JPS63114242A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63114242A
JPS63114242A JP61260403A JP26040386A JPS63114242A JP S63114242 A JPS63114242 A JP S63114242A JP 61260403 A JP61260403 A JP 61260403A JP 26040386 A JP26040386 A JP 26040386A JP S63114242 A JPS63114242 A JP S63114242A
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JP
Japan
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semiconductor chip
resin
semiconductor device
moisture
water
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JP61260403A
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English (en)
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Atsushi Yoshimura
淳 芳村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置に係り、特に耐湿性を向上させるこ
とを可能とした樹脂封止型の半導体装置に関する。
(従来の技術) 第2図は従来の樹脂封止型半導体装置を示したもので、
Cu系またはFe−Ni系等からなるリードフレームの
アイランド部1上には、半導体チップ2がエポキシ銀ペ
ースト接着剤等の接着層3により固定されており、上記
半導体チップ2とリード4とをAuワイヤ5で結線した
後、この半導体チップ2部分をエポキシ系またはシリコ
ン系の樹脂6により封止して形成されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、上記封止樹脂は半導体チップやリードフレーム
との密着性が悪く、また、樹脂中に隙間が生じることが
あることから、半導体チップ部分に水分が侵入したり、
樹脂中の水分が出てきたりして、半導体チップのA1部
分が腐蝕してしまうという間近を有している。また、上
記のように侵入した水分の膨張により樹脂にクラックが
生じることもあった。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、半導体チ
ップ部分への水分の侵入を防止し、半導体チップの腐蝕
を防ぎ耐湿性を著しく向上させることのできる半導体装
置を提供することを目的とするものである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため本発明に係る半導体装置は、リ
ードフレームのアイランド部上に搭載された半導体チッ
プと、上記半導体チップとリードとを接続するボンディ
ングワイヤと、上記半導体チップ部分を封止する樹脂と
からなり、上記半導体チップとアイランド部の周囲に撥
水性樹脂をコーティングしたことをその特徴とするもの
である。
(作 用) 本発明によれば、撥水性樹脂をコーティングしたことに
より半導体チップへの水分の侵入を確実に防止すること
ができ、したがって、半導体チップの腐蝕を防ぐことが
できるもので、著しく耐湿性を高めることができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を第1図を参照し、第2図と同一
部分には同一符号を付して説明する。
本実施例においては、リードフレームのアイランド部1
上には、半導体チップ2がエポキシ銀ベースト接着剤等
の接着層3により固定されており、このアイランド部お
よび半導体チップ部分の周囲には、フッ素またはフッ素
+Siからなる撥水性樹脂7がポツティングまたはスプ
レー等によりコーティングされている。このとき、リー
ド4部分には、撥水性樹脂7が付着しないようにマスク
が施される。そして、半導体チップ2とリード4とをA
uワイヤ5で結線した後、この半導体チップ2部分をエ
ポキシ系またはシリコン系の樹脂6により封止するよう
になされている。
上記撥水性樹脂7のコーティングは、Auワイヤ5の結
線後に行なうようにしてもよく、また、撥水性樹脂7は
表面張力に優れているため、コーティング時にだれたす
せず、しかも、厚さは1μm程度であるため、後の工程
に悪影響を及ぼすことはない。
したがって、本実施例においては、撥水性樹脂7により
半導体チップ2部分が覆われているので、半導体チップ
2部分に水分が侵入することがなく、確実に半導体チッ
プ2のA1部分の腐蝕を防止することができ、耐湿性を
向上させることができる。
なお、半導体装置形成後に装置全体を撥水性樹脂中に浸
すようにすれば、半導体装置全体の耐湿性を向上させる
ことが可能となる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明に係る半導体装置は、半導体チ
ップおよびアイランド部の周囲に撥水性樹脂をコーティ
ングして、半導体チップ部分を覆うようにしているので
、半導体チップ部分に水分が侵入することがなく、確実
に半導体チップの腐蝕を防止することができ、耐湿性を
向コーさせることができる。その結果、半導体装置の信
頼性を高めることができる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、′第2図は
従来の半導体装置を示す縦断面図である。 1・・・アイランド部、2・・・半導体チップ、4・・
・リード、5・・・ワイヤ、6・・・封止樹脂、7・・
・撥水性樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームのアイランド部上に搭載された半導体チ
    ップと、上記半導体チップとリードとを接続するボンデ
    ィングワイヤと、上記半導体チップ部分を封止する樹脂
    とからなる半導体装置において、上記半導体チップとア
    イランド部の周囲に撥水性樹脂をコーティングしたこと
    を特徴とする半導体装置。
JP61260403A 1986-10-31 1986-10-31 半導体装置 Pending JPS63114242A (ja)

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JP61260403A JPS63114242A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 半導体装置

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JP61260403A JPS63114242A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 半導体装置

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Family

ID=17347427

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002043142A3 (de) * 2000-11-25 2002-11-28 Bosch Gmbh Robert Verpacktes elektronisches bauelement und verfahren zur verpackung eines elektronischen bauelements
JP2005024626A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Casio Comput Co Ltd 表示装置の電子部品取付構造
JP2009141274A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Dainippon Printing Co Ltd 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置用基板およびその製造方法

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