JP2007165692A - 電子装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヒートシンクにおいて露出面へのモールド樹脂の回り込み防止用の窪み部を設けることなく、露出面上の樹脂バリを除去できるようにする。
【解決手段】ヒートシンク10に電子部品20を搭載したものを、金型内に設置し、モールド樹脂60により封止するとともに、ヒートシンク10の一面11をモールド樹脂60から露出させてなる電子装置の製造方法において、ヒートシンク10におけるモールド樹脂60から露出する一面11を、樹脂バリ防止材200により被覆した後、モールド樹脂60による封止を行い、しかる後、ヒートシンク10の一面11から樹脂バリ防止材200を除去する。
【選択図】図3
【解決手段】ヒートシンク10に電子部品20を搭載したものを、金型内に設置し、モールド樹脂60により封止するとともに、ヒートシンク10の一面11をモールド樹脂60から露出させてなる電子装置の製造方法において、ヒートシンク10におけるモールド樹脂60から露出する一面11を、樹脂バリ防止材200により被覆した後、モールド樹脂60による封止を行い、しかる後、ヒートシンク10の一面11から樹脂バリ防止材200を除去する。
【選択図】図3
Description
本発明は、電子部品を搭載したヒートシンクをモールド樹脂で包み込むように封止するとともに、ヒートシンクの一面をモールド樹脂から露出させてなる電子装置、すなわち樹脂モールドパッケージタイプの電子装置の製造方法に関する。
この種の電子装置の製造方法としては、たとえば、特許文献1に記載のものが提案されている。
このものは、ヒートシンクに電子部品としての半導体チップを搭載した後、これらヒートシンクおよび半導体チップを、金型内に設置し、モールド樹脂により封止するとともに、ヒートシンクの一面をモールド樹脂から露出させてなる。
このようにして製造された電子装置では、ヒートシンクの一面をモールド樹脂から露出させた露出面とし、この露出面を介して放熱性を高めているが、このような構成の場合、モールド樹脂による封止を行うにあたって、当該露出面に対する樹脂バリの発生を防止することが必要である。
この樹脂バリの防止は、通常は、ヒートシンクの露出面を金型の内面に密着させ、露出面にモールド樹脂が回り込まないようにすることで行う。しかし、金型とワークとの寸法公差などにより生じる両者間のわずかな隙間からモールド樹脂が回り込み、樹脂バリが生じる可能性がある。
このような樹脂バリに関する対策として、上記特許文献1に記載のものでは、ヒートシンクの露出面へモールド樹脂が回り込んで樹脂バリとなるのを抑制する目的で、ヒートシンクの露出面の周囲に窪み部を設けるようにしている。
特開平9−283660号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載のものでは、窪み部によりモールド樹脂の回り込みを防止してはいるものの、いったん回り込んで露出面に付着してしまったモールド樹脂を除去することはできない。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ヒートシンクにおいて露出面へのモールド樹脂の回り込み防止用の窪み部を設けることなく、露出面上の樹脂バリを除去できるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、ヒートシンク(10)におけるモールド樹脂(60)から露出する一面(11)を、樹脂バリ防止材(200)により被覆した後、モールド樹脂(60)による封止を行い、しかる後、一面(11)から樹脂バリ防止材(200)を除去することを特徴とする。
それによれば、露出させるべきヒートシンク(11)の一面(11)上にモールド樹脂(60)が回り込んで樹脂バリ(60a)となっても、その樹脂バリ(60a)は、樹脂バリ防止材(200)の表面に付着した状態となり、樹脂バリ防止材(200)の除去によってヒートシンク(10)の一面(11)から除去されるため、ヒートシンク(10)において露出面へのモールド樹脂(60)の回り込み防止用の窪み部を設けることなく、露出面上の樹脂バリを除去できる。
また、このような製造方法において、金型(300)の内面のうち樹脂バリ防止材(200)と対向する部位に、凹部(320)を設けることにより、金型(300)と樹脂バリ防止材(200)とを非接触の状態としてもよい。
それによれば、樹脂バリ防止材(200)と金型(300)とを接触させないことで、樹脂バリ防止材(200)の金型(300)への密着を防止し、離型を容易にすることができる。
また、この製造方法においては、ヒートシンク(10)として、その一面(11)の端部が当該一面(11)から突出する突起部(11a)となっているものを用いることもできる。
それによれば、露出するべき一面(11)に回り込んだモールド樹脂(60)すなわち樹脂バリ(60a)のうち当該一面(11)の端部の突起部(11a)に対応する部分は、当該突起部(11a)に対応して凹むことで、その厚さが薄くなり、当該樹脂バリ(60a)は、この薄くなった部位にて破断しやすくなるため、除去が容易になる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る樹脂モールドパッケージタイプの電子装置100の概略断面構成を示す図である。この電子装置100は、たとえばQFP(クワッドフラットパッケージ)、SOP(スモールアウトラインパッケージ)などとして適用することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る樹脂モールドパッケージタイプの電子装置100の概略断面構成を示す図である。この電子装置100は、たとえばQFP(クワッドフラットパッケージ)、SOP(スモールアウトラインパッケージ)などとして適用することができる。
ヒートシンク10は、Cu、Fe、Mo、42アロイ、コバールなどの金属など、放熱性に優れた材料からなるものであり、たとえば矩形板状をなす。本例では、ヒートシンク10はCu板からなる。ここで、図1中のヒートシンク10の下面を一面11、上面を他面12とする。
また、ヒートシンク10は、その一面11と他面12との間の側面13に、モールド樹脂60とヒートシンク10との密着性を高めるためのコイニング14を有する。このようなコイニング14を有するヒートシンク10は、プレス加工などにより形成することができる。
このヒートシンク10の他面12側には、電子部品としてのICチップ20が搭載されている。このICチップ20は、シリコン基板などからなるもので、半導体プロセス技術を用いてトランジスタなどの素子が形成されたものである。
そして、本実施形態では、ヒートシンク10とICチップ20とは樹脂製の接着剤30を介して接着され固定されている。
この接着剤30は、エポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン系樹脂などの熱伝導性に優れた樹脂からなり、具体的には、導電性接着剤などからなる。本例では、接着剤30は、エポキシ系樹脂にAgフィラーを混合させた銀ペーストからなる。
また、ヒートシンク10およびICチップ20の周囲には、Cuや42アロイ合金などの金属からなるリードとしてのリードフレーム40が配置されている。そして、ICチップ20とリードフレーム40とは、金やアルミニウムなどからなるワイヤ50によって結線され電気的に接続されている。
そして、モールド樹脂60は、ヒートシンク10、ICチップ20、リードフレーム40およびワイヤ50を包み込むように封止している。ここでは、ヒートシンク10の一面11をモールド樹脂60から露出させており、この一面11を露出面とすることによって、放熱性の向上を図っている。
このモールド樹脂60は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料からなるものである。本例では、モールド樹脂60は、エポキシ系樹脂からなり、さらに熱膨張係数を調整する等のためにシリカなどからなるフィラーが含有されたものである。
次に、本実施形態の電子装置100の製造方法について、図2、図3、図4を参照して述べる。
図2〜図4は、本製造方法を示す工程図であり、図2は、ワークを金型300内に設置した状態を示す概略断面図、図3は、モールド樹脂60による封止直後の状態を示す概略断面図、さらに、図4は、樹脂バリ防止材200を除去した後の状態を示す概略断面図である。
まず、本製造方法においては、図2に示されるように、ヒートシンク10とリードフレーム40とをかしめ、溶接、接着などにより一体に固定した後、ICチップ20を接着剤30を介してヒートシンク10に搭載し、ワイヤボンディングを行う。
また、一方で、図2に示されるように、ヒートシンク10におけるモールド樹脂60から露出するべき一面11に、樹脂バリ防止材200を設け、当該一面11を樹脂バリ防止材200により被覆する。
この樹脂バリ防止材200は、詳細は後述するが、モールド樹脂60とは異なる樹脂や、金属あるいはセラミックなどからなり、スピンコート、接着、スパッタやメッキなどの成膜法などにより、ヒートシンク10の一面11に設けられるものである。
そして、樹脂バリ防止材200は、樹脂封止後には、モールド樹脂60やリードフレーム40に劣化や腐食などのダメージを与えることなく、薬液などにより、選択的に除去が可能なものである。
このように、ヒートシンク10の一面11を樹脂バリ防止材200により被覆した後、図2に示されるように、ワークを金型300のキャビティ310内にセットする。この金型300は、この種の電子装置をトランスファーモールド法によって樹脂封止するのに用いられる一般的なものを採用できる。
ただし、本実施形態では、図2に示されるように、樹脂封止用の金型300の内面のうち樹脂バリ防止材200と対向する部位には、樹脂バリ防止材200と離れる方向に凹んだ凹部320を設けている。そして、この凹部320の深さは、樹脂バリ防止材200の厚さよりも大きいものとしている。
それにより、本実施形態では、金型300と樹脂バリ防止材200とを非接触の状態とすることができ、この状態で、モールド樹脂60によるワークの封止を行うようにしている。
また、このとき、ヒートシンク10の一面11の端部には、樹脂バリ防止材200を設けず、図2に示されるように、このヒートシンク10の一面11の端部が、凹部320周囲にて金型300と接するようにしている。それにより、ヒートシンク10の一面11側すなわち金型300の凹部320内へのモールド樹脂60の回り込みを抑制するようにしている。
また、本例では、樹脂バリ防止材200をある程度厚くすることで、樹脂バリ防止材200の端面によってモールド樹脂60の流れを止める作用が働く。そのため、金型300の凹部320内へのモールド樹脂60へ流れてきた場合でも、このモールド樹脂60のヒートシンク10の一面11側への回り込みを抑制できる。
こうして、図2に示される状態で、モールド樹脂60による封止を行い、ワークを金型300から取り外すと、次の図3に示される状態となる。
上述したように、モールド樹脂60は、金型300とワークとの寸法公差などにより生じるわずかな隙間に入り込む。そのため、上記図2に示したように、モールド樹脂60のヒートシンク10の一面11側への回り込みを抑制する対策を採用したとしても、その回り込みを完全に防止することは困難である。
しかし、本実施形態では、図3に示されるように、露出させるべきヒートシンク10の一面11上にモールド樹脂60が回り込んで樹脂バリ60aとなったとしても、その回り込んだ樹脂バリ60aは、樹脂バリ防止材200の表面に付着した状態となる。
そして、本製造方法の次の工程では、この図3に示されるものにおいて、ヒートシンク10の一面11から樹脂バリ防止材200を除去する。この樹脂バリ防止材200の除去によって、樹脂バリ防止材200の表面に付着した樹脂バリ60aは、樹脂バリ防止材200とともに、ヒートシンク10の一面11から除去され、次の図4に示される状態となる。
そして、この図4に示されるように、ヒートシンク10の一面11のうち露出すべき部位にて樹脂バリが存在しない状態となる。この後、リードフレーム40の成形やカットなどを行うことにより、本実施形態の電子装置100が完成する。
次に、本実装方法で用いる樹脂バリ防止材200の材料、形成方法、除去方法について、まとめて説明する。
まず、樹脂バリ防止材200として樹脂材料を用いた場合について述べる。この場合、樹脂材料としては、PVC(塩化ビニル)、PS(ポリスチレン)、ABS(ABS樹脂)などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
その形成方法としては、樹脂シートを熱圧着する、スピンコート、スタンピング、ディスペンスなどの方法が挙げられる。そして、モールド樹脂60やリードフレーム40にダメージを与えることのない樹脂バリ防止材200の除去方法としては、4塩化炭素などの塩素系溶剤にて除去する方法などが挙げられる。
次に、樹脂バリ防止材200として金属材料を用いた場合について述べる。この場合、金属材料としては、Al(アルミニウム)が挙げられ、その形成方法としては、蒸着、スパッタ、CVD、メッキなどが挙げられ、その除去方法としては、燐酸溶液による除去などが挙げられる。
また、金属材料としては、Mg(マグネシウム)が挙げられ、その形成方法としては、蒸着、スパッタ、CVD、メッキなどが挙げられ、その除去方法としては、酢酸溶液による除去などが挙げられる。さらに、金属材料としては、Ni(ニッケル)が挙げられ、この場合、メッキで形成すれば、市販のNi剥離液で除去が可能である。
次に、樹脂バリ防止材200としてセラミック材料を用いた場合、セラミック材料としては、SiO2(酸化シリコン)TiO2(酸化チタン)などが挙げられ、その形成方法としては、蒸着、スパッタ、CVD、溶射、メッキなどが挙げられ、その除去方法としては、弗酸溶液による除去などが挙げられる。
また、樹脂バリ防止材200としては、本製造方法に適したものであれば、上記した材料、形成方法、除去方法以外のものであってもよいことはもちろんである。たとえば、除去方法としては、上記の薬液以外にも選択性を有するプラズマクリーニングやスパッタなどのドライエッチングを用いてもよい。
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、樹脂バリ防止材200を用いることによって、従来のようにヒートシンク10において露出面へのモールド樹脂60の回り込み防止用の窪み部を設けることなく、露出面となるヒートシンク10の一面11上の樹脂バリを除去することができる。
また、本製造方法によれば、金型300の内面に上記凹部320を設けることで、この凹部320を介して樹脂バリ防止材200と金型300とを接触させないようにしているため、樹脂バリ防止材200の金型300への密着を防止できる。
もし、樹脂バリ防止材200が金型300に接触して密着した場合、ヒートシンク10との密着性の弱い樹脂バリ防止材200であると、離型の際、樹脂バリ防止材200が金型300に残ってしまう。その点、本実施形態によれば、ワークの離型を容易にすることができる。
(第2実施形態)
図5、図6は、本発明の第2実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、図5は、ワークを金型300内に設置した状態を示す概略断面図、図3は、モールド樹脂60による封止直後の状態を示す概略断面図である。
図5、図6は、本発明の第2実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、図5は、ワークを金型300内に設置した状態を示す概略断面図、図3は、モールド樹脂60による封止直後の状態を示す概略断面図である。
本製造方法においても、上記第1実施形態と同様に、まず、ヒートシンク10とリードフレーム40との一体化、ICチップ20の搭載、ワイヤボンディングを行うとともに、ヒートシンク10におけるモールド樹脂60から露出するべき一面11に、樹脂バリ防止材200を設け、当該一面11を樹脂バリ防止材200により被覆する。
ここで、本実施形態では、ヒートシンク10として、図5に示されるように、一面11の端部が当該一面11から突出する突起部11aとなっているものを用いる。このような突起部11aは、プレス加工などにより形成できる。
そして、この樹脂バリ防止材200が設けられたワークを、金型300にセットし、モールド樹脂60にて封止し、金型300から取り外すと、図6に示される状態となる。
次に、このものにおいて、ヒートシンク10の一面11から樹脂バリ防止材200を除去することによって、樹脂バリ防止材200の表面に付着した樹脂バリ60aは、ヒートシンク10の一面11から除去される。
また、樹脂バリ防止材200を除去したときに、樹脂バリ60aの下の樹脂バリ防止材200のみが除去される可能性がある。図7は、本実施形態において、樹脂バリ防止材200のみが除去され樹脂バリ60aが残った状態を示す拡大図である。
しかし、本実施形態では、このような状況となったとしても、この残った樹脂バリ60aを除去することは容易である。本実施形態の製造方法によれば、露出するべきヒートシンク10の一面11に回り込んだモールド樹脂60すなわち樹脂バリ60aのうち突起部11aに対応する部分は、図7に示されるように、突起部11aに対応して凹むことで、その厚さが薄くなる。
そのため、図7において、残った樹脂バリ60aは、この薄くなった部位Kにて破断しやすくなり、低い水圧での水洗浄などの簡易な方法にて容易に除去することができる。そして、本実施形態においても、ヒートシンク10の一面11のうち露出すべき部位にて樹脂バリが存在しない状態となる。
このように、本実施形態の製造方法によっても、樹脂バリ防止材200を用いることによって、従来のようにヒートシンク10において露出面へのモールド樹脂60の回り込み防止用の窪み部を設けることなく、露出面となるヒートシンク10の一面11上の樹脂バリを除去することができる。
また、本実施形態では、上述のように、ヒートシンク10の一面11の端部に設けた突起部11aの部分にて、樹脂バリ60aを破断することでその除去が行えるため、樹脂バリ防止材200が薄いものであっても、効果がある。また、これに関連して、本実施形態では、樹脂バリ防止材200を薄くできる。
たとえば、樹脂バリ防止材200として金属材料の膜を適用した場合など、樹脂バリ防止材200を厚くすると、コストアップになったり、厚くすること自体が難しくなるなどの問題が起こりうる。本実施形態では、樹脂バリ防止材200の厚さを、発生する樹脂バリ60aよりも薄くしても、上記の除去効果が期待できる。
(第3実施形態)
図8、図9は、本発明の第3実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、図8は、モールド樹脂60による封止直後の状態を示す概略断面図、図9は、樹脂バリ防止材200の除去後における突起部11aの近傍を示す拡大図である。
図8、図9は、本発明の第3実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、図8は、モールド樹脂60による封止直後の状態を示す概略断面図、図9は、樹脂バリ防止材200の除去後における突起部11aの近傍を示す拡大図である。
本実施形態の製造方法は、上記第2実施形態を一部変形したものである。すなわち、本製造方法に用いるヒートシンク10は、図8に示されるように、その一面11が、その端部に設けられている突起部11aから中央部に向かって凹となるように傾斜したテーパ形状となっている。このようなテーパ形状は、プレス加工などにより形成できる。
本製造方法の場合も、突起部11aを設けることにより、図9に示されるように、樹脂バリ防止材200の除去後に樹脂バリ60aが残ったとしても、薄くなった部位Kにて破断させて容易に除去できる。つまり、本実施形態も、上記第2実施形態と同様の作用効果を奏するものである。
(他の実施形態)
なお、上記第1実施形態においては、図2に示されるように、金型300として、その内面に凹部320を有するものを用いたが、図10に示されるような凹部を持たない一般的な金型300そのものを用いてもよい。
なお、上記第1実施形態においては、図2に示されるように、金型300として、その内面に凹部320を有するものを用いたが、図10に示されるような凹部を持たない一般的な金型300そのものを用いてもよい。
また、ヒートシンク10における上記一面11だけでなく、モールド樹脂60から露出させたい部分を樹脂バリ防止材200で被覆して樹脂封止を行うようにすれば、ヒートシンク10における任意の部位を、樹脂バリを存在させることなく、露出させることが可能になる。
また、ICチップ20とリードフレーム40との電気的な接続は、ボンディングワイヤ50以外の方法で行ってもよい。また、ICチップ20からの電気取り出し構造は、リードフレーム40以外のものでもよい。
また、ヒートシンク10に搭載する電子部品としては、上記したICチップ20に限らず、フリップチップ、回路基板、あるいは各種の実装部品などを採用してもよい。また、ヒートシンク10の形状は、上記図示例に限定されるものではない。
10…ヒートシンク、11…ヒートシンクの一面、
11a…ヒートシンクの一面の突起部、20…電子部品としてのICチップ、
60…モールド樹脂、200…樹脂バリ防止材、300…金型、
320…金型の凹部。
11a…ヒートシンクの一面の突起部、20…電子部品としてのICチップ、
60…モールド樹脂、200…樹脂バリ防止材、300…金型、
320…金型の凹部。
Claims (4)
- ヒートシンク(10)に電子部品(20)を搭載した後、これらヒートシンク(10)および半導体チップ(20)を、金型(300)内に設置し、モールド樹脂(60)により封止するとともに、前記ヒートシンク(10)の一面(11)を前記モールド樹脂(60)から露出させてなる電子装置の製造方法において、
前記ヒートシンク(10)における前記モールド樹脂(60)から露出する前記一面(11)を、樹脂バリ防止材(200)により被覆した後、前記モールド樹脂(60)による封止を行い、
しかる後、前記一面(11)から前記樹脂バリ防止材(200)を除去することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記金型(300)の内面のうち前記樹脂バリ防止材(200)と対向する部位に、凹部(320)を設けることにより、前記金型(300)と前記樹脂バリ防止材(200)とを非接触の状態とすることを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。
- 前記ヒートシンク(10)として、前記一面(11)の端部が当該一面(11)から突出する突起部(11a)となっているものを用いることを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。
- 前記ヒートシンク(10)の前記一面(11)は、その端部に設けられている前記突起部(11a)から中央部に向かって凹となるように傾斜したテーパ形状となっていることを特徴とする請求項3に記載の電子装置の製造方法。
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-
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