JPH03169057A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03169057A JPH03169057A JP31017589A JP31017589A JPH03169057A JP H03169057 A JPH03169057 A JP H03169057A JP 31017589 A JP31017589 A JP 31017589A JP 31017589 A JP31017589 A JP 31017589A JP H03169057 A JPH03169057 A JP H03169057A
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- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に電極パッド部及び電気
的導通部の構造に関する． 〔従来の技術〕 従来、半導体装置のパッケージ内部の構造は、第４図に
示すように、リードフレーム３とこれに固着された半導
体素子６上の電極パッド部１とリードフレーム３の外部
リード９とを接続するボンディングワイヤー５と樹脂封
止材７により構成されていた．そして半導体素子６の電
極パッド部１はアルミニウム、ボンディングワイヤー５
は金などで、リードフレーム３のボンデイング部４は金
または銀などで、リードフレーム素材は鉄ニッケル合金
または銅合金で構戒されている．このためパッケージ内
で電気化学的に最も卑となる部分は半導体素子の電極パ
ッド部となっていた。
的導通部の構造に関する． 〔従来の技術〕 従来、半導体装置のパッケージ内部の構造は、第４図に
示すように、リードフレーム３とこれに固着された半導
体素子６上の電極パッド部１とリードフレーム３の外部
リード９とを接続するボンディングワイヤー５と樹脂封
止材７により構成されていた．そして半導体素子６の電
極パッド部１はアルミニウム、ボンディングワイヤー５
は金などで、リードフレーム３のボンデイング部４は金
または銀などで、リードフレーム素材は鉄ニッケル合金
または銅合金で構戒されている．このためパッケージ内
で電気化学的に最も卑となる部分は半導体素子の電極パ
ッド部となっていた。
上述した従来の半導体装置は、樹脂封止する樹脂自体に
水分やイオン性不純物を含み、また外部からの水分やイ
オン性不純物を吸収した場合、この水分やイオン性不純
物の吸収量がある限度を超えるとパッケージ内で最も電
気化学的に卑である半導体素子の電極パッド部が優先的
に腐食され回路の導通不良が起こるという欠点がある。
水分やイオン性不純物を含み、また外部からの水分やイ
オン性不純物を吸収した場合、この水分やイオン性不純
物の吸収量がある限度を超えるとパッケージ内で最も電
気化学的に卑である半導体素子の電極パッド部が優先的
に腐食され回路の導通不良が起こるという欠点がある。
本発明の半導体装置は、パッケージ内部で半導体素子の
電極パッド部との電気的導通部に、電極パッド部よりも
電気化学的に卑な金属部分を有することを特徴とする。
電極パッド部との電気的導通部に、電極パッド部よりも
電気化学的に卑な金属部分を有することを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図であり、第２図
は第１図のＡ−Ａ’断面図である。本実施例の半導体装
置８は、リードフレーム３とこれに固着された半導体素
子６上の電極パッド部ｌとリードフレーム３の外部リー
ド９とを接続するボンディングワイヤー５とリードフレ
ーム３上に付着された電極パッド部１よりも電気化学的
に卑な物質（以後ダミー物質）２、樹脂封止材７を含む
。
は第１図のＡ−Ａ’断面図である。本実施例の半導体装
置８は、リードフレーム３とこれに固着された半導体素
子６上の電極パッド部ｌとリードフレーム３の外部リー
ド９とを接続するボンディングワイヤー５とリードフレ
ーム３上に付着された電極パッド部１よりも電気化学的
に卑な物質（以後ダミー物質）２、樹脂封止材７を含む
。
本実施例によれば、パッケージ内１ｏに浸入した水分や
イオン性不純物はダミー物質２を腐食し、半導体素子６
の電極パッド部１は防食される．このため本発明の半導
体装置８は、従来品よりも耐湿性が大幅に向上し製品寿
命も飛躍的に向上する． 第３図は本発明の第２の実施例の断面図である．この実
施例は第１の実施例のダミー物質２をリードボンディン
グ部のめっき４上に付着させている。この実施例では、
リードボンディング部の上にダミー物質２を付着させて
いることから半導体装置６の電極パッド部１を防食する
と同時にボンディングワイヤー５のリードボンディング
部からのはがれを防止する。
イオン性不純物はダミー物質２を腐食し、半導体素子６
の電極パッド部１は防食される．このため本発明の半導
体装置８は、従来品よりも耐湿性が大幅に向上し製品寿
命も飛躍的に向上する． 第３図は本発明の第２の実施例の断面図である．この実
施例は第１の実施例のダミー物質２をリードボンディン
グ部のめっき４上に付着させている。この実施例では、
リードボンディング部の上にダミー物質２を付着させて
いることから半導体装置６の電極パッド部１を防食する
と同時にボンディングワイヤー５のリードボンディング
部からのはがれを防止する。
以上説明したように本発明は、半導体装置パッケージ内
で半導体素子の電極パッドの電気的導通部に電極パッド
部よりも電気化学的に卑な部分を有することにより半導
体素子の電極パッド部を防食することができ、半導体装
置の耐湿性、信頼性を飛躍的に向上させる。特に樹脂封
止型半導体装置では、樹脂封止する樹脂自体に水分やイ
オン性不純物を含むこと、またガラス封止型半導体装置
よりも外部から水分やイオン性不純物を吸収しやすいこ
とから本発明の効果は著しく発揮される。
で半導体素子の電極パッドの電気的導通部に電極パッド
部よりも電気化学的に卑な部分を有することにより半導
体素子の電極パッド部を防食することができ、半導体装
置の耐湿性、信頼性を飛躍的に向上させる。特に樹脂封
止型半導体装置では、樹脂封止する樹脂自体に水分やイ
オン性不純物を含むこと、またガラス封止型半導体装置
よりも外部から水分やイオン性不純物を吸収しやすいこ
とから本発明の効果は著しく発揮される。
また、従来耐湿性の問題によりガラス封止していた半導
体装置の一部は樹脂封止できるため大幅なコストダウン
が可能となる。
体装置の一部は樹脂封止できるため大幅なコストダウン
が可能となる。
第工図は本発明の第１図を示す平面図、第２図は第１図
のＡ−Ａ’断面図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す断面図、第４図は従来例の断面図である。 １・・・半導体素子の電極パッド部、２・・・ダミー物
質、３・・・リードフレーム（鉄ニッケル合金または銅
合金）、４・・・リードボンディング部めっき（金また
は銀または錫ニッケル合金〉、５・・・ボンディングワ
イヤー ６・・・半導体素子、７・・・樹脂封止材、８
・・・半導体装置、９・・・リードフレーム外部リード
（パッケージ部外リード）、１０・・・半導体装置パッ
ケージ部。
のＡ−Ａ’断面図、第３図は本発明の第２の実施例を示
す断面図、第４図は従来例の断面図である。 １・・・半導体素子の電極パッド部、２・・・ダミー物
質、３・・・リードフレーム（鉄ニッケル合金または銅
合金）、４・・・リードボンディング部めっき（金また
は銀または錫ニッケル合金〉、５・・・ボンディングワ
イヤー ６・・・半導体素子、７・・・樹脂封止材、８
・・・半導体装置、９・・・リードフレーム外部リード
（パッケージ部外リード）、１０・・・半導体装置パッ
ケージ部。
Claims (1)
- パッケージ内部で半導体素子の電極パッド部との電気的
導通部に、電極パッド部よりも電気化学的に卑な金属部
分を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31017589A JPH03169057A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31017589A JPH03169057A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03169057A true JPH03169057A (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=18002079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31017589A Pending JPH03169057A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03169057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144754A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製装置 |
| WO2002011203A3 (en) * | 2000-07-31 | 2003-07-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP31017589A patent/JPH03169057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144754A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製装置 |
| WO2002011203A3 (en) * | 2000-07-31 | 2003-07-31 | Koninkl Philips Electronics Nv | Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance |
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