JPH03159163A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は樹脂封止型半導体装置もしくは該半導体装置用
パッケージに用いるリードフレームに関する。

（従来の技術とその問題点） 樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイパッド
に半導体素子を搭載し、該半導体素子とインナーリード
とをワイヤボンディングしたのち、樹脂で封止している
。

ところで、樹脂は吸湿しやすく、そのためアウターリー
ドのはんだ付は時等に加わる熱によって封止樹脂中の湿
気が蒸気化し、その際の膨張によって特に広い面積のグ
イパッド下面において封止樹脂との間に剥離が生じやす
く、グイパッドコーナ一部に対応する樹脂に応力が集中
して当該部位の樹脂にクラックが生じるなどの問題があ
る。特に昨今は半導体素子が大型化し、したがってこれ
を搭載するダイパッドも太き（なり、一方半導体装置全
体は小型化の要請により封止樹脂が薄肉化する傾向にあ
るから、上記ダイパッドと封止樹脂との剥離、封止樹脂
のクラックの発生が顕著になっている。

また湿気は封止樹脂とインナーリードとの界面を通じて
侵入するとも考えられる。

したがって、封止樹脂とリードフレームとの高い密着性
が要求される。

このように封止樹脂との密着性を高めるために、従来リ
ードフレームの所要箇所にプレス加工によってグループ
やデインプルを形成して粗面化することによって物理的
な密着力を生じさせるようにしている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記のようにプレス加工によってグルー
プやデインプルを形成するときは材料に歪みが生じ、反
りなどが生じるため、あまり深いグループやデインプル
を形成することができず、充分な密着力が得られない。

本発明は上記問題点を解消すべくなされたものであり、
その目的とするところは、封止樹脂との密着性に優れる
リードフレームを提供するにある。

（課題を解決するための手段） 上記目的による本発明に係るリードフレームでは、樹脂
封止型半導体装置もしくは該半導体装置用パッケージに
用いるリードフレームであって、封止樹脂との密着性を
高めるべく樹脂封止領域内の所要箇所に、エツチングに
よって多数の凹部が形成され、該凹部の開口縁から内方
に表面めっき層が突出していることを特徴としている。

（作用） 凹部の開口縁から内方に表面めっき層が突出しているの
で、樹脂封止した際に凹部内に樹脂が充填されると同時
に、樹脂内に表面めっき層の突出片がくい込む状態とな
り、リードフレームと樹脂との密着力を高めることがで
きる。

（実施例） 以下では本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。

第１図はリードフレームの一例を示す。

１０はインナーリード、１２はアウターリード、１４は
ダムバー　１６はダイバンド、１８はサポートバー、２
０はレール部である。樹脂封止領域Ａを破線で示す。

本発明では、樹脂封止領域Ａ内の所要箇所、例えばイン
ナーリード１０表面、グイバッド１６裏面等に第２図に
示すような微少な凹部２２を多数形成する。この凹部２
２はリードフレーム材にエンチングによって形成され、
凹部２２開口縁から内方に向けて、リードフレームの表
面に形成した表面めっき層２４が若干突出している。凹
部２２は小穴であっても、溝状であってもよい。

以上のように構成されているので、樹脂で封止された際
、封止樹脂が凹部２２内に入り込み、表面めっき層２４
の突出部が樹脂中にくい込む状態となり、リードフレー
ムと封止樹脂との密着が極めて強固となる。

リードフレーム材の材質、表面めっき層２４の種類は特
に限定されることはない。例えばリードフレーム材とし
て銅または銅合金、表面めっき層２４の種類としてニッ
ケルめっき、あるいは錫−ニッケルめっきなどが有効で
ある。

次に製法例を示す。

まず、銅もしくは銅合金からなるリードフレーム材を所
定のリードフレームパターンにプレス加工もしくはエツ
チング加工によって形成する。

次に上記のように形成したリードフレームに耐蝕用の例
えばニッケルめっき、あるいは錫−ニッケルめっきを施
し、表面めっき層２４を形成する。

次いで表面めっき層２４の任意の箇所に多数の小穴もし
くは溝状の傷を付け、下地銅材を一部露出させる。上記
の傷を付けるのは、刃付金型等をリードフレーム表面に
押し当てることによって容易に形成できる。あるいは上
記表面めっき層２４を形成する際に、部分めっき用のマ
スク部材にピン状等の突起を設けてリードフレーム表面
の任意の位置に押し当てて部分めっきを施すときに同時
にめっき面に傷を付けるようにしてもよい。

次にリードフレームに銅ストライクめっき層を形成する
めっきを行う。

次いでリードフレームのダイバンド１６等の必要箇所に
部分銀めっきを施して銀めっき層を形成する。上記の銅
ストライクめっきは当該ｉ艮めっきとリードフレーム材
との密着性を向上させるために行うものであり、密着性
が充分に得られる恨めつき条件であれば下地の銅ストラ
イクめっきは施さなくともよい。

次に銀めっき層を形成しである以外の部位のストライク
銅めっき層を電解剥離する。

剥離液は例えばシアン系の公知のものを使用することが
できる。この電解剥離をやや過度に行うことによって、
前記の表面めっき層２４が形成されていない部位の鋼材
そのものがエツチングされ、第２図に示す凹部２２を形
成することができる。

当然サイドエツチングも起こるから、表面めっき層２４
が凹部２２開口縁から若干内方に突出する状態となる。

前記したように銅ストライクめっきを施さないときには
、直接鋼材を選択的にエツチングするエツチングを行え
ばよい。

以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。

（発明の効果） 以上のように本発明によれば、リードフレームの樹脂封
止領域の所望位置に、表面めっき層が開口縁から内方に
若干突出する凹部を多数形成したので、樹脂封止した際
に凹部内に封止樹脂が入り込み、また樹脂中に表面めっ
き層の突出部がくい込む状態となり、樹脂′との密着性
が向上し、ダイパッドと封止樹脂との剥離や封止樹脂の
クラック発生等を効果的に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はリードフレームの説明図、第２図は凹部の断面
形状の説明図である。 ＩＯ・・・リードフレーム、　　１２・・・アウターリ
ード、　　１４・・・ダムバー １６・・・ダイパッド、　２２・・・凹部、２４・・・
表面めっき層、　Ａ・・・樹脂封止領域。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、樹脂封止型半導体装置もしくは該半導体装置用パッ
   ケージに用いるリードフレームであって、封止樹脂との
   密着性を高めるべく樹脂封止領域内の所要箇所に、エッ
   チングによって多数の凹部が形成され、該凹部の開口縁
   から内方に表面めっき層が突出していることを特徴とす
   るリードフレーム。