JPH11297880A

JPH11297880A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法並びにリードフレーム及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11297880A
Application number: JP9878998A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Yamada; 恭裕山田; Osamu Adachi; 修安達; Takeshi Hamaya; 毅濱谷; Junichi Ueno; 順一上野
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-04-10
Filing date: 1998-04-10
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】外部機器との信号の授受を行なう接続部材の
一部を封止樹脂から露出させた，信頼性の高い樹脂封止
型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】樹脂封止型半導体装置は、電極パッド１
０を有する半導体チップ１と、半導体チップ１に固着さ
れた樹脂フィルム２と、金属薄膜からなるパッド３と、
電極パッド１０とパッド３とを接続するための金属細線
４と、封止樹脂６と、金属細線４に接続される柱状電極
８と、柱状電極８のうち封止樹脂６の面から突出してい
る先端部により構成される外部端子９とを備えている。
従来のダイパッドに代えて樹脂フィルム２を用い、封止
樹脂６に設けた凹部を埋める柱状電極８を設けることに
より、外部機器との信号の授受を行なう接続部材の一部
を封止樹脂から露出させ、かつ接続の信頼性の高い構造
を得ることができる。樹脂フィルム２の構造を工夫すれ
ば、小型化，他ピン化にも対応できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、封止樹脂の下面に
外部電極を設けた薄型および小型の樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置に
用いるリードフレーム及びその製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化に対応
するために、半導体部品の高密度実装が要求され、それ
にともなって、半導体部品の小型、薄型化、多ピン化が
進んでいる。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。

【０００４】図１０は、従来の樹脂封止型半導体装置を
示す図であり、インナーリード１１３に対して上方に位
置されたダイパッド１１５に半導体チップ１０１を接着
し、半導体チップ１０１の電極パッド１１０とインナー
リード１１３の上面とを金属細線１０４で接続し、イン
ナーリード１１３の裏面が封止樹脂１０６から露出する
ように樹脂封止を行い、露出部分を外部端子１０９とし
ている。

【０００５】また、インナーリード１１３の裏面を封止
樹脂１０６から露出させることにより、封止樹脂１０６
との密着強度が低下するため、インナーリード１１３の
先端部形状は外部端子１０９の幅よりも幅方向に広くな
るようにし、かつインナーリード１１３の上面には溝を
設けるなど、インナーリード１１３の脱落防止のために
複雑な形状を採用している。

【０００６】さらに、リードフレームとしては、インナ
ーリード１１３と、ダイパッド１１５、ダイパッド１１
５を支持するサポートリード１１６、サポートリード１
１６を支持する外枠が同一材料で一体的に成形されるリ
ードフレームを使用し、量産に対応できるようにしてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
樹脂封止型半導体装置では、以下に述べるような問題が
あった。

【０００８】第１に、インナーリード１１３の下面は封
止樹脂から露出しているので、インナーリード１１３に
溝を形成したり幅広部を設けてインナーリード１１３に
対する封止樹脂１０６の保持力を高める工夫をしている
ものの、保持力の増強にも限界があり、必ずしも高い信
頼性を得ることができなかった。また、樹脂封止工程で
封止樹脂がインナーリード１１３の下面に回り込んで樹
脂バリを形成することが多く、この樹脂バリを除去する
ためにウォータージェット工程を導入する必要が生じ、
処理の煩雑化を招いていた。

【０００９】第２に、インナーリード１１３が上方から
見てダイパッド１１５の周辺に配置されているため、樹
脂封止型半導体装置の外形寸法は、搭載される半導体チ
ップ１０１に対して、少なくともインナーリード１１３
の長さ分だけ大きくなることが避けられなかった。つま
り、小型化にも限界があった。

【００１０】第３に、インナーリード１１３の内方側の
幅がその外方側の幅よりも広いため、インナーリード１
１３の数が増大すると各インナーリード１１３を狭いピ
ッチで配列するのにも限界があるために、多ピン化への
対応が困難であった。

【００１１】第４に、インナーリード１１３を取り囲む
外枠などは、最終的に樹脂封止型半導体装置に含まれな
いので廃棄されるが、リードフレームには高価な材料を
使用しているので、このような無駄な部分の存在は半導
体装置全体のコストの削減の妨げとなっていた。

【００１２】本発明は係る諸点に鑑みてなされたもので
あり、その第１の目的は、半導体チップ内のトランジス
タ等の信号を外部機器に伝達するための接続部材の一部
を封止樹脂から露出させながら、接続部材が封止樹脂か
ら剥がれにくくする手段を講ずることにより、信頼性の
高いかつマザーボードへの実装性の高い樹脂封止型半導
体装置及びその製造方法を提供することにある。

【００１３】また、本発明は、小型化に適した，他ピン
化に対応できる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
や、かかる樹脂封止型半導体装置の製造に適したリード
フレーム及びその製造方法を提供することも目的として
いる。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、第１，第２の樹脂封止型半導体装置に
関する手段と、第１，第２の樹脂封止型半導体装置の製
造方法に関する手段と、リードフレーム及びその製造方
法に関する手段とを講じている。

【００１５】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置は、
主面上に電極パッドを有する半導体チップと、上記半導
体チップの電極パッドに接続される接続部材と、上記半
導体チップ及び接続部材を封止する封止樹脂と、上記封
止樹脂に形成された凹部とを備え、上記接続部材の一部
が上記凹部の底部で上記封止樹脂から露出している。

【００１６】これにより、封止樹脂に設けられた凹部の
底部で接続部材が露出している構造となっているので、
この部分を外部機器との接続部として利用できる。そし
て、外部機器との信号の授受を行なう接続部材には特に
大きな力が作用するが、接続部材が凹部の底部で露出し
ていることから、凹部の周辺部分に存在する封止樹脂に
よる接続部材に対する支持力が大きく確保され、接続部
材の封止樹脂からの剥がれや露出を確実に防止でき、信
頼性が向上する。

【００１７】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記半導体チップに固着された少なくとも１つの樹
脂フィルムをさらに備え、上記接続部材は、上記半導体
チップの電極パッドに接続される基端部から上記樹脂フ
ィルム上にまで延びていることが好ましい。

【００１８】これにより、リードではなく樹脂フィルム
を利用した外部端子の形成が可能な構造となり、従来の
樹脂封止型半導体装置の諸問題を生じない構造とするこ
とが可能となる。

【００１９】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記少なくとも１つの樹脂フィルムは、上記半導体
チップの主面に対向する面で上記半導体チップに固着さ
れているとともに上記半導体チップの外方に位置する領
域を有している構造となっていてもよいし、上記半導体
チップの主面の電極パッド形成領域を除く部分で上記半
導体チップに固着されている構造となっていてもよい。

【００２０】特に、後者の場合には、半導体チップの外
方に部材を設ける必要がなくなるので、半導体チップの
面積に等しくなるまで樹脂封止型半導体装置の小型化を
図ることができる利点がある。

【００２１】また、上記少なくとも１つの樹脂フィルム
が、上記半導体チップの主面の電極パッド形成領域を除
く部分で上記半導体チップに固着されている第１の樹脂
フィルムと、上記半導体チップの主面に対向する面で上
記半導体チップに固着されているとともに上記半導体チ
ップの外方に位置する領域を有する第２の樹脂フィルム
とを含んでいてもよい。

【００２２】これにより、２つの樹脂フィルムに亘って
多くの外部機器との接続部を設けることが可能となり、
他ピン化に適した構造となる。

【００２３】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記樹脂フィルムに、金属薄膜からなるパッドを設
け、上記接続部材の先端部を上記パッドに接続しておく
ことができる。

【００２４】また、上記第１の樹脂封止型半導体装置に
おいて、上記樹脂フィルムに金属薄膜からなるパッドを
設け、上記接続部材の先端部を上記樹脂フィルムの一部
位に接着層により固着しておき、上記接続部材が上記パ
ッド上を通過しているようにしてもよい。

【００２５】これにより、外部機器との接続部となる接
続部材の露出している部分の長さが、凹部の寸法分だけ
確保されるので、接続の信頼性が向上する。

【００２６】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記接続部材の先端部を、上記樹脂フィルムの一部
位に接着層により固着しておいてもよい。

【００２７】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記接続部材を金属細線により構成することができ
る。

【００２８】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記接続部材を樹脂フィルムの上に形成された配線
層とし、上記半導体チップの電極パッドを上記配線層の
一部に接触させておくことができる。

【００２９】これにより、樹脂フィルムに対して半導体
チップがいわゆるフリップチップ接続された構造とな
り、金属細線ではなく樹脂フィルムに形成された配線層
が接続部材となることで、封止樹脂からの接続部材の露
出を確実に行なわせることができる構造となる。

【００３０】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記接続部材が、上記半導体チップの電極パッドに
電気的に接続されるリードであってもよい。

【００３１】これにより、リードを封止樹脂内に埋め込
みながらその一部を封止樹脂から露出させることが可能
になるので、リードの剥がれなどを確実に防止すること
ができる。

【００３２】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記凹部を埋める導電体からなる電極をさらに備え
ていることが好ましい。

【００３３】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置は、
主面上に電極パッドを有する半導体チップと、上記半導
体チップに固着された少なくとも１つの樹脂フィルム
と、上記樹脂フィルムの上に形成された金属薄膜からな
るパッドと、上記半導体チップの電極パッドと上記パッ
ドとを接続する接続部材と、上記樹脂フィルムに形成さ
れ、上記パッドに到達する貫通孔と、上記半導体チッ
プ，パッド，接続部材及び樹脂フィルムを封止する封止
樹脂とを備え、上記貫通孔内で上記パッドの一部が上記
封止樹脂から露出している。

【００３４】これにより、樹脂フィルム上のパッドのう
ち貫通孔内で露出している部分が外部機器との接続部と
して機能するので、貫通孔の周囲にある樹脂フィルムに
よってパッドが保持された状態となっている。したがっ
て、外部機器との接続部となるパッドの裏面側に、実装
時などに応力が作用しても、これに起因する封止樹脂か
らのパッドの剥がれなどの不具合を確実に防止すること
ができる。

【００３５】上記第２の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記接続部材は、金属細線であってもよい。

【００３６】また、上記第２の樹脂封止型半導体装置に
おいて、上記少なくとも１つの樹脂フィルムを、上記半
導体チップの主面に対向する面で上記半導体チップに固
着されているとともに上記半導体チップの外方に位置す
る領域を有するものとし、上記接続部材を上記少なくと
も１つの樹脂フィルムの上に形成された配線層とし、上
記半導体チップの電極パッドを上記配線層の一部に接触
させる構造とすることができる。

【００３７】上記第２の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記樹脂フィルムを上記半導体チップの主面におけ
る上記電極パッド形成領域を除く部分で上記半導体チッ
プに固着しておき、上記接続部材を上記少なくとも１つ
の樹脂フィルムの上に形成された配線層とし、上記封止
樹脂に上記貫通孔内の上記パッドを露出させる凹部を設
けることができる。

【００３８】上記第２の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記貫通孔内を埋める導電体により構成される電極
をさらに設けることが好ましい。

【００３９】これにより、この電極を利用して外部機器
との接続を容易に行なうことができる。

【００４０】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、主面上に電極パッドを有する半導体チップと
上記半導体チップの電極パッドに接続される接続部材と
を準備する第１の工程と、上記接続部材の一部を底部で
露出させる凹部が形成されるように、上記接続部材の一
部位に柱状部材を押し当てながら上記半導体チップ及び
接続部材を封止樹脂により封止する第２の工程とを備え
ている。

【００４１】この方法により、柱状部材で押し当てなが
ら樹脂封止を行なうことにより、接続部材の一部位を確
実に封止樹脂から露出させながら、露出部分への樹脂の
回り込みによる樹脂バリの生成を確実に防止することが
できる。一方、接続部材のうち凹部の周囲の部分は封止
樹脂内にあるので、接続部材の封止樹脂からの剥がれの
ない構造を実現することができる。

【００４２】上記第１の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程に、上記半導体チップと樹
脂フィルムとを互いに固着させる工程と、上記半導体チ
ップの電極パッドと上記樹脂フィルム上の一部位の間に
金属細線を形成する工程とを含ませることができる。

【００４３】上記第１の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、接着層を有する樹脂
フィルムを用い、上記金属細線の一端部を上記接着層の
上で止めることができる。

【００４４】上記第１の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、金属薄膜からなるパ
ッドが予め形成された樹脂フィルムを用い、上記金属細
線の一端部を上記パッドの上で止めることを特徴とする
ことができる。

【００４５】上記第１の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、接着層と金属薄膜か
らなるパッドとが予め形成された樹脂フィルムを用い、
上記金属細線を上記パッドを横切るように設けかつ上記
金属細線の一端部を上記接着層の上で止めることができ
る。

【００４６】上記第１の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上記第１の工程では、金属薄膜からなるパ
ッドと、該パッドに接続される配線層とが予め形成され
た樹脂フィルムを用い、上記半導体チップ上の電極パッ
ドと上記樹脂フィルム上の配線層の一部とを接触させて
上記半導体チップと上記樹脂フィルムとを互いに固着さ
せることができる。

【００４７】上記第１の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上記樹脂フィルムの貫通孔内に導電体を埋
設してなる電極を形成する工程をさらに備えることが好
ましい。

【００４８】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、主面上に電極パッドを有する半導体チップ
と、金属薄膜からなるパッド及び該パッドに到達する貫
通孔を有する樹脂フィルムとを準備する第１の工程と、
上記半導体チップと上記樹脂フィルムとを固着させる第
２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記樹脂
フィルムのパッドとを互いに接続する接続部材を形成す
る第３の工程と、上記樹脂フィルム，半導体チップ及び
接続部材を封止樹脂により封止する第４の工程とを備
え、上記第４の工程の終了後には、上記樹脂フィルムの
パッドが上記貫通孔の底部で上記封止樹脂から露出して
いる。

【００４９】この方法により、貫通孔に封止樹脂が回り
込むことがなく、接続部材に接続されるパッドが封止樹
脂から露出した構造を容易に実現することができる。

【００５０】上記第２の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上記第３の工程では、上記接続部材として
金属細線を形成することがきる。

【００５１】上記第２の半導体装置の製造方法におい
て、上記第３の工程では、予め第１の工程で金属薄膜か
らなるパッド及び該パッドに接続される配線層が予め形
成された樹脂フィルムを用い、上記第２の工程で上記半
導体チップ上の電極パッドと上記樹脂フィルム上の配線
層の一部とを接触させて上記半導体チップと上記樹脂フ
ィルムとを互いに固着させることができる。

【００５２】この方法により、樹脂フィルムの上に半導
体チップをフリップチップ接続させながら、上述の不具
合を解消させることができる。

【００５３】本発明のリードフレームは、樹脂フィルム
に半導体チップを搭載して樹脂封止することにより形成
される樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレー
ムであって、帯状に延びる平板からなる本体と、上記本
体の一部に設けられた開口部と、上記開口部にはめ込ま
れた樹脂フィルムとを備えている。

【００５４】これにより、リードフレームの本体を樹脂
封止型半導体装置に使用せずに、本体に支持される樹脂
フィルムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成すること
が可能となる。したがって、使用する部分と使用しない
部分とを別の材料で構成することが可能となり、使用さ
れない部分を安価な材料で構成することにより、樹脂封
止型半導体装置の製造コストを低減することができる。

【００５５】本発明のリードフレームの製造方法は、樹
脂フィルムに半導体チップを搭載して樹脂封止すること
により形成される樹脂封止型半導体装置に用いられるリ
ードフレームの製造方法であって、帯状に延びる平板か
らなる本体の一部に開口部を形成する第１の工程と、上
記開口部に樹脂フィルムをはめ込む第２の工程と、上記
樹脂フィルムがはめ込まれた開口部の外周付近の領域に
おける上記本体を厚み方向に押圧する第３の工程とを備
えている。

【００５６】この方法により、本体を使用せずに樹脂フ
ィルムだけを用いて樹脂封止型半導体装置を製造するこ
とができる。

【００５７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の実施形態について説明する。

【００５８】（第１の実施形態）図１（ａ），（ｂ）
は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置の平面図及び断面図である。ただし、図１（ａ）にお
いては、封止樹脂を透明体として扱い、かつ柱状電極を
除外して示している。

【００５９】図１（ａ），（ｂ）において、１は主面上
に電極パッド１０を有する半導体チップ、２は半導体チ
ップ１を支持するための樹脂フィルム、３は金属薄膜か
らなるパッド、４は半導体チップ１上の電極パッド１０
と樹脂フィルム２上のパッド３とを接続するための金属
細線、６は封止樹脂、８は金属細線４に接続される部分
から縦方向に延びて先端部が封止樹脂６から露出してい
る柱状電極、９は柱状電極８のうち封止樹脂６の面から
突出している先端部により構成される外部端子である。

【００６０】本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の
主な特徴は、半導体チップ１を搭載する支持部材として
従来のリードフレームの一部を構成していたダイパッド
に代えて樹脂フィルム２を用いている点と、封止樹脂６
に柱状の凹部を設けておきこの凹部に柱状電極８を設け
ている点とである。

【００６１】そして、この樹脂封止型半導体装置におい
ては、図１（ｂ）に示す外部端子９を下方に向けて、マ
ザーボード上に実装される。本実施形態に係る樹脂封止
型半導体装置は、片面封止型の構造を有しており、樹脂
フィルム２の上面が樹脂封止型半導体装置の上面に相当
している。

【００６２】次に、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程について、概略的に説明する。

【００６３】まず、パッド３が設けられた樹脂フィルム
２の上に半導体チップ１を搭載する。この工程が、ダイ
ボンド工程である。

【００６４】次に、半導体チップ１の電極パッド１０と
パッド３との間に金属細線４を設ける。この工程が、第
１のボンディング及び第２のボンディングを行なうワイ
ヤボンディング工程である。

【００６５】次に、半導体チップ１を搭載した樹脂フィ
ルム２を金属細線４とともに封止金型に設置して、ダイ
キャビティ内に封止樹脂６を流し込んで、半導体チップ
１，樹脂フィルム２の片面などを封止樹脂６内に封止す
る。このとき、柱状電極８を形成しようとする部分が凹
部となるように、封止金型に柱状のピンなどを付設して
おく。この工程が、樹脂封止工程である。

【００６６】次に、樹脂封止後に、封止樹脂６の凹部に
柱状電極８を形成する。その際、柱状電極８と金属細線
４とを電気的に接続する（第２のボンディング）ととも
に、その先端部を封止樹脂６から突出させて外部端子と
する。

【００６７】なお、柱状電極８の形成方法としては、例
えば銀ペーストを凹部に埋め込んだ後焼き固める方法が
あるが、これに限定されるものではなく、メッキなどを
利用するなど他の方法を用いることも可能である。

【００６８】以上の製造工程において、樹脂封止工程で
は、封止樹脂の注入圧力によって樹脂フィルム２の上面
が封止金型に密着するため、樹脂フィルム２が上下に移
動することに起因する半導体チップ１や金属細線４の露
出を確実に防止することができる。

【００６９】また、樹脂封止工程では、封止金型に付設
される柱状のピンの先端と、金属細線４の第２のボンデ
ィング接合部とを密着させながら樹脂を注入すること
で、柱状のピンが抜けた後に凹部が形成される。そし
て、樹脂封止工程の終了後に、凹部に導電物質を注入あ
るいは埋め込んで柱状電極８を形成して、この柱状電極
８の封止樹脂６からの突出した先端部を外部端子９とす
るので、封止樹脂６の外部端子９への回り込みによる樹
脂バリの形成を防止することができる。したがって、従
来必要とされていたウォータージェット工程が不要とな
るので、処理の煩雑化を回避することができる。

【００７０】さらに、無駄な廃棄する部分がほとんどな
いので、従来の樹脂封止型半導体装置のごとく、高価な
リードフレームの一部を廃棄することによる材料の無駄
を招くことがなく、製造コストの低減を図ることができ
る。

【００７１】なお、樹脂封止工程の後に、凹部に注入あ
るいは埋め込む導電物質の量を変更することで、柱状電
極８の長さ、つまり外部端子９のスタンドオフ高さを任
意に調節することも可能である。

【００７２】また、封止金型に付設される柱状のピンの
先端と、金属細線４の第２のボンディング接合部とを密
着させることによる金属細線４の断線や、ループ形状の
変動は、柱状のピンの先端と平行になるように、第２の
ボンディング接合部を形成することで、容易に回避する
ことができる。

【００７３】なお、本実施形態では、樹脂フィルム２を
半導体チップ１の全領域よりも広い単一のフィルムによ
り構成したが、本発明における樹脂フィルムは係る実施
形態に限定されるものではなく、部分的に半導体チップ
１の外方にはみ出る形状であってもよいし、複数枚に分
割されていてもよい。

【００７４】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造と製造工程
について説明する。

【００７５】図２（ａ），（ｂ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の構造を示す図である。ただし、図２
（ａ）においては、封止樹脂を透明体として扱い、かつ
柱状電極を除外して示している。

【００７６】図２（ａ），（ｂ）において、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置と共通の部材は、同じ
符号が付されており、既に説明したとおりである。

【００７７】本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
は、上記第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置と
は異なり、樹脂フィルム２が半導体チップ１の裏面では
なく主面上で電極パッド１０の形成領域を除く部分に配
置されており、半導体チップ１の裏面が封止樹脂６から
露出している。そして、樹脂フィルム２上のパッド３と
半導体チップ１の電極パッド１０とが金属細線４により
接続され、金属細線４に接続される部分から縦方向に延
びる柱状電極８が形成され、柱状電極８の先端部が封止
樹脂６から突出して外部端子９となっている。本実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置は、片面封止型の構造を
有しており、半導体チップ１の裏面が樹脂封止型半導体
装置の上面に相当している。

【００７８】次に、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程は、上記第１の実施形態とほぼ共通して
いる。ただし、本実施形態では、半導体チップ１の裏面
を封止金型面に密着させて樹脂封止工程を行なうことに
なる。

【００７９】本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置に
よると、上記第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置と同じ特徴を有しているので、上述の第１の実施形態
と同じ効果を発揮することができる。

【００８０】それに加えて、半導体チップ１の外周より
も小さい領域に、すべての部材が配置されているので、
第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置に比べ、半
導体装置全体の小型化を図ることができるという利点が
ある。

【００８１】なお、本実施形態においても、樹脂フィル
ム２は複数に分割されていてもよい。たとえば、半導体
チップ１の中央部に電極パッド１０が配置されている場
合などに適した構造となる。

【００８２】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造と製造工程
について説明する。

【００８３】図３（ａ），（ｂ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の構造を示す図である。ただし、図３
（ａ）においては、封止樹脂を透明体として扱い、かつ
柱状電極を除外して示している。

【００８４】図３（ａ），（ｂ）において、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置と共通の部材は、同じ
符号が付されており、既に説明したとおりである。

【００８５】図３（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置の特徴は、半導体チッ
プ１の主面上の電極パッド１０の形成領域を除く部分と
裏面との双方に第１，第２樹脂フィルム２ａ，２ｂが存
在していて、各樹脂フィルム２ａ，２ｂに第１，第２パ
ッド３ａ，３ｂが形成され、金属細線４に接続される部
分から縦方向に延びる柱状電極８と、その先端部である
外部端子９が設けられている点である。すなわち、第１
の実施形態と第２の実施形態の構造を併有しているとい
える。

【００８６】本実施形態では、上記第１の実施形態の説
明において述べた効果に加え、特に、外部端子９を設け
る領域が半導体チップ１の外方と内方とに拡大できるの
で、樹脂封止型半導体装置の多ピン化に対応することが
できる。

【００８７】次に、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程について、図４（ａ）〜（ｆ）を参照し
ながら説明する。

【００８８】まず、図４（ａ）に示す工程で、半導体チ
ップ１の主面上の電極パッド１０の形成部分を除く領域
に、第１パッド３ａが形成された第１樹脂フィルム２ａ
を搭載する。ただし、第１樹脂フィルム２ａと半導体チ
ップ１の主面とを粘着層１８により接着する。

【００８９】次に、図４（ｂ）に示す工程で、半導体チ
ップ１よりも広い第２樹脂フィルム２ｂを準備し、半導
体チップ１を第２樹脂フィルム２ｂの上に搭載する。こ
のとき、半導体チップ１の裏面と第２樹脂フィルム２ｂ
とを粘着層１８により接着する。

【００９０】次に、図４（ｃ）に示す工程で、半導体チ
ップ１の電極パッド１０と第１，第２パッド３ａ，３ｂ
との間に金属細線４を設ける。

【００９１】次に、図４（ｄ）に示す工程で、封止金型
の下金型２０に設けられた開口部に第２樹脂フィルム２
ｂをはめ込む一方、上金型１９のダイキャビティ内に半
導体チップ１，第１樹脂フィルム２ａ，金属細線４等を
設置した状態で封止樹脂を流し込んで、樹脂封止を行な
う。このとき、上金型１９には、後に柱状電極８が形成
される領域を凹部とするための柱状のピンが付設されて
おり、この柱状のピンの先端が金属細線４を押圧してい
る状態となっている。

【００９２】次に、図４（ｅ）に示す工程で、樹脂封止
工程が終了した後、第１，第２樹脂フィルム２ａ，２ｂ
や半導体チップ１などを封止樹脂６により封止してなる
パッケージ体を封止金型から取り出すと、パッケージ体
の各パッド３ａ，３ｂの上には柱状の凹部が形成された
状態となっている。このとき、金属細線４の一部は凹部
の底で封止樹脂６から露出した状態となっている。

【００９３】次に、図４（ｆ）に示す工程で、パッケー
ジ体の各凹部を埋める導電層を形成し、柱状電極８とす
る。このとき、柱状電極８の先端部を封止樹脂６から突
出させて外部端子９とする。

【００９４】上述の方法により、図３に示す構造を容易
に実現することができる。

【００９５】（第４の実施形態）次に、本発明の第４の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造と製造工程
について説明する。

【００９６】図５（ａ），（ｂ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の構造を示す図である。ただし、図５
（ａ）においては、封止樹脂を透明体として扱い、かつ
柱状電極を除外して示している。

【００９７】図５（ａ），（ｂ）において、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置と共通の部材は、同じ
符号が付されており、既に説明したとおりである。

【００９８】図５（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置の特徴は、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造のうち樹脂フィ
ルム２においてパッド３が設けられていない点である。
このようにパッド３を設けていなくても、金属細線４と
柱状電極８の基端部とが接触していれば不具合は生じる
ことがなく、上記第１の実施形態と同じ効果を発揮する
ことができる。

【００９９】次に、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程は、上記第１の実施形態において説明し
た手順と基本的には同じである。ただし、本実施形態で
は、予め樹脂フィルム２に粘着層を有するものを準備し
ておき、ワイヤボンディング工程では、キャピラリーで
金属細線４の第２のボンディング接合部を押さえつけた
後に引きちぎることで、パッド３がなくとも第２のボン
ディングを行うことができる。

【０１００】なお、このような構造及び製造方法は、上
記第１の実施形態だけではなく、第２及び第３の実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置についても適用すること
ができる。

【０１０１】（第５の実施形態）次に、本発明の第５の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造と製造工程
について説明する。

【０１０２】図６（ａ），（ｂ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の構造を示す図である。ただし、図６
（ａ）においては、封止樹脂を透明体として扱い、かつ
柱状電極を除外して示している。

【０１０３】図６（ａ），（ｂ）において、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置と共通の部材は、同じ
符号が付されており、既に説明したとおりである。

【０１０４】図６（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置の特徴は、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造のうち金属細線
４の一端がパッド３の上にあるのではなく、金属細線４
の一端がパッド３の外方にまで達している点である。そ
して、金属細線４の端部は樹脂フィルム２上の接着層に
接続されている。この場合にも、金属細線４と柱状電極
８の基端部とが互いに接触していることに変わりはない
ので、上記第１の実施形態と同じ効果を発揮することが
できる。

【０１０５】加えて、金属細線４がパッド３上を横切る
ことで、柱状電極８に接続される金属細線４の部分の長
さが凹部の寸法分だけ確保されるので、接続の信頼性が
向上する。

【０１０６】次に、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程は、上記第１の実施形態において説明し
た手順と基本的には同じである。ただし、本実施形態で
は、予め樹脂フィルム２に粘着層を有するものを準備し
ておき、ワイヤボンディング工程では、キャピラリーで
金属細線４の先端部を押さえつけた後に引きちぎること
で、パッド３が存在していない領域まで金属細線４を延
設することができる。その後、樹脂封止工程では柱状の
ピンで金属細線４の先端付近の部分をパッド３に押圧し
ておくことで、金属細線４の一部を封止樹脂６から露出
させておくことができるので、その後、金属細線４に電
気的に接続される柱状電極８を容易に形成することがで
きる。

【０１０７】なお、このような構造及び製造方法は、上
記第１の実施形態だけではなく、第２及び第３の実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置についても適用すること
ができる。

【０１０８】（第６の実施形態）次に、本発明の第６の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造と製造工程
について説明する。

【０１０９】図７（ａ），（ｂ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の構造を示す図である。ただし、図７
（ａ）においては、封止樹脂を透明体として扱い、かつ
柱状電極を除外して示している。

【０１１０】図７（ａ），（ｂ）において、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置と共通の部材は、同じ
符号が付されており、既に説明したとおりである。

【０１１１】図７（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置の特徴は、第１の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造のうち柱状電極
８に代えて、樹脂フィルム２を貫通してパッド３に到達
する貫通孔が形成されており、この貫通孔内に柱状電極
８が設けられている点である。この場合にも、金属細線
４と柱状電極８とがパッド３を介して互いに電気的に接
続されている。そして、柱状電極８の先端部が封止樹脂
６から突出して外部電極９となっている。

【０１１２】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、パッド３が樹脂フィルム２の上に形成されており、
パッド３の裏面に貫通孔が形成され、その貫通孔内に柱
状電極８，外部端子９が設けられているので、パッド３
が封止樹脂６及び樹脂フィルム２によって支持された構
造となっている。したがって、実装時などに外部端子９
及び柱状電極８を介してパッド３に引っ張り力などの力
が作用しても、パッド３が封止樹脂６から剥がれるのを
確実に防止することができる。しかも、貫通孔は樹脂フ
ィルム２の裏面に形成されているので、樹脂封止工程で
封止樹脂６が貫通孔内に回り込むことがなく、貫通孔内
で露出しているパッド３上に樹脂バリが形成されるのを
も確実に防止することができる。

【０１１３】なお、半導体チップ１の裏面側に封止樹脂
６が存在しないので、樹脂封止時における半導体チップ
１の上下変動による金属細線３等の封止樹脂６からの露
出を確実に防止できる構造となる。

【０１１４】次に、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造工程について、図８（ａ）〜（ｄ）を参照し
ながら説明する。

【０１１５】まず、図８（ａ）に示す工程で、パッド３
が形成された樹脂フィルム２の上に半導体チップ１を搭
載する。ただし、樹脂フィルム２と半導体チップ１の裏
面とを粘着層１８により接着する。また、樹脂フィルム
２のパッド３の下方に位置する部分には、貫通孔５が設
けられている。

【０１１６】次に、図８（ｂ）に示す工程で、半導体チ
ップ１の電極パッド１０とパッド３との間に金属細線４
を設ける。

【０１１７】次に、図８（ｃ）に示す工程で、封止金型
の下金型２０に設けられた開口部に樹脂フィルム２をは
め込む一方、上金型１９のダイキャビティ内に半導体チ
ップ１，金属細線４等を設置した状態で封止樹脂を流し
込んで、樹脂封止を行なう。このとき、上金型１９に
は、上記第１〜第５の実施形態のごとく、柱状電極８が
形成される領域を凹部とするための柱状のピン（金属細
線４を押圧するピン）は付設されていない。

【０１１８】次に、図８（ｄ）に示す工程で、樹脂封止
工程が終了した後、樹脂フィルム２や半導体チップ１な
どを封止樹脂６により封止してなるパッケージ体を封止
金型から取り出すと、パッケージ体のパッド３の下方の
貫通孔には封止樹脂が充填されていない状態となってい
る。そこで、パッケージ体の各貫通孔を埋める導電層か
らなる柱状電極８を形成し、その先端部を封止樹脂６か
ら突出させて外部端子９とする。

【０１１９】上述の方法により、図７に示す構造を容易
に実現することができる。

【０１２０】（第７の実施形態）次に、第７の実施形態
について説明する。図９（ａ），（ｂ）は第７の実施形
態に係る樹脂封止型半導体装置の製造に使用されるリー
ドフレームの構造を示す平面図及び断面図である。

【０１２１】図９（ａ），（ｂ）に示すように、本実施
形態に係るリードフレーム１２は、金属板からなるリー
ドフレーム本体１２ａと、樹脂フィルム２とを備えてい
る。リードフレーム本体１２ａには、樹脂フィルム２を
はめ込むための開口部１１と、リードフレーム１２の位
置を決めるための規制穴１７とが設けられている。そし
て、開口部１１の形状は樹脂フィルム２と相似形であ
り、かつ、樹脂フィルム２と遊嵌合する程度の大きさを
有している。そして、リードフレーム本体１２ａの開口
部１１に樹脂フィルム２を遊嵌させた状態で、リードフ
レーム本体１２ａのうち樹脂フィルム２の外周に近接し
た部分つまり開口部１１の縁部を厚み方向にプレスして
押し潰し領域１４を形成することにより、樹脂フィルム
２が挿入されている開口部１１の外形を収縮させて、樹
脂フィルム２をリードフレーム本体１２ａに固定するよ
うにしている。

【０１２２】本実施形態のリードフレームによると、リ
ードフレーム１２を、最終的に樹脂封止型半導体装置に
含まれる部分である樹脂フィルム２と、廃棄される部分
であるリードフレーム本体１２ａとに分離できるので、
廃棄される部分については、安価な材料の使用が可能と
なるものである。

【０１２３】なお、樹脂フィルム２をリードフレーム本
体１２ａに固定する際のパンチング量は、樹脂フィルム
２が側面からの圧力で変形せず、平坦性を確保できる程
度に制御することが望ましい。

【０１２４】（その他の実施形態）上記第１〜第６の実
施形態において、柱状電極８の先端部を突出させて外部
端子９としているが、柱状電極８の先端部が例えば凹部
の途中で止まっている構造でもよい。また、柱状電極８
が存在せずに金属細線４が凹部の底部で露出した状態に
なっているものでもよい。外部端子を外部機器側に設
け、これを封止樹脂６の凹部に係合させることによって
も、外部機器と半導体チップ１内のトランジスタ等との
電気信号の授受を行なうことは可能だからである。

【０１２５】上記第１〜第６の実施形態では、パッド３
と半導体チップ１の電極パッド１０とを金属細線４によ
り接続しているが、本発明の接続部材はかかる実施形態
に限定されるものではなく、例えば樹脂フィルム２上に
配線層を形成しておき、この配線層の一部に半導体チッ
プの電極パッドを接触させて両者間を接着剤などにより
接続するいわゆるフリップチップ接続構造を有したもの
としてもよい。このような構造を有するものであって
も、その後、配線層の一部又はパッド３に柱状のピンを
押し当てて樹脂封止工程を行なうことにより、配線層の
一部又はパッド３の一部を封止樹脂６の凹部の底部上に
露出させることができ、上記各実施形態の効果を得るこ
とができる。図１，図５，図６及び図７に示す構造につ
いては、金属緯線４を配線層により置き換えることが可
能なことは容易に理解できる。

【０１２６】ただし、樹脂フィルムを半導体チップの上
方に設ける場合、つまり、図２や図３の一部に示す構造
を採る場合には、パッド３が半導体チップ１の主面と樹
脂フィルム２との間に挟まれる状態となる。したがっ
て、樹脂フィルム２に図７，図８に示すようなパッド３
に到達する貫通孔５を予め形成しておいて、樹脂封止工
程では、柱状のピンで貫通孔５を貫通させた後パッド３
に押し当てることにより、貫通孔５の底部にあるパッド
３を封止樹脂６から露出させることができる。

【０１２７】また、図１０に示す従来の樹脂封止型半導
体装置において、インナーリード１１３の裏面を封止樹
脂１０６から露出させずに封止樹脂１０６内に埋め込ん
でおき、インナーリード１１３の上方に柱状の凹部を形
成して、この凹部内に柱状電極を形成するようにしても
よい。このような構造によっても、インナーリード１１
３の封止樹脂１０６による保持力が強固なものとなり、
しかも、柱状電極を封止樹脂から突出させて外部端子を
設けることにより、マザーボードへの実装時に必要なス
タンドオフ高さを容易に得ることができる。

【０１２８】

【発明の効果】本発明の第１の樹脂封止型半導体装置に
よれば、半導体チップや金属細線等の接続部材を封止樹
脂内に封止するようにした樹脂封止型半導体装置におい
て、封止樹脂に凹部を設け、凹部の底部に接続部材を露
出させるようにしたので、外部機器との接続部となる接
続部材の封止樹脂からの剥がれや露出などの不具合を確
実に防止でき、よって信頼性の向上を図ることができ
る。

【０１２９】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置によ
れば、半導体チップや金属細線等の接続部材を封止樹脂
内に封止するようにした樹脂封止型半導体装置におい
て、パッドを有する樹脂フィルムで半導体チップを支持
する構造とし、パッドに到達する貫通孔を樹脂フィルム
に形成しておいて、貫通孔の底部でパッドが封止樹脂か
ら露出する構造としたので、外部機器との接続部となる
パッドの封止樹脂からの剥がれや露出などの不具合を確
実に防止できる。

【０１３０】本発明のリードフレーム又はその製造方法
によれば、帯状に延びる平板からなる本体と、本体の一
部に設けられた開口部と、開口部にはめ込まれた樹脂フ
ィルムとを設けたので、使用する部分と使用しない部分
とを別の材料で構成することで、樹脂封止型半導体装置
の製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図及び断面図である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図及び断面図である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図及び断面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の製造工程を示す断面図である。

【図５】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図及び断面図である。

【図６】本発明の第５の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図及び断面図である。

【図７】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図及び断面図である。

【図８】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の製造工程を示す断面図である。

【図９】本発明の第７の実施形態に係るリードフレーム
の平面図及び断面図である。

【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の平面図及び断
面図である。

【符号の説明】

１半導体チップ２樹脂フィルム２３パッド４金属細線５凹部６封止樹脂８柱状電極９外部端子１０電極パッド１１開口部１２リードフレーム１２ａリードフレーム本体１４押し潰し領域１７規制穴１８粘着層１９上金型２０下金型

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上野順一大阪府高槻市幸町１番１号松下電子工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主面上に電極パッドを有する半導体チッ
プと、上記半導体チップの電極パッドに接続される接続部材
と、上記半導体チップ及び接続部材を封止する封止樹脂と、上記封止樹脂に形成された凹部とを備え、上記接続部材の一部が上記凹部の底部で上記封止樹脂か
ら露出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
【請求項２】請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、上記半導体チップに固着された少なくとも１つの樹脂フ
ィルムをさらに備え、上記接続部材は、上記半導体チップの電極パッドに接続
される基端部から上記樹脂フィルム上にまで延びている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】請求項２記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、上記少なくとも１つの樹脂フィルムは、上記半導体チッ
プの主面に対向する面で上記半導体チップに固着されて
いるとともに上記半導体チップの外方に位置する領域を
有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】請求項２記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、上記少なくとも１つの樹脂フィルムは、上記半導体チッ
プの主面の電極パッド形成領域を除く部分で上記半導体
チップに固着されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
【請求項５】請求項２記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、上記少なくとも１つの樹脂フィルムは、上記半導体チッ
プの主面の電極パッド形成領域を除く部分で上記半導体
チップに固着されている第１の樹脂フィルムと、上記半
導体チップの主面に対向する面で上記半導体チップに固
着されているとともに上記半導体チップの外方に位置す
る領域を有する第２の樹脂フィルムとを含むことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】請求項２〜５のうちいずれか１つに記載
の樹脂封止型半導体装置において、上記樹脂フィルムには、金属薄膜からなるパッドが設け
られており、上記接続部材の先端部は上記パッドに接続されているこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】請求項２〜５のうちいずれか１つに記載
の樹脂封止型半導体装置において、上記樹脂フィルムには、金属薄膜からなるパッドが設け
られており、上記接続部材の先端部は上記樹脂フィルムの一部位に接
着層により固着されており、上記接続部材が上記パッド
上を通過していることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
【請求項８】請求項２〜５のうちいずれか１つに記載
の樹脂封止型半導体装置において、上記接続部材の先端部は、上記樹脂フィルムの一部位に
接着層により固着されていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
【請求項９】請求項２〜８のうちいずれか１つに記載
の樹脂封止型半導体装置において、上記接続部材は、金属細線であることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。
【請求項１０】請求項２〜８のうちいずれか１つに記
載の樹脂封止型半導体装置において、上記接続部材は、樹脂フィルムの上に形成された配線層
であり、上記半導体チップの電極パッドは、上記配線層の一部に
接触していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】請求項１記載の樹脂封止型半導体装置
において、上記接続部材は、上記半導体チップの電極パッドに電気
的に接続されるリードであることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
【請求項１２】請求項１〜１１のうちいずれか１つに
記載の樹脂封止型半導体装置において、上記凹部を埋める導電体からなる電極をさらに備えてい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１３】主面上に電極パッドを有する半導体チ
ップと、上記半導体チップに固着された少なくとも１つの樹脂フ
ィルムと、上記樹脂フィルムの上に形成された金属薄膜からなるパ
ッドと、上記半導体チップの電極パッドと上記パッドとを接続す
る接続部材と、上記樹脂フィルムに形成され、上記パッドに到達する貫
通孔と、上記半導体チップ，パッド，接続部材及び樹脂フィルム
を封止する封止樹脂とを備え、上記貫通孔内で上記パッドの一部が上記封止樹脂から露
出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１４】請求項１３記載の樹脂封止型半導体装
置において、上記接続部材は、金属細線であることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。
【請求項１５】請求項１３記載の樹脂封止型半導体装
置において、上記少なくとも１つの樹脂フィルムは、上記半導体チッ
プの主面に対向する面で上記半導体チップに固着されて
いるとともに上記半導体チップの外方に位置する領域を
有し、上記接続部材は、上記少なくとも１つの樹脂フィルムの
上に形成された配線層であり、上記半導体チップの電極パッドは、上記配線層の一部に
接触していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１６】請求項１３記載の樹脂封止型半導体装
置において、上記樹脂フィルムは、上記半導体チップの主面における
上記電極パッド形成領域を除く部分で上記半導体チップ
に固着されており、上記接続部材は、上記少なくとも１つの樹脂フィルムの
上に形成された配線層であり、上記封止樹脂には、上記貫通孔内の上記パッドを露出さ
せる凹部が設けられていることを有する樹脂封止型半導
体装置。
【請求項１７】請求項１３〜１６のうちいずれか１つ
に記載の樹脂封止型半導体装置において、上記貫通孔内を埋める導電体により構成される電極をさ
らに備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
【請求項１８】主面上に電極パッドを有する半導体チ
ップと上記半導体チップの電極パッドに接続される接続
部材とを準備する第１の工程と、上記接続部材の一部を底部で露出させる凹部が形成され
るように、上記接続部材の一部位に柱状部材を押し当て
ながら上記半導体チップ及び接続部材を封止樹脂により
封止する第２の工程とを備えている樹脂封止型半導体装
置の製造方法。
【請求項１９】請求項１８記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第１の工程は、上記半導体チップと樹脂フィルムとを互いに固着させる
工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記樹脂フィルム上の
一部位の間に金属細線を形成する工程とを含むことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２０】請求項１９記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第１の工程では、接着層を有する樹脂フィルムを用
い、上記金属細線の一端部を上記接着層の上で止めるこ
とを特徴とすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。
【請求項２１】請求項１９記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第１の工程では、金属薄膜からなるパッドが予め形
成された樹脂フィルムを用い、上記金属細線の一端部を
上記パッドの上で止めることを特徴とすることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２２】請求項１９記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第１の工程では、接着層と金属薄膜からなるパッド
とが予め形成された樹脂フィルムを用い、上記金属細線
を上記パッドを横切るように設けかつ上記金属細線の一
端部を上記接着層の上で止めることを特徴とすることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２３】請求項１９記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第１の工程では、金属薄膜からなるパッドと該パッ
ドに接続される配線層とが予め形成された樹脂フィルム
を用い、上記半導体チップ上の電極パッドと上記樹脂フ
ィルム上の配線層の一部とを接触させて上記半導体チッ
プと上記樹脂フィルムとを互いに固着させることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２４】請求項１８〜２３のうちいずれか１つ
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記樹脂フィルムの貫通孔内に導電体を埋設してなる電
極を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２５】主面上に電極パッドを有する半導体チ
ップと、金属薄膜からなるパッド及び該パッドに到達す
る貫通孔を有する樹脂フィルムとを準備する第１の工程
と、上記半導体チップと上記樹脂フィルムとを固着させる第
２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記樹脂フィルムのパ
ッドとを互いに接続する接続部材を形成する第３の工程
と、上記樹脂フィルム，半導体チップ及び接続部材を封止樹
脂により封止する第４の工程とを備え、上記第４の工程の終了後には、上記樹脂フィルムのパッ
ドが上記貫通孔の底部で上記封止樹脂から露出している
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２６】請求項２５記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第３の工程では、上記接続部材として金属細線を形
成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
【請求項２７】請求項２５記載の半導体装置の製造方
法において、上記第３の工程では、予め第１の工程で金属薄膜からなるパッド及び該パッド
に接続される配線層が予め形成された樹脂フィルムを用
い、上記第２の工程で上記半導体チップ上の電極パッド
と上記樹脂フィルム上の配線層の一部とを接触させて上
記半導体チップと上記樹脂フィルムとを互いに固着させ
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２８】樹脂フィルムに半導体チップを搭載し
て樹脂封止することにより形成される樹脂封止型半導体
装置に用いられるリードフレームであって、帯状に延びる平板からなる本体と、上記本体の一部に設けられた開口部と、上記開口部にはめ込まれた樹脂フィルムとを備えている
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２９】樹脂フィルムに半導体チップを搭載し
て樹脂封止することにより形成される樹脂封止型半導体
装置に用いられるリードフレームの製造方法であって、帯状に延びる平板からなる本体の一部に開口部を形成す
る第１の工程と、上記開口部に樹脂フィルムをはめ込む第２の工程と、上記樹脂フィルムがはめ込まれた開口部の外周付近の領
域における上記本体を厚み方向に押圧する第３の工程と
を備えていることを特徴とするリードフレームの製造方
法。