JPS60208849A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS60208849A JPS60208849A JP6531584A JP6531584A JPS60208849A JP S60208849 A JPS60208849 A JP S60208849A JP 6531584 A JP6531584 A JP 6531584A JP 6531584 A JP6531584 A JP 6531584A JP S60208849 A JPS60208849 A JP S60208849A
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- JP
- Japan
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- area
- plating
- lead
- lead frame
- plated
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、リードフレームに関し、さらに詳しくは、リ
ードフレームのボンディングエリアをメッキする際に生
ずる弊害が解消された半導体装置用リードフレームに関
する。
ードフレームのボンディングエリアをメッキする際に生
ずる弊害が解消された半導体装置用リードフレームに関
する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
一般に、半導体装置の製造に用いられるリードフレーム
は、第１図に示すような構成をとっている。すなわち、
本図に示すように、従来のリードフレームは、半導体素
子がマウントされるアイランドｌと、リード２およびこ
れらを固定する枠体３からなり、さらにリード２は、イ
ンナーリード部２ａと外部回路への接続領域となるアク
タ−リード部２ｂとからなり、また、インナーリード部
２ａの先端部には、半導体素子からの配線がボンディン
グされる領域となるボンディングエリア２Ｃを有してい
る。このボンディングエリア２Ｃは、良好なボンディン
グを行なうために、金、銀などの金属によってメッキが
施こされる。さらに各リード２は、支持体４によって補
強されている。
は、第１図に示すような構成をとっている。すなわち、
本図に示すように、従来のリードフレームは、半導体素
子がマウントされるアイランドｌと、リード２およびこ
れらを固定する枠体３からなり、さらにリード２は、イ
ンナーリード部２ａと外部回路への接続領域となるアク
タ−リード部２ｂとからなり、また、インナーリード部
２ａの先端部には、半導体素子からの配線がボンディン
グされる領域となるボンディングエリア２Ｃを有してい
る。このボンディングエリア２Ｃは、良好なボンディン
グを行なうために、金、銀などの金属によってメッキが
施こされる。さらに各リード２は、支持体４によって補
強されている。
通常、半導体装置の製造九おい１は、まず、リードフレ
ームのメッキエリア５（斜線部分）以外をゴム製のレプ
リカマスク岬でマスクしたのちに金、銀などの金属でメ
ッキエリア４にメッキ（湿式メッキ）を施こし、次いで
アイランドｌに素子をマウントし、ボンディングを行な
ったのちにモールドエリア６（破線部内）を樹脂モール
ドし、さらに支持体４ならびに枠体３を除去する、とい
う工程がとられている。
ームのメッキエリア５（斜線部分）以外をゴム製のレプ
リカマスク岬でマスクしたのちに金、銀などの金属でメ
ッキエリア４にメッキ（湿式メッキ）を施こし、次いで
アイランドｌに素子をマウントし、ボンディングを行な
ったのちにモールドエリア６（破線部内）を樹脂モール
ドし、さらに支持体４ならびに枠体３を除去する、とい
う工程がとられている。
しかしながら、上記従来のリードフレームには、以下に
述べるような問題がある、 すなわち、第１図に示すような従来σ〕リードフレーム
においては、メッキエリア５をメッキする際にメッキ液
がインナーリード部２ａの側面壁に沿ってメッキエリア
５の外に浸出し、そのため、インナーリード部のボンデ
ィングエリア外にもメッキが施こされてしまうという問
題が不可避的に生じるのである。
述べるような問題がある、 すなわち、第１図に示すような従来σ〕リードフレーム
においては、メッキエリア５をメッキする際にメッキ液
がインナーリード部２ａの側面壁に沿ってメッキエリア
５の外に浸出し、そのため、インナーリード部のボンデ
ィングエリア外にもメッキが施こされてしまうという問
題が不可避的に生じるのである。
第２図は、上記のような不良メッキが生じた状態を示す
リード先端部の斜視図である。すなわち、リード２のボ
ンディングエリア２Ｃから浸出したメッキ液によって、
インナーリード部２ａの側面部に不良メッキ７が付着し
ている。多くの場合には、本図に示すように、モールド
エリア６を越えてリードに不良メッキが付着する。
リード先端部の斜視図である。すなわち、リード２のボ
ンディングエリア２Ｃから浸出したメッキ液によって、
インナーリード部２ａの側面部に不良メッキ７が付着し
ている。多くの場合には、本図に示すように、モールド
エリア６を越えてリードに不良メッキが付着する。
このようにして、ボンディングエリア外（％に、モール
ドエリア外）に施こされたメッキは正常なメッキではな
いため、密着性が悪く、容易に剥離してリード間の短絡
事故の原因となる。特に、メッキ金属が銀の場合は、モ
ールドエリア外へ浸出したＡｇによるいわゆる「銀マイ
グレーシヨン」現象のために半導体装置の信頼性は著し
く低下する。
ドエリア外）に施こされたメッキは正常なメッキではな
いため、密着性が悪く、容易に剥離してリード間の短絡
事故の原因となる。特に、メッキ金属が銀の場合は、モ
ールドエリア外へ浸出したＡｇによるいわゆる「銀マイ
グレーシヨン」現象のために半導体装置の信頼性は著し
く低下する。
このような問題は、メッキ工程におけるマスクを完全に
することにより、ある程度防止することはできるが、従
来のゴムあるいはレプリカマスクを用いるマスク法では
必ずしも充分に上記弊害を防止することはできない。ま
た、非メッキ領域のマスクを厳格に行なうことは、半導
体装置の製造工程を必要以上に繁雑にするという問題が
ある。
することにより、ある程度防止することはできるが、従
来のゴムあるいはレプリカマスクを用いるマスク法では
必ずしも充分に上記弊害を防止することはできない。ま
た、非メッキ領域のマスクを厳格に行なうことは、半導
体装置の製造工程を必要以上に繁雑にするという問題が
ある。
発明の目的ならびにその概要
本発明ぽ、上記問題に鑑みてなされたものであり、リー
ドのボンディングエリアを越えてモールドエリア外へ不
良メッキが付着するのを有効に防止し得る半導体装置用
リードフレームを提供すること、を目的とする。
ドのボンディングエリアを越えてモールドエリア外へ不
良メッキが付着するのを有効に防止し得る半導体装置用
リードフレームを提供すること、を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置用リード
フレームは、半導体素子からの配線が接続されるボンデ
ィングエリアが設けられたリード部を有し、該リード部
のボンディングエリアに金属メッキな楕こすようにした
半導体装置用リードフレームにおいて、各リード部のメ
ッキ領域と非メッキ領域との境界部分に、該リード部の
側面から隣接するリード部に向かって突出してメッキ液
が非メッキ領域へ浸出するのを防止する浸出＋５１止体
が設けられてなることを特徴とするものである。
フレームは、半導体素子からの配線が接続されるボンデ
ィングエリアが設けられたリード部を有し、該リード部
のボンディングエリアに金属メッキな楕こすようにした
半導体装置用リードフレームにおいて、各リード部のメ
ッキ領域と非メッキ領域との境界部分に、該リード部の
側面から隣接するリード部に向かって突出してメッキ液
が非メッキ領域へ浸出するのを防止する浸出＋５１止体
が設けられてなることを特徴とするものである。
発明の実施例
以下、本発明の半導体装置用リードフレームを、実施例
に基いて具体的に説明する。
に基いて具体的に説明する。
第３図〜第６図は、本発明の実施例に係るリードフレー
ムの正面部分拡大図である。
ムの正面部分拡大図である。
第３図および第４図に示すリードフレームは、モールド
エリア６の内部であって、かつ、メッキエリア５の外部
に、メッキ液浸出阻止体として凸状阻止体を設けたもの
である。この阻止体８が存在することによって、メッキ
工程の際にメッキ液がモールドエリア６の外に浸出する
のが有効に防止される。また、このメッキ液浸出防止効
果を得るには、従来用いられているマスク法をそのまま
用いることができ、他の複雑なマスク法を用いる必要は
ない。
エリア６の内部であって、かつ、メッキエリア５の外部
に、メッキ液浸出阻止体として凸状阻止体を設けたもの
である。この阻止体８が存在することによって、メッキ
工程の際にメッキ液がモールドエリア６の外に浸出する
のが有効に防止される。また、このメッキ液浸出防止効
果を得るには、従来用いられているマスク法をそのまま
用いることができ、他の複雑なマスク法を用いる必要は
ない。
第５図のリードフレームは、阻止体８として、互いに＠
接するリード間に、橋梁を設けたものである。この橋梁
状の阻止体によって、メッキ液の浸出は確実に防止され
る。第５図のリードフレームの場合は、モールディング
終了後、阻止体をスタンピング等により切断除去する必
要がある。また、第６図に示すリードフレームは、モー
ルドエリアの内側で、かつ、メッキエリアの外側に栖梁
状阻止体８を設けたものである。
接するリード間に、橋梁を設けたものである。この橋梁
状の阻止体によって、メッキ液の浸出は確実に防止され
る。第５図のリードフレームの場合は、モールディング
終了後、阻止体をスタンピング等により切断除去する必
要がある。また、第６図に示すリードフレームは、モー
ルドエリアの内側で、かつ、メッキエリアの外側に栖梁
状阻止体８を設けたものである。
第６図に示すリードフレームの場合は、メッキ工程後に
モールドエリアの内側の橋梁状阻止体８をスタンピング
等罠より切断除去し、さらにモールド後に支持体４を切
断除去する必要がある。
モールドエリアの内側の橋梁状阻止体８をスタンピング
等罠より切断除去し、さらにモールド後に支持体４を切
断除去する必要がある。
発明の効果
本発明の半導体装置用リードフレームは、各リード部の
メッキ領域と非メッキ領域との境界部分に、メッキ液浸
出阻止体が設けられているので、インナーリード部のボ
ンディングエリアをメッキする際にメッキ液がリードの
側面壁に沿ってボンディングエリアの外に浸出するのを
有効に防止することができる。したがって、リードフレ
ームのメッキエリア外に不良なメッキが施こされること
がないため、半導体装置の性能の安定性、信頼性の一層
の向上を図ることができる。
メッキ領域と非メッキ領域との境界部分に、メッキ液浸
出阻止体が設けられているので、インナーリード部のボ
ンディングエリアをメッキする際にメッキ液がリードの
側面壁に沿ってボンディングエリアの外に浸出するのを
有効に防止することができる。したがって、リードフレ
ームのメッキエリア外に不良なメッキが施こされること
がないため、半導体装置の性能の安定性、信頼性の一層
の向上を図ることができる。
第１図は従来の半導体装置用リードフレームの正面図、
第２図はリードフレームのリード先端部の斜視ｉ、第３
図〜第６図は本発明の集適例に係る半導体装置用リード
フレームの正面図テある。 １・・・アイランド、２・・・リード、２ａ・・・イン
ナーリード部、２ｂ・・・アウターリード部、２ｃ・・
・ボンディングエリア、３・・・枠体、４・・・支持体
、５・・・メッキエリア、６・・・モールドエリア、７
川不良メツキ、８・・・阻止体。 出願人代沖人 猪 股 消 第１図 ｈ＄２図 第５図 第４図 −＼−６
第２図はリードフレームのリード先端部の斜視ｉ、第３
図〜第６図は本発明の集適例に係る半導体装置用リード
フレームの正面図テある。 １・・・アイランド、２・・・リード、２ａ・・・イン
ナーリード部、２ｂ・・・アウターリード部、２ｃ・・
・ボンディングエリア、３・・・枠体、４・・・支持体
、５・・・メッキエリア、６・・・モールドエリア、７
川不良メツキ、８・・・阻止体。 出願人代沖人 猪 股 消 第１図 ｈ＄２図 第５図 第４図 −＼−６
Claims (1)
- 半導体素子からの配線が接続されるボンディングエリア
が設けられたリード部を有し、該リード部のボンディン
グエリアに金属メッキを施こすようにした半導体装置用
リードフレームにおいて、各リード部のメッキ領域と非
メッキ領域との境界部分に、該リード部の側面から隣接
するリード部に向かって突出してメッキ液が非メッキ領
域へ浸出するのを防止する浸出阻止体が設けられてなる
ことを特徴とする、半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6531584A JPS60208849A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6531584A JPS60208849A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208849A true JPS60208849A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13283348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6531584A Pending JPS60208849A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208849A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324648A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US4903401A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-27 | Motorola, Inc. | Leadframe silver bleed elimination |
| US5271148A (en) * | 1988-11-17 | 1993-12-21 | National Semiconductor Corporation | Method of producing a leadframe |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP6531584A patent/JPS60208849A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324648A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0582975B2 (ja) * | 1986-07-16 | 1993-11-24 | Nippon Electric Co | |
| US5271148A (en) * | 1988-11-17 | 1993-12-21 | National Semiconductor Corporation | Method of producing a leadframe |
| US4903401A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-27 | Motorola, Inc. | Leadframe silver bleed elimination |
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