JPS6232622B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6232622B2
JPS6232622B2 JP58052102A JP5210283A JPS6232622B2 JP S6232622 B2 JPS6232622 B2 JP S6232622B2 JP 58052102 A JP58052102 A JP 58052102A JP 5210283 A JP5210283 A JP 5210283A JP S6232622 B2 JPS6232622 B2 JP S6232622B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating
lead frame
layer
present
coated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58052102A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58175852A (ja
Inventor
Tomoaki Kojima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP58052102A priority Critical patent/JPS58175852A/ja
Publication of JPS58175852A publication Critical patent/JPS58175852A/ja
Publication of JPS6232622B2 publication Critical patent/JPS6232622B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にかかり、とくに異種の金
属被膜が少くとも３層被覆された構造を有するリ
ードフレームに素子を搭載した半導体装置に関す
るものである。 一般に樹脂封止型半導体装置の製造において、
外部リードを有するリードフレームの支持体上に
半導体素子を搭載、固定し、素子と内部リード間
を金属細線で接続した後に、素子及び接続部を樹
脂で封止する方法が採られている。ところで上記
リードフレームを用いた従来技術の半導体装置は
熱抵抗、電気抵抗および機械的諸特性のうえで十
分満足なものではなかつた。 本発明は従来の上記欠点を除去する為になされ
たものであり、従つて本発明の目的は、電気的に
も、熱的にも或いは機械的にも特性が優れてお
り、改良された構造を有する新規な半導体装置用
及び／又は集積回路装置用リードフレームに素子
を搭載した半導体装置とくに集積回路装置を提供
することである。 本発明の特徴は、リードフレームに半導体素子
を搭載し樹脂封止した半導体装置において、前記
リードフレームの素材の全面を銅もしくは銀の第
１の被膜で被膜し、該第１の被膜上にニツケルの
第２の被膜をリードの折曲げ加工部より内側に部
分的に被覆し、半導体素子および金属細線との接
着性が良好な金属である金からなる第３の被膜を
該第２の被膜の内部上に被覆しこれにより該第３
の被膜および該第２の被膜は階段状をなす端部を
有し、該第３の被膜上に前記半導体素子を接着し
た半導体装置にある。 このように本発明では全面を熱的又は電気的伝
導度が大きい銅もしくは銀の第１の被膜で被膜し
ているから熱抵抗、電気抵抗の小さな半導体装置
が得られる。次に素子を接着する領域と金属細線
を接着する領域にニツケルの第２の被膜を中間金
属層として設けた後に、同領域に素子の接着性と
金属細線の接着性の良好な金属である金の第３の
被膜を被覆する。ここで中間層被膜としてニツケ
ルを選ぶ理由は、第１と第３の被膜の合金化たと
えば銀と金或いは銅と金は何れも組立時の加熱雰
囲気で容易に拡散して合金化しやすい欠点がある
ために、この現象を防止するバリア層を形成させ
ることにある。一方下層被膜として銀あるいは銅
を選択するのは、熱抵抗を抑制するだけでなく、
リードフレーム、特に外部リードに関して半田付
性が良好な表面を与える目的にも叶つている。一
方、一般に樹脂封止型集積回路用リードフレーム
は、樹脂封止後に外部リードに折曲加工を行なう
ために、中間層ニツケル被膜があまり厚いと被膜
にクラツクを生じる恐れがあり、又ニツケル被膜
は半田付性が劣るので、ニツケル被膜を被覆する
領域は、半田付する部分と折曲加工する部分を避
けた内部領域に限定している。又、第３の被膜と
第２の被膜は階段形状の端部を有しているから力
が分散され接着力等の点で有利となる。 次に本発明をより明確に理解出来るようにその
良好な一実施例について添付図面及び次表を参照
しながら更に具体的に説明する。 表１は各金属と各合金の膨張係数と熱伝導度を
示すものである。添付された図は本発明に係るリ
ードフレームの一実施例を示すものであり、第１
図はコバー材より成るリードフレームを用いた樹
脂封止型集積回路の断面図、第２図はその拡大図
である。図に於いて、参照番号１は本発明に係る
リードフレームの外部リード、２は内部リード、
【表】 ３は半導体装置又は集積回路装置等のシリコン素
子を装着する為のダイスステージを夫々示してい
る。内部リード２及びダイスステージ３は図に於
いては分離された状態で示されているが、実際に
はタイバー（図示せず）等によつて接合され一体
として形成されていることは言うまでもない。リ
ードフレームを構成するこれらの外部リード１、
内部リード２及びダイスステージ３は本実施例に
於いては鉄系合金のコバー素材が使用されている
が、この材質以外には42合金、52合金等の鉄―ニ
ツケル合金、鉄―ニツケル―コバルト合金はシリ
コン素子と近似した熱膨張係数を有する材料はと
くにシリコン素子のサイズが大きいMSI（中規模
集積回路）、LSI（大規模集積回路）の場合に好
ましい。このような材料の場合でも本発明の第１
の被膜によつて熱抵抗、電気抵抗は実用上問題の
ないように低下させることができる。外部リード
１、内部リード２及びダイスステージ３の全表面
には熱的及び電気的伝導度が大きく且つ半田付性
が良好な銅もしくは銀の層４が例えばメツキ法等
によつて被覆されている。層４は例えば厚さ約８
〜12μのメツキ被膜層を形成する。内部リード２
の金属細線を接着するいわゆるボンデイングパツ
ド領域及び素子を装着するダイスステージの領域
に於ける金属被膜層４上には拡散による合金化現
象を防止するバリア層を設けるために第２の被膜
であるニツケルの中間金属層５が厚さ約２〜３μ
程例えばメツキ法等によつて形成されている。こ
のニツケルを施す領域は折曲加工部より内部とす
る。金属被膜層５上には更に素子の接着性及び金
属細線の接着性の良好な金属層６として金層が厚
さ約４〜７μ程メツキ等によつて被覆、形成され
ている。この第３の被膜である金属層６の端部と
第２の被膜であるニツケルの膜５の端部とは図に
示すように階段状に形成されている。又、この実
施例のように金を用いるとこれは金片或いは金―
シリコン共晶合金片などの特別の接着材を使用し
ないでも、ダイスステージにシリコン素子を装着
することができる等の効果が生ずる。７はダイス
ステージ３に搭載される半導体装置、又は集積回
路装置等のシリコン素子、８はシリコン素子７の
電極と内部リード２を結線する金属細線、９は素
子及び接続部を封止する樹脂を夫々示している。 このようにして出来上つたリードフレームを使
用して集積回路装置を組立てた製品は、従来のリ
ードフレームを使用したそれに比較して熱抵抗を
30％以上低下させることが出来た。 以上本発明をその良好な一実施例について説明
したが、それは単なる一例として挙げたに過ぎ
ず、ここに説明した実施例によつてのみ本発明の
範囲を制限するものでないことは当然である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体、集積回路装置用
リードフレームの一実施例を示す概略構成図、第
２図は第１図の部分拡大図である。 １…外部リード、２…内部リード、３…ダイス
ステージ、４…金属被膜層、５…中間金属層、６
…金属被膜層、７…シリコン素子、８…金属細
線、９…樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リードフレームに半導体素子を搭載し樹脂封
    止した半導体装置において、前記リードフレーム
    の素材の全面を銅もしくは銀の第１の被膜で被覆
    し、該第１の被膜上にニツケルの第２の被膜を折
    曲加工部より内側に部分的に被覆し、金からなる
    第３の被膜を該第２の被膜の内部上に被覆しこれ
    により該第３の被膜および該第２の被膜は階段状
    をなす端部を有し、該第３の被膜上に前記半導体
    素子を接着したことを特徴とする半導体装置。
JP58052102A 1983-03-28 1983-03-28 半導体装置 Granted JPS58175852A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58052102A JPS58175852A (ja) 1983-03-28 1983-03-28 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58052102A JPS58175852A (ja) 1983-03-28 1983-03-28 半導体装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11464574A Division JPS5141961A (en) 1974-10-07 1974-10-07 Handotai shusekikairosochoriidofureemu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58175852A JPS58175852A (ja) 1983-10-15
JPS6232622B2 true JPS6232622B2 (ja) 1987-07-15

Family

ID=12905482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58052102A Granted JPS58175852A (ja) 1983-03-28 1983-03-28 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58175852A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437126U (ja) * 1987-08-28 1989-03-06
JPS6437127U (ja) * 1987-08-28 1989-03-06

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612796B2 (ja) * 1984-06-04 1994-02-16 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH0210761A (ja) * 1988-06-28 1990-01-16 Mitsui High Tec Inc リードフレーム及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5141961A (en) * 1974-10-07 1976-04-08 Nippon Electric Co Handotai shusekikairosochoriidofureemu

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5141961A (en) * 1974-10-07 1976-04-08 Nippon Electric Co Handotai shusekikairosochoriidofureemu

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437126U (ja) * 1987-08-28 1989-03-06
JPS6437127U (ja) * 1987-08-28 1989-03-06

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58175852A (ja) 1983-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5530284A (en) Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials
US7872336B2 (en) Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability
JP2569939B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0612796B2 (ja) 半導体装置
JP2002299540A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS60167454A (ja) 半導体装置
JPS6050343B2 (ja) 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム
JPS6232622B2 (ja)
JPH0817870A (ja) 半導体装置
JPS60147148A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP2954297B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS62287657A (ja) 半導体装置
JPS5854507B2 (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS6035552A (ja) 半導体装置
JPS61242051A (ja) 半導体装置
JPH06216313A (ja) 樹脂封止半導体装置
JPH0437050A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6312385B2 (ja)
JPS6050342B2 (ja) 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム
JPS62105457A (ja) 半導体装置
JP2005158771A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS635253Y2 (ja)
JPH0519820B2 (ja)
JP2845002B2 (ja) 半導体装置用複合リードフレーム
JPS60262449A (ja) 半導体用リ−ドフレ−ム