JPH08264702A - 半導体装置のリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

半導体装置のリードフレーム及びこれを用いた半導体装置

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JPH08264702A
JPH08264702A JP7016195A JP7016195A JPH08264702A JP H08264702 A JPH08264702 A JP H08264702A JP 7016195 A JP7016195 A JP 7016195A JP 7016195 A JP7016195 A JP 7016195A JP H08264702 A JPH08264702 A JP H08264702A
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JP
Japan
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dam bar
lead
semiconductor device
bar portion
lead frame
Prior art date
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JP7016195A
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English (en)
Inventor
Fumitaka Hara
文孝 原
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダムバー部1cの切断部の幅を細くしてダム
バー部1cの容易に切断できるようにしながら、ダムバ
ー部1cにかかる樹脂の注入圧力に対する強度を従来以
上に確保することのできる半導体装置のリードフレーム
を提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子を搭載するアイランド部と、半導
体装置のリード端子となるリード部と、リード部間を繋
ぐダムバー部とを備え、パッケージ形状が形成された金
型でリード部を挟持し、リード部の一部とアイランド部
とを樹脂で封止して半導体装置を形成する時に使用する
リードフレームにおいて、隣接するリード部間に形成さ
れたダムバー部の切断される部分の幅は、隣接するリー
ド部間以外のダムバー部の幅よりも細く形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のリードフレ
ームに関し、詳しくはリードフレームに形成されている
ダムバーの形状に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂モールド型の半導体装置は、半導体
素子を搭載するアイランド部と、半導体装置のリード端
子となるリード部と、リード部間を繋ぐダムバー部(タ
イバーともいう)等がパンチングやエッチング加工によ
り形成されたリードフレームのリード部をパッケージ形
状が形成された金型で挟持して、リード部の一部とアイ
ランド部と半導体素子とをエポキシ樹脂等の熱可塑性樹
脂により封止する樹脂モールドを行っている(図4
(a)参照)。尚、一般的に樹脂モールド内部のリード
部をインナーリード、樹脂モールド外部のリード部をア
ウターリードという。
【0003】ダムバー部は、リード部を金型で挟持して
樹脂を注入した時に、ダムバー部とリード部で形成され
た空間等に不要樹脂が漏れ出して固化する樹脂バリ(図
2または図3の1d参照)の量を少なくして、樹脂バリ
を簡単に除去できるようにするとともに、リード部が横
へ曲がる(曲がりの大きさをスキューという)ことを少
なくするために設けられている。セラミックパッケージ
の場合も、スキューを小さくするためにダムバー部が設
けられている。
【0004】図4は従来の半導体装置のリードフレーム
と樹脂モールドの模式的な形状例を示し、図4(a)は
その上面図を示し、図4(b)は図4(a)の点線円A
の部分の拡大図を示している。図4(a)は半導体装置
のパッケージとしてインナーリード部及び半導体素子を
エポキシ樹脂で封止した樹脂モールド部1aと、半導体
装置のリード端子となる複数のリード部1bと、リード
部1b間を繋ぐダムバー部1cとからなる半導体装置1
が、リードフレーム上に複数個が直列に形成されている
様子を示す。
【0005】図4(a)の状態の半導体装置は、その
後、樹脂バリをバリ取り装置により除去し、リード部1
bをメッキ装置により半田等でメッキまたは浸漬し、図
4(b)の点線Cで囲む部分のダムバー部1c及び図4
(b)の一点鎖線Bで示すリード部1bの端部をポンチ
等のカット装置により打ち抜いて切断した後、リード端
子を要求に応じた形状にフォーミング装置により折り曲
げ加工する。最後に、個別に電気的特性を半導体テスタ
等の測定装置により測定して良品を選別することにより
半導体装置が完成する。尚、上述の組立工程で使用する
各製造装置は文献等に示される一般的な装置を使用すれ
ば良い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のリードフレーム
では、樹脂モールド時に、注入された樹脂の圧力により
ダムバー部1cが変形してリード部1bが曲がってしま
わないようにするため、ダムバー部1cの幅をリード部
の幅と同程度の幅まで太くする必要があり、ダムバー部
1cをポンチ等で打ち抜くのに比較的大きな力が必要だ
った。このため、ダムバー部1cを打ち抜くためのポン
チの傷みが速く、頻繁に取り替えなければならないとい
う問題があると共に、打ち抜くときの打ち抜き音が大き
いという問題があった。
【0007】これらの問題を防ぐため、ダムバー部1c
の幅を単純に細くすると、ダムバー部1cの樹脂の注入
圧力に対する強度が低下するので、図5に示すように、
点線で示す直線状のダムバー部1cがパッケージ部と反
対の方向に不要樹脂の注入圧力により押し伸ばされるこ
とによりリード端子が横に曲がったり、最悪の場合には
ダムバー部1cが引きちぎられて樹脂が更に漏れ出し、
樹脂バリの除去に手間がかかるという問題がある。
【0008】そこで本発明はこれらの問題を解決し、ダ
ムバー部1cの切断面の幅を細くしてダムバー部1cの
切断を容易にできるようにしながら、ダムバー部1cに
かかる樹脂の注入圧力に対する強度を従来以上に確保す
ることのできる半導体装置のリードフレームを提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の問題を解決するた
めに、請求項1の記載に係わる半導体装置のリードフレ
ームは、半導体素子を搭載するアイランド部と、半導体
装置のリード端子となるリード部と、リード部間を繋ぐ
ダムバー部とを備えたリードフレームにおいて、ダムバ
ー部の切断部間の形状がパッケージの方向に突出した形
状に形成されていることを特徴とする。また、請求項2
の記載に係わる半導体装置のリードフレームは、請求項
1に記載のリードフレームにおいて、等間隔で隣接する
前記リード部間に設けられた第1のダムバー部と、第1
のダムバー部以外の場所に設けられた第2のダムバー部
を有するリードフレームにおいて、第1のダムバー部の
幅は、第2のダムバー部の幅よりも細く形成されている
ことを特徴とする。請求項3の記載に係わる半導体装置
のリードフレームは、半導体素子を搭載するアイランド
部と、半導体装置のリード端子となるリード部と、リー
ド部間を繋ぐダムバー部とを備えたリードフレームにお
いて、ダムバー部の切断部間のダムバー部の幅が、切断
部のダムバー部の幅よりも太く形成されていることを特
徴とする。更に、請求項4の記載に係わる半導体装置
は、請求項1乃至3に記載のリードフレームを使用した
ことを特徴とする。
【0010】
【作用】半導体装置のリードフレームのダムバー部1c
にかかる樹脂の注入圧力に対して、請求項1及び2に記
載のダムバー形状は注入圧力に対する形状上の強度が高
まり、請求項3に記載のダムバー形状は切断部間の挟持
面積が増加するとともに強度の低い部分が短くなるの
で、樹脂の注入圧力に耐えられるようになる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1乃至図3を参照
しながら詳細に説明する。尚、本明細書では全図面を通
して、同一または同様の構成要素には同一の符号を付し
て説明を簡略化している。図1乃至図3は本発明の実施
例を模式的に示しており、図1(a)は第1の実施例の
上面図、図1(b)は図1(a)の点線円Aの部分の拡
大図を示し、図2は第2の実施例におけるダムバー部の
形状例を示す。また、図3は第3及び第4の実施例にお
けるダムバー部の形状例を示している。更に、図1で
は、図面を簡略化して判り易くするために樹脂バリを省
略している。
【0012】図1(a)は、半導体装置のパッケージと
してエポキシ等の熱硬化性の樹脂でインナーリード部や
アイランド部1g及び半導体素子を封止した樹脂モール
ド部1aと、半導体装置のリード端子となる複数の平板
状のリード部1bと、リード部1b間を繋ぐダムバー部
1c等とからなる半導体装置1が、リードフレーム上に
複数個が直列に形成されている様子を示す。リード部1
bやダムバー1c等が形成されたリードフレームは、鉄
や42アロイといわれる合金または銅等の金属から形成
された厚さが約0.2mm乃至約0.5mmの金属薄板
で、エッチングまたはパンチング加工により、アウター
リード部1bやダムバー部1c及び1fやリードフレー
ムの位置決めや搬送に使用するための穴1e等のパター
ンが形成されている。また、樹脂モールド部1aの内部
には、リードフレームのパターンとして形成されたアイ
ランド部1gに半導体素子がダイボンディングにより取
り付けられ、金やアルミ等の金属細線で半導体素子のパ
ッドとリード部1bのインナーリード部とが各々接続さ
れている。図1(a)の状態の半導体装置に従来と同様
な組立工程を実施すれば、半導体装置は完成品になる。
【0013】尚、パッケージの種類やピン数、更にはリ
ードフレームの厚さ等により異なるが、半導体装置のリ
ード端子間のピッチ間隔p1は約0.5mm乃至約2.
54mmで、隣接するリード端子間の間隔d1は最短で
約0.3mm乃至約1.0mm、リード端子の幅w3は
約0.2mm乃至約1.54mmになっている。図1
(b)に基づいてダムバー部の形状について更に詳しく
説明する。等間隔で隣接するリード部1b間には、樹脂
モールド1a側に向けてw1の幅で円弧状にダムバー部
1cが形成され、その幅w1はダムバー1c以外のダム
バー部1fの幅w2よりも細く、例えばダムバー部1c
の幅w1をリード部1bの半分以下の幅に形成する。こ
のような形状にダムバーを形成することで、樹脂を注入
したときに、ダムバー部1cが縮むように樹脂の圧力を
受けるようになるので、ダムバー1cの幅を単純に細く
した場合に比べて、ダムバー部1cが引き伸ばされたり
引きちぎられてしまうようなことがなくなる。
【0014】図2のダムバー部1cはブーメランのよう
な形状で、その頂部が樹脂モールド1aに向けて突出し
た形状をしており、図1と同様な効果がある。図3に基
づいて第3及び第4の実施例について説明する。図3
(a)のダムバー部1cはリード部1bとの接続部付近
(言い換えれば切断部)のみが従来のダムバー部よりも
細く形成され、中央部の四角形の部分は従来のダムバー
部よりも太く形成されている。また、図3(b)のダム
バー部1cの形状は扇状で、樹脂モールド1a側は円形
に形成され、樹脂モールド1aと反対側は三角形状に形
成され、かつ、リード部1bとの接続部は従来のダムバ
ー部の幅よりも細く形成されている。このような形状に
ダムバー部1cを形成することで、金型で挟持するダム
バー部の面積が増大するとともに、強度が低く、樹脂の
注入圧力により変形し易いダムバー部1cの細い部分が
短くなるので、ダムバー1cを単純に細くした場合に比
べて樹脂の注入圧力に対する強度が向上する。
【0015】尚、本実施例では、半導体装置1が複数個
直列に形成されたリードフレームを使用する場合を示し
ているが、複数個を並列に形成したパターンや一個分の
パターンのみのリードフレームを使用する場合でも同様
である。また、図1では側面にのみリード端子を有する
挿入実装型の半導体装置に付いてのみ説明したが、四方
にリード端子を有する表面実装型の半導体装置の場合も
同様であり、リード端子の形状は任意で構わない。ダム
バー部の形状は図1乃至図3に示す形状の他、各図の形
状を組み合わせても、同様な効果を期待できる。
【0016】更に、ダムバー部1bを切断する方法は、
ポンチ等による打ち抜きだけでなく、レーザーや高圧水
流等による切断でも構わない。また、リードフレームの
パターンを形成する場合には、エッチング法により形成
した方がパンチング方よりも精度良く加工できるので、
切断部分をより細くすることができる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置のリードフレーム形状を使用することにより、ダムバ
ー部の切断部の幅を従来より細くすることができ、ダム
バー部をポンチで切断する時の衝撃が緩和されるので、
ポンチ寿命が伸びてポンチ交換の手間及び費用が削減さ
れるという効果があるとともに、ダムバー部を切断する
時の切断音を減少することができるという効果がある。
また、レーザーや高圧水流等による切断の場合には切断
時間を短縮できるという効果がある。更に、ダムバー部
1cが樹脂モールドの方向に突出している場合には、樹
脂バリの形成される領域が減少して樹脂バリを除去し易
くなるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す説明図、
【図2】本発明の第2の実施例を示す説明図、
【図3】本発明の第3及び第4の実施例を示す説明図、
【図4】従来の実施例を示す説明図、
【図5】従来のリードフレームでダムバー部のみを細く
した時の問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
1 :(リードフレーム上の)半導体装置 1a:樹脂モールド部 1b:リード部 1c,1f:ダムバー(ダムバー)部 1d:樹脂バリ 1e:孔 1g:アイランド部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を搭載するアイランド部と、
    半導体装置のリード端子となるリード部と、リード部間
    を繋ぐダムバー部とを備えたリードフレームにおいて、
    前記ダムバー部の切断部間の形状がアイランド部の方向
    に突出した形状に形成されていることを特徴とする半導
    体装置のリードフレーム。
  2. 【請求項2】 等間隔で隣接する前記リード部間に設け
    られた第1のダムバー部と、前記第1のダムバー部以外
    の場所に設けられた第2のダムバー部を有するリードフ
    レームにおいて、前記第1のダムバー部の幅は、前記第
    2のダムバー部の幅よりも細く形成されていることを特
    徴とする請求項1に記載の半導体装置のリードフレー
    ム。
  3. 【請求項3】 半導体素子を搭載するアイランド部と、
    半導体装置のリード端子となるリード部と、リード部間
    を繋ぐダムバー部とを備えたリードフレームにおいて、
    前記ダムバー部の切断部間のダムバー部の幅が、切断部
    のダムバー部の幅よりも太く形成されていることを特徴
    とする半導体装置のリードフレーム。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3に記載のリードフレーム
    を使用したことを特徴とする半導体装置。
JP7016195A 1995-03-28 1995-03-28 半導体装置のリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 Pending JPH08264702A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016051595A1 (ja) * 2014-10-03 2017-04-27 三菱電機株式会社 リードフレーム、半導体装置の製造方法
CN114769414A (zh) * 2022-06-21 2022-07-22 四川旭茂微科技有限公司 一种半导体成型分离模具

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2016051595A1 (ja) * 2014-10-03 2017-04-27 三菱電機株式会社 リードフレーム、半導体装置の製造方法
CN114769414A (zh) * 2022-06-21 2022-07-22 四川旭茂微科技有限公司 一种半导体成型分离模具
CN114769414B (zh) * 2022-06-21 2022-09-20 四川旭茂微科技有限公司 一种半导体成型分离模具

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