JPS60147148A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS60147148A JPS60147148A JP59003138A JP313884A JPS60147148A JP S60147148 A JPS60147148 A JP S60147148A JP 59003138 A JP59003138 A JP 59003138A JP 313884 A JP313884 A JP 313884A JP S60147148 A JPS60147148 A JP S60147148A
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- Japan
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- mold resin
- lead frame
- tin
- semiconductor device
- plating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景と目的〕
本発明はＩＯ，Ｌ８Ｉ等の半導体装置用のリードフレー
ムに関する。
ムに関する。
現在、ＩＯ蕾Ｌ８Ｉ等の高集積化が進む中で益々高信頼
性が要求されるにもかかわらず、信頼性の優れた高品質
のリードフレームが未だ開発されておらず、高集積化の
進展、展開を阻んでいる。
性が要求されるにもかかわらず、信頼性の優れた高品質
のリードフレームが未だ開発されておらず、高集積化の
進展、展開を阻んでいる。
これは、最近のＩＯ，Ｌ８Ｉ等の半導体装置はまさに内
部に塔載する素子を保睡するために従来にない高度の機
能をリードフレーム材料に要求しはじめたからである。
部に塔載する素子を保睡するために従来にない高度の機
能をリードフレーム材料に要求しはじめたからである。
その主な要求性能は次の通りである。
（１） 高集積化にともないフレーム材料のインナーリ
ード間隔が狭くなるため、フレーム表面のモールド樹脂
流れ性が良いこと。樹脂の表面張力を小さくできること
。
ード間隔が狭くなるため、フレーム表面のモールド樹脂
流れ性が良いこと。樹脂の表面張力を小さくできること
。
（１） モールド樹脂との密着性は、特に従来の１０倍
の強度が得られるように優れていること。
の強度が得られるように優れていること。
（匍 ワイヤーンデイング、ダイゼンデイングには従来
技術がそのまま応用可能であること。
技術がそのまま応用可能であること。
Ｑｖ）安価であること。
現在のり−ｒフレーム製造技術でこれらの要求をすべて
満足するものは見出されていない。
満足するものは見出されていない。
この理由は次の通りである。
Ｍ１図は従来技術のリードフレームを用いた半導体装置
の一例を示す断面図である。この種の従来のり−Ｐフレ
ームは銅系または４２合金系基板１のダイデンディング
部とインナーリード４のワイヤメンディング部に銀スポ
ットめっきまだは金スポットめつき６を施こしたもので
、アラターリ−Ｐ部に半田めつき２を施こし、ダイデン
ディング部に半導体素子５を固定し、ワイヤボンディン
グ部に金線等で配線した後にモールド樹脂３を封止して
半導体装置を構成する。
の一例を示す断面図である。この種の従来のり−Ｐフレ
ームは銅系または４２合金系基板１のダイデンディング
部とインナーリード４のワイヤメンディング部に銀スポ
ットめっきまだは金スポットめつき６を施こしたもので
、アラターリ−Ｐ部に半田めつき２を施こし、ダイデン
ディング部に半導体素子５を固定し、ワイヤボンディン
グ部に金線等で配線した後にモールド樹脂３を封止して
半導体装置を構成する。
このような従来のリードフレームにおいては、４２合金
系材料を基板として用いる場合には、モールド樹脂との
密着性が銅系のものに比して劣るだめに、ｌ０ＩＬＳＩ
等の高集積化にともない後退の方向にある。これに対し
て銅、銅合金系基板を用いる場合には、モールド樹脂と
の密着性は比較的硬れているが、前記の諸要求をすべて
満すことはできず、さらに耐熱性が４２合金系に比して
劣るため実用化に問題がある。
系材料を基板として用いる場合には、モールド樹脂との
密着性が銅系のものに比して劣るだめに、ｌ０ＩＬＳＩ
等の高集積化にともない後退の方向にある。これに対し
て銅、銅合金系基板を用いる場合には、モールド樹脂と
の密着性は比較的硬れているが、前記の諸要求をすべて
満すことはできず、さらに耐熱性が４２合金系に比して
劣るため実用化に問題がある。
このために、現在、モールド樹脂との密着性と耐熱性と
熱伝導性が良く、安価なリードフレーム材料としては′
、第２図に示す如き構成のリードフレームが新規な材料
として、主にトランジスター用リードフレーム関係で実
用されている。
熱伝導性が良く、安価なリードフレーム材料としては′
、第２図に示す如き構成のリードフレームが新規な材料
として、主にトランジスター用リードフレーム関係で実
用されている。
すなわち、鉄系材料からなる基体１０の全面に銅めつき
８を施こし、グイボンディング部とワイヤぎンデイング
部とに銀スポットめっきまたは金スポットめつき６を施
こしたリードフレームが用いられている。このよう表リ
ードフレームを用いる場合にも、ダイデンディング部に
半導体素子５を固定し、配線等を行なった後にモールド
樹脂７で封止して半導体装置を構成する。
８を施こし、グイボンディング部とワイヤぎンデイング
部とに銀スポットめっきまたは金スポットめつき６を施
こしたリードフレームが用いられている。このよう表リ
ードフレームを用いる場合にも、ダイデンディング部に
半導体素子５を固定し、配線等を行なった後にモールド
樹脂７で封止して半導体装置を構成する。
しかしながら、このような改良されたリードフレームも
、基体を被覆している銅がモールド樹脂との密着性の面
で高密度のＩＣ，ＬＳＩ等の素子を有効に保護するまで
の信頼性を期待できないので、高密度のＩＣやＬＳＩに
は実用されていない。
、基体を被覆している銅がモールド樹脂との密着性の面
で高密度のＩＣ，ＬＳＩ等の素子を有効に保護するまで
の信頼性を期待できないので、高密度のＩＣやＬＳＩに
は実用されていない。
本発明の目的は、高信頼性の要求の高度化が進 やφ
む中にあっても十分安心して実用できる新規なリードフ
レーム材料を提供することにある。
レーム材料を提供することにある。
特に、本発明の目的は高集積回路半導体装置に用いられ
る適したリードフレームを提供することにある。
る適したリードフレームを提供することにある。
本発明は、鉄系材料からなる基体の全面に銅めっきを施
こし、該銅め、つき層の樹脂モール１部とアウターリー
ド部とを含む部分に錫または錫合金めつき層を設け、さ
らに、該銅めっき層のワイヤボンディング部とグイデン
ディング部に銀または金めつき層を設けてなることを特
徴とする半導体装置用リードフレームである。
こし、該銅め、つき層の樹脂モール１部とアウターリー
ド部とを含む部分に錫または錫合金めつき層を設け、さ
らに、該銅めっき層のワイヤボンディング部とグイデン
ディング部に銀または金めつき層を設けてなることを特
徴とする半導体装置用リードフレームである。
本発明のリードフレームは、前記した従来の改良ＷＩＪ
−）’フレーム（第２図）において、樹脂モールド部と
アウターリード部に錫まだは錫合金めっき層を設けたも
のであって、このような構成とすることによってモール
ド樹脂との極めて信頼性の高い優れた密着性が得られ、
且つアラターリ−ｒ部においては極めて良好な半田付性
が得られ、高集積回路半導体用リードフレームとして特
に適したものである。
−）’フレーム（第２図）において、樹脂モールド部と
アウターリード部に錫まだは錫合金めっき層を設けたも
のであって、このような構成とすることによってモール
ド樹脂との極めて信頼性の高い優れた密着性が得られ、
且つアラターリ−ｒ部においては極めて良好な半田付性
が得られ、高集積回路半導体用リードフレームとして特
に適したものである。
以下、本発明の実施例を第３図を参照しつつ説明する。
第３図は、本発明のリードフレームの一実施例を示す断
面図であって、鉄、鉄合金等の鉄系材料からなる基体１
０の全面に銅めつき８を施して抜機し、銅被覆８の樹脂
モール１部とアウターリード部を含む部分に錫または５
ｎ−１・ｉ等の錫合金めっき層９を設け、さらに該銅被
覆のダイデンディング部とワイヤボンディング部とに銀
めつき６をスポット的に施しである。銀めつき６の代り
に金めつきを施こすこともできる。半導体装置として用
いる場合には、ダイデンディング部に半導体素子５を固
定し、ワイヤボンディング部と金線等で配線した後にモ
ールド樹脂７にて封止して半導体装置を構成する。
面図であって、鉄、鉄合金等の鉄系材料からなる基体１
０の全面に銅めつき８を施して抜機し、銅被覆８の樹脂
モール１部とアウターリード部を含む部分に錫または５
ｎ−１・ｉ等の錫合金めっき層９を設け、さらに該銅被
覆のダイデンディング部とワイヤボンディング部とに銀
めつき６をスポット的に施しである。銀めつき６の代り
に金めつきを施こすこともできる。半導体装置として用
いる場合には、ダイデンディング部に半導体素子５を固
定し、ワイヤボンディング部と金線等で配線した後にモ
ールド樹脂７にて封止して半導体装置を構成する。
本発明においては、フレームの銅被覆に錫または錫合金
めっきを施しであるが、これは数多くの実験により、錫
または錫系合金めつきが、その表面にモールドされる樹
脂の流れ性が非常に良く、や銀めっきに比べて信頼度係
数が極めて高いことがわかる。
めっきを施しであるが、これは数多くの実験により、錫
または錫系合金めつきが、その表面にモールドされる樹
脂の流れ性が非常に良く、や銀めっきに比べて信頼度係
数が極めて高いことがわかる。
Ｓ ｎ’ −Ｎ ｉ合金めつきの場合は、下地に銅めっ
きを施こすと；合金めつきのぎンホールが無くなシ信頼
性を増し、また熱伝導性を与える面でも特に好ましい。
きを施こすと；合金めつきのぎンホールが無くなシ信頼
性を増し、また熱伝導性を与える面でも特に好ましい。
上記の検討の結果、本発明においては、リードフレーム
の樹脂モールド部およびアウターリード部を含む部分を
ｒｅ系層、Ｏｕ層、及びＳｎまたはＳｎ合金層の三層構
成とし、さらにワイヤゼンド部とグイボンド部には従来
と同様釧または金めつきをスポット的に施こしである。
の樹脂モールド部およびアウターリード部を含む部分を
ｒｅ系層、Ｏｕ層、及びＳｎまたはＳｎ合金層の三層構
成とし、さらにワイヤゼンド部とグイボンド部には従来
と同様釧または金めつきをスポット的に施こしである。
また、錫や錫系合金めっきは半田付性と構造材料の防食
性能に特に優れている利点があり、アウターリード部の
半田付性能も抜群に良い。
性能に特に優れている利点があり、アウターリード部の
半田付性能も抜群に良い。
また、理想的なリードフレームとしては、ワイヤぎンデ
ィング性、ダイＨ？ンディング性、モールド樹脂密着性
、及びアウターリード半田付性が優れていることが要求
されるが、本発明の構造を有するリードフレームはこれ
らの各要求項目をすべて満足するものである。
ィング性、ダイＨ？ンディング性、モールド樹脂密着性
、及びアウターリード半田付性が優れていることが要求
されるが、本発明の構造を有するリードフレームはこれ
らの各要求項目をすべて満足するものである。
本発明において錫や錫合金がモールド樹脂との密着性に
優れている理由は、錫の薄い酸化物層のモールド樹脂と
の有機金属学的な反応が進み易く、且つ安定なことに基
づいており、この錫の効果は錫合金の場合、錫を少くと
も５％含むことが必要である。また、この範囲にあると
きは、アウターＩＪ ｈＳ部の半田付性も極めて良好で
ある。
優れている理由は、錫の薄い酸化物層のモールド樹脂と
の有機金属学的な反応が進み易く、且つ安定なことに基
づいており、この錫の効果は錫合金の場合、錫を少くと
も５％含むことが必要である。また、この範囲にあると
きは、アウターＩＪ ｈＳ部の半田付性も極めて良好で
ある。
本発明のり一ドフレームは従来のものに比べて次のよう
な効果を有する。
な効果を有する。
（１） モールド樹脂との密着性に優れ、高集積回路半
導体装置の信頼性を者しく高めることができる。
導体装置の信頼性を者しく高めることができる。
（２） アラターリ−Ｐ部か半田付性に優れ、集積回路
半導体装置完成品のアウターリードの半田めっきが不要
となる。
半導体装置完成品のアウターリードの半田めっきが不要
となる。
（３） ワイ°ヤダンＰ部、グイボンド部には従来通り
銀スポットめっきが施されており、組立実装の機能性に
優れている。
銀スポットめっきが施されており、組立実装の機能性に
優れている。
（４） 基体が鉄系材料のため安価である。
以上の特長によシ、リードフレーム構成材料として約５
０％材料費節減となるばかシか、後工程の半田めっきが
省略できるため、ＩＣ，ＬＳＩ等の完成品の原価の低減
を達成することができる。
０％材料費節減となるばかシか、後工程の半田めっきが
省略できるため、ＩＣ，ＬＳＩ等の完成品の原価の低減
を達成することができる。
第１図は従来のリードフレーム使用の半導体装置の一例
を示す断面図、第２図は従来の改良型リードフレームの
断面図、第３図は本発明のリードフレームの一実施例を
示す断面図、第４図は引張強度テスト用サンプルの断面
図である。 １・・・銅または４２合金基体、２・・・アラターリ−
ｒ部の半田めっき、３・・・モールド樹脂、４・・・イ
ンナーリード、５・・・半導体素子、６・・・銀または
金スポットめっき、７・・・モールド樹脂（範囲）、８
・・・銅めつき、９・・・錫または錫合金め２き、１０
・・・鉄基体。 第 １ 日 蹟 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（弧］ １．事件の表示 昭和 ！？ 年 ガ！′許 願第 、３／３♂ 号２、
にｌ１の名称 ４導イー４イ＆？引リードフレームａ
補正をする者 本 代 理 人〒１００ ６、珀圧のグｄｔ７ 刈Ｙ切壜 ７、ｉ４１ ｎ ＋ノ１ ％ ｆ’ノ２すに４＋／ｌ、
Ｓ糸、イ逢セ【 プル （υ −＆７氏州鉤壇 ｊ鐘
を示す断面図、第２図は従来の改良型リードフレームの
断面図、第３図は本発明のリードフレームの一実施例を
示す断面図、第４図は引張強度テスト用サンプルの断面
図である。 １・・・銅または４２合金基体、２・・・アラターリ−
ｒ部の半田めっき、３・・・モールド樹脂、４・・・イ
ンナーリード、５・・・半導体素子、６・・・銀または
金スポットめっき、７・・・モールド樹脂（範囲）、８
・・・銅めつき、９・・・錫または錫合金め２き、１０
・・・鉄基体。 第 １ 日 蹟 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（弧］ １．事件の表示 昭和 ！？ 年 ガ！′許 願第 、３／３♂ 号２、
にｌ１の名称 ４導イー４イ＆？引リードフレームａ
補正をする者 本 代 理 人〒１００ ６、珀圧のグｄｔ７ 刈Ｙ切壜 ７、ｉ４１ ｎ ＋ノ１ ％ ｆ’ノ２すに４＋／ｌ、
Ｓ糸、イ逢セ【 プル （υ −＆７氏州鉤壇 ｊ鐘
Claims (1)
- （１） 鉄系材料からなる基体の全面に銅めっきを施こ
し、該銅めつき層の樹脂モールド部とアウター、リール
部とを含む部分に錫または錫合金めっき層を設け、さら
に該銅めつき層のワイヤゼンデイング部とダイぎンデイ
ング部に銀または金めつき層を設けてなることを特徴と
する半導体装置用リードフレーム。 Ｑ）錫合金めっき層を錫を５〜９９．９％含有する特許
請求の範囲第（１）項に記載の半導体装置用リードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003138A JPS60147148A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003138A JPS60147148A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147148A true JPS60147148A (ja) | 1985-08-03 |
Family
ID=11548987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59003138A Pending JPS60147148A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60147148A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990016048A (ko) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | 윤종용 | 솔더가 도금된 리드 프레임 및 그를 사용한 반도체 칩패키지의 제조방법 |
| US5889317A (en) * | 1997-04-09 | 1999-03-30 | Sitron Precision Co., Ltd. | Leadframe for integrated circuit package |
| US6087712A (en) * | 1997-12-26 | 2000-07-11 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Lead frame containing leads plated with tin alloy for increased wettability and method for plating the leads |
| US7462926B2 (en) * | 2005-12-01 | 2008-12-09 | Asm Assembly Automation Ltd. | Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom |
| WO2016005201A1 (de) * | 2014-07-08 | 2016-01-14 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Sensor mit opferanode |
| JP2016509084A (ja) * | 2012-12-19 | 2016-03-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ポリオキサゾリンコポリマー |
| CN105702656A (zh) * | 2014-12-10 | 2016-06-22 | 意法半导体私人公司 | 在引线互连点上具有镀层的集成电路器件及其形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366169A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Hitachi Ltd | Lead frame for resin charging |
| JPS5816339A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Teraoka Seiko Co Ltd | プリンタ |
| JPS58114446A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Fujikura Ltd | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59003138A patent/JPS60147148A/ja active Pending
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