JPS63202944A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、銅系の合金材料を素材とするリードフレーム
に関する。

〔従来の技術〕

一般に、リードフレームには、半導体素子との接合、信
号取り出しのための配線を確実に行い、かつ組立後の半
導体装置を基板等に実装する際の半田付けを良好に行う
必要上めっき処理が施されている。

従来、この種のリードフレームは第３図に示すように構
成されている。これを同図および第４図に基づいて説明
すると、同図において、符号１で示すものは銅系の合金
材料（Ｃｕ−３ｎ−Ｎｉ）を素材とする金属片で、上面
に半導体チップ２を接合するダイパッド３と、このダイ
パッド３上のチップ電極４にＡｕ等のワイヤ５によって
接続されたインナリード６とからなり、その全周囲には
ニッケル（Ｓ成分を含有する）あるいはスルファミン酸
ニッケルによってめっき膜７が形成されている。そして
、この金属片１のめっき膜７上には銅フラッシュのめっ
き膜８を介して銀等のめっき膜９が形成されている。こ
のめっき膜９は前記半導体チップ２を接合する領域およ
び前記ワイヤ５を接続する領域に施されている。また、
１０は前記半導体チップ２を樹脂封止するパッケージで
ある。なお、前記めっき膜９は半導体チップ２の接合お
よびワイヤ５の接続を良好に行うためのちのであり、ま
た前記めっき膜７は金属片１の銅成分とめっき膜９　（
銀）との金属拡散防止膜として機能し、かつパッケージ
１０との密着力を良好にするためのものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、このように構成されたリードフレームにおい
ては、パッケージ１０によって金属片１上の半導体チッ
プ２を樹脂封止して半導体装置Ａが組み立てられている
。そして、この半導体装置Ａを半田付けによって例えば
プリント基板（図示せず）に実装するに際し、めっき膜
７上の非樹脂封止部分にその半田付は性を良好にする錫
−鉛合金からなるめっき膜１１が施される。これは、半
導体装ｉＡの組立工程中に生じる熱（樹脂封止時。

グイホンディング時およびワイヤボンディング時の発生
熱）によってめっき膜７上に酸化膜が形成され易いから
である。

ところが、従来のリードフレームにおいては、めっき膜
７のニッケル成分とめっき膜１１の錫成分との拡散性が
高いことから両めっき膜７．１１の密着度が低下してお
り、このため実際にはめっき膜７を除去して金属片１上
にめっき膜１１が直接族されていた。この結果、半導体
装置組立時の処理工程数が嵩み、組立コストが高くなる
という問題があった。

本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
装置組立時の処理工程数を削減することができ、もって
組立コストの低廉化を図ることができるリードフレーム
を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係るリードフレームは、銅系の合金材料を素材
とする金属片からなり、この金属片に鉄−ニソケル合金
からなるめっき膜を形成し、このめっき膜は５６〜６０
％の鉄および４０〜４４％のニッケルによって組成され
、かつ膜厚が０．　５〜１．５μの寸法に設定されてい
るものである。

〔作　用〕

本発明においては、金属片の非樹脂封止部分に錫−鉛合
金からなるめっき膜を形成するに際し、鉄−ニソケル合
金からなるめっき膜を除去する必要がなくなる。

〔実施例〕

第１図は本発明に係るリードフレームを示す断面図、第
２図は同じくリードフレームから組み立てる半導体装置
を示す断面図で、同図において第３図および第４図と同
一品部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省
略する。同図において、符号２１で示すものは合金製の
めっき膜で、前記金属片１に全体に亘り形成されている
。このめっき膜２１は、５６〜６０％の鉄および４０〜
４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．５
〜１．５μの寸法に設定されている。

このように構成されたリードフレームにおいては、金属
片１の非樹脂封止部分に錫−鉛合金からなるめっき膜１
１を形成するに際して、めっき膜２１を除去する必要が
なくなり、半導体装置組立時の処理数を削減することが
できるだけでなく、処理液の液量を少なくすることがで
きる。

この場合、めっき膜２１の鉄イオンの拡散抑制効果によ
って錫−ニッケル成分が抑制することができるため、両
めっき膜１１．２１の密着度を高めることができ、リー
ドフレームとしての品質を向上させることができる。

因に、本発明のリードフレームを約１７５°Ｃに加熱し
たオーブン中に約２４０時間収容した後、３６０°のね
じりを加えた結果、密着不良によるめっき膜１１の剥離
は観察されず、一方従来のリードフレームを９６時間収
容しただけでめっき膜７とめっき膜１１との剥離が観察
されたことが実験によって知られている。

また、本発明においては、組立工程中に発生する熱く例
えば樹脂封止時やボンディング時の発生熱）によって形
成された表面酸化膜を化学エツチング液によって簡単に
除去することができると共に、その膜表面を清浄面に確
実に形成することができる。

さらに、本発明におけるめっき膜２１によって金属片１
の銅とめっき膜９の銀との拡散を防止することができる
。

次に、本発明のリードフレームによる半導体装置の組立
方法について説明する。

先ず、予め脱脂処理および活性化処理が施された金属片
１にめっき膜２１を形成する。次いで、このめっき膜２
１上の所定箇所（ダイパッド３゜インナリード６）にめ
っき膜８．めっき膜９を順次形成する。しかる後、ダイ
パッド３上のめっき膜９に半導体チップ２を接合し、こ
れとインナリード６とをワイヤ５によって接続した後、
パッケージ１０によって半導体チップ２等を樹脂封止す
る。そして、非樹脂封止部分のめっき膜２１に錫−鉛合
金からなるめっき膜１１を形成する。この場合、めっき
処理は、めっき膜２１を硝酸−硫酸一塩酸系の化学エツ
チング液によるエツチング処理後に施される。

このようにして、半導体装置Ｂを組み立てることができ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、銅系の合金材料を
素材とする金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっき膜
を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および４０
〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．
５〜１．５μの寸法に設定されているので、金属片の非
樹脂封止部分に錫−鉛合金からなるめっき膜を形成する
に際して、鉄−ニッケル合金からなるめっき膜を除去す
る必要がなくなる。したがって、半導体装置組立時の処
理工程数を削減できるから、その組立コストの低廉化を
図ることができる。また、鉄−ニッケル合金からなるめ
っき膜の鉄イオンの拡散抑制効果によって錫−ニッケル
合金を抑制することができるから、鉄−ニッケル合金か
らなるめっき膜と錫−鉛合金からなるめっき膜との密着
度を高めることができ、リードフレームとしての品質を
確実に向上させることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るリードフレームを示す断面図、第
２図は同じくリードフレームから組み立てる半導体装置
を示す断面図、第３図は従来のリードフレームを示す断
面図、第４図はそのリードフレームから組み立てる半導
体装置を示す断面図である。 １・・・・金属片、２１・・・・めっき膜。 代　　　理　　人　　大　岩　増　雄 第１図 １＝金属片 ２１：　　めっ！嘩 第２図 第３図 第４図 手続補正書（、＜、、、Ｈご、） 昭和　　１２１ｉ２６ＥＩ ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対象 （１）　　明細書の特許請求の範囲の欄（２）　　明細
書の発明の詳細な説明の欄６、補正の内容 （１）　　明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正す
る。 （２）明細書中、下記の箇所の「パッケージ」を「封止
樹脂」と補正する。 ２頁１８行、３頁３行、同頁７行、７頁８行〜９行。 以　　　上 −２、 特許請求の範囲 封止樹脂によって樹脂封止する半導体素子を接合するグ
イパッドを有し銅系の合金材料を素材とする金属片から
なり、この金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっき膜
を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および４０
〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．
５〜１．５μの寸法に設定されていることを特徴とする
リードフレーム。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　パッケージによって樹脂封止する半導体素子を接合す
   るダイパッドを有し銅系の合金材料を素材とする金属片
   からなり、この金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっ
   き膜を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および
   ４０〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が
   ０．５〜１．５μの寸法に設定されていることを特徴と
   するリードフレーム。