JPH0582975B2 - - Google Patents
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- JPH0582975B2 JPH0582975B2 JP61168619A JP16861986A JPH0582975B2 JP H0582975 B2 JPH0582975 B2 JP H0582975B2 JP 61168619 A JP61168619 A JP 61168619A JP 16861986 A JP16861986 A JP 16861986A JP H0582975 B2 JPH0582975 B2 JP H0582975B2
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- lead
- plating
- inner lead
- lead frame
- protrusion
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランスフアーモールド技術によつて
樹脂封止された半導体装置で、かつリードフレー
ムのインナーリード部先端がメツキ加工されるリ
ードフレームに関し、吊りリード部を含む、イン
ナーリード部の形状に関する。
樹脂封止された半導体装置で、かつリードフレー
ムのインナーリード部先端がメツキ加工されるリ
ードフレームに関し、吊りリード部を含む、イン
ナーリード部の形状に関する。
従来、トランスフアーモールド技術によつて樹
脂封止された半導体装置において、リードフレー
ムのインナーリード部先端に金、銀等のメツキを
行ない、ワイヤーボンデイング技術を用いて、半
導体素子上のワイヤー接続用のパツトと上記メツ
キ部を電気的に接続する方法が広く用いられてい
る。
脂封止された半導体装置において、リードフレー
ムのインナーリード部先端に金、銀等のメツキを
行ない、ワイヤーボンデイング技術を用いて、半
導体素子上のワイヤー接続用のパツトと上記メツ
キ部を電気的に接続する方法が広く用いられてい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のインナーリード先端がメツキさ
れたリードフレームは、リードフレームにメツキ
をする際、メツキを行なう部分以外をマスクして
行うが、現在の技術では、リードフレーム板厚方
向（側面部）までマスクができないため、メツキ
はリードフレーム板厚方向へ容易に漏れて、樹脂
封止部の外、すなわちアウターリード部の側面部
にまでメツキが広がつてしまう。この樹脂封止部
の外に漏れたメツキのはがれやマイグレーシヨン
により、半導体装置はピン間短絡を起こす欠点が
ある。さらに近年のパツケージの小型化、及び半
導体素子の大型化によりインナーリードメツキ境
界と樹脂封止境界の距離の縮小や、リードフレー
ム素材の銅系化により漏れメツキの化学的剥離が
不可能となり、漏れメツキをインナーリード部内
で食止める技術が重要視されてきている。
れたリードフレームは、リードフレームにメツキ
をする際、メツキを行なう部分以外をマスクして
行うが、現在の技術では、リードフレーム板厚方
向（側面部）までマスクができないため、メツキ
はリードフレーム板厚方向へ容易に漏れて、樹脂
封止部の外、すなわちアウターリード部の側面部
にまでメツキが広がつてしまう。この樹脂封止部
の外に漏れたメツキのはがれやマイグレーシヨン
により、半導体装置はピン間短絡を起こす欠点が
ある。さらに近年のパツケージの小型化、及び半
導体素子の大型化によりインナーリードメツキ境
界と樹脂封止境界の距離の縮小や、リードフレー
ム素材の銅系化により漏れメツキの化学的剥離が
不可能となり、漏れメツキをインナーリード部内
で食止める技術が重要視されてきている。
本発明によれば、リードフレームインナーリー
ド部の表面方向に突起、または溝部を有してい
る。インアーリード部のメツキ工程において、リ
ードフレーム板厚方向に漏れたメツキはこの突起
または溝部にて進行が止められ、アウターリード
部まで漏れメツキが到達しなくなる。結果とし
て、樹脂封止外漏れメツキのはがれ、またはマイ
グレーシヨンによる半導体装置のピン間シヨート
を防止することができ、信頼性の高い半導体装置
を作製することが可能となる。
ド部の表面方向に突起、または溝部を有してい
る。インアーリード部のメツキ工程において、リ
ードフレーム板厚方向に漏れたメツキはこの突起
または溝部にて進行が止められ、アウターリード
部まで漏れメツキが到達しなくなる。結果とし
て、樹脂封止外漏れメツキのはがれ、またはマイ
グレーシヨンによる半導体装置のピン間シヨート
を防止することができ、信頼性の高い半導体装置
を作製することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。第１図は本発明によるリードフレームの概
略平面図である。リードフレームはインナーリー
ド部１の先端部６とアイランド部３にメツキをし
てあり、インナーリード部１には漏れメツキの進
行を防ぐ突起部５を有している。第２図は第１図
のインナーリード部の概略立体図である。突起部
５により漏れメツキ部８は樹脂封止部７の外側、
すなわちアウターリード部２へ進行することを止
められている。
する。第１図は本発明によるリードフレームの概
略平面図である。リードフレームはインナーリー
ド部１の先端部６とアイランド部３にメツキをし
てあり、インナーリード部１には漏れメツキの進
行を防ぐ突起部５を有している。第２図は第１図
のインナーリード部の概略立体図である。突起部
５により漏れメツキ部８は樹脂封止部７の外側、
すなわちアウターリード部２へ進行することを止
められている。
第５図は従来のリードフレームの概略平面図で
あり、インナーリード部１には第１図のような突
起部はない。第６図はこの従来のインナーリード
部の概略立体図である。インナーリード部１には
漏れメツキ進行防止用の突起部がないため漏れメ
ツキ部８は樹脂封止部境界線７の外側すなわちア
ウターリード部２まで進行してしまつている。こ
のようなメツキのアウターリード部への進行は本
発明で用いた突起部により防止されており、樹脂
封止部の外でのメツキの剥れやマイグレーシヨン
によるピン間短絡はない。
あり、インナーリード部１には第１図のような突
起部はない。第６図はこの従来のインナーリード
部の概略立体図である。インナーリード部１には
漏れメツキ進行防止用の突起部がないため漏れメ
ツキ部８は樹脂封止部境界線７の外側すなわちア
ウターリード部２まで進行してしまつている。こ
のようなメツキのアウターリード部への進行は本
発明で用いた突起部により防止されており、樹脂
封止部の外でのメツキの剥れやマイグレーシヨン
によるピン間短絡はない。
〔実施例 ２〕
第３図は本発明の他の実施例によるリードフレ
ームの概略平面図である。リードフレームはイン
ナーリード部１の先端部６とアイランド部３をメ
ツキしてあり、インナーリード部１には漏れメツ
キの進行を防ぐ溝部９を有している。第４図は第
３図インナーリード部の概略立体図である。第４
図において溝部９により漏れメツキ部８は樹脂封
止部境界線７の外側、すなわちアウターリード部
２へ進行することを止められている。この溝部９
によつて第１，２図の実施例で用いた突起部５と
同様の効果を得ている。
ームの概略平面図である。リードフレームはイン
ナーリード部１の先端部６とアイランド部３をメ
ツキしてあり、インナーリード部１には漏れメツ
キの進行を防ぐ溝部９を有している。第４図は第
３図インナーリード部の概略立体図である。第４
図において溝部９により漏れメツキ部８は樹脂封
止部境界線７の外側、すなわちアウターリード部
２へ進行することを止められている。この溝部９
によつて第１，２図の実施例で用いた突起部５と
同様の効果を得ている。
以上説明したように本発明は、リードフレーム
のインナーリード部の表面方向に突起、または溝
部を有することにより、インナーリード先端部に
付けられるメツキがアウターリード部へ漏れるこ
とを防止し、トランスフアーモールド技術によつ
て作製された半導体装置の樹脂封止外漏れメツキ
のはがれ、またはマイグレーシヨンによる半導体
装置ピン間シヨートを防止し信頼性の高いものと
することができる。
のインナーリード部の表面方向に突起、または溝
部を有することにより、インナーリード先端部に
付けられるメツキがアウターリード部へ漏れるこ
とを防止し、トランスフアーモールド技術によつ
て作製された半導体装置の樹脂封止外漏れメツキ
のはがれ、またはマイグレーシヨンによる半導体
装置ピン間シヨートを防止し信頼性の高いものと
することができる。
第１図は本発明の一実施例によるリードフレー
ムの概略平面図、第２図は第１図のインナーリー
ド部の概略立体図、第３図は本発明の他の実施例
によるリードフレームの概略平面図、第４図は第
３図のインナーリード部の概略立体図、第５図は
従来のリードフレームの概略平面図、第６図は第
５図のインナーリード部の概略立体図である。 １……インナーリード部、２……アウターリー
ド部、３……アイランド部、５……突起部、６…
…メツキ部、７……樹脂封止部、８……漏れメツ
キ部、９……溝部。
ムの概略平面図、第２図は第１図のインナーリー
ド部の概略立体図、第３図は本発明の他の実施例
によるリードフレームの概略平面図、第４図は第
３図のインナーリード部の概略立体図、第５図は
従来のリードフレームの概略平面図、第６図は第
５図のインナーリード部の概略立体図である。 １……インナーリード部、２……アウターリー
ド部、３……アイランド部、５……突起部、６…
…メツキ部、７……樹脂封止部、８……漏れメツ
キ部、９……溝部。
Claims (1)
- １ 各リードのインナーリード部の先端部分にメ
ツキが施された半導体装置において、前記インナ
ーリード部の先端部分からアウターリード部側に
離れた箇所において前記リードのリード板厚方向
の表面に突起または溝が設けられており、前記突
起または溝により前記先端部分のメツキが前記リ
ードのリード板厚方向の表面を介して前記アウタ
ーリード部に広がることを防止したことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16861986A JPS6324648A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16861986A JPS6324648A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324648A JPS6324648A (ja) | 1988-02-02 |
| JPH0582975B2 true JPH0582975B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=15871417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16861986A Granted JPS6324648A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324648A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004280283A (ja) | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Hitachi Ltd | 分散ファイルシステム、分散ファイルシステムサーバ及び分散ファイルシステムへのアクセス方法 |
| US8334467B2 (en) * | 2009-06-17 | 2012-12-18 | Lsi Corporation | Lead frame design to improve reliability |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437261U (ja) * | 1977-08-12 | 1979-03-10 | ||
| JPS57128052A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57146336A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-09 | Sony Corp | Display device for data table |
| JPS58142554A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-24 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6097654A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | Toshiba Corp | 封止型半導体装置 |
| JPS60208849A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123568U (ja) * | 1980-02-20 | 1981-09-19 | ||
| JPS56154150U (ja) * | 1980-04-15 | 1981-11-18 | ||
| JPS57146335U (ja) * | 1981-03-06 | 1982-09-14 | ||
| JPS57146337U (ja) * | 1981-03-06 | 1982-09-14 |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP16861986A patent/JPS6324648A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437261U (ja) * | 1977-08-12 | 1979-03-10 | ||
| JPS57128052A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57146336A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-09 | Sony Corp | Display device for data table |
| JPS58142554A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-24 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6097654A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | Toshiba Corp | 封止型半導体装置 |
| JPS60208849A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324648A (ja) | 1988-02-02 |
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