JPS6240750A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
- Publication number
- JPS6240750A JPS6240750A JP60180658A JP18065885A JPS6240750A JP S6240750 A JPS6240750 A JP S6240750A JP 60180658 A JP60180658 A JP 60180658A JP 18065885 A JP18065885 A JP 18065885A JP S6240750 A JPS6240750 A JP S6240750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- sealed
- semiconductor chip
- leads
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止構造の半導体装置に関する。
半導体装置は機械的、耐湿的環境に対する保護を目的と
して気密封止もしくはそれに準じて樹脂封止が行なわれ
る。特に高周波用途で価格的制限のあるものでは、第２
図に示すように、半導体チップ周囲を樹脂で充てんする
か、あるいは第３図に示すように、中空セラミック・キ
ャップを樹脂付けする方法が用いられる。
して気密封止もしくはそれに準じて樹脂封止が行なわれ
る。特に高周波用途で価格的制限のあるものでは、第２
図に示すように、半導体チップ周囲を樹脂で充てんする
か、あるいは第３図に示すように、中空セラミック・キ
ャップを樹脂付けする方法が用いられる。
このような従来の方法は、それぞｎ欠点を有している。
すなわち半導体チップ周囲を樹脂で充てんする方法は、
空気に比べて樹脂の比誘電率やｔａｎδが大きいので、
高周波特性が悪化し、かつ外部電極と半導体チップとを
接続する金属細線に、樹脂の熱膨張・収縮による機械的
ストレスを与え、金属／ｆａ線がＭ線に至る可能性を有
する。中空セラミック・キャップを樹脂付けする方法で
は、前者の２つの欠点は無いが、封正に用いる樹脂量を
多くでなないことや、封止時に熱硬化させるだめの条件
が難しいことから、完全な気密封止が難しく、また、外
気から内部に至るリーク・パスが小さいので、耐湿性が
良くできない欠点を有する。
空気に比べて樹脂の比誘電率やｔａｎδが大きいので、
高周波特性が悪化し、かつ外部電極と半導体チップとを
接続する金属細線に、樹脂の熱膨張・収縮による機械的
ストレスを与え、金属／ｆａ線がＭ線に至る可能性を有
する。中空セラミック・キャップを樹脂付けする方法で
は、前者の２つの欠点は無いが、封正に用いる樹脂量を
多くでなないことや、封止時に熱硬化させるだめの条件
が難しいことから、完全な気密封止が難しく、また、外
気から内部に至るリーク・パスが小さいので、耐湿性が
良くできない欠点を有する。
本発明の目的は、従来のそｎぞれの封止構造での欠点を
取り除いた樹脂封止半導体装置を提供することにある。
取り除いた樹脂封止半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、まず半導体チップを中空セラミ
ック・キャップにて樹脂封止し、しかる後全体を樹脂で
固める。すなわち、樹脂内部に中空ケースを設けた樹脂
封止構造とする。
ック・キャップにて樹脂封止し、しかる後全体を樹脂で
固める。すなわち、樹脂内部に中空ケースを設けた樹脂
封止構造とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。セラミック
基板１は半導体チップ２を搭載するメタライズ面３およ
び外部引き出しリード４，５を固定している。６，７は
半導体チップ２と外部引き出しり一ド４，５とを電気的
に接続する金属細線である。これらは中空セラミック・
キャップ８で接着樹脂９，１０を用いて−たん封止され
、しかる後樹脂１１で全体が固めらｎる。このような構
造を有する半導体装置では、半導体チップ周辺に直接樹
脂がつかずかつ外気からは樹脂を介しなけｎば、湿気が
入らずリークバスとしては長くとｎる。
基板１は半導体チップ２を搭載するメタライズ面３およ
び外部引き出しリード４，５を固定している。６，７は
半導体チップ２と外部引き出しり一ド４，５とを電気的
に接続する金属細線である。これらは中空セラミック・
キャップ８で接着樹脂９，１０を用いて−たん封止され
、しかる後樹脂１１で全体が固めらｎる。このような構
造を有する半導体装置では、半導体チップ周辺に直接樹
脂がつかずかつ外気からは樹脂を介しなけｎば、湿気が
入らずリークバスとしては長くとｎる。
以上説明したように、本発明は、封止樹脂内部に中空構
造を保つ内部ケースを有するため、従来の構造（こあっ
た欠点すなわち、樹脂光てんによる高周波特性の悪化お
よび金属細線の断線の危険性ならびに中空単独ケースで
の耐湿性悪化をすべて解消できる効果がある。
造を保つ内部ケースを有するため、従来の構造（こあっ
た欠点すなわち、樹脂光てんによる高周波特性の悪化お
よび金属細線の断線の危険性ならびに中空単独ケースで
の耐湿性悪化をすべて解消できる効果がある。
なお本発明の説明では、半導体チップはセラミック基板
上に置かれるように述べたが、上下ともキャップの構造
をとっても同様な効果を得ることができるのは勿論であ
る。
上に置かれるように述べたが、上下ともキャップの構造
をとっても同様な効果を得ることができるのは勿論であ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、８２図は半導
体チップ周辺を樹脂で充てんした従来の半導体装置の一
例を示す断面図、第３図は中空セラミック・キャップを
樹脂付けした従来の半導体装置の一例を示す断面図であ
る。 １・・・・・−セラミック基板、２・・・・・−半導体
チップ、３・・・・・・メタライズ面、４，５・・・・
・・外部引き出しリード、６，７・−・・・・金属細線
、８・・・・・・中空セラミック・キャップ、９．１０
・・・・・−接着樹脂、１１・・・・・・充てん用樹脂
。 二へ・、 代理人 弁理士 内 原 １ ′−鳥口 １．
＝−、、、、１ 一二二± 継 Ｉ 凹 ■真 第２ 図 一一二二 ゴ− μ・ ン・
体チップ周辺を樹脂で充てんした従来の半導体装置の一
例を示す断面図、第３図は中空セラミック・キャップを
樹脂付けした従来の半導体装置の一例を示す断面図であ
る。 １・・・・・−セラミック基板、２・・・・・−半導体
チップ、３・・・・・・メタライズ面、４，５・・・・
・・外部引き出しリード、６，７・−・・・・金属細線
、８・・・・・・中空セラミック・キャップ、９．１０
・・・・・−接着樹脂、１１・・・・・・充てん用樹脂
。 二へ・、 代理人 弁理士 内 原 １ ′−鳥口 １．
＝−、、、、１ 一二二± 継 Ｉ 凹 ■真 第２ 図 一一二二 ゴ− μ・ ン・
Claims (1)
- 外部を樹脂でおおう半導体装置において、半導体チップ
周辺を中空に保つ内部ケースを有することを特徴とする
樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180658A JPS6240750A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180658A JPS6240750A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240750A true JPS6240750A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16087049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60180658A Pending JPS6240750A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240750A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072346A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nec Corp | 中空封止構造及び中空封止構造の製造方法 |
| US20140166352A1 (en) * | 2011-09-26 | 2014-06-19 | Nec Corporation | Hollow sealing structure |
-
1985
- 1985-08-16 JP JP60180658A patent/JPS6240750A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140166352A1 (en) * | 2011-09-26 | 2014-06-19 | Nec Corporation | Hollow sealing structure |
| US9125311B2 (en) * | 2011-09-26 | 2015-09-01 | Nec Corporation | Hollow sealing structure |
| JP2014072346A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nec Corp | 中空封止構造及び中空封止構造の製造方法 |
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