JPS59134857A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59134857A
JPS59134857A JP58008137A JP813783A JPS59134857A JP S59134857 A JPS59134857 A JP S59134857A JP 58008137 A JP58008137 A JP 58008137A JP 813783 A JP813783 A JP 813783A JP S59134857 A JPS59134857 A JP S59134857A
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JP
Japan
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island
net
resin
semiconductor element
edge
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JP58008137A
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Hisaharu Sakurai
桜井　寿春
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来の半導体装置の一例は第１図に示す如くで、アイラ
ンド部／ａおよびリード部／ｂを有するリードフレーム
ｌと、アイランド部／ａ上に載置された半導体素子コと
、半導体素子ａ上の電極とリード部／１）とを接続する
細線、例えば金ワイヤ３と、アイランド部／ａ、半導体
素子コおよび細線３をモールドする樹脂ダとを備えてい
る。
〔背景技術の問題点〕
しかるに、従来の半導体装置では、牛導体素子コが大型
化し、特に！ｒ　ｍ”以上のものでは１図示のように、
マイクロクログクＳが発生し、熱サイクル疲労を加える
とクラックが成長し、底面に達する到るものである。こ
れは、リードフレーム／の材料であるＱアロイ（Ｎｉが
ダ２チ、残部がＦｅと微量の添加物からなる）と樹脂ダ
の材料との熱膨張率の差から生ずる応力がアイランド縁
部に集中するために起こる。クラックが底面にまで達す
ると、水分が侵入し、耐湿性が弱くなる等の問題がある
。このような問題は、樹脂ダとして、高熱伝導性のもの
が要求される場合に特に深刻であった。
高熱伝導性の樹脂は一般に熱膨張率が大きく、従ってク
ラックの発生がおきやすいからである。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、樹脂部のクラックが生じにくい半導体
装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の半導体装置は、アイランド部の下面に。
該下面の周縁部から縁部が突出するように金属またはガ
ラスのメツシーを接合したものである。
〔発明の実施例〕
第２図は１本発明の一実施例を示すものである７この実
施例の半導体装置は、第１図のものと同様。
アイランド部／ａおよびリード部ｌｂを有するリードフ
レームｌと、アイランド部ｌａ上に載置された半導体素
子コと、半導体素子コ上の電極とリード部／ｂとを接続
する細線１例えば金ワイヤ３と、アイランド部／ａ、半
導体素子λおよび細線３をモールドする樹脂グとを備え
ているほか９図示のように、アイランド部／ａの下面に
、縁部６ａがアイランド部／への周縁部／ｃから突出す
るように接着剤または半田により接合されたメッシュメ
、７シユ６の縁部６ａの、アイランド部／ａ周縁部／ｃ
からの突出長は例えば／ｌｔｒｍ程度とする。
このメツジュロは、太さθ、／〜θ、Ｓ−程度の単線ま
たはより線を第３図に示すように編んだものである。
メツシュの材料としては、樹脂との熱膨張率の差が小さ
いアルミニウム、銅等がよいがガラス等の絶縁材料を用
いてもよい。
メツジュロのアイランド部乙の下面への接合は。
アイランド部／ａに素子λを載置する前でも、後でもよ
く、またワイヤ、ポンディ７グ（細線３の接続）より後
でもよい。
このような構造の半導体装置では、樹脂ｌがメツシー６
の編み目や先端部の線間のすきまにまわり込み、それぞ
れの部所で応力分散が行なわれる。
このため、クラックの発生が抑制される。
第グ図は、本発明の他の実施例を示すものである。この
実施例では、メツジュロとして、ガラスクロスで形成さ
れ、アイランド部／ａの下面を覆うのみならずリード部
／ｂに達する拡がりを持ち、リード部／ｂにも接合され
ているものが用いられている。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明では、アイランド部／ａの下面に
、縁部が突出するメ１．シーを接合したので、クラ２り
の発生を抑制することができる。従って、樹脂として、
熱膨張率の大きい高熱伝導性のものを用いることについ
ての制約（クラ、７りの発生がなくなる。また、メツシ
ュとして銅、アルミニウム等高熱伝導性の材料のものを
用いれば、半導体素子ユからの熱発散がさらに良好にな
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の一例を示す断面図。 第２図は本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図、
第３図は本発明で用いられるメツシーの一例を示す図、
第７図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・リードフレーム−／ａ・・・アイランド部、／
ｂ・・・リード部、ユ・・・半導体素子、３・・・細線
、ｔ・・・ｍ脂、−１−・・−クラ１．り、乙・・・メ
ツシシュ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アイランド部およびリード部を有するリードフレームと
    、前記アイランド部上に載置された半導体素子と２該半
    導体素子上の電極と前記リード部とを接続する細線と、
    前記アイランド部、半導体素子および前記細線をモール
    ドする樹脂部とを備える半導体装置において、前記アイ
    ランド部の下面に前記下面の周縁部から縁部が突出する
    ように金属またはガラスのメツシュを接合したことを特
    徴とする半導体装置。
JP58008137A 1983-01-21 1983-01-21 半導体装置 Pending JPS59134857A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6370548A (ja) * 1986-09-12 1988-03-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
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