JPH0758267A

JPH0758267A - リードフレーム

Info

Publication number: JPH0758267A
Application number: JP22646893A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Horii; 和之堀井; Kazuo Ohashi; 一雄大橋
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1993-08-18
Filing date: 1993-08-18
Publication date: 1995-03-03

Abstract

(57)【要約】【目的】リードフレームのインナーリードにメッキを
行う際に、インナーリードのメッキ領域外、特にメッキ
領域外の側面にメッキ層が形成されないようにする。【構成】インナーリード２の先端部にメッキ層６が形
成されるリードフレームにおいて、インナーリード２の
メッキ領域２ａの周辺の断面形状を略台形とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを搭載す
るためのリードフレームに関し、より詳しくは、インナ
ーリードにメッキ層を形成する際に、インナーリードの
先端のメッキ領域外へメッキ層が実質的に形成されない
ようにできる構造のリードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップを搭載するためのリードフ
レームとしては、一般的には図４に示すように、半導体
を搭載する部分であるアイランド１、その周囲に配され
たインナーリード２とアウターリード３、及びそれらを
保持するフレーム４から構成されたものが使用されてい
る。このようなリードフレームのインナーリード２とア
ウターリード３との間には、通常、互いに隣接するリー
ド同士を接続してリードフレームの変形を防止し、更に
モールド樹脂の流れ止めとして機能するタイバー５が設
けられている。なお、タイバー５は、半導体装置を製造
する際に半導体チップとインナーリードとをモールド樹
脂でモールドした後に除去される。

【０００３】このようなリードフレームのインナーリー
ド２の先端部（メッキ領域２ａ）には、半導体チップと
のボンディングワイヤーの接続信頼性を向上させる目的
で、銀、パラジウムあるいは金などの貴金属のメッキ層
６が一般に形成される。

【０００４】ところで、モールド樹脂は一般的にリード
フレームの素材として用いられている鉄ニッケル合金材
料や銅合金材料に対しては十分な密着性を有するが、銀
や金などの貴金属に対しては密着性が十分ではない。従
って、モールド樹脂で覆われる領域の周縁部（以下、
「パッケージライン」と称する）７にまでメッキ層６が
形成されてしまうと、その部分でモールド樹脂とインナ
ーリードとの密着不良が発生し、また、その密着不良部
分からの水分の侵入によりモールド樹脂にクラックが発
生したり、更に、半導体装置内部が汚染されたり、配線
金属の腐食が生じたりし、その結果、半導体装置の動作
不良の問題が生ずる。

【０００５】このため、従来より、インナーリードにメ
ッキを行う場合には、インナーリードの先端のメッキ領
域のみが露出するように、上下から軟質ゴム製のマスク
材でリードフレームを挟み込むことが行われている。ま
た、インナリードの側面へのメッキ液の侵入をより少く
するために、インナーリード間隔が約０．３ｍｍ程度以
上の場合には、図５に示すように、マスキング治具８に
インナーリード２の間隙に嵌入するような凸部（レプリ
カ）９を設けることが行われている。

【０００６】しかし、レプリカを適用した場合であって
も、従来の方法によりインナーリードにメッキを施した
場合には、インナーリードの側面へのメッキ液の侵入を
完全に防止することはできないという問題があった。こ
れは、インナーリードの加工が一般に湿式エッチング法
により行われるので、図６（ａ）もしくは（ｂ）に示す
ように、インナーリード２の断面がサイドエッチされた
形状となり、また、インナーリード間隔にある程度のば
らつきがあるために、インナーリードの側面にメッキ液
が完全に侵入しないようにマスク材でマスキングするこ
とが非常に困難だからである。従って、インナーリード
２の側面にメッキ液が侵入し、図７に示すようにインナ
ーリード２の側面に好ましくないメッキ層６ａが形成さ
れる。

【０００７】このため、従来は、メッキ後にインナーリ
ード２の側面のメッキ層６ａを電解剥離処理することに
より取り除いたり、あるいは、インナーリード２の側面
のメッキ層６ａとパッケージライン７との距離をある程
度確保できるように、インナーリードそのものを長くす
ることで対応している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メッキ
層６ａを電解剥離するとメッキ領域のメッキ層も剥離さ
れてしまい膜厚が薄くなるという欠点があった。また、
インナーリードそのものを長くすることも以下に述べる
理由から不可能な場合が多くなっていた。

【０００９】即ち、半導体装置の高集積化に伴い、それ
に搭載される半導体チップの寸法は大きくなり、一方、
マザーボードへの高密度実装を実現するためにパッケー
ジが小型化しており、この傾向は、メモリー用パッケー
ジの場合に特に著しい。従って、メモリー用パッケージ
に使用するリードフレームは、その部分拡大図である図
８に示すように、インナーリード２そのものを長くする
ことができず、メッキ領域２ａとパッケージライン７と
は非常に近接したものとならざるを得ない。

【００１０】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、リードフレームのインナー
リードの先端のメッキ領域にメッキ層を形成する際に、
インナーリードのメッキ領域外の側面にメッキ層が形成
されないようにすることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、インナー
リードの断面形状を部分的に略台形とすることにより、
インナーリードの側面と軟質ゴム製のマスク材との密着
性が高まることを見出し、この発明を完成させるに至っ
た。

【００１２】即ち、本発明は、インナーリードの先端部
にメッキ層が形成されるリードフレームにおいて、イン
ナーリードのメッキ領域周辺の断面形状を略台形とした
ことを特徴とするリードフレームを提供する。

【００１３】なお、本発明において、インナーリードの
断面形状を部分的に略台形とすること以外の発明の構成
は、公知のリードフレームと同様とすることができる。

【００１４】

【作用】本発明のリードフレームにおいては、インナー
リードの先端部のメッキ領域周辺の断面形状を略台形と
する。従って、インナーリードのメッキ領域をメッキす
る際に、軟質ゴムなどのマスク材リードフレームを上下
からを挟持すると、断面が略台形のインナーリードの側
面にマスク材が隙間なく密着する。従って、インナーリ
ードの側面へメッキ液が侵入することを防止することが
でき、インナーリード側面にメッキ層が形成されること
が防止される。これにより半導体装置の信頼性を向上さ
せることができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。なお、各図において同じ符号は同一又は同等の構成
要素を示している。

【００１６】図１は、本発明のリードフレームの実施例
の平面図である。このリードフレームは、インナーリー
ドの断面形状が略台形である以外は、従来例と同様に、
半導体搭載のためのアイランド１、その周囲に配された
インナーリード２とアウターリード３、及びそれらを保
持するフレーム４から構成されている。そして、インナ
ーリード２とアウターリード３との間には、互いに隣接
するリード同士を接続してリードフレームの変形を防止
し、更にモールド樹脂の流れ止めとして機能するタイバ
ー５が設けられている。なお、タイバー５は、半導体装
置を製造する際に半導体チップとインナーリードとをモ
ールド樹脂でモールドした後に除去される。

【００１７】図１のインナーリード２の部分拡大図を図
２に示す。このインナーリードは、図２（ａ）に示すよ
うに表面Ａ、即ち、ワイヤーボンディングによりワイヤ
ーが接続される面では先端からタイバー５に至るまで同
じ幅となっている。一方、裏面Ｂの幅は、図２（ｂ）に
示すように、表面Ａより狭くなっており、その結果、そ
のＸ−Ｘ断面形状は、図２（ｃ）に示すように、略台形
となる。

【００１８】本発明において、断面形状を略台形とする
インナーリードの領域は、図２（ａ）に示すようにイン
ナーリード２のメッキ領域２ａとタイバー５との間と
し、少なくともパッケージライン７の内側にはこのよう
な領域を設ける。また、断面形状を略台形とするインナ
ーリード２の表面側のリード幅と裏面側のリード幅との
比や、その領域の長さなどは適宜実験により決定するこ
とができる。例えば、厚さ５０μｍのインナーリードの
表面側のリード幅を２００μｍとし、裏面側のリード幅
を１００μｍとする。

【００１９】本発明のリードフレームは、リードフレー
ム用の板材を塩化第二鉄水溶液などのエッチング液を利
用するフォトリソグラフ法により製造することができ
る。このとき、断面形状を略台形とするインナーリード
の領域において、表裏両面のレジストの幅を変えること
によりインナーリードを所望の台形状に加工することが
できる。

【００２０】本発明のリードフレームのインナーリード
にメッキを施す場合、例えば図１及び図２の態様のリー
ドフレームの場合には、まず、図３（ａ）に示すよう
に、インナーリードの先端部のメッキ領域のみが露出す
るようにリードフレームをマスク材８ａ，８ｂで覆う。
このとき、断面が略台形となっているインナーリードの
部分は、同図に示すように、テーパー部分がマスク材８
ｂと密着する。

【００２１】次に、インナーリードのメッキ領域に湿式
メッキ法などによりメッキ層６を形成する。このとき、
断面が略台形となっているインナーリードの領域は、マ
スク材８ａ、８ｂにより隙間なくマスキングされている
ので、その隙間にメッキ液が侵入することがない。従っ
て、図３（ｂ）に示すように、メッキ層６を形成後のイ
ンナーリードのメッキ領域外の側面はメッキ層が形成さ
れない清浄な面となる。

【００２２】このようにして得られたリードフレームを
モールド樹脂でモールドすると、そのパッケージライン
のインナーリード側面にはメッキ金属が存在しないの
で、高い密着性でモールド樹脂でモールドすることがで
きる。従って、モールド樹脂にクラックが発生せず、ま
た、水分が半導体装置内部に侵入することもなく高い信
頼性の半導体装置を実現することができる。

【００２３】本発明のリードフレームは、パッケージラ
インとインナーリードのメッキ領域とを非常に近接させ
る場合に特に適したものとなる。

【００２４】

【発明の効果】この発明のリードフレームによれば、イ
ンナーリードの先端のメッキ領域にメッキを施す際に、
インナーリードのメッキ領域外の側面にメッキ層が形成
されないようにできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のリードフレームの平面図である。

【図２】本発明のリードフレームのインナーリードの部
分拡大図である。

【図３】インナーリードのメッキの説明図である。

【図４】従来のリードフレームの平面図である。

【図５】レプリカが形成されたマスク材とインナーリー
ドとの関係を示す説明図である。

【図６】インナーリードの断面形状図である。

【図７】従来のインナーリードの側面のメッキ状態の説
明図である。

【図８】メモリー用バッケージのリードフレームの部分
拡大図である。

【符号の説明】

１アイランド２インナーリード３アウターリード４フレーム５タイバー６メッキ層７パッケージライン８マスク材９レプリカ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】インナーリードの先端部にメッキ層が形
成されるリードフレームにおいて、インナーリードのメ
ッキ領域周辺の断面形状を略台形としたことを特徴とす
るリードフレーム。
【請求項２】断面形状が該略台形であるインナーリー
ドのリード幅が、裏面側よりも表面側で広い請求項１記
載のリードフレーム。