JPH1174440A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
し、金属細線とインナーリード部の安定した接続が可能
となり、高信頼性、薄型化を実現する。 【解決手段】 リードフレーム9の支持部11に搭載さ
れた半導体素子12と、この半導体素子12の電極とリ
ードフレーム9のインナーリード部13とを接続した金
属細線14と、封止樹脂15とを備え、支持部11がイ
ンナーリード部13より上方に位置するようにリードフ
レーム9をアップセット処理したので、支持部11の下
方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂15が存在
し、リードフレーム9と封止樹脂15との密着性を向上
させることができる。また、インナーリード部13の表
面に、少なくとも1本の溝部を設けたので、封止樹脂1
5とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレ
スや金属細線14へのストレスを緩和させることがで
き、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。
Description
上に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子上
面側を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置およびその
製造方法に関するものである。
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。小型化・薄型化のためには、樹脂テープを用いたT
AB実装技術が開発されているが、リードフレームを用
いた薄型の半導体製品の開発においては、リードフレー
ムに半導体素子を搭載し、その搭載面を封止樹脂で封止
する片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置が開発され
ている。
て説明する。図5は、従来の樹脂封止型半導体装置を示
す断面図である。図5に示す従来の樹脂封止型半導体装
置は、リードフレーム1のダイパッド部2上に半導体素
子3が搭載され、その半導体素子3の電極(図示せず)
とリードフレーム1のインナーリード部4とが金属細線
5により電気的に接続されている。そしてリードフレー
ム1の片面、すなわちリードフレーム1の半導体素子3
が搭載された面の半導体素子3の外囲領域は封止樹脂6
により封止されているものである。
樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置の底面に
外部電極であるアウターリード部7を配列した構造を有
し、リードフレーム1の半導体素子3が搭載された面の
みが封止樹脂6により封止され、リードフレーム1の裏
面側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止
型半導体装置が実現するものである。
装置の製造方法にあっては、まずリードフレーム1のイ
ンナーリード部4の先端部に機械的または化学的な加工
により、テーパー形状を形成し、そしてリードフレーム
1上に半導体素子3を接合するものである。次いで、半
導体素子3とリードフレーム1のインナーリード部4と
を金属細線5により電気的に接続した後、トランスファ
ーモールドによりリードフレーム1の半導体素子搭載面
を封止樹脂6により封止するものである。最後に外部電
極を形成するために、封止樹脂6から突出したリードフ
レーム1のアウターリード部7を加工して樹脂封止型半
導体装置を完成するものである。
樹脂封止型半導体装置以外に、図6に示すような構造も
ある。図6に示す樹脂封止型半導体装置は、リードフレ
ーム1のインナーリード部4の先端部4aに対して、半
導体素子3を搭載するための絶縁性の樹脂テープ8を接
合し、ダイパッド部を形成したものである。そしてその
樹脂テープ8上に半導体素子3を搭載後、半導体素子3
の電極とインナーリード部4とを金属細線5により電気
的に接続し、リードフレーム1の半導体素子3搭載面を
封止樹脂6により封止した構造である。この図6に示し
た樹脂封止型半導体装置では、図5に示した樹脂封止型
半導体装置よりも、薄型化が図れるというメリットがあ
る。すなわち、図6に示した樹脂封止型半導体装置で
は、リードフレーム1のインナーリード部4の下面に樹
脂テープ8を接合し、その上面に半導体素子3を搭載し
ているので、インナーリード部4の上面と、半導体素子
3の上面との段差が低くなり、その結果、封止樹脂6の
樹脂厚も薄くなり、樹脂封止型半導体装置としての厚み
が薄型となるものである。図5に示した樹脂封止型半導
体装置では、インナーリード部4と同一面にあるダイパ
ッド部2上に半導体素子3を搭載しているので、図6に
示した樹脂封止型半導体装置ほど封止樹脂6の厚みを薄
くすることはできない。
脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実
質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、
すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止し
た構造である。そのため、インナーリード部にテーパー
形状を形成したとしても、全体的にリードフレームと封
止樹脂との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、
製品の信頼性が低下するという課題があった。また、実
質的にリードフレームの片面のみを樹脂封止している構
造であるため、封止樹脂の応力により半導体素子が悪影
響を受けたり、封止樹脂にパッケージクラックが発生す
るという課題もあった。さらにインナーリード部と半導
体素子とを金属細線で接続し、片面封止した際には、片
面封止の構造の応力により、金属細線で接続されたイン
ナーリード部に応力による負荷がかかり、接続部分が破
壊されたりして、接続不良が発生するという課題もあっ
た。
の課題を解決するものであり、リードフレームと封止樹
脂の密着性を保持し、金属細線とインナーリード部の安
定した接続が可能となり、高信頼性を有し、薄型化を実
現した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供
することである。
にこの発明の請求項1記載の樹脂封止型半導体装置は、
リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、こ
の半導体素子の上面の電極とリードフレームのインナー
リード部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子
の上面の金属細線領域と支持部の下部領域とを含む半導
体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、封止樹脂の底
面領域に配列されたインナリード部に連続して形成され
た外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、
支持部がインナーリード部より上方に位置するようにリ
ードフレームをアップセット処理したことを特徴とす
る。
り上方に位置するようにリードフレームをアップセット
処理したので、支持部の下方にアップセットの段差分の
厚さの封止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂と
の密着性を向上させることができ、製品の信頼性を保つ
ことができる。また、リードフレームの上面と下面との
両面で樹脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの
段差分の厚さであるため、薄型化は実現できるものであ
る。
リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、こ
の半導体素子の上面の電極とリードフレームのインナー
リード部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子
の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封
止した封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配列されたイ
ンナリード部に連続して形成された外部端子とを備えた
樹脂封止型半導体装置であって、インナーリード部の表
面に、少なくとも1本の溝部が設けられている。
少なくとも1本の溝部が設けられているので、封止樹脂
とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレス
や金属細線へのストレスを緩和させることができ、リー
ド剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。このため、製
品の信頼性を保つことができる。請求項3記載の樹脂封
止型半導体装置は、リードフレームの支持部に搭載され
た半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体
素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、封止樹脂の底面
領域に配列されたインナリード部に連続して形成された
外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、イ
ンナーリード部の表面に複数の溝部が設けられ、金属細
線のインナーリード部側の接続部は溝部と溝部との間に
配置されていることを特徴とする。
数の溝部が設けられ、金属細線のインナーリード部側の
接続部は溝部と溝部との間に配置されているので、封止
樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加わるスト
レスや金属細線へのストレスを緩和させることができ、
リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。この場
合、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した構造に
よる応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の
部分にはかからないため、金属細線の接続部分は破壊す
ることなく、安定した接続ができる。
リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、こ
の半導体素子の上面の電極とリードフレームのインナー
リード部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子
の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封
止した封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配列されたイ
ンナリード部に連続して形成された外部端子とを備えた
樹脂封止型半導体装置であって、インナーリード部に幅
広部が設けられていることを特徴とする。
設けられているので、封止樹脂とのアンカー効果および
製品リード部に加わるストレスや金属細線へのストレス
を緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥が
れを防止できる。このため、製品の信頼性を保つことが
できる。請求項5記載の樹脂封止型半導体装置は、リー
ドフレームの支持部に搭載された半導体素子と、この半
導体素子の上面の電極とリードフレームのインナーリー
ド部とを電気的に接続した金属細線と、半導体素子の上
面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止し
た封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配列されたインナ
リード部に連続して形成された外部端子とを備えた樹脂
封止型半導体装置であって、インナーリード部に幅広部
が設けられ、表面に少なくとも1本の溝部が設けられて
いることを特徴とする。
設けられ、表面に少なくとも1本の溝部が設けられてい
るので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部
に加わるストレスや金属細線へのストレスをさらに緩和
させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防
止する効果が向上する。請求項6記載の樹脂封止型半導
体装置は、リードフレームの支持部に搭載された半導体
素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレーム
のインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、
半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外
囲領域を封止した封止樹脂と、封止樹脂の底面領域に配
列されたインナリード部に連続して形成された外部端子
とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、インナーリ
ード部に幅広部が設けられ、表面に複数の溝部が設けら
れ、金属細線のインナーリード部側の接続部は溝部と溝
部との間に配置されていることを特徴とする。
設けられ、表面に複数の溝部が設けられ、金属細線のイ
ンナーリード部側の接続部は溝部と溝部との間に配置さ
れているので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リ
ード部に加わるストレスや金属細線へのストレスをさら
に緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥が
れを防止する効果が向上する。この場合、溝部を2本以
上設けて、溝部と溝部との間に金属細線を接続すること
により、ストレスを吸収する効果を向上させることがで
きる。また、封止樹脂でリードフレームの片面を封止し
た構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部
との間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分
は破壊することなく、安定した接続ができる。
請求項1,2,3,4,5または6において、外部端子
の露出面は、封止樹脂の外面と同一面上に配列されてい
る。このように、外部端子の露出面を封止樹脂の外面と
同一面上に配列したので、アウターリード部を従来のよ
うに封止樹脂の側面から突出させずに、封止樹脂の底面
部分に埋め込んだ形で配列することができる。このた
め、外部端子としての信頼性を向上することができると
ともに、外部端子が突出していない分だけ、小型の樹脂
封止型半導体装置を提供することができる。
造方法は、インナーリード部よりダイパッド部が上方に
位置するようにリードフレームをアップセット処理する
工程と、リードフレームのダイパッド部に対して半導体
素子を接合する工程と、半導体素子の電極とリードフレ
ームのインナーリード部とを金属細線により電気的に接
続する工程と、半導体素子の上面の金属細線で電気的に
接続した領域とダイパッド部の下部領域とを含む半導体
素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成する工程と、
リードフレームのアウターリード部を封止樹脂の外面と
同一面となるように成形する工程とを含む。
ッド部が上方に位置するようにリードフレームをアップ
セット処理し、半導体素子の上面の金属細線で電気的に
接続した領域とダイパッド部の下部領域とを含む半導体
素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成するので、ダ
イパッド部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止
樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を
向上させることができ、製品の信頼性を保つことができ
る。また、リードフレームの上面と下面との両面で樹脂
封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚
さであるため、薄型化は実現できる。
造方法は、幅広部と表面に少なくとも1本の溝部が設け
られているインナーリード部を有したリードフレームに
対して半導体素子を接合する工程と、半導体素子の電極
とリードフレームのインナーリード部とを金属細線によ
り電気的に接続する工程と、半導体素子の上面の金属細
線で電気的に接続した領域と半導体素子の下部領域とを
含む半導体素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成す
る工程と、リードフレームのアウターリード部を封止樹
脂の外面と同一面となるように成形する工程とを含み、
半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線によ
り電気的に接続する際、金属細線のインナーリード部側
の接続部を溝部の付近に配置して接続することを特徴と
する。
リード部とを金属細線により電気的に接続する際、金属
細線のインナーリード部側の接続部を溝部の付近に配置
して接続するので、封止樹脂でリードフレームの片面を
封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、金属
細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続がで
きる。また、溝部により封止樹脂とのアンカー効果およ
び製品リード部に加わるストレスを緩和させることがで
き、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。
製造方法は、幅広部と表面に複数の溝部が設けられてい
るインナーリード部を有したリードフレームに対して半
導体素子を接合する工程と、半導体素子の電極とリード
フレームのインナーリード部とを金属細線により電気的
に接続する工程と、半導体素子の上面の金属細線で電気
的に接続した領域と半導体素子の下部領域とを含む半導
体素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成する工程
と、リードフレームのアウターリード部を封止樹脂の外
面と同一面となるように成形する工程とを含み、半導体
素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気
的に接続する際、金属細線のインナーリード部側の接続
部を溝部と溝部との間に配置して接続すること特徴とす
る。
リード部とを金属細線により電気的に接続する際、金属
細線のインナーリード部側の接続部を溝部と溝部との間
に配置して接続するので、封止樹脂でリードフレームの
片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収さ
れ、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金属
細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続がで
きる。この場合、溝部を2本以上設けて、溝部と溝部と
の間に金属細線を接続することにより、ストレスを吸収
する効果を向上させることができる。また、複数の溝部
により封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に
加わるストレスをさらに緩和させることができ、リード
剥がれ、金属細線剥がれを防止する効果が向上する。
型半導体装置を図1〜図4に基づいて説明する。図1は
この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の断面
図、図2はその平面図、図3はそのインナーリード部を
示す拡大断面図、図4(a)はそのインナーリード部先
端を示す拡大平面図、(b)は左側面図、(c)は正面
図である。なお、図2においては、内部構造を示すため
に、便宜上、平面図では一部封止樹脂を透視した図とし
ている。図中、破線は、ダイパッド部と吊りリードの一
部を示している。
止型半導体装置は、リードフレーム9の吊りリード10
で支持されたダイパッド部11に搭載された半導体素子
12と、この半導体素子12の上面の電極とリードフレ
ーム9のインナーリード部13とを電気的に接続した金
属細線14と、半導体素子12の上面の金属細線14領
域とダイパッド部11の下部領域とを含む半導体素子1
2の外囲領域を封止した封止樹脂15と、封止樹脂15
の底面領域に配列されたインナリード部13に連続して
形成された外部端子であるアウターリード部16とを備
えている。リードフレーム9は、ダイパッド部11がイ
ンナーリード部13より上方に位置するようにアップセ
ット処理してある。ここでは、ダイパッド部11は搭載
しようとする半導体素子12よりも面積的に小さい構成
としている。上記のように、この樹脂封止型半導体装置
は、吊りリード10がアップセット処理され、段差部1
7を有しているので、ダイパッド部11の下方にも封止
樹脂15aを存在させることができ、薄型ではあるが実
質的にリードフレーム9に対して両面封止型の半導体装
置である。
ナーリード部13はその先端部に幅広部18を有してお
り、さらに表面に複数の溝部19が形成されている。そ
してインナーリード部の先端部の端面は厚み方向に逆テ
ーパが形成されている。また、アウターリード部16
は、その露出面が封止樹脂15の側面部と実質的に同一
面上に配列され、従来のように封止樹脂15よりも突出
しているものではないため、アウターリード部16の変
形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。ま
た、金属細線14のインナーリード部13側の接続部は
溝部19と溝部19との間に配置されている。
装置は、全体厚が0.7[mm]という非常に薄型の樹
脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス1[m
m]以下という厚みを目標にしたものである。そして吊
りリード10のアップセット処理の段差は、0.1[m
m]であり、ダイパッド部11の下方の封止樹脂15a
の厚さは0.1[mm]である。また半導体素子12の
厚さは0.2[mm]であり、半導体素子12の上方の
封止樹脂15bの厚さは、0.15[mm]である。
止型半導体装置の製造方法について説明する。まずリー
ドフレーム9のダイパッド部11を支持している吊りリ
ード10に対して、加圧してアップセット処理し、段差
部17を形成する。そしてそのリードフレーム9のダイ
パッド部11に対して半導体素子12を導電性接着剤に
より底面側を接合する。
の電極とリードフレーム9のインナーリード部13とを
金属細線14により電気的に接続する。この時、インナ
ーリード部13側に接続する金属細線14は、インナー
リード部13の表面に設けられた2本の溝部19と溝部
19との間に存在するように接続する。次にトランスフ
ァーモールドにより、半導体素子12の外囲領域を封止
樹脂15により封止する。この場合、半導体素子12の
上面、すなわち金属細線14で電気的に接続した領域
と、ダイパッド部11の下部領域とを封止し、封止樹脂
15a、封止樹脂15bを形成する。また封止樹脂15
による封止厚は、ダイパッド部11の下部の封止樹脂1
5aでは、インナーリード部13の底面と同一面になる
ような厚さであり、半導体素子12の上面の封止樹脂1
5bでは、金属細線14のループ高さ以上の厚さになる
ように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリ
ード部13の底面領域に封止樹脂15が回り込まないよ
うに気密性よく封止する必要がある。
部16を封止樹脂15の外面と同一面となるように成形
する。以上のような工程により、リードフレーム9に対
して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができる。そして両面封止構造であるため、封止樹脂1
5とリードフレーム9との密着性を確保し、パッケージ
クラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができる
ものである。
れた幅広部18、溝部19により、封止樹脂15との密
着性の向上、インナーリード部13に加わる片面封止構
造によるストレスを緩和できるとともに、封止樹脂15
との密着性(アンカー効果)も向上させることできる。
すなわち、封止樹脂15からインナーリード部13の抜
けを防止できる。
封止樹脂15は片面封止構造となっているので、その構
造によりインナーリード部13には封止樹脂15による
応力が印加されることになるが、インナーリード部13
には溝部19が形成してあり、その溝部19によってイ
ンナーリード部13に加わる応力を吸収し、緩和するこ
とができる。そして接続部分を溝部19と溝部19との
間に配置しているので、接続部分が応力によりダメージ
を受け、破壊するようなこともなくなる。
ードフレーム9の吊りリード部10に対してアップセッ
ト加工し、ダイパッド部11をインナーリード部13よ
りも上方に上げているので、ダイパッド部11の下方に
アップセットの段差分の厚さの封止樹脂15が存在し、
リードフレーム9と封止樹脂15との密着性を向上させ
ることができ、製品の信頼性を保つことができる。さら
にアウターリード部16を従来のように封止樹脂15の
側面から突出させずに、封止樹脂15の底面部分に埋め
込んだ形で配列しているので、外部端子としての信頼性
を向上することができるとともに、外部端子が突出して
いない分だけ、小型の半導体装置を実現することができ
る。またリードフレーム9の上面と下面との両面で樹脂
封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚
さであるため、薄型化は実現できるものである。
り、開口部を設けたりすることで、封止樹脂15と半導
体素子12裏面との密着性を向上させることができ、信
頼性を確保することができる。また、インナーリード部
13表面に設けられた幅広部18、溝部19により、封
止樹脂との密着性向上、インナーリード部13に加わる
片面封止構造によるストレスを緩和できる。特に金属細
線14のインナーリード部13側の接続部へのストレス
を溝部19が吸収するので、金属細線14の接続部分は
ストレスの影響を受けず、接続部分の破壊を防止して、
安定した接続が可能となり、製品の信頼性を向上させる
ことができる。それにより樹脂封止型半導体装置の信頼
性を向上させることができる。
数については、実施の形態では2本であるが、単一の溝
部を設けて、その溝部の付近に金属細線を接続すること
により、インナーリード部に加わるストレスや金属細線
へのストレスを緩和させることができる。また、溝部を
2本以上設けて、溝部と溝部との間に金属細線を接続す
ることにより、ストレスを吸収する効果を向上させるこ
とができる。また、溝部の溝方向は半導体装置の側面に
沿った方向に設けたが、側面に交差する方向等、どの方
向に設けてもよく、また縦横に交差する網目状にしても
よい。また、溝部と幅広部の両方設けたが、一方だけ設
ける構成にしてもよい。
よれば、支持部がインナーリード部より上方に位置する
ようにリードフレームをアップセット処理したので、支
持部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂が
存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上さ
せることができ、製品の信頼性を保つことができる。ま
た、リードフレームの上面と下面との両面で樹脂封止し
ても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚さであ
るため、薄型化は実現できるものである。
体装置によれば、インナーリード部の表面に、少なくと
も1本の溝部が設けられているので、封止樹脂とのアン
カー効果および製品リード部に加わるストレスや金属細
線へのストレスを緩和させることができ、リード剥が
れ、金属細線剥がれを防止できる。このため、製品の信
頼性を保つことができる。
体装置によれば、インナーリード部の表面に複数の溝部
が設けられ、金属細線のインナーリード部側の接続部は
溝部と溝部との間に配置されているので、封止樹脂との
アンカー効果および製品リード部に加わるストレスや金
属細線へのストレスを緩和させることができ、リード剥
がれ、金属細線剥がれを防止できる。この場合、封止樹
脂でリードフレームの片面を封止した構造による応力
は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の部分には
かからないため、金属細線の接続部分は破壊することな
く、安定した接続ができる。
体装置によれば、インナーリード部に幅広部が設けられ
ているので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リー
ド部に加わるストレスや金属細線へのストレスを緩和さ
せることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止
できる。このため、製品の信頼性を保つことができる。
体装置によれば、インナーリード部に幅広部が設けら
れ、表面に少なくとも1本の溝部が設けられているの
で、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加
わるストレスや金属細線へのストレスをさらに緩和させ
ることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止す
る効果が向上する。
体装置によれば、インナーリード部に幅広部が設けら
れ、表面に複数の溝部が設けられ、金属細線のインナー
リード部側の接続部は溝部と溝部との間に配置されてい
るので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部
に加わるストレスや金属細線へのストレスをさらに緩和
させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防
止する効果が向上する。この場合、溝部を2本以上設け
て、溝部と溝部との間に金属細線を接続することによ
り、ストレスを吸収する効果を向上させることができ
る。また、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した
構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部と
の間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分は
破壊することなく、安定した接続ができる。
脂の外面と同一面上に配列したので、アウターリード部
を従来のように封止樹脂の側面から突出させずに、封止
樹脂の底面部分に埋め込んだ形で配列することができ
る。このため、外部端子としての信頼性を向上すること
ができるとともに、外部端子が突出していない分だけ、
小型の樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
体装置の製造方法によれば、インナーリード部よりダイ
パッド部が上方に位置するようにリードフレームをアッ
プセット処理し、半導体素子の上面の金属細線で電気的
に接続した領域とダイパッド部の下部領域とを含む半導
体素子の外囲領域を封止して封止樹脂を形成するので、
ダイパッド部の下方にアップセットの段差分の厚さの封
止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性
を向上させることができ、製品の信頼性を保つことがで
きる。また、リードフレームの上面と下面との両面で樹
脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の
厚さであるため、薄型化は実現できる。
体装置の製造方法によれば、半導体素子の電極とインナ
ーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、金
属細線のインナーリード部側の接続部を溝部の付近に配
置して接続するので、封止樹脂でリードフレームの片面
を封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、金
属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続が
できる。また、溝部により封止樹脂とのアンカー効果お
よび製品リード部に加わるストレスを緩和させることが
でき、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。
導体装置の製造方法によれば、半導体素子の電極とイン
ナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、
金属細線のインナーリード部側の接続部を溝部と溝部と
の間に配置して接続するので、封止樹脂でリードフレー
ムの片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収
され、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金
属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続が
できる。この場合、溝部を2本以上設けて、溝部と溝部
との間に金属細線を接続することにより、ストレスを吸
収する効果を向上させることができる。また、複数の溝
部により封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部
に加わるストレスをさらに緩和させることができ、リー
ド剥がれ、金属細線剥がれを防止する効果が向上する。
を示す断面図である。
を示す平面図である。
の要部拡大断面図である。
導体装置のインナーリード部の平面図、(b)は左側面
図、(c)は正面図である。
面図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 リードフレームの支持部に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域と前記支
持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域を封止し
た封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列された前
記インナリード部に連続して形成された外部端子とを備
えた樹脂封止型半導体装置であって、前記支持部が前記
インナーリード部より上方に位置するように前記リード
フレームをアップセット処理したことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項2】 リードフレームの支持部に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
であって、前記インナーリード部の表面に、少なくとも
1本の溝部が設けられていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項3】 リードフレームの支持部に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
であって、前記インナーリード部の表面に複数の溝部が
設けられ、前記金属細線のインナーリード部側の接続部
は前記溝部と溝部との間に配置されていることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項4】 リードフレームの支持部に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
であって、前記インナーリード部に幅広部が設けられて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項5】 リードフレームの支持部に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
であって、前記インナーリード部に幅広部が設けられ、
表面に少なくとも1本の溝部が設けられていることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項6】 リードフレームの支持部に搭載された半
導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リード
フレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属
細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半
導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹
脂の底面領域に配列された前記インナリード部に連続し
て形成された外部端子とを備えた樹脂封止型半導体装置
であって、前記インナーリード部に幅広部が設けられ、
表面に複数の溝部が設けられ、前記金属細線のインナー
リード部側の接続部は前記溝部と溝部との間に配置され
ていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項7】 外部端子の露出面は、封止樹脂の外面と
同一面上に配列されている請求項1,2,3,4,5ま
たは6記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項8】 インナーリード部よりダイパッド部が上
方に位置するようにリードフレームをアップセット処理
する工程と、前記リードフレームのダイパッド部に対し
て半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極
と前記リードフレームのインナーリード部とを金属細線
により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面
の前記金属細線で電気的に接続した領域と前記ダイパッ
ド部の下部領域と含む前記半導体素子の外囲領域を封止
して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの
アウターリード部を前記封止樹脂の外面と同一面となる
ように成形する工程とを含む樹脂封止型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項9】 幅広部と表面に少なくとも1本の溝部が
設けられているインナーリード部を有したリードフレー
ムに対して半導体素子を接合する工程と、前記半導体素
子の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを
金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素
子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と前記
半導体素子の下部領域とを含む前記半導体素子の外囲領
域を封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフ
レームのアウターリード部を前記封止樹脂の外面と同一
面となるように成形する工程とを含み、半導体素子の電
極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続
する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を
前記溝部の付近に配置して接続することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項10】 幅広部と表面に複数の溝部が設けられ
ているインナーリード部を有したリードフレームに対し
て半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極
と前記リードフレームのインナーリード部とを金属細線
により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面
の前記金属細線で電気的に接続した領域と前記半導体素
子の下部領域とを含む前記半導体素子の外囲領域を封止
して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの
アウターリード部を前記封止樹脂の外面と同一面となる
ように成形する工程とを含み、半導体素子の電極とイン
ナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、
前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記溝部
と溝部との間に配置して接続すること特徴とする樹脂封
止型半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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EP98923185A EP0996962B1 (en) | 1997-06-27 | 1998-06-08 | Resin molded type semiconductor device |
DE69841847T DE69841847D1 (de) | 1997-06-27 | 1998-06-08 | In harz gegossene halbleiteranordnung |
CN2007101286896A CN101114629B (zh) | 1997-06-27 | 1998-06-08 | 树脂密封型半导体装置及其制造方法 |
CNB988085747A CN100423253C (zh) | 1997-06-27 | 1998-06-08 | 树脂密封型半导体装置及其制造方法 |
PCT/JP1998/002544 WO1999000826A2 (en) | 1997-06-27 | 1998-06-08 | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
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US09/380,312 US6900524B1 (en) | 1997-06-27 | 1998-06-08 | Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same |
TW87109764A TW384534B (en) | 1997-06-27 | 1998-06-18 | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US10/747,982 US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2003-12-31 | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US10/991,864 US7538416B2 (en) | 1997-06-27 | 2004-11-19 | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
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KR (1) | KR100397539B1 (ja) |
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DE (1) | DE69841847D1 (ja) |
TW (1) | TW384534B (ja) |
WO (1) | WO1999000826A2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217371A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Rohm Co Ltd | 樹脂パッケージ型半導体装置 |
US6700193B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-03-02 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor package with elevated tub |
US6841854B2 (en) | 2002-04-01 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2006032989A (ja) * | 2005-10-07 | 2006-02-02 | Yamaha Corp | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
US7247931B2 (en) * | 2004-02-13 | 2007-07-24 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Semiconductor package and leadframe therefor having angled corners |
JP2007243220A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-09-20 | Renesas Technology Corp | 樹脂封止型半導体パッケージ |
JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
JP2009152620A (ja) * | 1999-06-30 | 2009-07-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2010118712A (ja) * | 2010-03-04 | 2010-05-27 | Renesas Technology Corp | Qfnパッケージの製造方法 |
JP2013016819A (ja) * | 2004-12-16 | 2013-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
JP2015153987A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
JP2016012673A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001320007A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置用フレーム |
US6483178B1 (en) * | 2000-07-14 | 2002-11-19 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor device package structure |
JP3895570B2 (ja) | 2000-12-28 | 2007-03-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6882048B2 (en) * | 2001-03-30 | 2005-04-19 | Dainippon Printing Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor package having a groove formed in the respective terminals for limiting a plating area |
JP2003204027A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JP2003224239A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100975692B1 (ko) * | 2002-07-01 | 2010-08-12 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | 반도체 장치 |
JP2004335710A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005159103A (ja) | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20050167796A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-04 | Tay Kheng C. | Miniaturised surface mount optoelectronic component |
JP2006108306A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Yamaha Corp | リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ |
US8138586B2 (en) * | 2005-05-06 | 2012-03-20 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with multi-planar paddle |
JP5097639B2 (ja) | 2008-08-01 | 2012-12-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレーム及び半導体装置 |
US8072770B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-12-06 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with a mold material encapsulating a chip and a portion of a lead frame |
CN101859827A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 裕星企业有限公司 | 发光二极管 |
JP2015177080A (ja) * | 2014-03-15 | 2015-10-05 | 新日本無線株式会社 | リード内蔵型回路パッケージ及びその製造方法 |
CN104505379A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-08 | 日月光封装测试(上海)有限公司 | 导线框架条及使用该导线框架条的半导体封装体 |
WO2016203787A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 送風装置 |
CN107924884B (zh) * | 2016-03-30 | 2022-02-18 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体装置 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL159818B (nl) * | 1972-04-06 | 1979-03-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting, bevattende een flexibele isolerende folie, die aan een zijde is voorzien van metalen geleider- sporen. |
JPS6049089B2 (ja) | 1977-03-02 | 1985-10-31 | 日本電気株式会社 | Frpアンテナレフレクタ−の製造方法 |
JPS6086851A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0612796B2 (ja) * | 1984-06-04 | 1994-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JPS611042A (ja) | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
FR2568411B1 (fr) | 1984-07-30 | 1989-12-01 | Accumulateurs Fixes | Procede pour ameliorer la resistance electrique d'une jonction non soudee dans un accumulateur electrique, ou une batterie d'accumulateurs electriques et jonction obtenue par ce procede. |
JPS6364351A (ja) | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
JPS63258050A (ja) | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH01106456A (ja) | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH01106455A (ja) | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
US4994895A (en) * | 1988-07-11 | 1991-02-19 | Fujitsu Limited | Hybrid integrated circuit package structure |
JPH02201946A (ja) | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
JPH0485952A (ja) | 1990-07-27 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH04123550A (ja) | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Yaesu Musen Co Ltd | データ信号のアナログ/デジタル変換方式 |
JPH04155854A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム |
JP2917575B2 (ja) * | 1991-05-23 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH05129473A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-25 | Sony Corp | 樹脂封止表面実装型半導体装置 |
TW332348B (en) * | 1992-06-23 | 1998-05-21 | Sony Co Ltd | Manufacturing method for solid state motion picture device provides a highly accurate and low cost solid state motion picture device by use of empty package made of resin. |
JPH0621315A (ja) | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置用リードフレーム及び、それを用いた半導体装置 |
JPH0621304A (ja) | 1992-07-06 | 1994-01-28 | Seiko Epson Corp | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
JPH0685132A (ja) | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH06104364A (ja) | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Sony Corp | リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型 |
US5389739A (en) * | 1992-12-15 | 1995-02-14 | Hewlett-Packard Company | Electronic device packaging assembly |
JP3281994B2 (ja) | 1993-06-10 | 2002-05-13 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
JP3136029B2 (ja) | 1993-08-09 | 2001-02-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP3233507B2 (ja) * | 1993-08-13 | 2001-11-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
EP0704896B1 (en) * | 1994-09-22 | 2003-03-26 | Nec Corporation | Tape automated bonding type semiconductor device |
JP3309686B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2002-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
US6072239A (en) * | 1995-11-08 | 2000-06-06 | Fujitsu Limited | Device having resin package with projections |
US5872395A (en) * | 1996-09-16 | 1999-02-16 | International Packaging And Assembly Corporation | Bent tip method for preventing vertical motion of heat spreaders during injection molding of IC packages |
US5859387A (en) * | 1996-11-29 | 1999-01-12 | Allegro Microsystems, Inc. | Semiconductor device leadframe die attach pad having a raised bond pad |
US5869889A (en) * | 1997-04-21 | 1999-02-09 | Lsi Logic Corporation | Thin power tape ball grid array package |
-
1998
- 1998-03-23 JP JP7371198A patent/JP2915892B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-08 KR KR10-1999-7011569A patent/KR100397539B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-08 CN CN2007101286896A patent/CN101114629B/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-08 US US09/380,312 patent/US6900524B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-08 CN CNB988085747A patent/CN100423253C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-08 EP EP98923185A patent/EP0996962B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-08 DE DE69841847T patent/DE69841847D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-08 WO PCT/JP1998/002544 patent/WO1999000826A2/en not_active Application Discontinuation
- 1998-06-18 TW TW87109764A patent/TW384534B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8637965B2 (en) | 1999-06-30 | 2014-01-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
JP2009152620A (ja) * | 1999-06-30 | 2009-07-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2013141009A (ja) * | 1999-06-30 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US8115298B2 (en) | 1999-06-30 | 2012-02-14 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2016105503A (ja) * | 1999-06-30 | 2016-06-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2011029664A (ja) * | 1999-06-30 | 2011-02-10 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US7804159B2 (en) | 1999-06-30 | 2010-09-28 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
US7777312B2 (en) | 1999-06-30 | 2010-08-17 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
US7821119B2 (en) | 1999-06-30 | 2010-10-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2014143434A (ja) * | 1999-06-30 | 2014-08-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2016001763A (ja) * | 1999-06-30 | 2016-01-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9484288B2 (en) | 1999-06-30 | 2016-11-01 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
US8969138B2 (en) | 1999-06-30 | 2015-03-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
JP2001217371A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Rohm Co Ltd | 樹脂パッケージ型半導体装置 |
KR100804341B1 (ko) * | 2000-12-25 | 2008-02-15 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
US6943064B2 (en) | 2000-12-25 | 2005-09-13 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor package with elevated tub |
US6700193B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-03-02 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor package with elevated tub |
US7589404B2 (en) | 2002-04-01 | 2009-09-15 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US7397113B2 (en) | 2002-04-01 | 2008-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7132733B2 (en) | 2002-04-01 | 2006-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7939933B2 (en) | 2002-04-01 | 2011-05-10 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US8178955B2 (en) | 2002-04-01 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US6841854B2 (en) | 2002-04-01 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7247931B2 (en) * | 2004-02-13 | 2007-07-24 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Semiconductor package and leadframe therefor having angled corners |
JP2013016819A (ja) * | 2004-12-16 | 2013-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
JP2006032989A (ja) * | 2005-10-07 | 2006-02-02 | Yamaha Corp | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
JP2007243220A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-09-20 | Renesas Technology Corp | 樹脂封止型半導体パッケージ |
JP4489791B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2010-06-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | Qfnパッケージ |
JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
JP2010118712A (ja) * | 2010-03-04 | 2010-05-27 | Renesas Technology Corp | Qfnパッケージの製造方法 |
JP2015153987A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
JP2016012673A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1268246A (zh) | 2000-09-27 |
EP0996962A2 (en) | 2000-05-03 |
CN101114629A (zh) | 2008-01-30 |
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EP0996962B1 (en) | 2010-08-18 |
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