JPH0689960A - 半導体素子用リードフレーム - Google Patents
半導体素子用リードフレームInfo
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- JPH0689960A JPH0689960A JP23871892A JP23871892A JPH0689960A JP H0689960 A JPH0689960 A JP H0689960A JP 23871892 A JP23871892 A JP 23871892A JP 23871892 A JP23871892 A JP 23871892A JP H0689960 A JPH0689960 A JP H0689960A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止樹脂との密着性を増大すると共に、アイ
ランドの反りを修正する半導体素子用リードフレ−ムを
提供する点。 【構成】 本発明に係わる半導体素子用リードフレーム
は、アイランドの周囲に形成する第１圧跡の周りに引掛
かりを設けて封止樹脂の密着性を向上すると共に、半導
体素子用リードフレームの反りを修正する。
ランドの反りを修正する半導体素子用リードフレ−ムを
提供する点。 【構成】 本発明に係わる半導体素子用リードフレーム
は、アイランドの周囲に形成する第１圧跡の周りに引掛
かりを設けて封止樹脂の密着性を向上すると共に、半導
体素子用リードフレームの反りを修正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子用リードフ
レームの改良に関する。
レームの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積度が向上した半導体素子の組立に
は、いわゆるタブ方式に加えて、リードフレ−ム方式も
機種によって依然として多用されており、マウントする
半導体素子にトランスファ−モ−ルド法による樹脂封止
工程を行って外部雰囲気から保護する手法が採られてい
る。このような封止樹脂層の厚さは、最近僅か１ｍｍの
ものも市販されており、リードフレームとの密着性を増
大するために圧跡（Ｄｉｍｐｌｅ）加工が行われてい
る。これは、封止樹脂を介して侵入する水分などが半導
体素子に到達するパス（Ｐａｔｈ）を長くする役割をも
果たす。このような圧跡形成には、プレスによって表面
が三角形もしくは台形の圧跡加工が知られている。
は、いわゆるタブ方式に加えて、リードフレ−ム方式も
機種によって依然として多用されており、マウントする
半導体素子にトランスファ−モ−ルド法による樹脂封止
工程を行って外部雰囲気から保護する手法が採られてい
る。このような封止樹脂層の厚さは、最近僅か１ｍｍの
ものも市販されており、リードフレームとの密着性を増
大するために圧跡（Ｄｉｍｐｌｅ）加工が行われてい
る。これは、封止樹脂を介して侵入する水分などが半導
体素子に到達するパス（Ｐａｔｈ）を長くする役割をも
果たす。このような圧跡形成には、プレスによって表面
が三角形もしくは台形の圧跡加工が知られている。
【０００３】一方鉄、鉄ニッケル合金、クラッド材更に
銅または銅合金などの導電性金属などから成るリードフ
レ−ムは、プレス工程かエッチング工程を経て製造する
が、最近のように集積度が向上した多ピン半導体素子用
の厚さの小さいリードフレ−ムは、主にエッチング工程
によりリードの幅や厚さも従来より一段と小さくする。
銅または銅合金などの導電性金属などから成るリードフ
レ−ムは、プレス工程かエッチング工程を経て製造する
が、最近のように集積度が向上した多ピン半導体素子用
の厚さの小さいリードフレ−ムは、主にエッチング工程
によりリードの幅や厚さも従来より一段と小さくする。
【０００４】ところでリードフレ−ムには、ＳＩＰ、Ｄ
ＩＰ、ＱＦＰまたＳＯＰなどの品種が利用されており、
ＳＩＰを除いては、周囲に枠を設けた構造が採られてい
る。即ち、枠体を起点としてその中央に向けて延長する
リードを設け、例えば中央部分に半導体素子をマウント
するアイランドを形成する。この枠体は複数個を連続し
て形成し、その個数により長尺リードフレ−ムか短尺リ
ードフレ−ムを区別する。また、アイランドは、枠体に
連続して形成する細長い導電性金属片により固定する。
更に、枠体を起点として形成するリードは、アイランド
を囲みかつその端を遊端とし、封止樹脂外に延長するも
のをアウターリードと呼ぶ。
ＩＰ、ＱＦＰまたＳＯＰなどの品種が利用されており、
ＳＩＰを除いては、周囲に枠を設けた構造が採られてい
る。即ち、枠体を起点としてその中央に向けて延長する
リードを設け、例えば中央部分に半導体素子をマウント
するアイランドを形成する。この枠体は複数個を連続し
て形成し、その個数により長尺リードフレ−ムか短尺リ
ードフレ−ムを区別する。また、アイランドは、枠体に
連続して形成する細長い導電性金属片により固定する。
更に、枠体を起点として形成するリードは、アイランド
を囲みかつその端を遊端とし、封止樹脂外に延長するも
のをアウターリードと呼ぶ。
【０００５】このような構造のリードフレ−ムは、その
機械的強度を維持するためにいわゆる連結細条を枠体に
沿って設置し、各種工程後機械的に切断除去する。
機械的強度を維持するためにいわゆる連結細条を枠体に
沿って設置し、各種工程後機械的に切断除去する。
【０００６】このような構造のリードフレ−ムの例えば
アイランドの周囲に形成する圧跡を、図１の斜視図及び
図２の断面図により説明する。圧跡の形成は、前記のよ
うにプレス工程により行い、リードフレ−ム１の所定の
場所を圧子により押圧して図１の斜視図にあるような斜
視図の形状とする。このような圧跡２の断面形状は、図
２のように三角形のもの更に、三角形の頂点の部分が平
坦な台形のものもある。
アイランドの周囲に形成する圧跡を、図１の斜視図及び
図２の断面図により説明する。圧跡の形成は、前記のよ
うにプレス工程により行い、リードフレ−ム１の所定の
場所を圧子により押圧して図１の斜視図にあるような斜
視図の形状とする。このような圧跡２の断面形状は、図
２のように三角形のもの更に、三角形の頂点の部分が平
坦な台形のものもある。
【０００７】しかも、単一のプレス工程により形成する
ために、応力が一方方向にかかり、図１の斜線部の位置
に歪みが発生する。
ために、応力が一方方向にかかり、図１の斜線部の位置
に歪みが発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような圧跡１で
は、断面形状が三角形または台形であり、封止樹脂を引
掛ける部分がないために密着性が非常に悪い上に、リー
ドフレ−ムの一方の表面だけを加工するために、伸びが
発生してアイランドが反る現象が起きる。
は、断面形状が三角形または台形であり、封止樹脂を引
掛ける部分がないために密着性が非常に悪い上に、リー
ドフレ−ムの一方の表面だけを加工するために、伸びが
発生してアイランドが反る現象が起きる。
【０００９】本発明は、このような事情により成された
もので特に、封止樹脂との密着性を増大すると共に、ア
イランドの反りを修正する半導体素子用リードフレ−ム
を提供することを目的とする。
もので特に、封止樹脂との密着性を増大すると共に、ア
イランドの反りを修正する半導体素子用リードフレ−ム
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】板状の導電性金属から成
る半導体素子用リードフレームと，この半導体素子用リ
ードフレームに形成する半導体素子をマウントするアイ
ランド部と，このアイランド部の周囲の板状の導電性金
属部分に形成する第１圧跡と，この第１圧跡の周囲の導
電性金属の他の部分に形成する深さが第１圧跡より小さ
い第２圧跡とに本発明に係わる半導体素子用リードフレ
ームの特徴がある。
る半導体素子用リードフレームと，この半導体素子用リ
ードフレームに形成する半導体素子をマウントするアイ
ランド部と，このアイランド部の周囲の板状の導電性金
属部分に形成する第１圧跡と，この第１圧跡の周囲の導
電性金属の他の部分に形成する深さが第１圧跡より小さ
い第２圧跡とに本発明に係わる半導体素子用リードフレ
ームの特徴がある。
【００１１】更に、前記第１圧跡の開口面を覆って設置
する突起部にも特徴があり、更にまた前記第１圧跡及び
第２圧跡の上面形状が多角形である点にも特徴がある。
する突起部にも特徴があり、更にまた前記第１圧跡及び
第２圧跡の上面形状が多角形である点にも特徴がある。
【００１２】
【作用】本発明に係わる半導体素子用リードフレーム
は、アイランドの周囲に形成する第１圧跡の周りに引掛
かりを設けて封止樹脂の密着性を向上すると共に、半導
体素子用リードフレームの反りを修正する。
は、アイランドの周囲に形成する第１圧跡の周りに引掛
かりを設けて封止樹脂の密着性を向上すると共に、半導
体素子用リードフレームの反りを修正する。
【００１３】
【実施例】本発明に係わる実施例を図３乃至図９を参照
して説明する。図３〜図５の斜視図は、本発明により形
成した第１圧跡及び第２圧跡形成後を明らかにしてお
り、図６は図４をＡ−Ａ線で切断した断面図で更に、図
７〜図９は、第２圧跡を形成する工程を示した。図３な
らびに図５では、導電性金属で構成するリードフレ−ム
１０にプレス工程により形成した各種の第１圧跡１１な
らびに第２圧跡１２形成後の状態を斜視図により示す。
これらの図にあるようにリードフレ−ム１に形成する第
１圧跡１１の開口面は、四角形や多角形をしており、そ
の外側に記載した三角形または四角形部分は第２圧跡１
２である。
して説明する。図３〜図５の斜視図は、本発明により形
成した第１圧跡及び第２圧跡形成後を明らかにしてお
り、図６は図４をＡ−Ａ線で切断した断面図で更に、図
７〜図９は、第２圧跡を形成する工程を示した。図３な
らびに図５では、導電性金属で構成するリードフレ−ム
１０にプレス工程により形成した各種の第１圧跡１１な
らびに第２圧跡１２形成後の状態を斜視図により示す。
これらの図にあるようにリードフレ−ム１に形成する第
１圧跡１１の開口面は、四角形や多角形をしており、そ
の外側に記載した三角形または四角形部分は第２圧跡１
２である。
【００１４】ＤＩＰ、ＱＦＰまたＳＯＰなどのリードフ
レ−ム１は、周囲に設ける枠を起点として例えば中央に
向ったリードを設け、更に例えば中央部分に半導体素子
をマウントするアイランドを形成する。この枠は複数個
を連続して形成し、その個数により長尺リードフレ−ム
か短尺リードフレ−ムを区別する。また、アイランド
は、枠に連続して形成する細長い導電性金属片により固
定する。更にまた、枠を起点として形成するリードは、
アイランドを囲みかつその端を遊端とし、封止樹脂外に
延長するものをアウターリードと呼ぶのに対してリード
をインナ−リ−ドとする。このような構造のリードフレ
−ムは、その機械的強度を維持するためにいわゆる連結
細条を枠体に沿って設置し、各種工程後機械的に切断除
去する。本来ならアイランドには、例えばオ−トマウン
タにより半導体素子をマウントして、前記のように樹脂
封止工程を行う。しかし、本発明に係わる半導体素子用
リードフレーム１０には、プレス工程により形成する第
１圧跡１１及び第２圧跡１２は、図４に明らかにした圧
子により所定の場所を押圧して形成する。
レ−ム１は、周囲に設ける枠を起点として例えば中央に
向ったリードを設け、更に例えば中央部分に半導体素子
をマウントするアイランドを形成する。この枠は複数個
を連続して形成し、その個数により長尺リードフレ−ム
か短尺リードフレ−ムを区別する。また、アイランド
は、枠に連続して形成する細長い導電性金属片により固
定する。更にまた、枠を起点として形成するリードは、
アイランドを囲みかつその端を遊端とし、封止樹脂外に
延長するものをアウターリードと呼ぶのに対してリード
をインナ−リ−ドとする。このような構造のリードフレ
−ムは、その機械的強度を維持するためにいわゆる連結
細条を枠体に沿って設置し、各種工程後機械的に切断除
去する。本来ならアイランドには、例えばオ−トマウン
タにより半導体素子をマウントして、前記のように樹脂
封止工程を行う。しかし、本発明に係わる半導体素子用
リードフレーム１０には、プレス工程により形成する第
１圧跡１１及び第２圧跡１２は、図４に明らかにした圧
子により所定の場所を押圧して形成する。
【００１５】図４に示す圧子１３には、水平な押圧面１
４に第２圧跡１２用突出部１５を形成するが、第１圧跡
１１用圧子（図示せず）では突出部１５のない水平な押
圧面とする。この結果図３〜図５に示すように三角形や
多角形の開口面１４を形成する。これらの図に示すよう
に、プレス工程により得られる開口面１４には、いわゆ
るバリ１６が発生すると共に斜線で明らかにする歪み部
１７が生じる。バリ１６は、第１圧跡１１用圧子の形状
言い換えれば半導体素子用リードフレ−ムに形成する第
１圧跡１１の寸法と形に左右される。
４に第２圧跡１２用突出部１５を形成するが、第１圧跡
１１用圧子（図示せず）では突出部１５のない水平な押
圧面とする。この結果図３〜図５に示すように三角形や
多角形の開口面１４を形成する。これらの図に示すよう
に、プレス工程により得られる開口面１４には、いわゆ
るバリ１６が発生すると共に斜線で明らかにする歪み部
１７が生じる。バリ１６は、第１圧跡１１用圧子の形状
言い換えれば半導体素子用リードフレ−ムに形成する第
１圧跡１１の寸法と形に左右される。
【００１６】バリ１６は、図７ならびに図９に示す第２
圧跡１２の形成工程により除外できる。即ち、図７の断
面図に明らかなように、半導体素子用リードフレーム１
０の所定の場所に形成した第１圧跡１１には、その開口
面１４から連続してバリ１６が形成され、突出部１５を
備えた第２圧跡１２用圧子により図８のように押圧す
る。バリ１６は、第１圧跡１１の開口面１４の内側につ
ぶされて、突起１８が形成されると共に、第１圧跡１１
の外側に第２圧跡１２を形成する。この状態は、図９に
明らかであり、第２圧跡１２の深さは、第１圧跡１１よ
り小さい。
圧跡１２の形成工程により除外できる。即ち、図７の断
面図に明らかなように、半導体素子用リードフレーム１
０の所定の場所に形成した第１圧跡１１には、その開口
面１４から連続してバリ１６が形成され、突出部１５を
備えた第２圧跡１２用圧子により図８のように押圧す
る。バリ１６は、第１圧跡１１の開口面１４の内側につ
ぶされて、突起１８が形成されると共に、第１圧跡１１
の外側に第２圧跡１２を形成する。この状態は、図９に
明らかであり、第２圧跡１２の深さは、第１圧跡１１よ
り小さい。
【００１７】この押圧工程では、第１圧跡１１における
歪み部１７の応力方向と全く逆方向に応力を発生するの
で、実質的にほぼ解消する。
歪み部１７の応力方向と全く逆方向に応力を発生するの
で、実質的にほぼ解消する。
【００１８】図９の断面図に明らかなように第１圧跡１
１と第２圧跡１２の形成工程後の上面は、段差が複数個
形成され、第１圧跡１１の断面にも段差が形成されるの
で、樹脂封止工程による厚さの薄い樹脂との密着性が従
来より向上する。
１と第２圧跡１２の形成工程後の上面は、段差が複数個
形成され、第１圧跡１１の断面にも段差が形成されるの
で、樹脂封止工程による厚さの薄い樹脂との密着性が従
来より向上する。
【００１９】封止樹脂（図示せず）との密着性を改善す
るに当たっては、形成位置を当然選定することになる
が、例えば半導体素子用リードフレ−ムに形成するイン
ナ−リ−ドの端部に設置することが多い。
るに当たっては、形成位置を当然選定することになる
が、例えば半導体素子用リードフレ−ムに形成するイン
ナ−リ−ドの端部に設置することが多い。
【００２０】寸法は、一辺が０．１５ｍｍ深さ８０μｍ
の第１圧跡１１とその外側に第２圧跡１２を設け、これ
を０．３ｍｍのピッチで複数個を列状に設置するのも一
案である。また、場合によっては、円弧状や角状に形成
することも可能である。
の第１圧跡１１とその外側に第２圧跡１２を設け、これ
を０．３ｍｍのピッチで複数個を列状に設置するのも一
案である。また、場合によっては、円弧状や角状に形成
することも可能である。
【００２１】設置場所としては、アイランド（図示せ
ず）の周囲でも良いのは勿論である。
ず）の周囲でも良いのは勿論である。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係わる半導体素子用リードフレ
−ムでは、歪み方向が全く逆のプレス工程で第１圧跡１
１と第２圧跡１２を形成するので、反りがなくなると共
に封止樹脂との密着性が従来技術より向上する。ひいて
は、樹脂封止型半導体素子の特性を長期にわたって発揮
できる。
−ムでは、歪み方向が全く逆のプレス工程で第１圧跡１
１と第２圧跡１２を形成するので、反りがなくなると共
に封止樹脂との密着性が従来技術より向上する。ひいて
は、樹脂封止型半導体素子の特性を長期にわたって発揮
できる。
【図１】従来の半導体素子用リードフレームに形成する
圧跡の斜視図である。
圧跡の斜視図である。
【図２】従来の半導体素子用リードフレームに形成する
図１と違う圧跡の斜視図である。
図１と違う圧跡の斜視図である。
【図３】本発明に係わる半導体素子用リードフレームに
形成する第１圧跡及び第２圧跡の斜視図である。
形成する第１圧跡及び第２圧跡の斜視図である。
【図４】本発明に係わる半導体素子用リードフレームに
形成する他の第１圧跡及び第２圧跡の斜視図である。
形成する他の第１圧跡及び第２圧跡の斜視図である。
【図５】本発明に係わる半導体素子用リードフレームに
形成する更に他の第１圧跡及び第２圧跡の斜視図であ
る。
形成する更に他の第１圧跡及び第２圧跡の斜視図であ
る。
【図６】図４をＡ−Ａ線により切断した他の第１圧跡及
び第２圧跡の断面図である。
び第２圧跡の断面図である。
【図７】本発明に係わる半導体素子用リードフレームに
形成する第２圧跡の工程を示す断面図である。
形成する第２圧跡の工程を示す断面図である。
【図８】図６に続く工程を明らかにする断面図である。
【図９】図７に続く工程を示す断面図である。
１：リードフレ−ム、 ２：圧跡、 １０：半導体素子用リードフレ−ム、 １１：第１圧跡、 １２：第２圧跡、 １３：圧子、 １４：押圧面、 １５：突出部、 １６：バリ、 １７：歪み部、 １８：突起。
Claims (3)
- 【請求項１】 板状の導電性金属から成る半導体素子用
リードフレームと，この半導体素子用リードフレームに
形成する半導体素子をマウントするアイランド部と，こ
のアイランド部の周囲の板状の導電性金属部分に形成す
る第１圧跡と，この第１圧跡の周囲の導電性金属の他の
部分に形成する深さが第１圧跡より小さい第２圧跡とを
具備することを特徴とする半導体素子用リードフレーム - 【請求項２】 前記第１圧跡の開口面を覆って設置する
突起部を具備することを特徴とする半導体素子用リード
フレーム - 【請求項３】 前記第１圧跡及び第２圧跡の上面形状が
多角形であることを特徴とする半導体素子用リードフレ
ーム
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23871892A JPH0689960A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 半導体素子用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23871892A JPH0689960A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 半導体素子用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689960A true JPH0689960A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17034238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23871892A Pending JPH0689960A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 半導体素子用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689960A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005067028A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-07-21 | Beng Keh See | A semiconductor device and a process for packaging a semiconductor device |
| JP2011077216A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2011091330A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011146736A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | リードフレームおよび半導体装置 |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23871892A patent/JPH0689960A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005067028A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-07-21 | Beng Keh See | A semiconductor device and a process for packaging a semiconductor device |
| JP2011077216A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2011091330A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011146736A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | リードフレームおよび半導体装置 |
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