JPH0810207Y2 - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPH0810207Y2 JPH0810207Y2 JP1988002975U JP297588U JPH0810207Y2 JP H0810207 Y2 JPH0810207 Y2 JP H0810207Y2 JP 1988002975 U JP1988002975 U JP 1988002975U JP 297588 U JP297588 U JP 297588U JP H0810207 Y2 JPH0810207 Y2 JP H0810207Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- die pad
- semiconductor device
- hole
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、半導体素子やリードフレームを樹脂で一
体的にモールドした樹脂封止形半導体装置に関するもの
である。
体的にモールドした樹脂封止形半導体装置に関するもの
である。
第２図は例えば特開昭58-14557号公報に示された樹脂
封止形半導体装置に用いられるリードフレームの平面図
であつて、リードフレーム（１）は細長い平板状の素材
から打ち抜きまたはエツチングで作られる。リードフレ
ーム（１）は四角形の枠体（２）が連続して一体的に構
成されるが、その一部を図示する。枠体（２）の対向す
る一対の辺より中心部に向けて支持腕（８）を形成して
四角形のダイパツト（４）を支持する。ダイパツト
（４）には貫通穴（５）があけられている。ダイパツト
（４）のまわりから複数のリード（６）が放射状に外側
へ伸び、枠体（２）にそれぞれ直角に接がる。これらの
リード（８）を保持し、かつ、樹脂モールド時に樹脂が
外部へ漏出するのを防止するため、リード（６）の途中
にタイバー（７）が一体に連結されている。打ち抜きや
エツチングによりこのような形状に加工された後、ダイ
パツト（４）への半導体素子（図示せず）のボンデイン
グの半田付性とリード（６）へのワイヤ（図示せず）の
接続性をよくするため、ボンデイング用金属メツキ領域
（８）内のダイパツト（４）およびリード（６）の片面
にメツキが施され、金，銀などのボンデイング用の金属
薄膜が形成されている。
封止形半導体装置に用いられるリードフレームの平面図
であつて、リードフレーム（１）は細長い平板状の素材
から打ち抜きまたはエツチングで作られる。リードフレ
ーム（１）は四角形の枠体（２）が連続して一体的に構
成されるが、その一部を図示する。枠体（２）の対向す
る一対の辺より中心部に向けて支持腕（８）を形成して
四角形のダイパツト（４）を支持する。ダイパツト
（４）には貫通穴（５）があけられている。ダイパツト
（４）のまわりから複数のリード（６）が放射状に外側
へ伸び、枠体（２）にそれぞれ直角に接がる。これらの
リード（８）を保持し、かつ、樹脂モールド時に樹脂が
外部へ漏出するのを防止するため、リード（６）の途中
にタイバー（７）が一体に連結されている。打ち抜きや
エツチングによりこのような形状に加工された後、ダイ
パツト（４）への半導体素子（図示せず）のボンデイン
グの半田付性とリード（６）へのワイヤ（図示せず）の
接続性をよくするため、ボンデイング用金属メツキ領域
（８）内のダイパツト（４）およびリード（６）の片面
にメツキが施され、金，銀などのボンデイング用の金属
薄膜が形成されている。
上記リードフレーム（１）のボンデイング用金属メツ
キ領域（８）へメツキ工程の断面図を第３図に示す。リ
ードフレーム（１）の上主面（９）側にはボンデイング
用金属メツキ領域（８）に対応した窓（10）を有するマ
スク（11）が当てられ、下主面（12）側には押さえ部材
（13）が当てられて、（14）のようにメツキ液を流す。
この時、リードフレーム（１）の上主面（９）だけでは
なく、貫通穴（５）の壁面（15）にもメツキが施されて
しまい、金，銀などの金属薄膜（16）が形成される。
キ領域（８）へメツキ工程の断面図を第３図に示す。リ
ードフレーム（１）の上主面（９）側にはボンデイング
用金属メツキ領域（８）に対応した窓（10）を有するマ
スク（11）が当てられ、下主面（12）側には押さえ部材
（13）が当てられて、（14）のようにメツキ液を流す。
この時、リードフレーム（１）の上主面（９）だけでは
なく、貫通穴（５）の壁面（15）にもメツキが施されて
しまい、金，銀などの金属薄膜（16）が形成される。
第４図は、第２図，第３図のリードフレーム（１）を
用いた従来の樹脂封止形半導体装置の断面図で、裏面に
金属薄膜（17）を形成された半導体素子（18）がダイパ
ツト（４）のボンデイング用の金属薄膜（16）面に半田
（19）で固着されている。半田付けは半田（19）を加熱
溶融し、半導体素子（18）をダイパツト（４）の方へ押
圧して行うが、貫通穴（５）の壁面（15）は前述のよう
に金属薄膜（16）が形成されていて半田（19）の濡れ性
がよいので、この時半田（19）は壁面（15）を伝つて貫
通穴（５）に流れ込み、貫通穴（５）の大部分を埋め
る。半導体素子（18）の電極端子（図示せず）はワイヤ
（20）でリード（６）に接続されている。これが封止用
の樹脂（21）で一体的にモールドされる。モールド後
に、枠体（２），ダイバー（７）が切除され、支持腕
（３）は切断される。リード（６）は樹脂（21）の外に
出た部分で折り曲げられ、その表面に実装用金属薄膜
（22）が形成されている。
用いた従来の樹脂封止形半導体装置の断面図で、裏面に
金属薄膜（17）を形成された半導体素子（18）がダイパ
ツト（４）のボンデイング用の金属薄膜（16）面に半田
（19）で固着されている。半田付けは半田（19）を加熱
溶融し、半導体素子（18）をダイパツト（４）の方へ押
圧して行うが、貫通穴（５）の壁面（15）は前述のよう
に金属薄膜（16）が形成されていて半田（19）の濡れ性
がよいので、この時半田（19）は壁面（15）を伝つて貫
通穴（５）に流れ込み、貫通穴（５）の大部分を埋め
る。半導体素子（18）の電極端子（図示せず）はワイヤ
（20）でリード（６）に接続されている。これが封止用
の樹脂（21）で一体的にモールドされる。モールド後
に、枠体（２），ダイバー（７）が切除され、支持腕
（３）は切断される。リード（６）は樹脂（21）の外に
出た部分で折り曲げられ、その表面に実装用金属薄膜
（22）が形成されている。
このような樹脂封止形半導体装置においては、半導体
素子（18）やワイヤ（20）は封止用の樹脂（21）によつ
て外部環境から保護されており、使用時は樹脂（21）の
外に露出したリード（６）から電気信号が入力され、ワ
イヤ（20）を通つて半導体素子（18）に入り、そこで所
定の処理が行われて再びワイヤ（20）を通つてリード
（６）から外部に出力されるよう動作する。
素子（18）やワイヤ（20）は封止用の樹脂（21）によつ
て外部環境から保護されており、使用時は樹脂（21）の
外に露出したリード（６）から電気信号が入力され、ワ
イヤ（20）を通つて半導体素子（18）に入り、そこで所
定の処理が行われて再びワイヤ（20）を通つてリード
（６）から外部に出力されるよう動作する。
従来の樹脂封止形半導体装置は以上のように構成され
ているので、構成する各部品や材料の間に各々の線膨張
係数の差があり、特に樹脂（21）の線膨張係数は他の部
品や材料の線膨張係数に比べて大きいため、樹脂封止形
半導体装置の製造工程における樹脂モールド時や試験
時、あるいはプリント配線基板に実装して使用される時
などに受ける温度変化により、各部分に応力が発生す
る。特に角部や端部に応力が集中し、また、樹脂（21）
と他の部品や材料との界面で剥離が発生してそのため応
力の集中が増大し、樹脂（21）にクラツクが発生する。
その対策として、ダイパツト（４）に貫通穴（５）をあ
けてそこに封止用の樹脂（21）を充填することで、ダイ
パツト（４）と樹脂（21）の間の係止効果により応力を
分散させ、クラツクの発生を防止することを期待してい
る。しかしながら、第４図に示すように貫通穴（５）は
半田（19）で大部分が埋つているので、樹脂（21）の入
り込む余地が少い。従つて、十分な係止効果が働かず、
ダイパツト（４）の角部，端部への応力の集中が増大し
て樹脂（21）にクラツクが発生するという問題があつ
た。
ているので、構成する各部品や材料の間に各々の線膨張
係数の差があり、特に樹脂（21）の線膨張係数は他の部
品や材料の線膨張係数に比べて大きいため、樹脂封止形
半導体装置の製造工程における樹脂モールド時や試験
時、あるいはプリント配線基板に実装して使用される時
などに受ける温度変化により、各部分に応力が発生す
る。特に角部や端部に応力が集中し、また、樹脂（21）
と他の部品や材料との界面で剥離が発生してそのため応
力の集中が増大し、樹脂（21）にクラツクが発生する。
その対策として、ダイパツト（４）に貫通穴（５）をあ
けてそこに封止用の樹脂（21）を充填することで、ダイ
パツト（４）と樹脂（21）の間の係止効果により応力を
分散させ、クラツクの発生を防止することを期待してい
る。しかしながら、第４図に示すように貫通穴（５）は
半田（19）で大部分が埋つているので、樹脂（21）の入
り込む余地が少い。従つて、十分な係止効果が働かず、
ダイパツト（４）の角部，端部への応力の集中が増大し
て樹脂（21）にクラツクが発生するという問題があつ
た。
この考案は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、樹脂封止形半導体装置のモールド時や試験
時、使用時の温度変化により受ける応力に対しても樹脂
のクラツク発生を防止する樹脂封止形半導体装置を提供
することを目的とする。
れたもので、樹脂封止形半導体装置のモールド時や試験
時、使用時の温度変化により受ける応力に対しても樹脂
のクラツク発生を防止する樹脂封止形半導体装置を提供
することを目的とする。
この考案に係る樹脂封止形半導体装置は、複数の貫通
穴を有するダイパットと、ダイパットの貫通穴の壁面以
外のダイパットの一主面上に設けられた金属薄膜と、金
属薄膜の一主面と半田により固着された半導体素子と、
半導体素子、ダイパットおよび金属薄膜を一体的に封止
し、かつダイパットの複数の貫通穴を充填した樹脂とを
備えるようにしたものである。
穴を有するダイパットと、ダイパットの貫通穴の壁面以
外のダイパットの一主面上に設けられた金属薄膜と、金
属薄膜の一主面と半田により固着された半導体素子と、
半導体素子、ダイパットおよび金属薄膜を一体的に封止
し、かつダイパットの複数の貫通穴を充填した樹脂とを
備えるようにしたものである。
この考案における樹脂封止形半導体装置は、用いられ
るリードフレームのダイパツトに設けられた貫通穴の壁
面を固着材に濡れにくいようにしているので、ダイパツ
トの金属薄膜上へ半導体素子を固着する時に、固着材が
貫通穴に流れ込みにくく、貫通穴を埋めないので、封止
用の樹脂が貫通穴に多量に充填される。従つて、ダイパ
ツトと樹脂の間に係止効果が働いて応力を分散させ、樹
脂封止形半導体装置のモールド時や試験時，使用時の温
度変化により受ける応力に対しても樹脂のクラツク発生
を防止することができる。
るリードフレームのダイパツトに設けられた貫通穴の壁
面を固着材に濡れにくいようにしているので、ダイパツ
トの金属薄膜上へ半導体素子を固着する時に、固着材が
貫通穴に流れ込みにくく、貫通穴を埋めないので、封止
用の樹脂が貫通穴に多量に充填される。従つて、ダイパ
ツトと樹脂の間に係止効果が働いて応力を分散させ、樹
脂封止形半導体装置のモールド時や試験時，使用時の温
度変化により受ける応力に対しても樹脂のクラツク発生
を防止することができる。
以下、この考案の一実施例について説明する。
第１図はこの考案の一実施例を示す樹脂封止形半導体
装置の断面図である。リードフレーム（１）は鉄系合金
の細長い平板状の素材の状態で、ボンデイング用の金属
薄膜（16）の形成されるべき所、即ち、第２図のボンデ
イング用金属メツキ領域（８）に相当する所に銀メツキ
が施される。その後で、打ち抜きやエツチングにより第
２図のリードフレーム（１）と同様の形状に加工され
る。従つて、貫通穴（５）の側面はメツキによつて金属
薄膜が形成されることはなく、その表面はダイパツト
（４）の母材のままである。このようなリードフレーム
（１）のダイパツト（４）へ半導体素子（18）が半田
（19）により固着されている。半田付けの際、溶融した
半田（19）はダイパツト（４）の金属薄膜（16）には濡
れ性がよいのでよく付着するが、貫通穴（５）の壁面
（15）には金属薄膜がなく、ダイパツト（４）の母材の
鉄系合金が露出しているので半田（19）の濡れ性が悪
く、従つて、半田（19）が貫通穴（５）に流入して埋め
てしまうことはなく、封止用の樹脂（21）が充填される
空間が保たれている。ワイヤ（20）で半導体素子（18）
の電極端子（図示せず）とリード（６）が接続され、こ
れらが封止用の樹脂（21）で一体的にモールドされてい
る。その他の構成は第４図に示す従来の構成とほゞ同じ
であるのでその説明は省略する。以上により貫通穴
（５）にも樹脂（21）が多量に充填されているので、ダ
イパツト（４）と樹脂（21）の間に係止効果が働いて応
力を分散させ、温度変化により受ける応力に対しても樹
脂（21）のクラツク発生を防止することができる。
装置の断面図である。リードフレーム（１）は鉄系合金
の細長い平板状の素材の状態で、ボンデイング用の金属
薄膜（16）の形成されるべき所、即ち、第２図のボンデ
イング用金属メツキ領域（８）に相当する所に銀メツキ
が施される。その後で、打ち抜きやエツチングにより第
２図のリードフレーム（１）と同様の形状に加工され
る。従つて、貫通穴（５）の側面はメツキによつて金属
薄膜が形成されることはなく、その表面はダイパツト
（４）の母材のままである。このようなリードフレーム
（１）のダイパツト（４）へ半導体素子（18）が半田
（19）により固着されている。半田付けの際、溶融した
半田（19）はダイパツト（４）の金属薄膜（16）には濡
れ性がよいのでよく付着するが、貫通穴（５）の壁面
（15）には金属薄膜がなく、ダイパツト（４）の母材の
鉄系合金が露出しているので半田（19）の濡れ性が悪
く、従つて、半田（19）が貫通穴（５）に流入して埋め
てしまうことはなく、封止用の樹脂（21）が充填される
空間が保たれている。ワイヤ（20）で半導体素子（18）
の電極端子（図示せず）とリード（６）が接続され、こ
れらが封止用の樹脂（21）で一体的にモールドされてい
る。その他の構成は第４図に示す従来の構成とほゞ同じ
であるのでその説明は省略する。以上により貫通穴
（５）にも樹脂（21）が多量に充填されているので、ダ
イパツト（４）と樹脂（21）の間に係止効果が働いて応
力を分散させ、温度変化により受ける応力に対しても樹
脂（21）のクラツク発生を防止することができる。
なお、上記ではダイパツト（４）の母材、即ちリード
フレーム（１）の母材を鉄系合金としたが、銅系合金で
も同様の効果がある。
フレーム（１）の母材を鉄系合金としたが、銅系合金で
も同様の効果がある。
以上のように、この考案では、樹脂封止形半導体装置
に用いられるリードフレームのダイパツトに設けられた
貫通穴の壁面を、ダイパツトの金属薄膜上へ半導体素子
を固着する固着材に濡れにくいようにしているので、固
着材が貫通穴に流れ込んで埋めてしまうことはなく、貫
通穴に封止用の樹脂が多量に充填されているので、ダイ
パツトと封止用の樹脂の間に係止効果が働いて応力を分
散させる。従つて、樹脂封止形半導体装置のモールド時
や試験時、あるいは使用時の温度変化により受ける応力
に対しても、樹脂のクラツク発生を防止できる樹脂封止
形半導体装置が得られる効果がある。
に用いられるリードフレームのダイパツトに設けられた
貫通穴の壁面を、ダイパツトの金属薄膜上へ半導体素子
を固着する固着材に濡れにくいようにしているので、固
着材が貫通穴に流れ込んで埋めてしまうことはなく、貫
通穴に封止用の樹脂が多量に充填されているので、ダイ
パツトと封止用の樹脂の間に係止効果が働いて応力を分
散させる。従つて、樹脂封止形半導体装置のモールド時
や試験時、あるいは使用時の温度変化により受ける応力
に対しても、樹脂のクラツク発生を防止できる樹脂封止
形半導体装置が得られる効果がある。
第１図はこの考案の一実施例の樹脂封止形半導体装置の
断面図、第２図は従来の樹脂封止形半導体装置に用いら
れるリードフレームの平面図、第３図は第２図のリード
フレームのメツキ工程を示す断面図、第４図は従来の樹
脂封止形半導体装置の断面図である。 図において、（４）はダイパツト、（５）は貫通穴、
（15）は貫通穴の壁面、（16）は金属薄膜、（18）は半
導体素子、（19）は半田、（21）は樹脂である。 尚、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
断面図、第２図は従来の樹脂封止形半導体装置に用いら
れるリードフレームの平面図、第３図は第２図のリード
フレームのメツキ工程を示す断面図、第４図は従来の樹
脂封止形半導体装置の断面図である。 図において、（４）はダイパツト、（５）は貫通穴、
（15）は貫通穴の壁面、（16）は金属薄膜、（18）は半
導体素子、（19）は半田、（21）は樹脂である。 尚、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−150953（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−134047（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−42735（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】複数の貫通穴を有するダイパットと、 前記ダイパットの貫通穴の壁面以外の前記ダイパットの
一主面上に設けられた金属薄膜と、 前記金属薄膜の一主面と半田により固着された半導体素
子と、 前記半導体素子、前記ダイパットおよび前記金属薄膜を
一体的に封止し、かつ前記ダイパットの複数の貫通穴を
充填した樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂封止形半
導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988002975U JPH0810207Y2 (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 樹脂封止形半導体装置 |
| US07/227,332 US4942454A (en) | 1987-08-05 | 1988-08-02 | Resin sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988002975U JPH0810207Y2 (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107157U JPH01107157U (ja) | 1989-07-19 |
| JPH0810207Y2 true JPH0810207Y2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=31204206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988002975U Expired - Lifetime JPH0810207Y2 (ja) | 1987-08-05 | 1988-01-12 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810207Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2779843B2 (ja) * | 1989-08-08 | 1998-07-23 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載用基板及び電子部品パッケージ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150953A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP1988002975U patent/JPH0810207Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01107157U (ja) | 1989-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4942454A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
| US6992385B2 (en) | Semiconductor device, a method of manufacturing the same and an electronic device | |
| EP0424530B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JP2002151554A (ja) | 半導体装置 | |
| JP7089388B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US9013030B2 (en) | Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for producing a leadframe | |
| US5841183A (en) | Chip resistor having insulating body with a continuous resistance layer and semiconductor device | |
| JP3839178B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000003988A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| US7098081B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the device | |
| KR100621555B1 (ko) | 리드 프레임, 이를 이용한 반도체 칩 패키지 및 그의 제조방법 | |
| JP2000208690A (ja) | リ―ドフレ―ム、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2007201324A (ja) | 電子装置の実装構造および電子部品の実装方法 | |
| JP3427492B2 (ja) | 凸型ヒートシンク付き半導体装置及びその凸型ヒートシンクの製造方法 | |
| US5606204A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH0810207Y2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JP3153197B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3424184B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2934372B2 (ja) | 面実装型半導体装置の製造方法 | |
| JP2003197828A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0735403Y2 (ja) | リードフレーム | |
| JP3153185B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2503595B2 (ja) | 半導体リ―ドフレ―ム | |
| JPH02205060A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2975783B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 |