JPS61183950A - 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS61183950A JPS61183950A JP60023749A JP2374985A JPS61183950A JP S61183950 A JPS61183950 A JP S61183950A JP 60023749 A JP60023749 A JP 60023749A JP 2374985 A JP2374985 A JP 2374985A JP S61183950 A JPS61183950 A JP S61183950A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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-
- H—ELECTRICITY
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-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、 ［産業上の利用分野コ
本発明はＩＣ、トランジスタ、ダイオードなどの電子回
路用部品に使用される半導体用リードフレームの製造方
法に関するものである。
路用部品に使用される半導体用リードフレームの製造方
法に関するものである。
［従来の技術］
最近の半導体用リードフレームは、貴金属節約の観点か
ら、第４図に示すように、プレスにより所定のパターン
に打法いて形成されたリードフレーム素体１のほぼ中央
に位置する半導体素子固定部４及び内部リード端子部５
にのみ、金、銀などの貴金属を部分めっきすることによ
り製造されるのが普通である。２は樹脂封止領域である
。そしてこの場合、前記部分めっき方法としてはゴム等
のマスクにより非めっき液から遮蔽するマスク法が一般
に採用され、又、めっき液の供給形態ではノズルからめ
つき液を高速で噴射する所謂高速めつき法がマスク法と
合わせて採用されることが非常に多い。
ら、第４図に示すように、プレスにより所定のパターン
に打法いて形成されたリードフレーム素体１のほぼ中央
に位置する半導体素子固定部４及び内部リード端子部５
にのみ、金、銀などの貴金属を部分めっきすることによ
り製造されるのが普通である。２は樹脂封止領域である
。そしてこの場合、前記部分めっき方法としてはゴム等
のマスクにより非めっき液から遮蔽するマスク法が一般
に採用され、又、めっき液の供給形態ではノズルからめ
つき液を高速で噴射する所謂高速めつき法がマスク法と
合わせて採用されることが非常に多い。
［発明が解決しようとする問題点］
ここで従来の製造方法においては、マスクを用いて部分
めっきする方法は、非めっき部分に対するめつき液の遮
蔽を完全に行うことが難しく、めっき液が非めっき部分
に回ねり込んで生じるにじみ出しの問題が心配されるが
、この点に関しては殊に最近のリードフレームの製造方
法はめつき処理をもって仕上加工としたいとの要求から
、第４図に示すようにプレス後のリードフレーム素体１
にめっきすることが多く、この場合素体１の開口部側面
を通じて非めっき部分にめっき液が十分回わりやすいた
めに、益々にじみ出しの問題が生じやすい状況にある。
めっきする方法は、非めっき部分に対するめつき液の遮
蔽を完全に行うことが難しく、めっき液が非めっき部分
に回ねり込んで生じるにじみ出しの問題が心配されるが
、この点に関しては殊に最近のリードフレームの製造方
法はめつき処理をもって仕上加工としたいとの要求から
、第４図に示すようにプレス後のリードフレーム素体１
にめっきすることが多く、この場合素体１の開口部側面
を通じて非めっき部分にめっき液が十分回わりやすいた
めに、益々にじみ出しの問題が生じやすい状況にある。
このような状況から素体１の開口部側面をもマスクする
手段が種々検討されているが、例えば前記開口部に合致
した形状の特殊マスクを使用する方法ではリードフレー
ムのパターンの種類に応じて幾種類もの特殊マスクを用
意しなければならず、しかもこの方法によってもにじみ
出しの問題を皆無にすることは容易でないという問題が
ある。ざらに、めっき金属として銀を使用することは非
常に多いが、銀を使用する場合銀めっきのにじみ出しの
程度が樹脂封止領域外に出るようなことになると、銀マ
イグレーションを起こし、にじみ出しが半導体装置の信
頼性を著しく低下させる原因となるという問題がある。
手段が種々検討されているが、例えば前記開口部に合致
した形状の特殊マスクを使用する方法ではリードフレー
ムのパターンの種類に応じて幾種類もの特殊マスクを用
意しなければならず、しかもこの方法によってもにじみ
出しの問題を皆無にすることは容易でないという問題が
ある。ざらに、めっき金属として銀を使用することは非
常に多いが、銀を使用する場合銀めっきのにじみ出しの
程度が樹脂封止領域外に出るようなことになると、銀マ
イグレーションを起こし、にじみ出しが半導体装置の信
頼性を著しく低下させる原因となるという問題がある。
一方、ＩＣなどの半導体装置は高集積化、多ピン化が急
激に進み、３ｉチツプ等の半導体素子の面積もそれに応
じて大型化されてきているが、装置そのものの大きさは
変らず、むしろ小形化される傾向にある。このためＩＣ
に使用される半導体用リードフレームにおいては、第３
図に示すように半導体素子固定部及び内部リード端子部
のポンディング領域８の長さに比較して、樹脂封止領域
１１において実際に樹脂によって封止される部分１３の
長さが逆にみじかくなり、それによって銀マイグレーイ
ヨンの問題や耐湿性の低下の問題が一層大きくクローズ
アップされつつある。
激に進み、３ｉチツプ等の半導体素子の面積もそれに応
じて大型化されてきているが、装置そのものの大きさは
変らず、むしろ小形化される傾向にある。このためＩＣ
に使用される半導体用リードフレームにおいては、第３
図に示すように半導体素子固定部及び内部リード端子部
のポンディング領域８の長さに比較して、樹脂封止領域
１１において実際に樹脂によって封止される部分１３の
長さが逆にみじかくなり、それによって銀マイグレーイ
ヨンの問題や耐湿性の低下の問題が一層大きくクローズ
アップされつつある。
本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、にじ
み出しの問題を解消することが出来るとともに樹脂との
密着性を改善し耐湿性を確保及び向上させることができ
る半導体用リードフレームの製造方法を提供することに
ある。
み出しの問題を解消することが出来るとともに樹脂との
密着性を改善し耐湿性を確保及び向上させることができ
る半導体用リードフレームの製造方法を提供することに
ある。
［問題点を解決するための手段］
すなわち本発明は、半導体用リードフレーム素体の半導
体素子固定部及び内部リード端子部を含む樹脂封止領域
内の表面に金、銀などの金属をめっきした後、前記半導
体素子固定部及び内部リード端子部に施されためつき金
属を残して他の部分のめつき金属を除去することにより
当該他の部分の表面を粗面化し、これによってにじみ出
しの問題を解消すると同時に樹脂との密着性を一挙に改
善したもので必り、非めっき部分にめっきを付ない工夫
を追及していた従来の裏をかくものでめる。
体素子固定部及び内部リード端子部を含む樹脂封止領域
内の表面に金、銀などの金属をめっきした後、前記半導
体素子固定部及び内部リード端子部に施されためつき金
属を残して他の部分のめつき金属を除去することにより
当該他の部分の表面を粗面化し、これによってにじみ出
しの問題を解消すると同時に樹脂との密着性を一挙に改
善したもので必り、非めっき部分にめっきを付ない工夫
を追及していた従来の裏をかくものでめる。
本発明において、半導体用リードフレーム素体の材料と
しては、例えば銅、銅合金、鉄、ステンレス、４２アロ
イ、インバー、コバーなとの金属材料が使用され、又め
つき金属としては、金、銀、ニッケル、半田、錫などが
使用される。
しては、例えば銅、銅合金、鉄、ステンレス、４２アロ
イ、インバー、コバーなとの金属材料が使用され、又め
つき金属としては、金、銀、ニッケル、半田、錫などが
使用される。
めっき金属の除去方法としては、エツチング液に浸漬し
て除去する方法あるいは逆電解による方法などかめる。
て除去する方法あるいは逆電解による方法などかめる。
［実施例］
次に添付図面を参照しながら本発明半導体用リードフレ
ームの製造方法の一実施例を説明する。
ームの製造方法の一実施例を説明する。
まず、第２図に示すように、プレスにより所定のパター
ンに打央いて形成された４２７０イ製半導体用リードフ
レーム素体１の樹脂封止領域２内の表面に厚さ３Ｍの銀
めつき３を施す。この銀めっきはマスク法による部分め
っきにより行われる。
ンに打央いて形成された４２７０イ製半導体用リードフ
レーム素体１の樹脂封止領域２内の表面に厚さ３Ｍの銀
めつき３を施す。この銀めっきはマスク法による部分め
っきにより行われる。
ついで銀めっきされた樹脂封止領域２内の半導体素子固
定部４及び内部リード端子部５にのみマスクを当てて、
リードフレーム素体１全体をエツチング液中に浸漬する
。すると第１図に示すように、前記半導体素子固定部４
及び内部リード端子部５に施された銀めっきのみが残さ
れ、他の部分の銀めっきが除去されてその部分の表面が
粗面化された状態６の半導体用リードフレーム７が製造
される。
定部４及び内部リード端子部５にのみマスクを当てて、
リードフレーム素体１全体をエツチング液中に浸漬する
。すると第１図に示すように、前記半導体素子固定部４
及び内部リード端子部５に施された銀めっきのみが残さ
れ、他の部分の銀めっきが除去されてその部分の表面が
粗面化された状態６の半導体用リードフレーム７が製造
される。
このようにして製造されたリードフレーム７を用いて組
立てられた半導体装置をみたのが第３図であり、半導体
素子固定部及び内部リード端子部からなるホンディング
領域８においては半導体素子の接合とホンディングワイ
ヤ９の接合がそれぞれ行われ、樹脂封止領域１１におい
ては樹脂１２によって封止される部分１３が上記粗面化
された状態６のフレーム部分であることがわかる。１４
は外部リードと称される部分で、普通この部分には半田
あるいは錫めっきが施されるように半田付性が必要なと
ころであるから、粗面化しないほうか良い。
立てられた半導体装置をみたのが第３図であり、半導体
素子固定部及び内部リード端子部からなるホンディング
領域８においては半導体素子の接合とホンディングワイ
ヤ９の接合がそれぞれ行われ、樹脂封止領域１１におい
ては樹脂１２によって封止される部分１３が上記粗面化
された状態６のフレーム部分であることがわかる。１４
は外部リードと称される部分で、普通この部分には半田
あるいは錫めっきが施されるように半田付性が必要なと
ころであるから、粗面化しないほうか良い。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明半導体用リード
フレームの製造方法によれば、非めっき部分を含む広範
囲の部分を積極的にめっきしそこから必要部分のめつき
金属を残して他の部分のめっき金属を除去するという方
法であるから、従来のように部分めっきの精度を上げる
工夫を追及しなくても、確実かつ容易ににじみ出しの問
題を解消することができると共に、めっき金属の除去を
もって当該部分を粗面化することにより樹脂との密着性
に関して接触面積を増加し且つ樹脂封止距離を長くする
ことができるために、樹脂との密着性を改善し半導体装
置においては耐湿性を確保及び向上させることができる
効果がめる。
フレームの製造方法によれば、非めっき部分を含む広範
囲の部分を積極的にめっきしそこから必要部分のめつき
金属を残して他の部分のめっき金属を除去するという方
法であるから、従来のように部分めっきの精度を上げる
工夫を追及しなくても、確実かつ容易ににじみ出しの問
題を解消することができると共に、めっき金属の除去を
もって当該部分を粗面化することにより樹脂との密着性
に関して接触面積を増加し且つ樹脂封止距離を長くする
ことができるために、樹脂との密着性を改善し半導体装
置においては耐湿性を確保及び向上させることができる
効果がめる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体用リードフレー
ムの部分正面図、第２図は同本発明−実施例にかかる半
導体用リードフレームの素体にめっきを施した構造を示
す部分正面図、第３図は半導体装置の断面図、第４図は
従来の半導体用リードフレームの部分正面図である。 １：リードフレーム素体、 ２：樹脂封止領域、 ３：銀めっき、 ４：半導体素子固定部、 ５：内部リード端子部、 ６：粗面化された状態、 ７：半導体用リードフレーム。
ムの部分正面図、第２図は同本発明−実施例にかかる半
導体用リードフレームの素体にめっきを施した構造を示
す部分正面図、第３図は半導体装置の断面図、第４図は
従来の半導体用リードフレームの部分正面図である。 １：リードフレーム素体、 ２：樹脂封止領域、 ３：銀めっき、 ４：半導体素子固定部、 ５：内部リード端子部、 ６：粗面化された状態、 ７：半導体用リードフレーム。
Claims (1)
- （１）半導体用リードフレーム素体の半導体素子固定部
及び内部リード端子部を含む樹脂封止領域内の表面に金
、銀などの金属をめつきした後、前記半導体素子固定部
及び内部リード端子部に施されためつき金属を残して他
の部分のめつき金属を除去することにより、当該他の部
分の表面を粗面化することを特徴とする半導体用リード
フレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023749A JPS61183950A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023749A JPS61183950A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183950A true JPS61183950A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12118961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023749A Pending JPS61183950A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183950A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63234602A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Fujitsu Ten Ltd | 車載用スピーカ一体形アンテナの製造方法 |
| JPS63234603A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Fujitsu Ten Ltd | 車載用スピーカ一体形アンテナの製造方法 |
| US6210548B1 (en) | 1998-03-26 | 2001-04-03 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Apparatus for partially removing plating films of leadframe |
| JP2007180247A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 回路部材の製造方法 |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
| JP2011044748A (ja) * | 2010-11-29 | 2011-03-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JP2011171770A (ja) * | 2011-06-06 | 2011-09-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 回路部材、回路部材の製造方法、半導体装置、及び回路部材表面の積層構造 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60023749A patent/JPS61183950A/ja active Pending
Cited By (8)
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