JPS6050342B2 - 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置製造用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6050342B2 JPS6050342B2 JP2633480A JP2633480A JPS6050342B2 JP S6050342 B2 JPS6050342 B2 JP S6050342B2 JP 2633480 A JP2633480 A JP 2633480A JP 2633480 A JP2633480 A JP 2633480A JP S6050342 B2 JPS6050342 B2 JP S6050342B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- semiconductor device
- internal
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置製造用リードフレームに関し、特に
樹脂封止型半導体装置用リードフレームの構成に関する
ものである。
樹脂封止型半導体装置用リードフレームの構成に関する
ものである。
樹脂封止型の半導体装置のリードフレームは主として鉄
−ニッケル系合金および銅系合金から構成される。
−ニッケル系合金および銅系合金から構成される。
これらの素材により構成されたリードフレームは半導体
素子を搭載する必要上、種々の表面処理を行なう必要が
あり、従来はリードフレームの全表面に数〔μｍ〕の金
（Ａｕ）または銀（Ａｇ）めつきを施すことが行なわれ
てきた。しかし全面銀めつきのリードフレームでは半導
体装置組立時、特に半導体素子接合時に大気中で加熱す
るため銀皮膜とリードフレーム素材との間に素材の酸化
皮膜を生成し、このため特に外部リード部のはんだ付け
性を著しく低下させることが多かつた。
素子を搭載する必要上、種々の表面処理を行なう必要が
あり、従来はリードフレームの全表面に数〔μｍ〕の金
（Ａｕ）または銀（Ａｇ）めつきを施すことが行なわれ
てきた。しかし全面銀めつきのリードフレームでは半導
体装置組立時、特に半導体素子接合時に大気中で加熱す
るため銀皮膜とリードフレーム素材との間に素材の酸化
皮膜を生成し、このため特に外部リード部のはんだ付け
性を著しく低下させることが多かつた。
そのためおよび銀のマイグレーションの問題をさけるた
めに、通常組立封止完了後樹脂封止部より露出している
外部リード上の銀皮膜を剥離し、スズ、鉛等のはんだ付
け性の良いめつきを行なう方法が行なわれていた。一方
、コストダウンの要請から、半導体素子を搭載固着する
ステージ部および半導体素子の電極と電気的接続をする
接続細線（リード線）か接続される内部リード部にのみ
金または銀の部分めつきが行なわれるようになつた。
めに、通常組立封止完了後樹脂封止部より露出している
外部リード上の銀皮膜を剥離し、スズ、鉛等のはんだ付
け性の良いめつきを行なう方法が行なわれていた。一方
、コストダウンの要請から、半導体素子を搭載固着する
ステージ部および半導体素子の電極と電気的接続をする
接続細線（リード線）か接続される内部リード部にのみ
金または銀の部分めつきが行なわれるようになつた。
しカルながら外部リード部にめつきを施さない部分めつ
きの場合には、半導体素子固着時の熱により該外部リー
ド部表面に生成した酸化皮膜の除去が必要てあり、さら
に封止樹脂のバリが非常に多く出ることからバリ取りも
必要である。また、半導体装置の組立後にこのような表
面処理をウェットプロセスで行なうことは組立工程以”
前に一括して必要な表面処理工程を行なつておく方法に
比べて工程およびコスト面で無駄が多い。
きの場合には、半導体素子固着時の熱により該外部リー
ド部表面に生成した酸化皮膜の除去が必要てあり、さら
に封止樹脂のバリが非常に多く出ることからバリ取りも
必要である。また、半導体装置の組立後にこのような表
面処理をウェットプロセスで行なうことは組立工程以”
前に一括して必要な表面処理工程を行なつておく方法に
比べて工程およびコスト面で無駄が多い。
本発明はこのよいな従来のリードフレームの構成に代え
て、より安価に構成されるリードフレームを提供しよう
とするものである。このため、本発明によれば、半導体
素子が固着されるステージ部、該半導体素子の電極から
導出されるリード線が接続される内部リード部、該内部
リード部から延長された外部接続リード部とを有する半
導体装置製造用リードフレームにおいて前記ステージ部
及び内部リード部は銅、銅合金あるいはアルミニウムの
いずれかから構成され、前記外部接続リード部は銅、銅
合金あるいはアルミニウムからなる基体表面に半田付け
性の良好な被覆が施されてなることを特徴とする半導体
装置製造用リードフレームが提供される。
て、より安価に構成されるリードフレームを提供しよう
とするものである。このため、本発明によれば、半導体
素子が固着されるステージ部、該半導体素子の電極から
導出されるリード線が接続される内部リード部、該内部
リード部から延長された外部接続リード部とを有する半
導体装置製造用リードフレームにおいて前記ステージ部
及び内部リード部は銅、銅合金あるいはアルミニウムの
いずれかから構成され、前記外部接続リード部は銅、銅
合金あるいはアルミニウムからなる基体表面に半田付け
性の良好な被覆が施されてなることを特徴とする半導体
装置製造用リードフレームが提供される。
次に本発明を実施例をもつて詳細に説明する。
第１図に本発明による半導体装置製造用リードフレーム
を示す。第２図は第１図のａ−ａ″断面を示す。本実施
例にあつては、当該リードフレーム素材（基体）として
、銅合金（オーリン１９４アロイ）が使用される。
を示す。第２図は第１図のａ−ａ″断面を示す。本実施
例にあつては、当該リードフレーム素材（基体）として
、銅合金（オーリン１９４アロイ）が使用される。
図において、１は半導体集積回路素子が搭載、固着され
るステージ、２は該ステージ１の周囲に配設され外部接
続リード部へ延在された内部リード、３は内部接続リー
ド２から延長された外部接続リードである。また４は封
止用樹脂の流れ止め用タイバー、５はリードフレーム外
枠である。本発明によれば、図において破線枠によつて
囲んだ樹脂封止部１のやや内側の内部リード部及び外部
リード部表面に半田付けの容易な金属例えば錫（Ｓｎ）
６が厚さ４〔μｍ〕程に被覆される。
るステージ、２は該ステージ１の周囲に配設され外部接
続リード部へ延在された内部リード、３は内部接続リー
ド２から延長された外部接続リードである。また４は封
止用樹脂の流れ止め用タイバー、５はリードフレーム外
枠である。本発明によれば、図において破線枠によつて
囲んだ樹脂封止部１のやや内側の内部リード部及び外部
リード部表面に半田付けの容易な金属例えば錫（Ｓｎ）
６が厚さ４〔μｍ〕程に被覆される。
ステージ部及びステージ近傍の内部リード部はリードフ
レーム基体が表出されたままとされる。前記錫による被
覆は周知のめつき法により行うことができる。このよう
な本発明によるリードフレームは、その素材として前述
の如く銅合金を用い、またその表面へ選択的に被覆され
る金属層も錫等の半田付け性の良好な金属のみである。
レーム基体が表出されたままとされる。前記錫による被
覆は周知のめつき法により行うことができる。このよう
な本発明によるリードフレームは、その素材として前述
の如く銅合金を用い、またその表面へ選択的に被覆され
る金属層も錫等の半田付け性の良好な金属のみである。
したがつて、前記従来の如く貴金属の被覆処理がなされ
るリードフレームに比較して、価格を大幅に低下させる
ことができる。本発明によるリードフレームへの半導体
素子の搭載固着は、２００〔℃〕以下の低温で熱硬化可
能な樹脂例えば米国デュポン社製エポキシ樹脂５５０４
等接着剤として、該半導体素子をステージ１上に接着す
ることにより行なうことができる。
るリードフレームに比較して、価格を大幅に低下させる
ことができる。本発明によるリードフレームへの半導体
素子の搭載固着は、２００〔℃〕以下の低温で熱硬化可
能な樹脂例えば米国デュポン社製エポキシ樹脂５５０４
等接着剤として、該半導体素子をステージ１上に接着す
ることにより行なうことができる。
また、該半導体素子の電極と内部ソートとの接続は、金
線あるいはアルミニウム線等のリード線を超音波振動併
用の熱圧着によつて接続することにより行なうことがで
きる。
線あるいはアルミニウム線等のリード線を超音波振動併
用の熱圧着によつて接続することにより行なうことがで
きる。
かかる超音波振動併用の熱圧着法は２００〔℃〕以下の
低温でリード線接続作業を行うことができる。したがつ
て、本発明によるリードフレームにあつては、前記錫被
覆層６の融解、変色等を招かず良好な半田付け性が維持
される。
低温でリード線接続作業を行うことができる。したがつ
て、本発明によるリードフレームにあつては、前記錫被
覆層６の融解、変色等を招かず良好な半田付け性が維持
される。
また本発明によるリードフレームにおいては、樹脂封止
部１内まで錫被覆層６が存在するために該錫が軟質であ
ることから封止樹脂との密着が良好で、両者のバッキン
グ効果が良好であり、樹脂封止の際発生する樹脂バリを
極めて少量にすることができる。
部１内まで錫被覆層６が存在するために該錫が軟質であ
ることから封止樹脂との密着が良好で、両者のバッキン
グ効果が良好であり、樹脂封止の際発生する樹脂バリを
極めて少量にすることができる。
よつて本発明によるリードフレームにおいては半導体装
置の組立て後に、リードフレーム表面の酸化皮膜の除去
、封止樹脂のバリ取り等のウェットプロセス等を必要と
しない。
置の組立て後に、リードフレーム表面の酸化皮膜の除去
、封止樹脂のバリ取り等のウェットプロセス等を必要と
しない。
なお、本発明によるリードフレームにおいては半田付け
性の良好な金属６として前記錫に代えて鉛又は半田を使
用してもよい。
性の良好な金属６として前記錫に代えて鉛又は半田を使
用してもよい。
第１図は本発明によるリードフレームの構成を示す平面
図、第２図は第１図のａ−ａ″断面である。 図において、１・・・・・・ステージ、２・・・・・・
内部リード、３・・・・・・外部接続リード、４・・・
・・タイバー、５・・・リードフレーム外枠。
図、第２図は第１図のａ−ａ″断面である。 図において、１・・・・・・ステージ、２・・・・・・
内部リード、３・・・・・・外部接続リード、４・・・
・・タイバー、５・・・リードフレーム外枠。
Claims (1)
- １ 半導体素子が固着されるステージ部、該半導体素子
の電極から導出されるリード線が接続される内部リード
部、該内部リード部から延長された外部接続リード部と
を有する半導体装置製造用リードフレームにおいて、前
記ステージ部及び内部リード部は銅、銅合金あるいはア
ルミニウムのいずれかから構成され、前記外部接続リー
ド部は銅、銅合金あるいはアルミニウムからなる基体表
面に半田付け性の良好な被覆が施されてなることを特徴
とする半導体装置製造用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2633480A JPS6050342B2 (ja) | 1980-03-03 | 1980-03-03 | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2633480A JPS6050342B2 (ja) | 1980-03-03 | 1980-03-03 | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56122155A JPS56122155A (en) | 1981-09-25 |
| JPS6050342B2 true JPS6050342B2 (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=12190526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2633480A Expired JPS6050342B2 (ja) | 1980-03-03 | 1980-03-03 | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050342B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224254U (ja) * | 1985-07-19 | 1987-02-14 | ||
| JPS6229537U (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-23 | ||
| JPH0219375B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1990-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4599120A (en) * | 1985-02-25 | 1986-07-08 | Brush Wellman Inc. | Processing of copper alloys |
-
1980
- 1980-03-03 JP JP2633480A patent/JPS6050342B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224254U (ja) * | 1985-07-19 | 1987-02-14 | ||
| JPS6229537U (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-23 | ||
| JPH0219375B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1990-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56122155A (en) | 1981-09-25 |
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