JPS59161850A - 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム

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JPS59161850A JP58035846A JP3584683A JPS59161850A JP S59161850 A JPS59161850 A JP S59161850A JP 58035846 A JP58035846 A JP 58035846A JP 3584683 A JP3584683 A JP 3584683A JP S59161850 A JPS59161850 A JP S59161850A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置を構成するリードフレームの改良
、および、そのリードフレームを使用した樹脂封止型の
半導体装置の構造に関するものである。
〔背京技術〕
一般に半導体装置はリードフレームのタブ部にシリコン
基板からなる半導体素子（以下ベレットと称する）を搭
載し、ベレットの電極部とリードをワイヤで接続し、封
止体から外部に延びるリード（以下、アウターリードと
称する）以外の部分をプラスチックパッケージ（樹脂封
止）で封止することにより構成される。このような半導
体装置においてリードフレーム材料は、素子に発生する
熱を外部に逃し易くするため熱伝導率の高い材料をリー
ドフレームに使用することが要求される。
さらに、このリードフレーム材料は、樹脂封止体との熱
膨張係数差が出来る限り小さい材料に選択されなければ
ならない。このため、リードフレームの材料として、銅
（Ｃｕ）、あるいは銅を素材として、リン（Ｐ）、鉄（
Ｆｅ）、錫（Ｓｎ）等を微量添加した材料（以下、総称
してＣｕ系材料と称する）が用いられてきた。
しかし、銅（Ｃｕ）系の材料を用いた場合、次の欠点を
有する。すなわち、半導体装置の組立工程に於いて、リ
ードフレームは２００〜４５０℃程度の高温で加熱され
るため、その表面に酸化膜が形成される。この酸化膜は
樹脂との接着力を確保するため必要なものであるが、Ｃ
ｕ系リードフレームの場合、その酸化膜とＣｕ系材の接
着力が小さいので、その界面に隙間が発生し、このため
、樹脂封止半導体装置に於いては、耐湿性が劣化すると
いう問題が生ずる。この問題を防止する方法としてＩＪ
−ド７レーム表面に銀（Ａｇ）または、ニッケル（Ｎｉ
）の被膜を形成する方法が従来から知られている。
例えば、この技術は、特開昭４９−２３５７７号明細書
に記載されている。しかし、銀（Ａｇ）を被膜として使
用した場合、ニッケル（Ｎｉ　）の酸化膜と樹脂との接
着性が充分でないため、耐湿信頼性を充分確保出来ない
ということがわかった。
更に、樹脂封止型半導体装置をプリント基板等に実装す
るために、封止体から外部に伸びるアウターリードを錫
（Ｓｎ）メッキ、半田メッキ、または、半田ディツプを
する必要がある。しかし、前記の如く、組立工程の加熱
で発生したＮｉの酸化膜は、酸化膜の除去処理が出来に
くいため、均一、かつ、完全な被膜を形成することが出
来ない。このため、半田付性、または、リードの腐蝕あ
るいは錆等の問題が発生する。従って、アウターリード
が腐蝕、劣化し、ピン折れが生じ易くなるという問題が
あることがわかった。特に、ニッケル酸化膜は、錫（Ｓ
ｎ）、または、半田被膜を形成する際に、塩酸、硫酸等
による酸化膜の除去処理、または、塩化亜鉛有機酸等を
含む７ラツクスによる処理において、その酸化膜が除去
出来ないとい５欠点がある。
〔発明の目的〕
従って、本発明の主目的は、リードと樹脂封止体と接着
性を改善し、耐湿信頼性を向上させた樹脂封止型半導体
装置を提供することにある。さらに他の目的は、錫（Ｓ
ｎ）メッキ、半田コート等のアウターリードに対する被
膜が均＝に形成出来る半導体装置を提供することにある
。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するために、本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明するならば、銅（
Ｃｕ）系金属から成るリードフレームな鉄−ニッケル（
Ｆｅ−Ｎｉ）二元メッキで被覆し、樹脂封止体とリード
との接着性を良くすると同時に樹脂封止体のアウターリ
ードに対する半田ディラグを容易にすることを特徴とす
る。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に従って説明する。
第１図は、本発明を適用した樹脂封止型（プラスチイッ
クパッケージ）半導体装置の平面図、第２図は、第１図
に示した装置の側面図、第３図は、第１図のＡ　−Ａ　
ａ　ＶｃＧう一部断面図である。
第１図および第２図において、１は、エポキシ樹脂など
の樹脂から成るパッケージ本体（樹脂封止体）、２は、
複数のリードで半導体素、子の電極を封止体の外部に導
出させるためのものである。
これらのリードは、銅から成り、その表面を鉄−ニッケ
ル（Ｆｅ−Ｎｉ）二元メッキで被覆しである。
３はタブ付リード部で他のリードと同様に、本体は銅系
から成り、その光面は鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）二元
、メッキで被覆しである。４は、集積回路が形成された
シリコン半導体素子（ペレット）で、図示されていない
が、このペレット表面には、複数の外部引出し電極（パ
ッド）が形成されている。
５は、金（Ａｕ）から成るボンディングワイヤで、上記
ペレット４の電極とり−ド２とを電気的接続している。
リード２，３は、第３図に示すように、リード本体６は
銅系金属から成る母体６と、その表面にメッキされた鉄
−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被覆８から成る。このリード
２は、樹脂から外部に伸びるアウターリード部において
、錫（Ｓｎ）、または、半田で被覆されている。また、
タブ付きり−ド３も同様に、銅系金属の母体６と、その
表面の鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）の被覆８から形成さ
れている。半導体素子（ベレット）４は、タブ３上に搭
載されるが、半導体素子（ベレット）４は、タブ部３の
表面に形成された銀層（Ａｇ）１２に樹脂ペーストなど
の接着剤１３を介して固着されである。また、リード２
の上には、金（Ａｕ）から成るボンディングワイヤ５を
周知のボンディング技術により接続するために、銀（Ａ
ｇ　）層１１が形成されている。
リード２およびタブ３は、前述のように銅系金属を母体
としているため、樹脂との熱膨張率の差がなく、さらに
、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜でその表面が榎われ
ているため、樹脂封止体１との接着性も良い。従って、
トランスファモールド技術による封止時、または、封′
止完成後における動作状態における加熱冷却時において
、樹脂とリードに働く応力が緩和され、特に、タブ端部
において樹脂クランクが生じにくくなる。よって、チッ
プサイズの大きい半導体装置にも適用出来る。さらに、
本発明によれば、この時、リード２および３は、鉄−ニ
ッケル被膜で覆っているため、エポキシ樹脂１との接着
がよくなる。これによってリード２または３と樹脂１と
の界面からの水の浸入を減少させることが出来る。また
、アウターリードにおいては、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）被膜８の表面に形成される鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）の酸化物は、従来の半田ディツプで使用される塩化
亜鉛等を含んだフラックスで簡単に除去出来るので、半
田被膜１０を鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）８上に容易に
付着形成することが出来る。この時、鉄−ニッケル（Ｆ
ｅ−Ｎｉ）被膜８がアウターリード全体を被覆している
ため、リードの銅系金属の腐蝕がな（なり、アウターリ
ードの折れや外観不良がなくなる。
リードの鉄−ニッケル被膜による樹脂封止体との接着性
の向上は、例えば半導体装置の完成線における着色イン
キの浸漬試験によって理解することができる。すなわち
、半導体装置を赤色に着色したインク中に浸漬させ、加
圧する。この結果、その界面に浸入した赤色インクの浸
入度を観測すると、鉄−ニッケル被膜を有するリードを
用いた本発明の半導体装置では、従来のニッケル被膜の
リードを用いたものに比較して赤色インクの浸入の度合
に明らかな差異が観測される。
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する
。
まず、Ｃｕ系の細条板をプレス等で加工し、Ｃｕｔ系母
体のリードフレームを形成する。このリードフレームは
多数のリード部（上記の２に該当する部分）と、タブ付
リード部（上記の３に該当する部分）とを有するように
加工される。
次に、このＣｕ系リードフレームに鉄−ニッケル（Ｆｅ
−Ｎｉ）メッキを施し、上記したような鉄−ニッケルの
被膜８を形成する。さらに、部分的に銀（Ａｇ）被膜１
１，１２を形成する。これによりて得られたリードフレ
ームの形状を第４図に示す。
第４図において、２および３は前記第１図、第２図によ
って説明したリードおよびタブである。リード２．タブ
３は、ダム９によって支えられ、また、枠体９がその周
りに形成されである。
さらに、上記構成のリードフレームに半導体素子（ベレ
ット）３を樹脂ペースト等の接着剤によって固着させる
。
次に、半導体素子３の電極パッドとリードフレームのリ
ード部とをワイヤ５によって接続する。
この接続は周知のワイヤボンディング技術によって達成
される。
しかる後、トランスファモールド技術によって、樹脂封
止し、上記ベレットボンディング部分、ワイヤボンディ
ング部分、および、リードフレームの一部を宮む部分を
樹脂等の封止体１で封止し、リードフレームの不必要な
部分を切断し、第１図に示すような半導体装置が完成さ
れる。
第５図、第６図は、本発明の変形例を示す。第５図に示
すように、タブ３における熱放出をより大きくするため
に、半導体素子（ベレット）４と銅系金属からなるタブ
母体６０間に、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜や銀（
Ａｇ　）被膜を形成せず、直接、接着剤１３によって半
導体素子（ベレット）４を固着するか、あるいは、銀（
Ａｇ）被膜１２のみ形成して半導体素子（ベレット）４
を固着しても良い。また、第５図に示すように、アウタ
ーリード部には、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜を形
成せず、封止体内に存在するリード（インナーリード）
にのみ形成し、銅系金属６に直接半田被膜１０な形成し
ても良い。しかし、アウターリードの腐蝕をより完全に
するためには、上述したように、鉄−ニッケル（Ｆｅ−
Ｎｉ）被覆の上に半田被膜１０を形成することが望しい
。
このような構造の半導体装置は、リード材と樹脂材の熱
膨張係数の差が少ないため、従来の樹脂の硬化応力によ
る接着剥離の問題が低減される。
さらに、リード表面が鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜
で被覆しているため、従来のニッケル（Ｎ１）被覆した
ものより、リードと樹脂界面の接着力は良い。先に述べ
た赤色に着色したインクによる隙間評価結果、銅（Ｃｕ
）系金属素材、および鉄−二ｌケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜
の充分な接着力が証明される。又、アウターリードの錫
（Ｓｎ）メッキ、あるいは、半田の処理も、鉄−ニッケ
ル（Ｆｅ−Ｎｉ）と−同系の７ラツクスを用い、均一完
全な被膜が形成できた。
〔効　果〕
以上のような本発明の半導体装置は、その構造から以下
の効果を得ることが出来る。
１、熱抵抗の低い銅（Ｃｕ）系金属をフレーム本体とし
て用いているため、稼動時の素子に発生する熱な外部に
放出することを容易にし、素子温度を一定に保ち、動作
点をより広範囲な温度範囲で得ることが出来る。
２、銅（Ｃｕ）系フレームを鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ
）の２元金属で被覆しているため、樹脂とフレームとの
接着性が良く、フレームと樹脂との境界面からの水の浸
入を防ぐことが出来る。従って素子の耐湿性を向上する
ことができる。
３、タブにおいては、その母体が銅系でできており、熱
膨張率が樹脂のそれとほとんど差がないため、熱膨張率
の差によるタブと樹脂との応力が少ない。さらに、タブ
母体の表面を鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ　）の２元金属
で被覆しているため、樹脂との接着性は良い。従って、
タブと樹脂との応力が緩和され、タブ端部に生ずる樹脂
クラックを防止することが出来る。
４、　　鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）の表面に付着する
酸化膜は、容易に酸化膜除去液で除去できるため、外部
リードの半田ディラグ等が容易になる。従って、外部の
素子とのコンタクトの信頼性が向上する。
５、銅（Ｃｕ）フレームを鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）
の二元金属で被覆しているため、銅そのもの自体の腐蝕
、酸化な防止できる。これによりアウターリードの劣化
や折れを防ぎ、また、外観不良が防止出来る。
６、上記１〜３の効果から、相乗効果として、発熱量の
大きい半導体装置の信頼性を向上させることができる。
７、リードフレーム母体が銅（Ｃｕ）系金属から成るた
め、リード素材の原価低減を達成することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、銀（Ａｇ）
被膜１１．１２は金（Ａｕ）で形成されても良く、ボン
ディングワイヤ５は金（Ａｕ）以外の金属であっても本
発明の効果を防げるものではない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明を適用したプラスチックパッケージ半
導体装置の平面図、 第２図は第１図に示した半導体装置の側面図、第３図は
第１図に示した半導体装置のＡ−ｘ＋１！＋に沿う断面
図、 第４図は、リードフレームの平面図、 第５図は本発明の変形例な示す半導体装置の断面図、お
よび、 第６図は本発明をさらに他の変形例を示す半導体装置の
断面図。各図面において、各符号は次のように説明され
る。 １・・・樹脂パッケージ本体、２・・・リード、３・・
・りプ、４・・・半導体素子（ペレット）、５・・・ボ
ンディングワイヤ（金）、６・・リード母体（銅系金属
）およびタブ付リード母体（銅系金属）、７・・・枠体
、８・・・鉄−ニンケル（Ｆｅ−Ｎｉ）被膜、９・・・
ダム、１゜・・・錫（Ｓｎ）ｏｒ半田被膜、１１．１２
−・・銀（Ａｇ）被膜、１３・・・（導電性）接着剤。 第　　１　　図 第　　２　図 ／ 第　　３　　図 第　　４　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードの外部接続部以外の部分を樹脂により封止し
    た樹脂封止型半導体装置において、リードおよび半導体
    素子を固着すべきタブを銅系金属で形成し、樹脂封止さ
    れる前記リード部およびタブ部の表面の少な（とも一部
    が鉄−ニッケル二元材料の被覆が形成されて成ることを
    特徴とする半導体装置。 ２、互いに平行に配列された一対の第１の枠体部と、該
    一対の第１の枠体部間を連結し、互いに平行に配設され
    た一対の第２の枠体部と、前記第１および第２の枠体部
    によって区画された領域内に形成された半導体素子取付
    用のタブ付リード部およびそのタブ付リード部の周辺に
    配列された複数のリード部とを有するリードフレームに
    おいて、前記リードフレームは銅系材料の母体と、その
    表面に形成された鉄−ニッケル二元材料から成る被膜と
    から成ることを特徴とするリードフレーム。
JP58035846A 1983-03-07 1983-03-07 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム Granted JPS59161850A (ja)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS603144A (ja) * 1983-06-21 1985-01-09 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体パツケ−ジのリ−ド処理方法
JPS6186948U (ja) * 1984-11-14 1986-06-07
JPS62263665A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPH03280456A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Mitsui High Tec Inc 半導体装置に用いるリードフレーム
JPH08280350A (ja) * 1995-04-13 1996-10-29 Yasue:Kk 寒干し大根の加工方法
US5656855A (en) * 1992-12-23 1997-08-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and method for manufacturing same
US7064008B2 (en) * 2002-02-01 2006-06-20 Texas Instruments Incorporated Semiconductor leadframes plated with thick nickel, minimum palladium, and pure tin
KR100664424B1 (ko) 2002-12-16 2007-01-03 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 전자부품 및 그 제조방법 그리고 제조장치
CN104505375A (zh) * 2014-11-03 2015-04-08 南通富士通微电子股份有限公司 半导体封装结构
CN105702656A (zh) * 2014-12-10 2016-06-22 意法半导体私人公司 在引线互连点上具有镀层的集成电路器件及其形成方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS603144A (ja) * 1983-06-21 1985-01-09 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体パツケ−ジのリ−ド処理方法
JPS6349383B2 (ja) * 1983-06-21 1988-10-04 Oki Electric Ind Co Ltd
JPS6186948U (ja) * 1984-11-14 1986-06-07
JPS62263665A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPH03280456A (ja) * 1990-03-28 1991-12-11 Mitsui High Tec Inc 半導体装置に用いるリードフレーム
US5656855A (en) * 1992-12-23 1997-08-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and method for manufacturing same
US5909053A (en) * 1992-12-23 1999-06-01 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Lead frame and method for manufacturing same
JPH08280350A (ja) * 1995-04-13 1996-10-29 Yasue:Kk 寒干し大根の加工方法
US7064008B2 (en) * 2002-02-01 2006-06-20 Texas Instruments Incorporated Semiconductor leadframes plated with thick nickel, minimum palladium, and pure tin
KR100664424B1 (ko) 2002-12-16 2007-01-03 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 전자부품 및 그 제조방법 그리고 제조장치
CN104505375A (zh) * 2014-11-03 2015-04-08 南通富士通微电子股份有限公司 半导体封装结构
CN105702656A (zh) * 2014-12-10 2016-06-22 意法半导体私人公司 在引线互连点上具有镀层的集成电路器件及其形成方法

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