JP4489791B2 - Qfnパッケージ - Google Patents
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Description
図6は従来の樹脂封止型半導体パッケージを示す図であって、(a)は側面図、(b)は底面図であり、1は封止樹脂、2はリード部、そして20はこの封止樹脂1とリード部2を含むパッケージ本体である。このタイプは通称QFN(Quad Flat Non leaded)と呼ばれるパッケージであって、図6に示すとおり、パッケージ本体20からリード部2が外部に出ていないタイプのパッケージである。
しかしながら、リードフレームの生産性とコスト面を考慮すると、金型で打ち抜くスタンピングフレームの適用を考慮することが必要となる。スタンピングフレームでは金型で打ち抜いてリードを形成するため、リード部2の断面形状はほぼ四角形になる。
まず、図1と図2を用いて、この発明の実施の形態1について説明する。
図1は、この発明の実施の形態1におけるリードレス型の樹脂封止型半導体パッケージを示す図であって、(a)は側面図、(b)は底面図であるが、一点鎖線で示すリード部2はその形状を示すのではなく、その位置を示している。図1を参照して、1は封止樹脂、2はリード部、20は前記封止樹脂1とリード部2を含むパッケージ本体である。
図3は、この発明の実施の形態2における、スタンピングで加工されたリード部を示す側面図であって、図1(a)のB部の拡大図である。このように、半導体パッケージの裏面方向へのリード部2の抜け防止のため、パッケージ本体20の裏面側であって前記リード部2の実装部の隅部にテーパ4を設けている。
図4はこの発明の実施の形態3における、スタンピングで加工されたリード部を示す側面図であって、図1(a)のB部の拡大図である。この実施の形態3においては、前記リード部2の実装面の隅部に段差5を設けてパッケージ本体20の裏面に出たリード部2の幅を細くすることによって、半導体パッケージの裏面方向へのリード部の抜けを防止している。
図5は、この発明の実施の形態4における、スタンピングで加工されたリード部を示す底面図であって、図1(b)のA部の拡大図である。この実施の形態4においては、パッケージ本体20の側面方向のリード幅と内側方向のリード幅を、内側方向のリード幅を太くするように変えて、実施の形態1と同様にアンカー効果を得ることができる。
2 リード部
3 くぼみ
4 テーパ
5 段差
Claims (3)
- 封止樹脂と、前記封止樹脂の周囲に配置された複数のリードとを有し、前記複数のリードの下面が実装面と使用されるQFNパッケージであって、
前記複数のリードの各々は、前記実装面と使用される前記下面と、前記下面に対向する上面と、前記下面と前記上面の間に位置し、スタンピングで加工された互いに対向する2つの側面とを有し、
前記複数のリードの各々は、更に、前記下面と前記2つの側面との各々の間に、前記下面の幅が前記上面の幅より小さくなるように、平坦に形成されたテーパ面を有し、
前記上面と前記2つの側面とで規定される前記複数のリードの各々の上部分の形状は、ほぼ四角形を有し、
前記下面に対する前記テーパ面の角度は、前記下面に対する前記2つの側面の角度と異なる角度である
ことを特徴とするQFNパッケージ。 - 請求項1において、前記テーパ面は、前記複数のリードの各々の長さ方向において形成されていることを特徴とするQFNパッケージ。
- 請求項1において、前記テーパ面の周囲において、前記下面と前記2つの側面との間に、前記封止樹脂の一部が形成されていることを特徴とするQFNパッケージ。
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