JPH11317484A - リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法 - Google Patents

リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法

Info

Publication number
JPH11317484A
JPH11317484A JP10124375A JP12437598A JPH11317484A JP H11317484 A JPH11317484 A JP H11317484A JP 10124375 A JP10124375 A JP 10124375A JP 12437598 A JP12437598 A JP 12437598A JP H11317484 A JPH11317484 A JP H11317484A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
outer lead
diver
parts
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10124375A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Himeno
雄治 姫野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP10124375A priority Critical patent/JPH11317484A/ja
Publication of JPH11317484A publication Critical patent/JPH11317484A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、十分に広い幅をもつダイバー部を
モールド樹脂封止部の端面に近接して設ける際に、ダイ
バー部がリード曲げ部と重なっても、アウターリード部
の良好なリード曲げ加工特性を確保することが可能なリ
ードフレーム及びそれを用いた半導体チップのパッケー
ジ方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 リードフレーム10の各ダイバー部16
のアウターリード部14に近接する2箇所に円形状の貫
通孔18が設けれている。そして、これらの貫通孔18
を横切ってダイバー部16を切断し、各アウターリード
部14の両サイドに生じる抜きバリ24を2分断した
後、この分断によってアウターリード部12の両サイド
の抜きバリ24が殆どなくなっている箇所をリード曲げ
部26としてアウターリード部12を折り曲げる。この
ため、ダイバー部16がリード曲げ部26に重なって
も、アウターリード部14の曲げ形状の変形が防止され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型の半導
体装置に使用されるリードフレーム及びそのリードフレ
ームを用いた半導体チップのパッケージ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の樹脂封止型の半導体装置に使用さ
れる挿入実装型のリードフレームにおいては、一般に、
そのリード曲げ部がタイバー部に重ならないような設計
となっている。以下、その理由を説明する。図7に示す
ように、従来の樹脂封止型の半導体装置に使用されるリ
ードフレーム10は、半導体チップを搭載して、その電
極とインナーリード部(図示せず)とを金属ワイヤによ
って接続するパッケージ部12と、インナーリード部に
連続するアウターリード部14と、このアウターリード
部14間を接続して固定すると共に、モールド樹脂封止
の際のモールド樹脂の流出を止めるためのダイバー部1
6とを有している。
【0003】そして、この図7に示すようなリードフレ
ーム10を用い、次のような工程を経て、半導体チップ
をパッケージする。即ち、リードフレーム10のパッケ
ージ部12に半導体チップをダイボンディングした後、
半導体チップの電極とリードフレーム10のインナーリ
ード部とを金属ワイヤによって接続するワイヤボンディ
ングを行う(ダイボンディング工程及びワイヤボンディ
ング工程)。
【0004】続いて、半導体チップをモールド樹脂によ
って封止して、パッケージ部12上の半導体チップをモ
ールド樹脂で覆うモールド樹脂封止部を形成する(モー
ルド樹脂封止工程)が、このモールド樹脂封止工程にお
いては、アウターリード部14とダイバー部16とに囲
まれた空間にもモールド樹脂が充填され、ダムレジンが
形成される。
【0005】次いで、このダムレジンを除去するダムレ
ジン抜き工程の後に、各ダイバー部16を切断して、各
アウターリード部14を独立させる(トリミング工程)
が、このトリミング工程においては、ダイバー部16を
切断する際に、各アウターリード部の両サイドにはダイ
バー部16の抜きバリ(以下、適宜単に「抜きバリ」と
略する)が生じる。更に、その後、各ダイバー部16か
ら切り離された各アウターリード部14を所定の形状に
折り曲げる(フォーミング工程)。
【0006】ところで、図8に示すように、モールド樹
脂封止工程においてモールド樹脂封止部20を形成した
後、次のトリミング工程においてダイバー部16を切断
する際に、各アウターリード部14の両サイドには抜き
バリ24が生じるが、この抜きバリ24を図8中のA方
向から見ると、図9に示すように、その端部が下方に折
り曲げられた形状になっている。
【0007】このため、図10に示すように、次のフォ
ーミング工程においてアウターリード部14を折り曲げ
る際に、そのリード曲げ部26がタイバー部16に重な
るようにすると、次のような問題が生じる。即ち、図1
1に示すように、アウターリード部14を折り曲げる際
に、各アウターリード部14の両サイドの抜きバリ24
の下方に折り曲げられている端部も更に折り曲げられる
ことになり、その図中のB部に示す部分に圧縮応力が生
じる。そして、その影響によってアウターリード部14
の曲げ形状が変形するおそれが生じる。
【0008】しかし、リードフレーム10のアウターリ
ード部14については、それを基板に信頼性よく実装す
るために、アウターリード部14のコープラナリティ
(平坦性)を確保し、スキュー(横方向の曲り)を抑制
することが要求される。即ち、アウターリード部14の
曲げ形状が変形するような事態は回避しなければならな
い。従って、従来のリードフレーム10においては、そ
のリード曲げ部26がタイバー部16に重ならないよう
な設計を行うことにより、リード曲げ加工時に、各アウ
ターリード部14の両サイドの抜きバリ26の下方に折
り曲げられている端部の更なる折り曲げによる圧縮応力
の影響を全く受けないようにして、アウターリード部1
4のリード曲げ加工時における良好な加工特性を確保し
ているのである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のようにリードフレーム10のリード曲げ部26がタ
イバー部16に重ならないような設計を行うと、次のよ
うな問題が生じる。即ち、モールド樹脂封止工程におい
てアウターリード部14とダイバー部16とに囲まれた
空間に形成されるダムレジン22の量を減少させて、モ
ールド樹脂抜き工程時に飛散するモールド樹脂量を減少
させることにより、その際にアウターリード部14に付
着するモールド樹脂量を減少させるようとすると、リー
ドフレーム10のパッケージ部12の端面とリード曲げ
部26とを近接させることが必要になる。しかも、この
ときにタイバー部16とリード曲げ部26との重なりを
回避しようとすると、図12に示すように、モールド樹
脂封止工程において形成されるモールド樹脂封止部20
とリード曲げ部26との間にタイバー部16を設けなけ
ればならなくなる。
【0010】しかし、この場合、タイバー部16の幅は
例えば0.4mm〜0.05mmと狭くなり、充分に広
いタイバー幅を確保することができなくなる。この結
果、図13に示すように、モールド樹脂封止工程におい
て、アウターリード部14とダイバー部16とに囲まれ
た空間にモールド樹脂が充填されてダムレジン22が形
成される際の圧力に幅の狭いタイバー部16が耐えるこ
とができず、タイバー部16が変形して、結局はアウタ
ーリード部14の曲げ形状が変形する不良が発生すると
いう問題を生じる。
【0011】また、上記問題を回避するために、タイバ
ー部16をパッケージ部12とリード曲げ部26との間
に設ける代わりに、図14及び図15に示すように、ダ
イバー部16に十分に広い幅をもたせると共に、この十
分に広い幅をもったダイバー部16をリード曲げ部26
とリード先端との間に設けることとする。
【0012】この場合には、図16に示すように、ダイ
バー部16は十分に広い幅をもつことが可能になり、ダ
ムレジン22が形成される際の圧力によるダイバー部1
6の変形を防止することができるが、その反面、モール
ド樹脂封止部20の端面からダイバー部16までの距離
が長くなるため、アウターリード部14とダイバー部1
6とに囲まれた空間に形成されるダムレジン22の量が
非常に増大する。この結果、モールド樹脂抜き工程時に
飛散するモールド樹脂量が増大して、アウターリード部
14に付着するモールド樹脂量も増大する。そして、こ
のアウターリード部14に付着したモールド樹脂は、そ
の後のリード曲げ加工時にモールド樹脂打痕やリード変
形等の不良を発生させるという問題を生じる。
【0013】また、上記2つの問題を回避するために、
モールド樹脂が充填されたダムレジン22が形成される
際の圧力に耐えることができる程に十分に広い幅をもつ
ダイバー部16をモールド樹脂封止部20の端面からの
距離が長くならないような位置に設けようとすると、ど
うしてもダイバー部16の一部がリード曲げ部26と重
なってしまう。しかし、この場合には、既に上記図7〜
図11を用いて説明したように、アウターリード部14
の曲げ形状が変形するという問題を生じる。
【0014】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、十分に広い幅をもつダイバー部をモー
ルド樹脂封止部の端面に近接して設ける際に、ダイバー
部がリード曲げ部と重なっても、アウターリード部の良
好なリード曲げ加工特性を確保することが可能なリード
フレーム及びそれを用いた半導体チップのパッケージ方
法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係るリードフレーム及びそれを用いたパッケージ方
法により達成される。即ち、請求項1に係るリードフレ
ームは、樹脂封止型の半導体装置に使用されるリードフ
レームであって、ダイバー部のアウターリード部に近接
する箇所に貫通孔が設けられていることを特徴とする。
【0016】このように請求項1に係るリードフレーム
においては、ダイバー部のアウターリード部に近接する
箇所に貫通孔が設けられていることにより、ダイバー部
を切断する際に貫通孔を横切って切断すると、アウター
リード部の両サイドに生じるダイバー部の抜きバリが貫
通孔によって分断されることから、この抜きバリが分断
されている箇所では、アウターリード部の両サイドの抜
きバリは著しく減少して殆どなくなる。このため、この
箇所をリード曲げ部としてアウターリード部を折り曲げ
ることにより、ダイバー部がリード曲げ部に重なって
も、各アウターリード部の両サイドの抜きバリに圧縮応
力を生じてアウターリード部の曲げ形状が変形すること
はない。従って、モールド樹脂封止部の端面からリード
曲げ部までの距離を短くし、且つタイバー部の幅を十分
に広くすることが可能になることから、モールド樹脂封
止工程時に形成されるダムレジンの量が抑制されて、ダ
ムレジン抜き工程時にモールド樹脂が飛散しアウターリ
ード部に付着する量が減少すると共に、モールド樹脂封
止工程時における樹脂の流出によりタイバー部が変形す
ることが防止される。このため、リード曲げ加工時にお
けるモールド樹脂打痕、リード変形等の不良の発生が防
止される。
【0017】また、請求項2に係るパッケージ方法は、
上記請求項1記載のリードフレームを用い、このリード
フレームにボンディングした半導体チップを樹脂によっ
て封止するモールド樹脂封止工程と、リードフレームの
ダイバー部に設けた貫通孔を横切ってダイバー部を切断
し、アウターリード部を独立させると共に、ダイバー部
を切断する際にアウターリード部の両サイドに生じるダ
イバー部の抜きバリを貫通孔によって分断するトリミン
グ工程と、抜きバリが分断されている箇所を曲げ部とし
て、アウターリード部を所定の形状に折り曲げるフォー
ミング工程とを有することを特徴とする。
【0018】このように請求項2に係るパッケージ方法
においては、上記請求項1に係るダイバー部のアウター
リード部に近接する箇所に貫通孔が設けられているリー
ドフレームを用いることにより、そのトリミング工程に
おいてダイバー部を切断する際に、貫通孔を横切って切
断して、アウターリード部の両サイドに生じるダイバー
部の抜きバリを貫通孔によって分断することが可能にな
るため、この抜きバリが分断されている箇所では、アウ
ターリード部の両サイドの抜きバリは著しく減少して殆
どなくなる。そして、そのフォーミング工程においてア
ウターリード部を所定の形状に折り曲げる際に、抜きバ
リが分断されて殆どなくなっている箇所を曲げ部とする
ことにより、ダイバー部がリード曲げ部に重なっても、
各アウターリード部の両サイドの抜きバリに圧縮応力を
生じてアウターリード部の曲げ形状が変形することはな
くなる。従って、リードフレームのモールド樹脂封止部
の端面からリード曲げ部までの距離を短くし、且つタイ
バー部の幅の方を十分に広くすることが可能になること
から、モールド樹脂封止工程時に形成されるダムレジン
の量が抑制されて、ダムレジン抜き工程時にモールド樹
脂が飛散しアウターリード部に付着する量が減少すると
共に、モールド樹脂封止工程時における樹脂の流出によ
りタイバー部が変形することが防止される。このため、
リード曲げ加工時におけるモールド樹脂打痕、リード変
形等の不良の発生が防止される。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図1〜図5はそれぞれ
本発明の一実施形態に係る半導体チップのパッケージ方
法を説明するための図であり、そのうちの図1は樹脂封
止型の半導体装置に使用される挿入実装型のリードフレ
ームを示す平面図、図2は図1に示すリードフレームの
モールド樹脂封止後における部分拡大平面図、図3は図
1に示すリードフレームのトリミング後における部分拡
大平面図、図4は図1に示すリードフレームのフォーミ
ング後における部分側面図、図5は図4に示すリードフ
レームの部分拡大側面図である。
【0020】最初に、本実施形態に係る樹脂封止型の半
導体装置に使用される挿入実装型のリードフレーム10
について説明する。このリードフレーム10は、図1に
示すように、半導体チップを搭載して、その電極とイン
ナーリード部(図示せず)とを金属ワイヤによって接続
するパッケージ部12と、インナーリード部に連続する
アウターリード部14と、このアウターリード部14間
を接続して固定すると共に、モールド樹脂封止の際のモ
ールド樹脂の流出を止めるためのダイバー部16とを有
している。そして、この各ダイバー部16のアウターリ
ード部14に近接する2箇所に、円形状の貫通孔18が
設けられている点に本実施形態の特徴がある。
【0021】次に、この図1に示すリードフレーム10
を用いる半導体チップのパッケージ方法について説明す
る。先ず、リードフレーム10のパッケージ部12に半
導体チップをダイボンディングした後、半導体チップの
電極とリードフレーム10のインナーリードとを金属ワ
イヤによって接続するワイヤボンディングを行う(ダイ
ボンディング工程及びワイヤボンディング工程)。
【0022】続いて、半導体チップをモールド樹脂によ
って封止し、パッケージ部12上の半導体チップをモー
ルド樹脂で覆っているモールド樹脂封止部20を形成す
る(モールド樹脂封止工程)。なお、このモールド樹脂
封止工程においては、アウターリード部14とダイバー
部16とに囲まれた空間にもモールド樹脂が充填され、
ダムレジン22が形成される(以上、図2を参照)。
【0023】次いで、このダムレジン22を除去するダ
ムレジン抜き工程を経た後に、各ダイバー部16を切断
して、各アウターリード部14を独立させる(トリミン
グ工程)。そして、このトリミング工程において、各ダ
イバー部16のアウターリード部14に近接する2箇所
に設けられている円形状の貫通孔18を横切ってダイバ
ー部16を切断する点に本実施形態の特徴がある。この
ため、ダイバー部16を切断する際に各アウターリード
部14の両サイドに生じるダイバー部16の抜きバリ2
4は、抜きバリ24aと抜きバリ24bとに2分断さ
れ、その2分断された中間においては、アウターリード
部14の両サイドの抜きバリ24が著しく減少して殆ど
なくなる箇所が生じる(以上、図3を参照)。
【0024】次いで、各ダイバー部16から切り離され
た各アウターリード部14を所定の形状に折り曲げる
(フォーミング工程)。そして、このフォーミング工程
において、抜きバリ24が2分断されてアウターリード
部14の両サイドの抜きバリ24が殆どなくなっている
箇所をリード曲げ部26として、アウターリード部12
を折り曲げる点に本実施形態の特徴がある。このため、
ダイバー部16をリード曲げ部26としてアウターリー
ド部14を折り曲げても、そのリード曲げ部26には抜
きバリ24が殆どないため、そこに圧縮応力が生じてア
ウターリード部14の曲げ形状が変形したりすることは
ない(以上、図4及び図5を参照)。
【0025】以上のように本実施形態によれば、各ダイ
バー部16のアウターリード部14に近接する2箇所に
円形状の貫通孔18が設けられているリードフレーム1
0を用い、これらの円形状の貫通孔18を横切ってダイ
バー部16を切断して、各アウターリード部14の両サ
イドに生じる抜きバリ24を抜きバリ24aと抜きバリ
24bとに2分断した後、この抜きバリ24が2分断さ
れてアウターリード部12の両サイドの抜きバリ24が
殆どなくなっている箇所をリード曲げ部26としてアウ
ターリード部12を折り曲げることにより、ダイバー部
16がリード曲げ部26に重なっても、各アウターリー
ド部14の両サイドの抜きバリ24に圧縮応力が生じて
アウターリード部14の曲げ形状が変形することを防止
することができる。
【0026】そして、ダイバー部16がリード曲げ部に
重なることにより、モールド樹脂封止部20の端面から
リード曲げ部26までの距離を短くし、且つタイバー部
16の幅の方を大きくすることが可能になる。このた
め、モールド樹脂封止工程時に形成されるダムレジン2
2の量を抑制して、ダムレジン抜き工程時にモールド樹
脂が飛散しアウターリード部14に付着する量を減少さ
せると共に、モールド樹脂封止工程時における樹脂の流
出によりタイバー部16が変形することを防止すること
ができる。従って、リード曲げ加工時におけるモールド
樹脂打痕、リード変形等の不良の発生を防止することが
できる。
【0027】なお、上記実施形態においては、各ダイバ
ー部16のアウターリード部14に近接する2箇所に円
形状の貫通孔18を設けているが、貫通孔18の形状は
円形状に限定する必要はない。例えば図6に示すよう
に、円形状の貫通孔18の代わりに、楕円形状の貫通孔
28を設けてもよいし、図示はしないが、例えば正方形
や長方形等、各アウターリード部14の両サイドに生じ
る抜きバリ24を2分断して、アウターリード部12の
両サイドの抜きバリ24が殆どなくなる箇所を形成する
形状であればよい。また、本発明について好適な実施形
態を挙げて説明したが、本発明はこの実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲におい
て多くの改変を施し得るのは勿論である。
【0028】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
るリードフレーム及びそれを用いた半導体チップのパッ
ケージ方法によれば、次のような効果を奏することがで
きる。即ち、請求項1に係るリードフレームは、ダイバ
ー部のアウターリード部に近接する箇所に貫通孔が設け
られていることにより、この貫通孔を横切ってダイバー
部を切断し、この貫通孔によってアウターリード部の両
サイドに生じるダイバー部の抜きバリを分断し、アウタ
ーリード部の両サイドの抜きバリが著しく減少して殆ど
なくなる箇所を設けて、この箇所をリード曲げ部として
アウターリード部を折り曲げることが可能になるため、
ダイバー部がリード曲げ部に重なっても、各アウターリ
ード部の両サイドの抜きバリに圧縮応力を生じてアウタ
ーリード部の曲げ形状が変形することを防止することが
できる。
【0029】また、請求項2に係るパッケージ方法は、
上記請求項1に係るダイバー部のアウターリード部に近
接する箇所に貫通孔が設けられているリードフレームを
用いることにより、そのトリミング工程においてダイバ
ー部を切断する際に、貫通孔を横切って切断し、この貫
通孔によってアウターリード部の両サイドに生じるダイ
バー部の抜きバリを分断し、アウターリード部の両サイ
ドの抜きバリが著しく減少して殆どなくなる箇所を設け
ると共に、そのフォーミング工程においてアウターリー
ド部を所定の形状に折り曲げる際に、抜きバリが分断さ
れて殆どなくなっている箇所を曲げ部とすることが可能
になるため、ダイバー部がリード曲げ部に重なっても、
各アウターリード部の両サイドの抜きバリに圧縮応力を
生じてアウターリード部の曲げ形状が変形することを防
止することができる。
【0030】従って、請求項1、2に係るリードフレー
ム及びそれを用いた半導体チップのパッケージ方法によ
れば、モールド樹脂封止部の端面からリード曲げ部まで
の距離を短くし、且つタイバー部の幅の方を十分に広く
することが可能になることから、モールド樹脂封止工程
時に形成されるダムレジンの量を抑制して、ダムレジン
抜き工程時にモールド樹脂が飛散しアウターリード部に
付着する量を減少すると共に、モールド樹脂封止工程時
における樹脂の流出によりタイバー部が変形することを
防止することが可能になるため、リード曲げ加工時にお
けるモールド樹脂打痕、リード変形等の不良の発生を防
止して、良好なリード曲げ加工特性を確保することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体チップのパッ
ケージ方法を説明するための図であって、樹脂封止型の
半導体装置に使用される挿入実装型のリードフレームを
示す平面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る半導体チップのパッ
ケージ方法を説明するための図であって、図1に示すリ
ードフレームのモールド樹脂封止後における部分拡大平
面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る半導体チップのパッ
ケージ方法を説明するための図であって、図1に示すリ
ードフレームのトリミング後における部分拡大平面図で
ある。
【図4】本発明の一実施形態に係る半導体チップのパッ
ケージ方法を説明するための図であって、図1に示すリ
ードフレームのフォーミング後における部分側面図であ
る。
【図5】本発明の一実施形態に係る半導体チップのパッ
ケージ方法を説明するための図であって、図4に示すリ
ードフレームの部分拡大側面図である。
【図6】本発明の変形例に係るリードフレームを示す部
分平面図である。
【図7】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明す
るための図(その1)であって、樹脂封止型の半導体装
置に使用される挿入実装型のリードフレームを示す平面
図である。
【図8】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明す
るための図(その1)であって、図7に示すリードフレ
ームのトリミング後における部分拡大平面図である。
【図9】図8に示すリードフレームをA方向から見た側
面図である。
【図10】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明
するための図(その1)であって、図7に示すリードフ
レームのフォーミング後における部分側面図である。
【図11】図10に示すリードフレームの部分拡大側面
図である。
【図12】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明
するための図(その2)であって、フォーミング後にお
けるリードフレームを示す部分側面図である。
【図13】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明
するための図(その2)であって、トリミング後におけ
るリードフレームを示す部分拡大平面図である。
【図14】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明
するための図(その3)であって、樹脂封止型の半導体
装置に使用される挿入実装型のリードフレームを示す平
面図である。
【図15】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明
するための図(その3)であって、図14に示すリード
フレームのフォーミング後における部分側面図である。
【図16】従来の半導体チップのパッケージ方法を説明
するための図(その3)であって、図14に示すリード
フレームのモールド樹脂封止後における部分拡大平面図
である。
【符号の説明】
10…リードフレーム、12…パッケージ部、14…ア
ウターリード部、16…ダイバー部、18…円形状の貫
通孔、20…モールド樹脂封止部、22…ダムレジン、
24、24a、24b…ダイバー部の抜きバリ、26…
リード曲げ部、28…楕円形状の貫通孔。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂封止型の半導体装置に使用されるリ
    ードフレームであって、ダイバー部のアウターリード部
    に近接する箇所に、貫通孔が設けられていることを特徴
    とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のリードフレームを用い、
    前記リードフレームにボンディングした半導体チップを
    樹脂によって封止するモールド樹脂封止工程と、 前記リードフレームのダイバー部に設けた貫通孔を横切
    って前記ダイバー部を切断し、アウターリード部を独立
    させると共に、前記ダイバー部を切断する際に前記アウ
    ターリード部の両サイドに生じる前記ダイバー部の抜き
    バリを前記貫通孔によって分断するトリミング工程と、 前記抜きバリが分断されている箇所を曲げ部として、前
    記アウターリード部を所定の形状に折り曲げるフォーミ
    ング工程と、 を有することを特徴とするパッケージ方法。
JP10124375A 1998-05-07 1998-05-07 リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法 Pending JPH11317484A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10124375A JPH11317484A (ja) 1998-05-07 1998-05-07 リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10124375A JPH11317484A (ja) 1998-05-07 1998-05-07 リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11317484A true JPH11317484A (ja) 1999-11-16

Family

ID=14883851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10124375A Pending JPH11317484A (ja) 1998-05-07 1998-05-07 リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11317484A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103515246A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 三菱电机株式会社 半导体装置的制造方法以及半导体装置
TWI427750B (zh) * 2010-07-20 2014-02-21 Siliconix Electronic Co Ltd 包括晶粒及l形引線之半導體封裝及其製造方法
WO2016051595A1 (ja) * 2014-10-03 2016-04-07 三菱電機株式会社 リードフレーム、半導体装置の製造方法
DE102023100472A1 (de) 2022-01-25 2023-07-27 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI427750B (zh) * 2010-07-20 2014-02-21 Siliconix Electronic Co Ltd 包括晶粒及l形引線之半導體封裝及其製造方法
CN103515246A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 三菱电机株式会社 半导体装置的制造方法以及半导体装置
JP2014007269A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2016051595A1 (ja) * 2014-10-03 2016-04-07 三菱電機株式会社 リードフレーム、半導体装置の製造方法
JPWO2016051595A1 (ja) * 2014-10-03 2017-04-27 三菱電機株式会社 リードフレーム、半導体装置の製造方法
DE102023100472A1 (de) 2022-01-25 2023-07-27 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101054602B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
JP2009152620A (ja) 半導体装置
US9385071B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JPH06291234A (ja) 半導体装置用リードフレームおよびこれを使用した半導体装置の製造方法
JP2006100636A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11317484A (ja) リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法
US20230005827A1 (en) Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method
JPH0545063B2 (ja)
KR20020093250A (ko) 리드 노출형 리드 프레임 및 그를 이용한 리드 노출형반도체 패키지
JP2866816B2 (ja) リードフレーム
JP3111759B2 (ja) リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP2010056371A (ja) 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JPH0738036A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4764608B2 (ja) 半導体装置
JPH10154784A (ja) リードフレームの製造方法
US20140027894A1 (en) Resin molded semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100357876B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조 방법
JPH01133340A (ja) リードフレームおよびその製造方法
KR200168394Y1 (ko) 반도체 패키지의 리드 프레임
JP2710515B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
JP4225312B2 (ja) 半導体装置
JPH08264702A (ja) 半導体装置のリードフレーム及びこれを用いた半導体装置
JPH05206347A (ja) 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用リードフレーム
JPH09321203A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びこの方法を用いて製造した半導体装置、並びにリードフレーム
JP2003086749A (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびにリードフレーム