JPH0545063B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0545063B2
JPH0545063B2 JP61216342A JP21634286A JPH0545063B2 JP H0545063 B2 JPH0545063 B2 JP H0545063B2 JP 61216342 A JP61216342 A JP 61216342A JP 21634286 A JP21634286 A JP 21634286A JP H0545063 B2 JPH0545063 B2 JP H0545063B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tie bar
resin
lead frame
lead
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61216342A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6370548A (ja
Inventor
Toshiaki Shinohara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61216342A priority Critical patent/JPS6370548A/ja
Publication of JPS6370548A publication Critical patent/JPS6370548A/ja
Publication of JPH0545063B2 publication Critical patent/JPH0545063B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置の組立工程に
おいて使用されるリードフレームに関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第４図は、集積回路（IC）等に供される従来
のリードフレームの形状を示す斜視図である。リ
ードフレームは、薄い金属条からエツチング処理
又は金型による抜きにより、所定のパターンに形
成される。第４図において、１はアウタリード２
間を接続するタイバ、３は樹脂中に封止されるイ
ンナリード、４はチツプをのせるダイスパツドで
ある。
第５図は、ダイスパツド４にチツプ５が接合さ
れ、チツプ５とインナリード３との間が電気的接
続のために金線等の細線６で接続された状態を示
す斜視図である。この後、チツプ５は、熱硬化型
樹脂により封止、成形される 成形後の状態を第６図に示す。同図において、
７はタイバ１とアウタリード２により挟まれた所
に成形された樹脂（以下「ダムバリ」という）、
８はパツケージである。第６図に示すように、タ
イバ１はアウタリード２の変形防止のための補強
と樹脂封止時の樹脂の流出を防ぐ役目がある。
この後、第７図に示すように、破線部９の抜き
落とし（以下「タイバカツト」という）、破線部
１０のカツト（リードカツト）および破線部１１
のカツト（ピンチカツト）を行なうことにより、
リード部分以外をリードフレームより切り離し、
第８図に示すようにリードを曲げることにより最
終外形を形成する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のリードフレームにおいては、第７図に示
すタイバカツト時、金属部分であるタイバ１と樹
脂からなるダムバリ７を同時に打ち抜くが、第９
図、第１０図に示すように、ダムバリ周辺が残部
１２ａ，１２ｂで示すように樹脂側に残り、実際
使用時にトラブルを引き起こす。また、ダムバリ
７切断時の飛散くずによりリード曲げ時にバリの
かみこみが発生し、外観不良を生じる。タイバ１
と同時にタムバリ７も打ち抜くため、樹脂中のフ
イラ（シリカ）により刃物の摩耗が激しく、刃物
の交換頻度が多くなるという不具合を有してい
た。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、外観不良を生ぜ
ず、刃物の寿命を延ばすことができる半導体装置
用リードフレームを得ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
このような目的を達成するために本発明は、樹
脂封止型半導体装置の組立工程に使用されるリー
ドフレームにおいて、封止樹脂より外側のアウタ
リード間をつなぐタイバを設け、このタイバの内
側を封止樹脂側面に接近させ、アウタリード近傍
のタイバ内に２個の穴を設け、この穴と封止樹脂
側面との間の最終的にタイバを切り離す位置にシ
ヤーカツトを設けるようにしたものである。
〔作用〕
本発明においては、バリにより曲げ時のかみこ
みがなく、外観不良が生じない。また、タイバカ
ツトの刃は金属部のみ打ち抜くので、刃の寿命を
延ばすことができる。
〔実施例〕
第１図は本発明に係わる半導体装置用リードフ
レームの一実施例の部分図であり、第２図は第１
図Ａ部の拡大図である。第１図、第２図におい
て、２はアウタリード、１３はタイバ、１３ａお
よび１３ｂはタイバ１３の内側および外側、１４
は穴、１５はシヤーカツト、１６はタイバカツト
パンチの刃でカツトされる部分を示す破線部、１
７はダムバリ、１８は封止樹脂としてのパツケー
ジである。
第１図、第２図に示すように、タイバ１３の内
側１３ａをパツケージ１８に近づけ、フレーム寸
法公差等で発生する封止工程での位置ずれによる
タイバ１３のパツケージ１８中への食い込みのな
い程度のすきまをあけておく。通常このすきまは
0.1mm程度以下なので、タムバリ１７として残つ
たとしても全く問題にならない。また、アウタリ
ード２の近傍のタイバ１３内の穴１４を１つの接
続部に２個設け、内側１３ａに近い部分のタイバ
１３の左右両側を破線部１６で示すタイバカツト
の幅又はこれに近い寸法の幅でシヤーカツトし、
アウタリード２と切り離し、このシヤーカツト１
５でタイバ１３とアウタリード２とがすきまない
状態で接するようにする。
上述したようなリードフレームを用いて樹脂封
止を行なうと、樹脂はタイバ１３の内側１３ａで
止められ、かつ、シヤーカツト１５でタイバ１３
とアウタリード２とはすきまなく接しているた
め、樹脂の流出はない。次に、タイバカツトの刃
で、破線部１６に示すように、タイバ１３を穴１
４を介して切断することにより、タイバ１３全体
がアウタリード２より切り離される。次にリード
曲げを行なう。リードを曲げた状態を第３図に示
す。
上述の実施例においては、デユアルインライン
型のICについて説明したが、本発明はこれに限
らず、タイバを有する樹脂封止型の半導体装置全
般に適用できると共に、半導体装置以外でも、タ
イバに類する樹脂流れ止めを有し、最終的にはこ
の樹脂流れ止めを取り除くものについては応用が
可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、封止樹脂より外
側のアウタリード間をつなぐタイバを備え、この
タイバの内側を封止樹脂側面に接近させ、アウタ
リード近傍のタイバ内に２個の穴を設け、この穴
と封止樹脂側面との間の最終的にタイバを切り離
す位置にシヤーカツトを設けたことにより、ダム
バリ残りがなくなるので実際の使用時にダムバリ
の落下によるトラブルを防ぐことができ、ダムバ
リを切断しないのでダムバリの飛散による曲げ時
のかみこみがなく外観不良がなくなり、またバリ
のかみこみによる接触不良が発生しないという効
果がある。また、タイバカツトの刃は金属部のみ
打ち抜くため、刃の寿命を延ばす効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係わる半導体装置用リードフ
レームの一実施例の一部を示す部分平面図、第２
図は第１図のＡ部拡大図、第３図はリード曲げの
状態を示す部分斜視図、第４図および第５図は従
来の半導体装置用リードフレームを示す斜視図、
第６図は半導体装置を樹脂封止した状態の従来の
リードフレームを示す斜視図、第７図は従来の半
導体装置用リードフレームを示す平面図、第８図
は半導体装置の最終外形を示す斜視図、第９図は
従来の半導体装置用リードフレームにおけるダム
バリの残部を示す部分平面図、第１０図はそのリ
ード曲げの状態を示す部分斜視図である。 ２……アウタリード、１３……タイバ、１３ａ
……内側、１３ｂ……外側、１４……穴、１５…
…シヤーカツト、１６……破線部、１７……ダム
バリ、１８……パツケージ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 樹脂封止型半導体装置の組立工程に使用され
    るリードフレームにおいて、封止樹脂より外側の
    アウタリード間をつなぐタイバを備え、このタイ
    バは、内側が前記封止樹脂側面に接近し、前記ア
    ウタリード近傍に設けられた２個の穴を有し、こ
    の穴と前記封止樹脂側面との間の最終的にタイバ
    を切り離す位置にシヤーカツトを有することを特
    徴とする半導体装置用リードフレーム。
JP61216342A 1986-09-12 1986-09-12 半導体装置用リ−ドフレ−ム Granted JPS6370548A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61216342A JPS6370548A (ja) 1986-09-12 1986-09-12 半導体装置用リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61216342A JPS6370548A (ja) 1986-09-12 1986-09-12 半導体装置用リ−ドフレ−ム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6370548A JPS6370548A (ja) 1988-03-30
JPH0545063B2 true JPH0545063B2 (ja) 1993-07-08

Family

ID=16687046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61216342A Granted JPS6370548A (ja) 1986-09-12 1986-09-12 半導体装置用リ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6370548A (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298165A (ja) * 1988-10-05 1990-04-10 Goto Seisakusho:Kk 電子部品用リードフレーム及びこれを用いた電子部品の製造方法
JPH03257836A (ja) * 1990-03-07 1991-11-18 Rohm Co Ltd 合成樹脂封止型電子部品におけるモールド部の成形方法
JP2593365Y2 (ja) * 1991-04-22 1999-04-05 ローム株式会社 電子部品用リードフレームの構造
JP2928120B2 (ja) * 1995-01-18 1999-08-03 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2000188366A (ja) 1998-12-24 2000-07-04 Hitachi Ltd 半導体装置
JP5755186B2 (ja) * 2012-06-25 2015-07-29 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN116690399B (zh) * 2023-08-07 2023-09-26 烟台一诺电子材料有限公司 一种键合丝抛光涂层一体化装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525584U (ja) * 1975-06-27 1977-01-14
JPS533011U (ja) * 1976-06-25 1978-01-12
JPS5988854A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 Toshiba Corp 半導体装置
JPS59134857A (ja) * 1983-01-21 1984-08-02 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6123348A (ja) * 1984-07-12 1986-01-31 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525584U (ja) * 1975-06-27 1977-01-14
JPS533011U (ja) * 1976-06-25 1978-01-12
JPS5988854A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 Toshiba Corp 半導体装置
JPS59134857A (ja) * 1983-01-21 1984-08-02 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6123348A (ja) * 1984-07-12 1986-01-31 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6370548A (ja) 1988-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0362561A (ja) リード・フレームと集積回路を組立てる方法
KR20050004059A (ko) 반도체 장치 및 리드 프레임
JPH0545063B2 (ja)
US4592131A (en) Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device
JP2580740B2 (ja) リードフレーム
JPH073849B2 (ja) リ−ドフレ−ム
JPH08318328A (ja) リード切断用金型
JP2866816B2 (ja) リードフレーム
JP2648353B2 (ja) リードフレームの製造方法
JPH11317484A (ja) リードフレーム及びそれを用いたパッケージ方法
JPS6084850A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0493057A (ja) 電子部品用リードフレーム及びこれを用いた電子部品の製造方法
JP2710515B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
JP2532490B2 (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPS63308358A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH10154784A (ja) リードフレームの製造方法
JP2963244B2 (ja) 電子部品用リードフレームの構造
JPH02205060A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP2508612Y2 (ja) リ―ドフレ―ム
JPH0766350A (ja) 半導体装置用リードフレーム
KR0152577B1 (ko) 각형 위치 정렬 핀을 이용한 외부리드의 언더 컷 방지 방법
JPH01296650A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6150379B2 (ja)
JP2003127184A (ja) 樹脂封止金型およびタイバ−切断装置
JPS635912B2 (ja)