JPS603144A - 半導体パツケ−ジのリ−ド処理方法 - Google Patents

半導体パツケ−ジのリ−ド処理方法

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JPS603144A
JPS603144A JP58110214A JP11021483A JPS603144A JP S603144 A JPS603144 A JP S603144A JP 58110214 A JP58110214 A JP 58110214A JP 11021483 A JP11021483 A JP 11021483A JP S603144 A JPS603144 A JP S603144A
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plating
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film
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JP58110214A
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Yutaka Okuaki
奥秋　裕
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Oki Electric Industry Co Ltd
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    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、パッケージ、リード酸化皮膜の除去を容易
に行なう半導体パッケージのリード処理方法に関する。
（従来技術） 第１図は従来の半導体パッケージのリードの断面図であ
る。この第１図における１はリード、４ｉｔ、　Ａｕ　
Ｓ　１ダイボンド部、５はキャップであシ、従来のリー
ド１はリード１にＮｉメッキ２を行い、その表面にＡｕ
メッキ３を行った構成でリードメッキを行っていた。
原価低減などの目的でＡｕメッキ３の削除を行ない、Ｎ
ｉメッキ２の状態で半導体装置の組立を行うと、Ａｕ　
−Ｓｉダイボンド４、キャップ５の溶接″！、たけ樹脂
シールなどの工程で高温で処理されるため、Ｎｉメッキ
２の表面に強固な酸化皮膜を生成するために半導体装置
組立後、Ｎｉメッキ２をたとえば塩酸、硫酸などによシ
ポイルデイツゾなどの酸処理によって酸化皮膜の除去を
行い、ハンダディップ（ＤｉＰ）　またはハンダメッキ
などのハンダ処理をしていたが、Ｎｉメッキの酸化皮膜
は酸処理によって除去しにくいという欠点があった。
（発明の目的） この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、Ａｕメッキを削除したリードのハンダディップ
、ハンダメッキ処理が容易に行える半導体パッケージの
リード処理方法を提供することを目的とする。
（発明の構成） この発明の半導体パンクー−ジのリード処理方法は、半
導体・ぐツケージのリードにＮｉメッキをしてその表面
に酸化しても酸処理によって酸化被膜が容易に除去でき
る金属をメッキし、熱処理工程後メッキ金属の表面の酸
化波Ｍｆｃ除去してメッキ金属にノ・ンダ処理するよう
にしたものである。
（実施例） 以下、この発明の半導体パッケージのリード処理方法の
実施例について図面に基づき説明する。
第２図はその一実施例に適用される半導体・ぐツケージ
のリードの断面図であり、第２図において、第１図と同
一部分には同一符号を付してその説明を省略し、第１図
とは異なる部分を重点的に述べる。
この第２図を第１図と比較しても明らかなように、第２
図では、符号１１〜３１で示す部分が第１図とは異なシ
、この発明の特徴をなす部分である。すなわち、１１は
リード、２１はＮｉメッキ、３１は酸化しても容易に除
去できるメッキ金属、たとえば、銅、錫、鉛、半田など
が用られる。Ｎｉメッキ２１の上に酸化しても酸化皮膜
の除去しやすいメッキ金属３１のメッキでカバーして、
Ｎｉメッキ２１の酸化を防止し、かつ酸化月日除去処理
を容易にしている。
たと乏２はカバー用のメッキ金属３１に銅メッキを使用
する。そしてシールなどの工程で高温処理されると、表
面に酸化膜ができる。この酸化膜はたとえば塩酸、酢酸
々どにディップすることによシ、容易に落ちる。そして
表面に清浄な銅メッキ（メッキ金属３１）を露出して半
田ディツプなどを行うと、ハンダディップの剥離性が向
上する。
（発明の効果） 以上述べたごとく、この発明の半導体パッケージのり−
ド処胛方法によれは、半導体パッケージのリードの表面
にＮｉメ°ツキおよび酸化処理で酸化皮膜が容易に処理
できるメッキ金属でメッキし、熱処理工程後このメッキ
金属の表面の酸化膜ＦＩＧ＜全除去してメッキ金属の表
面を露出させてハンダ処理を行うようにしたので、Ａｕ
メッキを削除した半導体パッケージのリードのハンダデ
ィップ、ハンダメッキ処理が容易になシ、したがってＡ
ｕメッキを行なう必要がなくなシ、コストの低減が可能
となるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体パッケージのリードの断面図、第
２図はこの発明の半導体パッケージのリード処理方法に
適用された半導体パッケージのリードの断面図である。 ４・・・グイボンド部、５・・・キャップ、１１・・・
リード、２１・・・Ｎｉメッキ、３１・・・酸化しても
容易に除去できるメッキ金属。 特許出願人　沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和Ｆ８１年す月ｉ、１ｌＥｌ 特許庁長官若　杉　和　失敗 １、事件の表示 昭１１１５８年　％　訃　願第１１０２１４　号２、発
明の名称 半導体パッケージのリード処理方法 ３、補正をする者 事件との関係　特　許　出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付　昭和　年　月　［１（自発）６、
補正の対象 明細層の発明の粕・卸［な説明の欄 ７、補正の内容 別紙の通り ７　補正の内容 ］）明細書２頁１０行「ボイルディップ」全［ボイルま
たはティップ］と訂正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体パッケージのリードにＮｉメッキを施した表面に
    酸化しても酸処理によって酸化皮膜が容易に除去できる
    金属によるメッキ金属でメッキしておき、熱処理工程後
    上記メッキ金鵜の表面の酸化皮膜を除去して上記メッキ
    金属にハンダ処理することを特徴とする半導体パッケー
    ジのリード処理方法。
JP58110214A 1983-06-21 1983-06-21 半導体パツケ−ジのリ−ド処理方法 Granted JPS603144A (ja)

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