JPS6097654A - 封止型半導体装置 - Google Patents
封止型半導体装置Info
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- JPS6097654A JPS6097654A JP58205519A JP20551983A JPS6097654A JP S6097654 A JPS6097654 A JP S6097654A JP 58205519 A JP58205519 A JP 58205519A JP 20551983 A JP20551983 A JP 20551983A JP S6097654 A JPS6097654 A JP S6097654A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は封止型半導体装置に関するもので、特にその
リードフレームの形状ニ係る。
リードフレームの形状ニ係る。
従来、封止型半導体装置としては、例えば第1図および
第2図に示すような樹脂封止型のものが広く用いられて
いる。図において、1lidリードフレームによシ構成
された半導体素子取着部(アイランド)、12はこの半
導体素子取着部11に固着される半導体素子(ペレット
)、13はこのペレット12の電極を導出するリードフ
レーム、14は上記リードフレーム13のインナーリー
ド部13aとペレット12の電極とを電気的に接続する
ための金(ALI )あるいはアルミニウム(At)等
からなる余端線(デンディングワイヤ)、15は樹脂製
の外囲器、16はボンf4ングワイヤ14とインナーリ
ード部1.1mmトランディングするための銀(Ag
)メッキ領域である。なお、13bLriプリント基板
等に挿入されるアウターリード部を示している。
第2図に示すような樹脂封止型のものが広く用いられて
いる。図において、1lidリードフレームによシ構成
された半導体素子取着部(アイランド)、12はこの半
導体素子取着部11に固着される半導体素子(ペレット
)、13はこのペレット12の電極を導出するリードフ
レーム、14は上記リードフレーム13のインナーリー
ド部13aとペレット12の電極とを電気的に接続する
ための金(ALI )あるいはアルミニウム(At)等
からなる余端線(デンディングワイヤ)、15は樹脂製
の外囲器、16はボンf4ングワイヤ14とインナーリ
ード部1.1mmトランディングするための銀(Ag
)メッキ領域である。なお、13bLriプリント基板
等に挿入されるアウターリード部を示している。
上記のような樹脂封止型半導体装置は、以下に記すよう
にして組立てられる。まず、1枚の金属板(例えばN1
(42%)−re(58%)合金。
にして組立てられる。まず、1枚の金属板(例えばN1
(42%)−re(58%)合金。
Cu合金)を打抜きあるいは化学処理によシ所定の形状
に成形してリードフレーム13を形成する。次に、−ン
ディングワイヤ14下結線するインナーリード部13a
のデンディング面側にM3図(−) 、 (b)に示す
ように選択的にAgメッキを施す。なお、図において(
b)図は(、)図のA −A’線に沿った断面図である
。次に、ベレット12を上記リードフレーム13のベレ
ット取着811に接着し、ベレット12の電極とAgメ
ッキ領域16とをぎンディングワイヤ14で結線する。
に成形してリードフレーム13を形成する。次に、−ン
ディングワイヤ14下結線するインナーリード部13a
のデンディング面側にM3図(−) 、 (b)に示す
ように選択的にAgメッキを施す。なお、図において(
b)図は(、)図のA −A’線に沿った断面図である
。次に、ベレット12を上記リードフレーム13のベレ
ット取着811に接着し、ベレット12の電極とAgメ
ッキ領域16とをぎンディングワイヤ14で結線する。
そして、上記ベレット12.ペレ、ト取付部11、ボン
ディングワイヤ14、およびインナーリード部13 m
ヲトランスファモールドして樹脂製の外囲器15を形
成する。
ディングワイヤ14、およびインナーリード部13 m
ヲトランスファモールドして樹脂製の外囲器15を形
成する。
ところで、上述した樹脂封止型半導体装置の組立て工程
におけるAgメッキ工程では、メッキ装置によってイン
ナーリード部13mの所定範囲内に選択的にメッキを施
しているが、この選択的なメッキ処理はリードフレーム
13の側面に対しては処理制御が困難であシ、第3図(
、)の一点鎖線で囲んだ領域Bを拡大した第4図にハツ
チングで示すようにAgメッキがリードフレーム13の
側面に沿って流れ、アウターリード部13bKAgが付
着してしまう。このような樹脂封止型半導体装置をセッ
ト組立て時にグリント基板へ挿入して半田付作業を行な
うと、この半田が上記リードフレーム13の側面に形成
されたAgメッキ領域の表面に沿って樹脂性の外囲器1
5内に侵入し、がンディングヮイヤ14を浸して半導体
素子12の電極とインナーリード部13mとの電気的な
接続を遮断してしまう欠点がある。また、アウターリー
ド部13bjlCAgメ、キが付着していると、アウタ
ーリード13b。
におけるAgメッキ工程では、メッキ装置によってイン
ナーリード部13mの所定範囲内に選択的にメッキを施
しているが、この選択的なメッキ処理はリードフレーム
13の側面に対しては処理制御が困難であシ、第3図(
、)の一点鎖線で囲んだ領域Bを拡大した第4図にハツ
チングで示すようにAgメッキがリードフレーム13の
側面に沿って流れ、アウターリード部13bKAgが付
着してしまう。このような樹脂封止型半導体装置をセッ
ト組立て時にグリント基板へ挿入して半田付作業を行な
うと、この半田が上記リードフレーム13の側面に形成
されたAgメッキ領域の表面に沿って樹脂性の外囲器1
5内に侵入し、がンディングヮイヤ14を浸して半導体
素子12の電極とインナーリード部13mとの電気的な
接続を遮断してしまう欠点がある。また、アウターリー
ド部13bjlCAgメ、キが付着していると、アウタ
ーリード13b。
13b間で外囲器15の外周を介してAgの移動(Ag
マイグレーシ、ン現象)が発生し、リードフレーム13
.13間が短絡されてしまう欠点がある。
マイグレーシ、ン現象)が発生し、リードフレーム13
.13間が短絡されてしまう欠点がある。
上述したように、従来の封止型半導体装置においては、
アウターリード部の側面へのメッキの付着による種々の
現象による信頼性および歩留シの低下が問題となってお
シ、その対策が強く望まれている。
アウターリード部の側面へのメッキの付着による種々の
現象による信頼性および歩留シの低下が問題となってお
シ、その対策が強く望まれている。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、アウターリード部の側面への
メッキの導出を防止して信頼性および歩留シの向上を図
れる封止型半導体装置を提供することである。
その目的とするところは、アウターリード部の側面への
メッキの導出を防止して信頼性および歩留シの向上を図
れる封止型半導体装置を提供することである。
すなわち、この発明においては、半導体装置の各電極を
リードフレームのインナーリード部にボンディンダ接続
し、上記半導体装置およびインナーリード部を外囲器に
封止する封止型半導体装置において、上記リードフレー
ムのインナーリード部にはがンディングを行なうための
メッキ領域を選択的に形成するとともに、このメッキ領
域周辺のインナーリード部側面に切欠部あるいは突出部
の少なくともいずれか一方から成シアウターリード部側
面へのメッキの導出を阻止する阻止領域を設けたもので
ある。
リードフレームのインナーリード部にボンディンダ接続
し、上記半導体装置およびインナーリード部を外囲器に
封止する封止型半導体装置において、上記リードフレー
ムのインナーリード部にはがンディングを行なうための
メッキ領域を選択的に形成するとともに、このメッキ領
域周辺のインナーリード部側面に切欠部あるいは突出部
の少なくともいずれか一方から成シアウターリード部側
面へのメッキの導出を阻止する阻止領域を設けたもので
ある。
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第5図および第6図において、前記第1図、第2
図と同一構成部には同じ符号を付してその説明は省略す
る。すなわち、前記第11Mおよび第2図におけるリー
ドフレーム13のインナーリード部り3m側面に、切欠
部17および突出部18 i 1 g/から成る阻止領
域19を形成したもので、この阻止領域19によってイ
ンナーリード部13mのざンディング領域16へのメッ
キ処理時にインナーリード部13*の側面からアウター
リード部13bの側面へのAgの導出を阻止するように
して成る。上記阻止領域19は、金属板からのリードフ
レームの打抜き(あるいは化学処理)形成時に同時に形
成すれば良い。
する。第5図および第6図において、前記第1図、第2
図と同一構成部には同じ符号を付してその説明は省略す
る。すなわち、前記第11Mおよび第2図におけるリー
ドフレーム13のインナーリード部り3m側面に、切欠
部17および突出部18 i 1 g/から成る阻止領
域19を形成したもので、この阻止領域19によってイ
ンナーリード部13mのざンディング領域16へのメッ
キ処理時にインナーリード部13*の側面からアウター
リード部13bの側面へのAgの導出を阻止するように
して成る。上記阻止領域19は、金属板からのリードフ
レームの打抜き(あるいは化学処理)形成時に同時に形
成すれば良い。
第7図(、) 、 (b)および第8図はそれぞれ前記
第3図(a) 、 (b)および第4図に対応したリー
ドフレーム形状、メッキ領域、およびインナーリード部
の拡大構成図を示している。第8図にハツチングで示す
ように、メッキ処理時にインナーリード部13aの側面
に形成されたメッキは、阻止領域19によってアウター
リード部13bへの導出が阻止される。従って、セット
組立て時の半田付作業において、半田が外囲器15内に
侵入してがンディングワイヤ14を浸すことはない。ま
た、Agメッキはインナーリード部13mの側面も含め
て外囲器15内に封止されるのでAgマイグレーション
現象を防止できる。
第3図(a) 、 (b)および第4図に対応したリー
ドフレーム形状、メッキ領域、およびインナーリード部
の拡大構成図を示している。第8図にハツチングで示す
ように、メッキ処理時にインナーリード部13aの側面
に形成されたメッキは、阻止領域19によってアウター
リード部13bへの導出が阻止される。従って、セット
組立て時の半田付作業において、半田が外囲器15内に
侵入してがンディングワイヤ14を浸すことはない。ま
た、Agメッキはインナーリード部13mの側面も含め
て外囲器15内に封止されるのでAgマイグレーション
現象を防止できる。
なお、上記実施例ではDIP (Dual Inlin
epackage )型の樹脂封止型半導体装置につい
て説明したが、SIP (Single In1ine
Package ) WやFP (Flat Pac
kage )型のものにも適用可能なのはもちろんであ
る。
epackage )型の樹脂封止型半導体装置につい
て説明したが、SIP (Single In1ine
Package ) WやFP (Flat Pac
kage )型のものにも適用可能なのはもちろんであ
る。
以上説明したようにこの発明によれば、アウターリード
部の側面へのメッキの導出を防止して信頼性および歩、
留シの向上を図れる封止型半導体装置が得られる。
部の側面へのメッキの導出を防止して信頼性および歩、
留シの向上を図れる封止型半導体装置が得られる。
第1図および第2図はそれぞれ従来の封止型半導体装置
の一部を切欠して示す斜視図および上方から見た図、第
3図および第4図はそれぞれ上記第1図、第2図におけ
るリードフレームとメッキ領域を説明するための図およ
びその一部を拡大して示す斜視図、第5図および第6図
はそれぞれこの発明の一実施例に係る封止型半導体装置
の一部を切欠して示す斜視図および上方から見た図、第
7図および第8図はそれぞれ上記第5図、第6図におけ
るリードフレームとメッキ領域を説明するための図およ
びその一部を拡大して示す斜視図である。 13・・・リードフレーム、13a・・・インナーリー
ド部、15・・・外囲器、17・・・切欠部、18゜1
8′・・・突出部、19・・・阻止領域。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 6
の一部を切欠して示す斜視図および上方から見た図、第
3図および第4図はそれぞれ上記第1図、第2図におけ
るリードフレームとメッキ領域を説明するための図およ
びその一部を拡大して示す斜視図、第5図および第6図
はそれぞれこの発明の一実施例に係る封止型半導体装置
の一部を切欠して示す斜視図および上方から見た図、第
7図および第8図はそれぞれ上記第5図、第6図におけ
るリードフレームとメッキ領域を説明するための図およ
びその一部を拡大して示す斜視図である。 13・・・リードフレーム、13a・・・インナーリー
ド部、15・・・外囲器、17・・・切欠部、18゜1
8′・・・突出部、19・・・阻止領域。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 6
Claims (1)
- 半導体装置の各電極をリードフレームのインナーリード
部にがンディング接続し、上記半導体装置およびインナ
ーリード部を外囲器に封止する封止型半導体装置におい
て、上記リードフレームのインナーリード部にはボンデ
ィングを行なうためのメッキ領域を選択的に形成すると
ともに、このメッキ領域周辺のインナーリード部側面に
切欠部あるいは突出部の少なくともいずれか一方から成
シアウターリード部側面へのメッキの導出を阻止する阻
止領域を設けたことを%徴とする封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58205519A JPS6097654A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58205519A JPS6097654A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6097654A true JPS6097654A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16508216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58205519A Pending JPS6097654A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6097654A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6229152A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ム |
JPS6324648A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS63193027A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Toyota Motor Corp | 圧電型圧力検出装置 |
JPS63132438U (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-30 | ||
JP2000133845A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
EP2284886A3 (en) * | 2009-06-17 | 2013-02-27 | LSI Corporation | Lead frame design to improve reliability |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58205519A patent/JPS6097654A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6229152A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ム |
JPS6324648A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH0582975B2 (ja) * | 1986-07-16 | 1993-11-24 | Nippon Electric Co | |
JPS63193027A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Toyota Motor Corp | 圧電型圧力検出装置 |
JPS63132438U (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-30 | ||
JP2000133845A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
EP2284886A3 (en) * | 2009-06-17 | 2013-02-27 | LSI Corporation | Lead frame design to improve reliability |
US8869389B2 (en) | 2009-06-17 | 2014-10-28 | Lsi Corporation | Method of manufacturing an electronic device package |
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