (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150825

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160809

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160822

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6003897

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150