JP2845002B2 - 半導体装置用複合リードフレーム - Google Patents
半導体装置用複合リードフレームInfo
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- JP2845002B2 JP2845002B2 JP1722792A JP1722792A JP2845002B2 JP 2845002 B2 JP2845002 B2 JP 2845002B2 JP 1722792 A JP1722792 A JP 1722792A JP 1722792 A JP1722792 A JP 1722792A JP 2845002 B2 JP2845002 B2 JP 2845002B2
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- Japan
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- semiconductor device
- lead frame
- metal plate
- composite lead
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ等の半導体装置を搭
載する半導体装置用複合リードフレームに関するもので
ある。
載する半導体装置用複合リードフレームに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｌｏｇｉｃ系ＩＣにおいては、演
算スピード、処理数の増大が開発の推進力である。これ
ら開発のポイントはＩＣ回路設計であるが、その回路を
安定して動作させる技術も合せて必要である。特に、Ｉ
Ｃの信号を外に伝える信号線での電気的雑音の低下およ
びＩＣで発生する熱の放散がＩＣを包むパッケージとし
て非常に重要な技術となってきた。
算スピード、処理数の増大が開発の推進力である。これ
ら開発のポイントはＩＣ回路設計であるが、その回路を
安定して動作させる技術も合せて必要である。特に、Ｉ
Ｃの信号を外に伝える信号線での電気的雑音の低下およ
びＩＣで発生する熱の放散がＩＣを包むパッケージとし
て非常に重要な技術となってきた。
【０００３】その試みの一つとして、ＩＣを搭載する部
分を熱伝導性の良い厚めの金属板とし、これをリードフ
レームのほぼ中央に貼り付ける構造が最近注目されるよ
うになった。この構造により金属板がＩＣで発生した熱
を効率良く熱拡散すると共に、金属板をアースに接続し
て電位的に安定させれば、信号線間の相互Ｃおよび相互
Ｌ成分を低下させる効果が期待され、電気雑音対策が可
能となる。
分を熱伝導性の良い厚めの金属板とし、これをリードフ
レームのほぼ中央に貼り付ける構造が最近注目されるよ
うになった。この構造により金属板がＩＣで発生した熱
を効率良く熱拡散すると共に、金属板をアースに接続し
て電位的に安定させれば、信号線間の相互Ｃおよび相互
Ｌ成分を低下させる効果が期待され、電気雑音対策が可
能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら金属を
内包した樹脂封止パッケージでは、密着性の悪い金属と
樹脂との接触面積が従来のリードフレームに較べて飛躍
的に増大し、パッケージ封止性が低下してしまう。そし
て、封止性が低下すると外部からの水分がパッケージ内
に容易に侵入してＩＣのパッドやボンディング線を腐食
する恐れが急増するばかりでなく、樹脂と金属との密着
性の悪さから半田リフロー時にパッケージクラックを起
こし易くなるなど、ＩＣパッケージとして致命的な事故
につながる可能性が高いという問題点がある。
内包した樹脂封止パッケージでは、密着性の悪い金属と
樹脂との接触面積が従来のリードフレームに較べて飛躍
的に増大し、パッケージ封止性が低下してしまう。そし
て、封止性が低下すると外部からの水分がパッケージ内
に容易に侵入してＩＣのパッドやボンディング線を腐食
する恐れが急増するばかりでなく、樹脂と金属との密着
性の悪さから半田リフロー時にパッケージクラックを起
こし易くなるなど、ＩＣパッケージとして致命的な事故
につながる可能性が高いという問題点がある。
【０００５】本発明は以上の問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は金属板等の表面に樹脂との密着性のよ
い金属を被覆してパッケージの樹脂封止性に優れた信頼
性の高い半導体装置用複合リードフレームを提供するこ
とにある。
ので、その目的は金属板等の表面に樹脂との密着性のよ
い金属を被覆してパッケージの樹脂封止性に優れた信頼
性の高い半導体装置用複合リードフレームを提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、ＩＣ等の半導体装置を搭載するためのアイ
ランド部を除去し、このアイランド部に代えてインナー
リードの下側に配した絶縁層を介して半導体装置搭載用
の熱的および電気的伝導性に優れた金属板を固定した半
導体装置用複合リードフレームにおいて、上記インナー
リードを含むフレーム部と上記金属板の表面を、Ｓｎの
組成が４０〜９５ｗｔ％、その厚みが０．０５〜１０μ
ｍのＳｎ−Ｎｉ合金膜にて被覆することによって封止樹
脂との密着性を高めたことを特徴とする。
に本発明は、ＩＣ等の半導体装置を搭載するためのアイ
ランド部を除去し、このアイランド部に代えてインナー
リードの下側に配した絶縁層を介して半導体装置搭載用
の熱的および電気的伝導性に優れた金属板を固定した半
導体装置用複合リードフレームにおいて、上記インナー
リードを含むフレーム部と上記金属板の表面を、Ｓｎの
組成が４０〜９５ｗｔ％、その厚みが０．０５〜１０μ
ｍのＳｎ−Ｎｉ合金膜にて被覆することによって封止樹
脂との密着性を高めたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】Ｓｎ−Ｎｉ合金膜は樹脂との密着性がよく、さ
らにこの合金膜をＳｎの組成が４０〜９５ｗｔ％、その
厚みが０．０５〜１０μｍとして金属板等の表面に被覆
することで、パッケージの樹脂封止性が大幅に向上す
る。
らにこの合金膜をＳｎの組成が４０〜９５ｗｔ％、その
厚みが０．０５〜１０μｍとして金属板等の表面に被覆
することで、パッケージの樹脂封止性が大幅に向上す
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
【０００９】図１は本実施例の半導体装置用複合リード
フレームの具体的構造を示す横断面図である。図中の１
は周囲から一点に集中するように配設されたインナーリ
ードで、このインナーリード１の内側先端部にワイヤボ
ンディング用のＡｇめっき２が施されている。インナー
リード１先端の下側部には接着性の絶縁材３が取付けら
れ、この絶縁材３の下側に熱伝導性に優れた銅系の金属
板４が取付けられている。そして、これらインナーリー
ド１、絶縁材３及び金属板４でＩＣチップ搭載部５が形
成されている。
フレームの具体的構造を示す横断面図である。図中の１
は周囲から一点に集中するように配設されたインナーリ
ードで、このインナーリード１の内側先端部にワイヤボ
ンディング用のＡｇめっき２が施されている。インナー
リード１先端の下側部には接着性の絶縁材３が取付けら
れ、この絶縁材３の下側に熱伝導性に優れた銅系の金属
板４が取付けられている。そして、これらインナーリー
ド１、絶縁材３及び金属板４でＩＣチップ搭載部５が形
成されている。
【００１０】そして、上記インナーリード１及びアウタ
ーリード（図示せず）を含むフレーム部と上記金属板４
の各表面にはそれぞれめっきが施されている。このめっ
きは、Ｓｎの組成が７０ｗｔ％、Ｎｉの組成が３０ｗｔ
％で、厚さが０．３μｍのＳｎ−Ｎｉ合金膜６により構
成されている。このフレーム部及び金属板４へのめっき
は、半導体装置用複合リードフレームが形成される前に
施される。
ーリード（図示せず）を含むフレーム部と上記金属板４
の各表面にはそれぞれめっきが施されている。このめっ
きは、Ｓｎの組成が７０ｗｔ％、Ｎｉの組成が３０ｗｔ
％で、厚さが０．３μｍのＳｎ−Ｎｉ合金膜６により構
成されている。このフレーム部及び金属板４へのめっき
は、半導体装置用複合リードフレームが形成される前に
施される。
【００１１】以上のように本実施例ではＳｎ−Ｎｉ合金
膜６をめっきによって被覆する。従ってめっきを行い易
く、かつ樹脂封止性の高いＳｎ−Ｎｉ合金組成及び厚み
にすることが望ましい。この観点から選定される合金組
成及び厚みは、Ｓｎの組成を４０〜９５ｗｔ％、その厚
みを０．０５〜１０μｍとするのが望ましい。
膜６をめっきによって被覆する。従ってめっきを行い易
く、かつ樹脂封止性の高いＳｎ−Ｎｉ合金組成及び厚み
にすることが望ましい。この観点から選定される合金組
成及び厚みは、Ｓｎの組成を４０〜９５ｗｔ％、その厚
みを０．０５〜１０μｍとするのが望ましい。
【００１２】Ｓｎ−Ｎｉ合金膜６は樹脂との密着性がよ
く、この合金膜６を前記組成及び厚みで金属板等の表面
に被覆することにより、従来行われていたＣｕ表面むく
又はＮｉめっき等を施したパッケージに比べてパッケー
ジの樹脂封止性が大幅に向上し、半田リフローの際のパ
ッケージクラックもほとんど皆無にすることが可能にな
る。
く、この合金膜６を前記組成及び厚みで金属板等の表面
に被覆することにより、従来行われていたＣｕ表面むく
又はＮｉめっき等を施したパッケージに比べてパッケー
ジの樹脂封止性が大幅に向上し、半田リフローの際のパ
ッケージクラックもほとんど皆無にすることが可能にな
る。
【００１３】なお、前記実施例では、Ｓｎ−Ｎｉ合金膜
６をめっきによって形成したが、本発明はこれに限ら
ず、スパッタリングや合金箔の貼付等の他の手段でもよ
い。
６をめっきによって形成したが、本発明はこれに限ら
ず、スパッタリングや合金箔の貼付等の他の手段でもよ
い。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の半導体装置
用複合リードフレームによれば、以下の効果を奏する。
用複合リードフレームによれば、以下の効果を奏する。
【００１５】（１） フレーム部と金属板の表面を、Ｓ
ｎ−Ｎｉ合金膜で被覆するので、パッケージ内の全域で
樹脂封止性の良いフレームが得られる。
ｎ−Ｎｉ合金膜で被覆するので、パッケージ内の全域で
樹脂封止性の良いフレームが得られる。
【００１６】（２） 金属板を積層した複合リードフレ
ームにおいても、パッケージ内の全域で樹脂封止性の良
いフレームが得られる。
ームにおいても、パッケージ内の全域で樹脂封止性の良
いフレームが得られる。
【００１７】（３） 樹脂封止性に優れたリードフレー
ムを得ることができるので、信頼性の高い高性能のパッ
ケージを低コストで提供することができる。
ムを得ることができるので、信頼性の高い高性能のパッ
ケージを低コストで提供することができる。
【００１８】（４） Ｓｎ−Ｎｉ合金膜をめっきで形成
することにより、半導体装置用複合リードフレームを経
済的に低コストで、かつ容易に得ることができる。
することにより、半導体装置用複合リードフレームを経
済的に低コストで、かつ容易に得ることができる。
【図１】本発明の半導体装置用複合リードフレームの実
施例を示す横断面図である。
施例を示す横断面図である。
１ インナーリード ２ Ａｇめっき ３ 絶縁材 ４ 金属板 ５ ＩＣチップ搭載部 ６ Ｓｎ−Ｎｉ合金膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 叶野 幸弘 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 荻野目 昇 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社電線工場内 (72)発明者 川野辺 直 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社電線工場内 (56)参考文献 特開 昭60−147148（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174751（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−89539（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (1)
- 【請求項１】ＩＣ等の半導体装置を搭載するためのアイ
ランド部を除去し、このアイランド部に代えてインナー
リードの下側に配した絶縁層を介して半導体装置搭載用
の熱的および電気的伝導性に優れた金属板を固定した半
導体装置用複合リードフレームにおいて、上記インナー
リードを含むフレーム部と上記金属板の表面を、Ｓｎの
組成が４０〜９５ｗｔ％、その厚みが０．０５〜１０μ
ｍのＳｎ−Ｎｉ合金膜にて被覆することによって封止樹
脂との密着性を高めたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置用複合リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722792A JP2845002B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体装置用複合リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722792A JP2845002B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体装置用複合リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218260A JPH05218260A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2845002B2 true JP2845002B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=11938067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1722792A Expired - Fee Related JP2845002B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体装置用複合リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845002B2 (ja) |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1722792A patent/JP2845002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05218260A (ja) | 1993-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |