JPS6148953A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPS6148953A JPS6148953A JP17069884A JP17069884A JPS6148953A JP S6148953 A JPS6148953 A JP S6148953A JP 17069884 A JP17069884 A JP 17069884A JP 17069884 A JP17069884 A JP 17069884A JP S6148953 A JPS6148953 A JP S6148953A
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- resin
- semiconductor device
- molding resin
- semiconductor element
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49586—Insulating layers on lead frames
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3447—Lead-in-hole components
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、品質を損うことなく、製造コストの低減をは
かることができる樹脂封止形半導体装置の製造方法に関
する。
かることができる樹脂封止形半導体装置の製造方法に関
する。
従来例の構成とその問題点
樹脂封止形半導体装置、特に電力用半導体装置では、動
作時に素子部において生じる熱を外部へ効果的に放散さ
せる必要がある。このため、リードフレームを銅などの
熱伝導が良好な材質で形成し、このリードフレームを用
いて半導体素子の組み立てがなされている。
作時に素子部において生じる熱を外部へ効果的に放散さ
せる必要がある。このため、リードフレームを銅などの
熱伝導が良好な材質で形成し、このリードフレームを用
いて半導体素子の組み立てがなされている。
第１図（１１）〜（Ｃ）は、かかる従来の樹脂封止形半
導体装置の構造を示す断面図であシ、銅などの熱伝導が
良好な素材からなるリードフレームの基板支持部１の所
定位置に半導体素子２を接着し、この半導体素子の電極
と外部リードとの間を金属細線で接続しく図示せず）、
さらに成形用樹脂３で封止した構造となっている。なお
、図中４は基板支持部１から外部へ導出される外部リー
ド、６は、成形用樹脂３を貫通する取シっけ用の孔であ
る。
導体装置の構造を示す断面図であシ、銅などの熱伝導が
良好な素材からなるリードフレームの基板支持部１の所
定位置に半導体素子２を接着し、この半導体素子の電極
と外部リードとの間を金属細線で接続しく図示せず）、
さらに成形用樹脂３で封止した構造となっている。なお
、図中４は基板支持部１から外部へ導出される外部リー
ド、６は、成形用樹脂３を貫通する取シっけ用の孔であ
る。
ところで、このように構成される従来の樹脂封止形半導
体装置のリードフレームには、通常、ニッケルめっきが
施されており、さらに、成形用樹脂３の外部へ導出され
る部分には、半田付けを容易にするための共晶半田層が
形成されている。
体装置のリードフレームには、通常、ニッケルめっきが
施されており、さらに、成形用樹脂３の外部へ導出され
る部分には、半田付けを容易にするための共晶半田層が
形成されている。
第１図（ｂ）は基板支持部１の一部を拡大して示した断
面図でちゃ、表裏両面には、２〜４μｍ程度のニッケル
めっきＭ６が形成されている。第１図（Ｃ）は、外部へ
導出される外部リードの一部を拡大して示した断面図で
あり、ニッケルめっき層６の上知、さらに、共晶半田層
７が形成されている。
面図でちゃ、表裏両面には、２〜４μｍ程度のニッケル
めっきＭ６が形成されている。第１図（Ｃ）は、外部へ
導出される外部リードの一部を拡大して示した断面図で
あり、ニッケルめっき層６の上知、さらに、共晶半田層
７が形成されている。
以上のような構造を有する従来の樹脂封止形半導体装置
は、その製造工程にニッケルめっき工程が含まれるばか
りでなく、樹脂封止工程ののちに外部リード線に共晶半
田層を形成するための半田デイツプ処理なども必要とさ
れる。この処理は、通常２８０’Ｃの溶融半田槽への半
導体素子の浸漬と、１５０°Ｃ１時間程度の乾燥処理が
必要とされる。
は、その製造工程にニッケルめっき工程が含まれるばか
りでなく、樹脂封止工程ののちに外部リード線に共晶半
田層を形成するための半田デイツプ処理なども必要とさ
れる。この処理は、通常２８０’Ｃの溶融半田槽への半
導体素子の浸漬と、１５０°Ｃ１時間程度の乾燥処理が
必要とされる。
したがって、製造工程数の増加ならびに作業能率の低下
をきたす。
をきたす。
発明の目的
本発明の目的は、リードフレーム上へのニッケルめっき
層ならびに共晶半田層の形成を止め、製造工程の簡素化
と製造コストの低減をはかることにある。
層ならびに共晶半田層の形成を止め、製造工程の簡素化
と製造コストの低減をはかることにある。
発明の構成
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、素材面が
直接露呈しているリードフレームの基板支持部上に半導
体素子基板を接着するとともに、同半導体素子基板上の
電極と外部リードとの間を金属細線で接続して構成した
半導体素子組立構体を成形用樹脂で封止し、こののち、
成形樹脂外へ導出する部分を防錆ワックスで被覆する方
法である。この方法によれば、ニッケルめっき処理、共
晶半田層の形成処理が不要となシ、製造工程数の削減と
製造作業能率の向上がはかられる。
直接露呈しているリードフレームの基板支持部上に半導
体素子基板を接着するとともに、同半導体素子基板上の
電極と外部リードとの間を金属細線で接続して構成した
半導体素子組立構体を成形用樹脂で封止し、こののち、
成形樹脂外へ導出する部分を防錆ワックスで被覆する方
法である。この方法によれば、ニッケルめっき処理、共
晶半田層の形成処理が不要となシ、製造工程数の削減と
製造作業能率の向上がはかられる。
実施例の説明
以下に第２図（？Ｌ）〜（Ｃ）を参照して本発明の樹脂
封止形半導体装置の製造方法について詳しく説明する。
封止形半導体装置の製造方法について詳しく説明する。
第２図（ａ）は、本発明の製造方法で形成した樹脂封止
形半導体装置の断面構造を示す図であシ、基本構造は第
１図ｅ）で示した従来のものと同じである。すなわち、
リードフレームの基板支持部１に半導体素子２を接着し
、さらに半導体素子の電極と外部リードとの間を金属細
線で接続して形成した組立構体を成形用樹脂で封止した
構造となっている。なお、４および５も第１図のそれと
同じ外部リードおよび取シ付は用の孔である。
形半導体装置の断面構造を示す図であシ、基本構造は第
１図ｅ）で示した従来のものと同じである。すなわち、
リードフレームの基板支持部１に半導体素子２を接着し
、さらに半導体素子の電極と外部リードとの間を金属細
線で接続して形成した組立構体を成形用樹脂で封止した
構造となっている。なお、４および５も第１図のそれと
同じ外部リードおよび取シ付は用の孔である。
ところで、本発明の製造方法では、リードフレームとし
て素材表面が露出したままのものが用いられている。
て素材表面が露出したままのものが用いられている。
第２図（′ｂ）および（Ｃ）は、成形用樹脂内に封止さ
れた基板支持部１の一部と成形用樹脂外に導出された外
部リード４の一部とを拡大して示した断面図でちゃ、基
板支持部１は素材そのものである。一方外部リード４の
表面には防錆ワックス層８が形成されている。
れた基板支持部１の一部と成形用樹脂外に導出された外
部リード４の一部とを拡大して示した断面図でちゃ、基
板支持部１は素材そのものである。一方外部リード４の
表面には防錆ワックス層８が形成されている。
ところで、この防錆ワックス層８は、成形用樹脂３の外
部へ導出される外部リード４の露出面が素材面そのもの
であると、この面が酸化され、実装時のリードフレーム
に対する半田付けが困難となることを防止するためのも
のである。この防錆ワックスとして、本発明では、たと
えば日東電気工業株式会社から商品名Ｕ３００−７とし
て市販されているウレタン樹脂系のワックスを用い、こ
れを１０〜５０μｍの厚さにコーティングして防錆ワソ
クヌ月８を形成している。
部へ導出される外部リード４の露出面が素材面そのもの
であると、この面が酸化され、実装時のリードフレーム
に対する半田付けが困難となることを防止するためのも
のである。この防錆ワックスとして、本発明では、たと
えば日東電気工業株式会社から商品名Ｕ３００−７とし
て市販されているウレタン樹脂系のワックスを用い、こ
れを１０〜５０μｍの厚さにコーティングして防錆ワソ
クヌ月８を形成している。
なお、この防錆ワックス層は、プリント基板等へ半導体
素子を取り付けるための半田付工程で溶融共晶半田槽へ
浸漬することによシ分解する。したがって、半田付工程
に先だって防錆ワックス層を取シ除ぐ必要はなく、その
まま半田付作業を行うことができる。
素子を取り付けるための半田付工程で溶融共晶半田槽へ
浸漬することによシ分解する。したがって、半田付工程
に先だって防錆ワックス層を取シ除ぐ必要はなく、その
まま半田付作業を行うことができる。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明の装造方法は、
従来必要とされていたリードフレームへのニッケルめっ
き層の形成、成形用樹脂外へ導出されるリード部への共
晶半田層の形成ならびにこれにつづく乾燥などの処理が
不要となシ、製造工程数の削減と製造作業能率の向上が
はかられる。
従来必要とされていたリードフレームへのニッケルめっ
き層の形成、成形用樹脂外へ導出されるリード部への共
晶半田層の形成ならびにこれにつづく乾燥などの処理が
不要となシ、製造工程数の削減と製造作業能率の向上が
はかられる。
したがって、製造コストが低減することとなり、安価な
樹脂封止形半導体装置の提供が可能となる。
樹脂封止形半導体装置の提供が可能となる。
また、リードフレームに対する半導体素子の接着力も、
従来のもののようにリードフレーム素材と半導体素子と
の間にニッケルめっき層が存在するものにくらべて、リ
ードフレームの素材面へ直や的に半導体素子の接着がな
される本発明の製造方法によるものの方が大きくなる。
従来のもののようにリードフレーム素材と半導体素子と
の間にニッケルめっき層が存在するものにくらべて、リ
ードフレームの素材面へ直や的に半導体素子の接着がな
される本発明の製造方法によるものの方が大きくなる。
第１図（ａ）〜（０）は、従来の樹脂封止形半導体装置
の構造を示す断面図、第２図（２Ｌ）〜（Ｃ）は、本発
明の製造方法で製造された樹脂封止形半導体装置の構造
を示す断面図である。 １・・・・・・基板支持部、２・・・・・・半導体素子
、３・・・・・・成形用樹脂、４・・・・・・外部リー
ド、５・・・・・・取り付は用孔、６・・・・・・ニッ
ケルめっき層、７・・・・・・共晶半田層、８・・・・
・防錆ワックス層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
の構造を示す断面図、第２図（２Ｌ）〜（Ｃ）は、本発
明の製造方法で製造された樹脂封止形半導体装置の構造
を示す断面図である。 １・・・・・・基板支持部、２・・・・・・半導体素子
、３・・・・・・成形用樹脂、４・・・・・・外部リー
ド、５・・・・・・取り付は用孔、６・・・・・・ニッ
ケルめっき層、７・・・・・・共晶半田層、８・・・・
・防錆ワックス層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 素材面が露出しているリードフレームの基板支持部上に
半導体素子基板を接着するとともに、同半導体素子基板
上の電極と外部リードとの間を電気的に接続してなる半
導体素子組立構体を成形用樹脂で封止し、こののち、同
成形用樹脂の外側に導出された外部リード表面に防錆ワ
ックス層を形成することを特徴とする樹脂封止形半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17069884A JPS6148953A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17069884A JPS6148953A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148953A true JPS6148953A (ja) | 1986-03-10 |
Family
ID=15909736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17069884A Pending JPS6148953A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148953A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021436A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | A packaged semiconductor with coated leads and method therefore |
| US7989930B2 (en) | 2007-10-25 | 2011-08-02 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package |
-
1984
- 1984-08-16 JP JP17069884A patent/JPS6148953A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021436A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | A packaged semiconductor with coated leads and method therefore |
| US7105383B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-09-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Packaged semiconductor with coated leads and method therefore |
| US7989930B2 (en) | 2007-10-25 | 2011-08-02 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package |
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