WO2012060336A1 - Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム - Google Patents

Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム Download PDF

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和範 小田
雅樹 矢崎
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Definitions

  • the present invention relates to a lead frame for mounting LED elements, a lead frame with resin, a method for manufacturing a semiconductor device, and a lead frame for mounting semiconductor elements.
  • a lead frame for a resin-encapsulated semiconductor device for example, there is one described in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-326316.
  • a large number of terminal portions are arranged around each die pad, and tie bars connecting the large number of terminal portions and the suspension leads are arranged in a lattice form in the vertical and horizontal directions.
  • lighting devices that use LED (light emitting diode) elements as light sources have been used in various home appliances, OA equipment, indicator lights for vehicle equipment, general lighting, in-vehicle lighting, displays, and the like.
  • Some of such lighting devices include a semiconductor device manufactured by mounting LED elements on a lead frame.
  • Some semiconductor devices for LED elements or discrete semiconductor elements have a die pad and leads arranged in a straight line around the die pad.
  • a lead frame used in such a semiconductor device unlike the above-described conventional lead frame, it is one way to connect adjacent die pads and lead parts without providing vertical and horizontal grid-like tie bars. The number of impositions of elements in the lead frame can be increased, and the lead frame can be manufactured efficiently.
  • An object of the present invention is to provide a lead frame for mounting an LED element, a lead frame with resin, a method for manufacturing a semiconductor device, and a lead frame for mounting a semiconductor element, which can prevent deformation during handling.
  • the present invention includes a frame region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame region, each including a die pad on which the LED device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package areas connected to each other via a dicing area, and a die pad in one package area and a lead portion in another adjacent package area are formed by inclined reinforcing pieces located in the dicing area. It is the lead frame characterized by being connected.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the lead portion in the one package region is connected to the lead portion in the other adjacent package region by a lead connecting portion.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the die pad in the one package region is connected to the die pad in the other adjacent package region by a die pad connecting portion.
  • the die pad in the one package region and the lead portion in the first package region adjacent to the one package region are connected by a first inclined reinforcing piece located in the dicing region, And a lead portion in the second package region that is adjacent to the one package region and opposite to the first package region with respect to the one package region is located in the dicing region.
  • the lead frame is connected by a second inclined reinforcing piece.
  • the die pad in the one package region and the lead portion in the other adjacent package region are connected by a first inclined reinforcing piece located in the dicing region, and the lead in the one package region
  • the lead frame is characterized in that the portion and the die pad in the other adjacent package region are connected by a second inclined reinforcing piece located in the dicing region.
  • the die pad in the one package region is connected to the lead portions in the diagonally upper and lower package regions adjacent to the die pad side by a pair of additional inclined reinforcing pieces located in the dicing region.
  • the lead portion in the one package region is connected to the lead portion in the obliquely upper and obliquely lower package regions adjacent to the lead portion side by a pair of additional inclined reinforcing pieces located in the dicing region. It is a lead frame characterized by being.
  • the present invention includes a frame region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame region, each including a die pad on which the LED device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package regions connected to each other via a dicing region, wherein a lead portion in at least one package region is connected to a lead portion in another adjacent package region by a lead connecting portion, A lead frame in the package region and a die pad in another adjacent package region are connected by an inclined reinforcing piece located in the dicing region.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the inclined reinforcing piece includes a main body and a plating layer formed on the main body.
  • the present invention is a lead frame with resin, characterized in that the lead frame with resin comprises a lead frame and a reflective resin disposed on the periphery of each package region of the lead frame.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, the step of preparing a lead frame with resin, the step of mounting an LED element on each die pad in each reflective resin of the lead frame with resin, the LED element and each lead Each of the LED elements by connecting the reflective resin and the lead frame to each other by cutting the reflective resin and the lead frame. And a step of separating the semiconductor device.
  • the present invention relates to a semiconductor element mounting lead frame including a frame body region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame body region, each of which has a die pad on which a semiconductor device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package areas connected to each other via a dicing area, and a die pad in one package area and a lead portion in another adjacent package area are formed by inclined reinforcing pieces located in the dicing area. It is the lead frame characterized by being connected.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the lead portion in the one package region is connected to the lead portion in the other adjacent package region by a lead connecting portion.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the die pad in the one package region is connected to the die pad in the other adjacent package region by a die pad connecting portion.
  • the die pad in the one package region and the lead portion in the first package region adjacent to the one package region are connected by a first inclined reinforcing piece located in the dicing region, And a lead portion in the second package region that is adjacent to the one package region and opposite to the first package region with respect to the one package region is located in the dicing region.
  • the lead frame is connected by a second inclined reinforcing piece.
  • the die pad in the one package region and the lead portion in the other adjacent package region are connected by a first inclined reinforcing piece located in the dicing region, and the lead in the one package region
  • the lead frame is characterized in that the portion and the die pad in the other adjacent package region are connected by a second inclined reinforcing piece located in the dicing region.
  • the die pad in the one package region is connected to the lead portions in the diagonally upper and lower package regions adjacent to the die pad side by a pair of additional inclined reinforcing pieces located in the dicing region.
  • the lead portion in the one package region is connected to the lead portion in the obliquely upper and obliquely lower package regions adjacent to the lead portion side by a pair of additional inclined reinforcing pieces located in the dicing region. It is a lead frame characterized by being.
  • the present invention relates to a semiconductor element mounting lead frame including a frame body region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame body region, each of which has a die pad on which a semiconductor device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package regions connected to each other via a dicing region, wherein a lead portion in at least one package region is connected to a lead portion in another adjacent package region by a lead connecting portion, A lead frame in the package region and a die pad in another adjacent package region are connected by an inclined reinforcing piece located in the dicing region.
  • each die pad and each lead portion are connected by the inclined reinforcing piece located in the dicing region, each die pad and each lead portion Therefore, a plurality of elongated spaces parallel to one side of the lead frame are not generated. Therefore, the lead frame can be prevented from being deformed during handling.
  • the present invention includes a frame region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame region, each including a die pad on which the LED device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package regions connected to each other through a dicing region, and a die pad and a lead portion in one package region are connected to a die pad and a lead portion in another adjacent package region, respectively.
  • the lead frame is connected by a connecting portion, and the die pad connecting portion and the lead connecting portion are connected by a reinforcing piece located in a dicing region.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the reinforcing piece extends over the entire length inside the frame region and connects the die pad connecting portion and the lead connecting portion.
  • the present invention provides a die pad connecting portion and a lead connecting portion for connecting the die pad and the lead portion in the one package region and the die pad and the lead portion in the first package region adjacent to the one package region, respectively. It is connected by a reinforcing piece located in the dicing region, and is located adjacent to the one package region and opposite to the first package region with respect to the one package region.
  • the die pad connecting portion and the lead connecting portion that connect the die pad and the lead portion in the second package region, respectively, are not connected by a reinforcing piece.
  • the reinforcing piece extends only between the die pad connecting portion and the lead connecting portion respectively connected to the die pad and the lead portion in the one package region, and connects the die pad connecting portion and the lead connecting portion.
  • each package region includes one die pad and a first lead portion and a second lead portion located on both sides of the die pad, and the die pad, the first lead portion in one package region, And the second lead portion are connected to the die pad, the first lead portion, and the second lead portion in another adjacent package region by the die pad connecting portion, the first lead connecting portion, and the second lead connecting portion, respectively.
  • the reinforcing piece extends only between the die pad connecting portion and the first lead connecting portion between the one package region and the first package region adjacent to the one package region. 1 lead connecting portion is connected, and the first package region is adjacent to the one package region and the first package region is adjacent to the first package region. Between the cage region and the second package region located on the opposite side, the reinforcing piece extends only between the die pad connecting portion and the second lead connecting portion to connect the die pad connecting portion and the second lead connecting portion. This is a featured lead frame.
  • the present invention includes a frame region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame region, each including a die pad on which the LED device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package regions connected to each other via a dicing region, and a die pad and a lead portion in one package region are respectively connected to a die pad and a lead portion in another package region adjacent in the vertical direction. Of the plurality of dicing regions extending in the lateral direction, the die pad connecting portion and the lead connecting portion that are connected to each other and the lead connecting portion are connected to each other by a reinforcing piece that is located in the dicing region. This is a lead frame.
  • the present invention is a lead frame characterized in that, among a plurality of dicing areas extending in the lateral direction, dicing areas provided with reinforcing pieces are periodically provided every predetermined number.
  • the present invention is a lead frame characterized in that, among a plurality of dicing areas extending in the lateral direction, dicing areas provided with reinforcing pieces are provided irregularly.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the reinforcing piece includes a main body and a plating layer formed on the main body.
  • the present invention is a lead frame with resin, characterized in that the lead frame with resin comprises a lead frame and a reflective resin disposed on the periphery of each package region of the lead frame.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, the step of preparing a lead frame with resin, the step of mounting an LED element on each die pad in each reflective resin of the lead frame with resin, the LED element and each lead Each of the LED elements by connecting the reflective resin and the lead frame to each other by cutting the reflective resin and the lead frame. And a step of separating the semiconductor device.
  • the present invention relates to a semiconductor element mounting lead frame including a frame body region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame body region, each of which has a die pad on which a semiconductor device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package regions connected to each other through a dicing region, and a die pad and a lead portion in one package region are connected to a die pad and a lead portion in another adjacent package region, respectively.
  • the lead frame is connected by a connecting portion, and the die pad connecting portion and the lead connecting portion are connected by a reinforcing piece located in a dicing region.
  • the present invention is the lead frame characterized in that the reinforcing piece extends over the entire length inside the frame region and connects the die pad connecting portion and the lead connecting portion.
  • the present invention provides a die pad connecting portion and a lead connecting portion for connecting the die pad and the lead portion in the one package region and the die pad and the lead portion in the first package region adjacent to the one package region, respectively. It is connected by a reinforcing piece located in the dicing region, and is located adjacent to the one package region and opposite to the first package region with respect to the one package region.
  • the die pad connecting portion and the lead connecting portion that connect the die pad and the lead portion in the second package region, respectively, are not connected by a reinforcing piece.
  • the reinforcing piece extends only between the die pad connecting portion and the lead connecting portion respectively connected to the die pad and the lead portion in the one package region, and connects the die pad connecting portion and the lead connecting portion.
  • each package region includes one die pad and a first lead portion and a second lead portion located on both sides of the die pad, and the die pad, the first lead portion in one package region, And the second lead portion are connected to the die pad, the first lead portion, and the second lead portion in another adjacent package region by the die pad connecting portion, the first lead connecting portion, and the second lead connecting portion, respectively.
  • the reinforcing piece extends only between the die pad connecting portion and the first lead connecting portion between the one package region and the first package region adjacent to the one package region. 1 lead connecting portion is connected, and the first package region is adjacent to the one package region and the first package region is adjacent to the first package region. Between the cage region and the second package region located on the opposite side, the reinforcing piece extends only between the die pad connecting portion and the second lead connecting portion to connect the die pad connecting portion and the second lead connecting portion. This is a featured lead frame.
  • the present invention relates to a semiconductor element mounting lead frame including a frame body region, a multi-row and multi-stage arrangement in the frame body region, each of which has a die pad on which a semiconductor device is mounted, and a lead portion adjacent to the die pad. And a plurality of package regions connected to each other via a dicing region, and a die pad and a lead portion in one package region are respectively connected to a die pad and a lead portion in another package region adjacent in the vertical direction. Of the plurality of dicing regions extending in the lateral direction, the die pad connecting portion and the lead connecting portion that are connected to each other and the lead connecting portion are connected to each other by a reinforcing piece that is located in the dicing region. This is a lead frame.
  • the present invention is a lead frame characterized in that, among a plurality of dicing areas extending in the lateral direction, dicing areas provided with reinforcing pieces are periodically provided every predetermined number.
  • the present invention is a lead frame characterized in that, among a plurality of dicing areas extending in the lateral direction, dicing areas provided with reinforcing pieces are provided irregularly.
  • the die pad connecting portion and the lead connecting portion are connected by the reinforcing piece located in the dicing area, the gap between each die pad and each lead portion is connected, and one side of the lead frame is connected. There are no parallel, elongated spaces. Therefore, the lead frame can be prevented from being deformed during handling.
  • FIG. 1 is an overall plan view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partially enlarged plan view showing the lead frame according to the first embodiment of the present invention (an enlarged view of a portion A in FIG. 1).
  • Sectional drawing which shows the lead frame by the 1st Embodiment of this invention (BB sectional drawing of FIG. 2).
  • Sectional drawing which shows the semiconductor device produced with the lead frame by the 1st Embodiment of this invention (CC sectional view taken on the line CC of FIG. 5).
  • 1 is a plan view showing a semiconductor device manufactured by a lead frame according to a first embodiment of the present invention. The figure which shows the manufacturing method of the lead frame by the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is an overall plan view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partially enlarged plan view showing the lead frame according to the first embodiment of the present invention (an enlarged view of a
  • FIG. 3 is a view showing a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1-1) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1-2) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1-3) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1-4) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modified example (modified example 1-5) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1-6) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1-7) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1-8) of the lead frame according to the first embodiment of the invention.
  • Sectional drawing which shows the modification (modification A) of a semiconductor device.
  • FIG. 22 is a partially enlarged plan view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention (an enlarged view of a D portion in FIG. 21).
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing the lead frame according to the second embodiment of the present invention (cross-sectional view taken along line EE in FIG. 22).
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing the semiconductor device manufactured by the lead frame according to the second embodiment of the present invention (cross-sectional view taken along the line FF in FIG. 25).
  • FIG. 22 is a partially enlarged plan view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention (an enlarged view of a D portion in FIG. 21).
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing the lead frame according to the second embodiment of the present invention (cross-sectional view taken along line EE in FIG. 22).
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing the semiconductor device manufactured by the lead frame according to the second embodiment of the present invention (cross-sectional view taken
  • FIG. 6 is a plan view showing a semiconductor device manufactured by a lead frame according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a view showing a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a view showing a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a partially enlarged plan view showing a modified example (modified example 2-1) of the lead frame according to the second embodiment of the invention.
  • FIG. 10 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-2) of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modified example (modified example 2-3) of the lead frame according to the second embodiment of the invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-4) of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-5) of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-6) of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-7) of the lead frame according to the second embodiment of the invention.
  • FIG. 37 is a schematic plan view showing a semiconductor device manufactured using a lead frame according to Modification 2-7 (FIG. 36).
  • FIG. 10 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-8) of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 39 is a schematic plan view showing a semiconductor device manufactured using a lead frame according to Modification 2-8 (FIG. 38).
  • FIG. 10 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-9) of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 2-10) of the lead frame according to the second embodiment of the invention.
  • Sectional drawing which shows the lead frame by the 3rd Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the semiconductor device produced with the lead frame by the 3rd Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the method of manufacturing a semiconductor device using the lead frame by the 3rd Embodiment of this invention.
  • FIGS. 1 to 20 a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 20.
  • FIG. 1 is an overall plan view of the lead frame according to the present embodiment
  • FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG. 1, and FIG.
  • the lead frame 10 shown in FIG. 1 is used when manufacturing the semiconductor device 20 (FIGS. 4 and 5) on which the LED elements 21 are mounted.
  • Such a lead frame 10 includes a frame body region 13 having a rectangular outer shape, and a large number of package regions 14 arranged in a multi-row and multi-stage (matrix shape) within the frame body region 13. .
  • the plurality of package regions 14 each include a die pad 25 on which the LED element 21 is mounted and a lead portion 26 adjacent to the die pad 25.
  • the plurality of package regions 14 are connected to each other via a dicing region 15.
  • Each package region 14 is a region corresponding to each semiconductor device 20. In FIG. 2, each package region 14 is indicated by a two-dot chain line.
  • the dicing area 15 extends vertically and horizontally between the package areas 14. As will be described later, the dicing area 15 is an area through which the blade 38 passes when the lead frame 10 is separated into the package areas 14 in the process of manufacturing the semiconductor device 20. In FIG. 2, the dicing area 15 is shaded.
  • the horizontal direction when the lead portions 26 and the die pads 25 in each package region 14 are arranged side by side corresponds to the X direction
  • the vertical direction is the Y direction.
  • the Y direction plus side and the Y direction minus side are referred to as the upper and lower sides, respectively
  • the X direction plus side and the X direction minus side are referred to as the right side and the left side, respectively.
  • each inclined reinforcing piece 51 is located in the dicing region 15 and is disposed so as to be inclined with respect to both the X direction and the Y direction in FIG. 2.
  • each package region 14 is connected to the lead portions 26 in other package regions 14 adjacent above and below by the lead connecting portions 52, respectively.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected to the die pad 25 in another package region 14 adjacent above and below by a die pad connecting portion 53.
  • Each of the lead connecting portions 52 and the die pad connecting portions 53 is located in the dicing region 15 and arranged in parallel to the Y direction.
  • each package region connecting portion 54 is located in the dicing region 15 and is disposed in parallel to the X direction.
  • the lead part 26 and the die pad 25 in the package area 14 located on the outermost periphery are one or more of the inclined reinforcing piece 51, the lead connecting part 52, the die pad connecting part 53, and the package area connecting part 54, It is connected to the frame region 13.
  • the lead frame 10 includes a lead frame main body 11 and a plating layer 12 formed on the lead frame main body 11.
  • the lead frame body 11 is made of a metal plate.
  • the material of the metal plate constituting the lead frame body 11 include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy), and the like.
  • the thickness of the lead frame body 11 is preferably 0.05 mm to 0.5 mm, although it depends on the configuration of the semiconductor device.
  • the plating layer 12 is provided on the entire front and back surfaces of the lead frame body 11.
  • the plating layer 12 on the front side functions as a reflection layer for reflecting light from the LED element 21.
  • the plating layer 12 on the back side plays a role of increasing the adhesion with the solder.
  • the plating layer 12 is made of, for example, an electrolytic plating layer of silver (Ag).
  • the plating layer 12 is formed to be extremely thin, and specifically, it is preferably 0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m.
  • the plating layer 12 is not necessarily provided on the entire front and back surfaces of the lead frame body 11, and may be provided on only a part of the front and back surfaces of the lead frame body 11.
  • first outer lead portion 27 is formed on the back surface of the die pad 25, and a second outer lead portion 28 is formed on the bottom surface of the lead portion 26.
  • the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28 are used when connecting the semiconductor device 20 and an external wiring board, respectively.
  • a groove 18 is formed on the surface of the lead frame 10 for improving the adhesion between the lead frame 10 and the reflective resin 23 (described later).
  • the display of the groove 18 is omitted.
  • FIGS. 4 and 5 are a sectional view and a plan view, respectively, showing a semiconductor device (SON type).
  • the semiconductor device 20 includes a lead frame 10 (separated), an LED element 21 placed on a die pad 25 of the lead frame 10, and the LED element 21 and the lead frame 10. And a bonding wire (conductive portion) 22 for electrically connecting the lead portion 26 to each other.
  • a reflective resin 23 having a recess 23 a is provided so as to surround the LED element 21.
  • the reflective resin 23 is integrated with the lead frame 10. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a translucent sealing resin 24. This sealing resin 24 is filled in the recess 23 a of the reflective resin 23.
  • the LED element 21 selects an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light by appropriately selecting a material made of a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP, or InGaN as a light emitting layer. Can do. As such an LED element 21, those conventionally used in general can be used.
  • the LED element 21 is fixedly mounted on the die pad 25 in the recess 23a of the reflective resin 23 by solder or die bonding paste.
  • solder or die bonding paste it is possible to select a die bonding paste made of an epoxy resin or a silicone resin having light resistance.
  • the bonding wire 22 is made of a material having good conductivity, such as gold, and one end thereof is connected to the terminal portion 21a of the LED element 21 and the other end thereof is connected to the lead portion 26.
  • the reflection resin 23 is formed by, for example, injection molding or transfer molding of a thermoplastic resin on the lead frame 10.
  • the shape of the reflective resin 23 can be variously realized by designing a mold used for injection molding or transfer molding.
  • the overall shape of the reflective resin 23 may be a rectangular parallelepiped as shown in FIGS. 4 and 5, or may be a cylindrical shape or a conical shape.
  • the bottom surface of the recess 23a can be rectangular, circular, elliptical, polygonal, or the like.
  • the cross-sectional shape of the side wall of the recess 23a may be constituted by a straight line as shown in FIG. 4, or may be constituted by a curve.
  • thermoplastic resin used for the reflective resin 23 it is particularly desirable to select a resin having excellent heat resistance, weather resistance and mechanical strength.
  • the kind of the thermoplastic resin polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene terephthalate, and the like can be used.
  • titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting agent in these resins, the light is emitted from the light emitting element on the bottom and side surfaces of the recess 23a. It is possible to increase the light reflectivity and increase the light extraction efficiency of the entire semiconductor device 20.
  • the sealing resin 24 it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the semiconductor device 20 in order to improve the light extraction efficiency. Therefore, it is possible to select an epoxy resin or a silicone resin as a resin that satisfies the characteristics of high heat resistance, weather resistance, and mechanical strength.
  • the sealing resin 24 is preferably made of a silicone resin having high weather resistance because the sealing resin 24 is exposed to strong light.
  • a flat metal substrate 31 is prepared.
  • a metal substrate made of copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy) or the like can be used as described above.
  • photosensitive resists 32a and 33a are applied to the entire front and back surfaces of the metal substrate 31, respectively, and dried (FIG. 6B).
  • photosensitive resists 32a and 33a conventionally known resists can be used.
  • the metal substrate 31 is exposed through a photomask and developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 6C).
  • etching is performed on the metal substrate 31 with a corrosive solution using the etching resist layers 32 and 33 as corrosion resistant films (FIG. 6D).
  • the corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 31 to be used. For example, when copper is used as the metal substrate 31, an aqueous ferric chloride solution is usually used and sprayed from both surfaces of the metal substrate 31. It can be performed by etching.
  • the lead resist main body 11 is obtained by peeling off and removing the etching resist layers 32 and 33 (FIG. 6E).
  • the inclined reinforcing piece 51, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 shown in FIG. 2 are formed by etching.
  • the inclined reinforcing piece 51, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 are all composed of the main body (lead frame main body 11) and the plating layer 12 formed on the main body. Therefore, the strength of the inclined reinforcing piece 51, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 can be increased.
  • the lead frame main body 11 is sequentially subjected to, for example, an electrolytic degreasing step, a pickling step, a chemical polishing step, a copper strike step, a water washing step, a neutral degreasing step, a cyan washing step, and a silver plating step.
  • the plating layer 12 is formed.
  • examples of the plating solution for electrolytic plating used in the silver plating step include a silver plating solution mainly composed of silver cyanide.
  • a water washing process is appropriately added between the processes as necessary.
  • the plating layer 12 may be formed on a part of the lead frame main body 11 by interposing a patterning step in the middle of the above steps.
  • FIGS. 6A to 6F show the method for manufacturing the lead frame 10 by etching, a manufacturing method using a press may be used.
  • the lead frame 10 is manufactured by the steps described above (FIGS. 6A to 6F) (FIG. 7A).
  • the lead frame 10 is mounted in a mold 35 of an injection molding machine or a transfer molding machine (not shown) (FIG. 7B).
  • a space 35 a corresponding to the shape of the reflective resin 23 is formed in the mold 35.
  • thermoplastic resin is poured into a mold 35 from a resin supply part (not shown) of an injection molding machine or a transfer molding machine, and then cured, whereby the reflective resin 23 is formed on the plating layer 12 of the lead frame 10. It forms (FIG.7 (c)).
  • the lead frame 10 on which the reflective resin 23 is formed is taken out from the mold 35.
  • the lead frame 30 with resin in which the reflective resin 23 and the lead frame 10 are integrally formed is obtained (FIG. 7D).
  • the resin-equipped lead frame 30 including the lead frame 10 and the reflective resin 23 disposed on the periphery of each package region 14 of the lead frame 10 is also provided.
  • the LED elements 21 are mounted on the die pad 25 of the lead frame 10 in each of the reflective resins 23 of the lead frame 30 with resin.
  • the LED element 21 is placed and fixed on the die pad 25 using a solder or a die bonding paste (die attach step) (FIG. 8A).
  • the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surface of the lead portion 26 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 8B).
  • the sealing resin 24 is filled in the recess 23a of the reflective resin 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with the sealing resin 24 (FIG. 8C).
  • the reflective resin 23 and the lead frame 10 are cut into portions corresponding to the dicing region 15 to separate the reflective resin 23 and the lead frame 10 for each LED element 21 (dicing step) (FIG. 8D).
  • the lead frame 10 is first placed and fixed on the dicing tape 37, and then the reflective resin 23 between the LED elements 21 and the inclined reinforcing piece of the lead frame 10 by a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone. 51, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 are cut.
  • the lead frame 10 may be cut by a relatively thick blade 38 corresponding to the width of the dicing region 15. In this case, the adjacent package regions 14 can be efficiently separated by a single cutting operation.
  • the lead frame 10 may be cut by two cutting operations using a relatively thin blade 38 narrower than the width of the dicing region 15. In this case, the feed speed of the blade 38 per cutting operation can be increased, and the life of the blade 38 can be extended.
  • the die pad 25 in each package region 14 and the lead portion 26 in another adjacent package region 14 are connected by the inclined reinforcing piece 51 located in the dicing region 15.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected to the lead portion 26 in the other adjacent package region 14 by the package region connecting portion 54. Therefore, an elongated space does not occur along the vertical direction of the lead frame 10, and the lead frame 10 does not become interdigitally in the vertical direction. Thereby, it is possible to prevent the lead frame 10 from being deformed during handling.
  • each package area 14 is connected to the lead part 26 in another adjacent package area 14 by a lead connecting part 52, and the die pad 25 in each package area 14 is connected to another adjacent package area. 14 and the die pad connecting portion 53 are connected to each other. Therefore, there is no elongated space along the left-right direction of the lead frame 10, and the lead frame 10 does not become interdigitally in the left-right direction. Thereby, it is possible to prevent the lead frame 10 from being deformed during handling.
  • each package area 14 there is no need to provide vertical and horizontal tie bars around each package area 14, so that the package areas 14 can be arranged close to each other, and the package area 14 per lead frame 10 can be arranged. Can be increased (high density imposition is possible).
  • FIGS. 10 to 17 are partially enlarged plan views (corresponding to FIG. 2) showing modifications of the lead frame. 10 to 17, the same parts as those of the embodiment shown in FIGS. 1 to 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 10 shows a lead frame 10A according to a modification (Modification 1-1) of the present embodiment.
  • the die pad connecting portion 53 for connecting the die pads 25 to each other is not provided.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected to the lead portion 26 in the other package region 14 adjacent to the upper side by the inclined reinforcing piece 51, and to the lead portion 26 in the other package region 14 adjacent to the right side. Although connected by the package region connecting portion 54, it is not directly connected to the die pad 25 in the other package region 14 adjacent above and below.
  • FIG. 11 shows a lead frame 10B according to a modification (Modification 1-2) of the present embodiment.
  • the lead connecting portion 52 for connecting the lead portions 26 to each other is not provided.
  • the lead portion 26 in each package region 14 is connected to the die pad 25 in the other adjacent package region 14 by the inclined reinforcing piece 51, and the die pad 25 in the other package region 14 adjacent to the left and the package. Although connected by the region connecting portion 54, it is not directly connected to the lead portion 26 in the other package region 14 adjacent above and below.
  • FIG. 12 shows a lead frame 10C according to a modification (Modification 1-3) of the present embodiment.
  • each package region 14 has one die pad 25 and a pair of lead portions 26a and 26b (hereinafter referred to as “lead portions”) 26 located on both sides of the die pad 25.
  • lead portions 26a and 26b also referred to as a first lead portion 26a and a second lead portion 26b (3-pin type).
  • the die pad 25 in each package region 14 and the first lead portion 26a in the package region 14 (first package region) adjacent above each package region 14 are formed by the first inclined reinforcing piece 51a. It is connected.
  • the second lead portion 26b is connected by a second inclined reinforcing piece 51b.
  • the first inclined reinforcing piece 51 a and the second inclined reinforcing piece 51 b are both located in the dicing region 15.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected to the die pad 25 in the package region 14 (the first package region and the second package region) adjacent above and below by the die pad connecting portion 53. Yes. Further, the first lead portion 26a in each package region 14 is respectively in contact with the first lead portion 26a in the package region 14 (first package region and second package region) adjacent above and below the first lead portion 26a. They are connected by the first lead connecting portion 52a. Furthermore, the second lead portion 26b in each package region 14 includes a second lead portion 26b in the package region 14 (first package region and second package region) adjacent above and below the second lead portion 26b. Each is connected by the second lead connecting portion 52b.
  • each package region 14 is connected to the first lead portion 26a in another package region 14 adjacent to the right side by the package region connecting portion 54. Further, the first lead portion 26 a in each package region 14 is connected to the second lead portion 26 b in another package region 14 adjacent to the left by the package region connecting portion 54.
  • the lead frame 10C is prevented from becoming interdigital, and deformation during handling is prevented. it can.
  • FIG. 13 shows a lead frame 10D according to a modification (Modification 1-4) of the present embodiment.
  • the die pad connecting portion 53 that connects the die pads 25 to each other is not provided.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected by the first lead portion 26a and the first inclined reinforcing piece 51a in the other adjacent package region 14 (first package region), and is adjacent below.
  • the second lead portion 26b in the other package region 14 (second package region) is connected to the second inclined reinforcing piece 51b.
  • the die pad 25 in each package region 14 is not directly connected to the die pad 25 in the other package region 14 (the first package region and the second package region) adjacent to the upper side and the lower side.
  • FIG. 14 shows a lead frame 10E according to a modification (Modification 1-5) of the present embodiment.
  • the die pad 25 to which the two inclined reinforcing pieces 51b are not connected is provided every other vertical direction.
  • neither the first inclined reinforcing piece 51a nor the second inclined reinforcing piece 51b is connected to the die pad 25 in the package region 14 (14b).
  • the package region 14 (14a) adjacent to the upper side of the package region 14 (14b) and the package region 14 (14c) adjacent to the lower side of the package region 14 (14b) are respectively provided with the first inclined reinforcing pieces.
  • 51a and the 2nd inclination reinforcement piece 51b are connected.
  • FIG. 15 shows a lead frame 10F according to a modification (Modification 1-6) of the present embodiment.
  • the die pad connecting portion 53 and the lead connecting portion 52 are not provided.
  • the die pad 25 in each package region 14 and the lead part 26 in the package region 14 adjacent above each package region 14 are connected by the first inclined reinforcing piece 51a.
  • region 14 are connected by the 2nd inclination reinforcement piece 51b.
  • the first inclined reinforcing piece 51 a and the second inclined reinforcing piece 51 b are both located in the dicing region 15.
  • the 1st inclination reinforcement piece 51a and the 2nd inclination reinforcement piece 51b have comprised X shape by mutually crossing.
  • each package region 14 and the lead portion 26 in the package region 14 adjacent to the lower side of each package region 14 are connected by a second inclined reinforcing piece 51b. Furthermore, the lead part 26 in each package region 14 and the die pad 25 in the package region 14 adjacent below the package region 14 are connected by a first inclined reinforcing piece 51a.
  • FIG. 16 shows a lead frame 10G according to a modification (Modification 1-7) of the present embodiment.
  • the package region connecting portion 54 is not provided.
  • the die pad 25 in each package region 14 has a pair of additional inclined reinforcing pieces located in the dicing region 15 on the lead portions 26 in the diagonally upper and lower package regions 14 adjacent to the die pad 25 side (right side). It is connected by 55a and 55b. That is, the die pad 25 in each package area 14 is connected to the lead portion 26 in the package area 14 adjacent to the upper right side by the additional inclined reinforcing piece 55a, and the package area adjacent to the lower right side by the additional inclined reinforcing piece 55b. 14 is connected to a lead portion 26 in 14.
  • the lead portions 26 in each package region 14 are paired with a pair of additional inclined reinforcing pieces located in the dicing region 15 on the die pad 25 in the obliquely upper and obliquely lower package regions 14 adjacent to the lead portion 26 side (left side). It is connected by 55b and 55a. That is, the lead portion 26 in each package region 14 is connected to the die pad 25 in the package region 14 adjacent to the upper left side by the additional inclined reinforcing piece 55b, and the lead portion 26 in the package region 14 adjacent to the lower left side. Are connected by an additional inclined reinforcing piece 55a.
  • Other configurations are substantially the same as those of Modification 1-6 shown in FIG.
  • FIG. 17 shows a lead frame 10H according to a modification (Modification 1-8) of the present embodiment.
  • each package region 14 includes one die pad 25 and a pair of lead portions 26a and 26b (first portions) located on both sides of the die pad 25. Lead portion 26a and second lead portion 26b).
  • the die pad 25 in each package region 14 and the first lead portion 26 a in the package region 14 adjacent above each package region 14 are connected by the first inclined reinforcing piece 51 a located in the dicing region 15.
  • the die pad 25 in each package region 14 and the first lead portion 26a in the package region 14 adjacent to the lower side of each package region 14 are connected by a second inclined reinforcing piece 51b located in the dicing region 15. ing.
  • the die pad 25 in each package region 14 and the second lead portion 26b in the package region 14 adjacent above each package region 14 are connected by a third inclined reinforcing piece 51c located in the dicing region 15. ing. Further, the die pad 25 in each package region 14 and the second lead portion 26 b in the package region 14 adjacent below the package region 14 are connected by a fourth inclined reinforcing piece 51 d located in the dicing region 15. ing.
  • the first lead portions 26a in each package region 14 are respectively connected to the second lead portions 26b in the obliquely upward and obliquely downward package regions 14 adjacent to the first lead portion 26a side (left side). Are connected by a pair of additional inclined reinforcing pieces 55b and 55a.
  • the first lead portion 26a in each package region 14 is connected to the die pad 25 in the package region 14 adjacent to the upper and lower portions by the second inclined reinforcing piece 51b and the first inclined reinforcing piece 51a, respectively. .
  • the second lead portions 26b in each package region 14 are respectively connected to the first lead portions 26a in the obliquely upper and obliquely lower package regions 14 adjacent to the second lead portion 26b side (right side). Are connected by a pair of additional inclined reinforcing pieces 55a and 55b.
  • the second lead portion 26b in each package region 14 is connected to the die pad 25 in the package region 14 adjacent to the upper and lower sides by a fourth inclined reinforcing piece 51d and a third inclined reinforcing piece 51c, respectively. .
  • the lead frames (Modification 1-1 to Modification 1-8) shown in FIGS. 10 to 17 can obtain substantially the same effects as those of the embodiment shown in FIGS. 1 to 9 described above. it can.
  • modified examples (modified examples A to C) of the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 18 to 20 are cross-sectional views (corresponding to FIG. 4) showing modifications of the semiconductor device. 18 to 20, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 18 shows a semiconductor device 20A according to a modification (3 pin type) of the present embodiment.
  • the lead frame 10 includes one die pad 25 and a pair of lead portions 26a and 26b (first lead portion 26a and second lead portion 26b) located on both sides of the die pad 25. have.
  • the LED element 21 has a pair of terminal portions 21a.
  • the pair of terminal portions 21a are connected to the first lead portion 26a and the second lead portion 26b via the bonding wires 22, respectively. Yes.
  • the lead frame 10 for example, the one shown in FIGS. 12, 13, 14, or 17 (lead frames 10C, 10D, 10E, 10H) can be used.
  • Other configurations are substantially the same as those of the semiconductor device 20 shown in FIGS. 4 and 5 described above.
  • FIG. 19 shows a semiconductor device 20B according to a modification of the present embodiment (collective mold type with lens).
  • the reflective resin 23 is filled between the die pad 25 and the lead portion 26.
  • the reflective resin 23 is not provided on the lead frame 10.
  • the LED element 21 is connected to the lead frame 10 by solder balls (conductive portions) 41 a and 41 b instead of the bonding wires 22. That is, of the solder balls 41 a and 41 b, one solder ball 41 a is connected to the die pad 25 and the other solder ball 41 b is connected to the lead portion 26. Further, in FIG. 19, a dome-shaped lens 61 that controls the irradiation direction of light from the LED element 21 is formed on the surface of the sealing resin 24.
  • FIG. 20 shows a semiconductor device 20C according to a modification (collective mold type) of the present embodiment.
  • the LED element 21 and the bonding wire 22 are collectively sealed only by the sealing resin 24 without using the reflective resin 23. Further, a sealing resin 24 is filled between the die pad 25 and the lead portion 26.
  • FIGS. 21 to 41 are diagrams showing a second embodiment of the present invention. 21 to 41, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 21 is an overall plan view of the lead frame according to the present embodiment
  • FIG. 22 is an enlarged view of a portion D in FIG. 21
  • FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line EE in FIG.
  • the lead frame 70 shown in FIGS. 21 to 23 is used when the semiconductor device 80 (FIGS. 24 and 25) on which the LED element 21 is mounted is manufactured.
  • Such a lead frame 70 includes a frame body region 13 having a rectangular outer shape, and a large number of package regions 14 arranged in a multi-row and multi-stage (matrix form) within the frame body region 13. .
  • each of the plurality of package regions 14 includes a die pad 25 on which the LED element 21 is mounted and a lead portion 26 adjacent to the die pad 25.
  • the plurality of package regions 14 are connected to each other via a dicing region 15.
  • Each package region 14 is a region corresponding to each individual semiconductor device 80. In FIG. 22, each package region 14 is indicated by a two-dot chain line.
  • the dicing area 15 extends vertically and horizontally between the package areas 14.
  • the dicing region 15 is a region through which the blade 38 passes when the lead frame 70 is separated into the package regions 14 in the process of manufacturing the semiconductor device 80.
  • the dicing area 15 is shaded.
  • each package region 14 is connected to the lead portion 26 in the other package region 14 adjacent above and below the dicing region 15 by the lead connecting portion 52.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected to the die pad 25 in another package region 14 adjacent above and below the die pad 25 beyond the dicing region 15 by a die pad connecting portion 53.
  • Each lead connecting portion 52 and each die pad connecting portion 53 are arranged in parallel to the Y direction.
  • each die pad connecting portion 53 and each lead connecting portion 52 are connected by a reinforcing piece 57 located in the dicing region 15.
  • the reinforcing pieces 57 are arranged in parallel to the X direction and extend in a straight line over the entire inner length of the frame region 13 to connect the plurality of die pad connecting portions 53 and the plurality of lead connecting portions 52. ing.
  • each package region connecting portion 54 is arranged in parallel to the X direction.
  • lead part 26 and the die pad 25 in the package area 14 located on the outermost periphery are connected to the frame body area 13 by one or more of the lead connecting part 52, the die pad connecting part 53, and the package area connecting part 54. It is connected.
  • the configurations of the lead frame main body 11 and the plating layer 12 are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.
  • FIGS. 24 and 25 are a cross-sectional view and a plan view showing a semiconductor device (SON type), respectively.
  • the semiconductor device 80 includes a lead frame 70 (divided into pieces), the LED element 21 placed on the die pad 25 of the lead frame 70, the LED element 21 and the lead frame 70. And a bonding wire (conductive portion) 22 for electrically connecting the lead portion 26 to each other.
  • a reflective resin 23 having a recess 23 a is provided so as to surround the LED element 21.
  • the reflective resin 23 is integrated with the lead frame 70. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a translucent sealing resin 24. This sealing resin 24 is filled in the recess 23 a of the reflective resin 23.
  • the configuration of the LED element 21, the bonding wire 22, the reflection resin 23, and the sealing resin 24 constituting the semiconductor device 80 is the same as that in the first embodiment, the description thereof is omitted here. .
  • FIGS. 26 to 28 is substantially the same as the manufacturing method shown in FIGS. 6 to 8, and a part of the description is omitted below.
  • a flat metal substrate 31 is prepared (FIG. 26A).
  • photosensitive resists 32a and 33a are applied to the entire front and back surfaces of the metal substrate 31, respectively, and dried (FIG. 26B).
  • the metal substrate 31 is exposed through a photomask and developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 26C).
  • the etching resist layers 32 and 33 are used as an anticorrosion film, and the metal substrate 31 is etched with an etching solution (FIG. 26D).
  • the lead resist main body 11 is obtained by peeling off and removing the etching resist layers 32 and 33 (FIG. 26E).
  • the reinforcing piece 57, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 shown in FIG. 22 are formed by etching.
  • the reinforcing piece 57, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 are all composed of the main body (lead frame main body 11) and the plating layer 12 formed on the main body. Therefore, the strength of the reinforcing piece 57, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 can be increased.
  • the lead frame 70 thus obtained (FIG. 27A) is mounted in the mold 35 of an injection molding machine or transfer molding machine (not shown) (FIG. 27B). Thereafter, a thermoplastic resin is poured into the mold 35 and cured to form the reflective resin 23 on the plating layer 12 of the lead frame 70 (FIG. 27C).
  • a lead frame with resin is obtained by taking out the lead frame 70 on which the reflective resin 23 is formed from the mold 35 (FIG. 27D).
  • the lead frame 90 with resin including the lead frame 10 and the reflective resin 23 disposed on the periphery of each package region 14 of the lead frame 10 is also provided.
  • the LED element 21 is mounted on the die pad 25 of the lead frame 70 in each of the reflective resins 23 of the lead frame 90 with resin (FIG. 28A).
  • the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surface of the lead portion 26 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (FIG. 28 (b)).
  • the sealing resin 24 is filled in the recess 23a of the reflective resin 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with the sealing resin 24 (FIG. 28C).
  • the reflective resin 23 and the lead frame 70 are separated for each LED element 21 (FIG. 28 (d)).
  • the lead frame 70 is first placed and fixed on the dicing tape 37.
  • the reflective resin 23 located between the LED elements 21, the reinforcing piece 57 of the lead frame 70, the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 are respectively formed by a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone. Disconnect.
  • the lead frame 70 may be cut by a relatively thick blade 38 corresponding to the width of the dicing region 15. That is, the blade 38 is moved along the reinforcing piece 57 of the lead frame 70, and the reinforcing piece 57 and each lead connecting part 52 and each die pad connecting part 53 located around the reinforcing piece 57 are cut together. In this case, the adjacent package regions 14 can be efficiently separated by a single cutting operation.
  • a relatively thin blade 38 narrower than the width of the dicing area 15 may be used to cut the lead frame 70 by two cutting operations. That is, the blade 38 is moved in parallel to the reinforcing piece 57 of the lead frame 70, and the lead connecting portions 52 and the die pad connecting portions 53 located around the reinforcing pieces 57 are cut without directly cutting the reinforcing pieces 57. . In this case, the feed speed of the blade 38 per cutting operation can be increased and the life of the blade 38 can be extended.
  • the die pad connecting portion 53 and the lead connecting portion 52 are connected by the reinforcing piece 57 located in the dicing region 15.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected to the lead portion 26 in the other adjacent package region 14 by the package region connecting portion 54. Therefore, an elongated space does not occur along the vertical direction of the lead frame 70, and the lead frame 70 does not become interdigitally in the vertical direction. This can prevent the lead frame 70 from being deformed during handling.
  • each package region 14 is connected to the lead portion 26 in another adjacent package region 14 by a lead connecting portion 52, and the die pad 25 in each package region 14 is connected to another adjacent package.
  • the die pad 25 in the region 14 is connected to the die pad connecting portion 53. Therefore, an elongated space does not occur along the left-right direction of the lead frame 70, and the lead frame 70 does not become interdigitally in the left-right direction. This can prevent the lead frame 70 from being deformed during handling.
  • each package area 14 there is no need to provide vertical and horizontal tie bars around each package area 14, so that the package areas 14 can be arranged close to each other, and the package area 14 per lead frame 70 can be arranged. Can be increased (high density imposition is possible).
  • FIGS. 30 to 35 are partially enlarged plan views (corresponding to FIG. 2) showing modifications of the lead frame. 30 to 35, the same components as those in the embodiment shown in FIGS. 21 to 29 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 30 shows a lead frame 70A according to a modification (Modification 2-1) of the present embodiment.
  • each package region 14 includes one die pad 25 and a pair of lead portions 26a, 26b (hereinafter referred to as “lead portions”) 26 located on both sides of the die pad 25.
  • lead portions also referred to as a first lead portion 26a and a second lead portion 26b (3-pin type).
  • first lead portion 26a in each package region 14 and the first lead portion 26a in the package region 14 adjacent above and below each package region 14 are respectively connected by the first lead connecting portion 52a.
  • the dicing area 15 is connected.
  • the second lead portion 26b in each package region 14 and the second lead portion 26b in the package region 14 adjacent above and below each package region 14 are diced by the second lead connecting portion 52b, respectively. It is connected beyond the region 15.
  • the die pad 25 in each package region 14 is connected to the die pad 25 in the package region 14 adjacent above and below the die pad 25 beyond the dicing region 15 by the die pad connecting portion 53. Furthermore, the die pad connecting portion 53, the first lead connecting portion 52a, and the second lead connecting portion 52b are connected by a reinforcing piece 57 located in the dicing region 15. In this case, the reinforcing piece 57 extends in a straight line over the entire length inside the frame region 13 and connects the plurality of die pad connecting portions 53, the plurality of first lead connecting portions 52a, and the plurality of second lead connecting portions 52b. ing.
  • each package region 14 is connected to the first lead portion 26a in another package region 14 adjacent to the right side by the package region connecting portion 54. Further, the first lead portion 26 a in each package region 14 is connected to the second lead portion 26 b in another package region 14 adjacent to the left by the package region connecting portion 54.
  • each package region 14 includes the die pad 25 and the pair of lead portions 26a and 26b, the provision of the reinforcing piece 57 creates a long and narrow space along the vertical direction of the lead frame 70A. Therefore, the lead frame 70A can be prevented from becoming an interdigital shape, and deformation of the lead frame 70A during handling can be prevented.
  • FIG. 31 shows a lead frame 70B according to a modification (Modification 2-2) of the present embodiment.
  • the dicing area 15 provided with the reinforcing piece 57 and the reinforcing piece 57 are out of the plurality of dicing areas 15 extending in the lateral direction. Dicing regions 15 that are not provided are alternately arranged in the vertical direction.
  • the package region 14 (14a) adjacent to the upper side when viewed from the package region 14 (14b) is defined as the first package region 14a, and the package region 14 adjacent to the lower side when viewed from the package region 14 (14b).
  • Let (14c) be the second package region 14c.
  • the die pad connecting portion 53 and the lead connecting portion 52 that connect the die pad 25 and the lead portion 26 in the package region 14b and the die pad 25 and the lead portion 26 in the first package region 14a are respectively connected to the dicing region 15.
  • the reinforcing pieces 57 are connected to each other.
  • the die pad connecting portion 53 and the lead connecting portion 52 that connect the die pad 25 and the lead portion 26 in the package region 14b and the die pad 25 and the lead portion 26 in the second package region 14c, respectively, are connected by a reinforcing piece 57. It has not been.
  • the width (W a ) of the dicing region 15 where the reinforcing piece 57 is not provided is the width (W b ) of the dicing region 15 where the reinforcing piece 57 is provided. It is preferable to make it narrower (W a ⁇ W b ). In this case, the number of package areas 14 per lead frame 70 can be increased.
  • the dicing area 15 is cut using a relatively thin blade 38 (FIG. 29B), the dicing area 15 without the reinforcing piece 57 can be cut by a single cutting operation. As a result, the number of cutting operations can be reduced.
  • FIG. 32 shows a lead frame 70C according to a modification (Modification 2-3) of the present embodiment.
  • a lead frame 70C shown in FIG. 32 is a combination of the modified example 2-1 shown in FIG. 30 and the modified example 2-2 shown in FIG.
  • each package region 14 includes one die pad 25 and a pair of lead portions 26a and 26b (hereinafter also referred to as a first lead portion 26a and a second lead portion 26b) located on both sides of the die pad 25. (3-pin type).
  • the dicing regions 15 provided with the reinforcing pieces 57 and the dicing regions 15 provided with no reinforcing pieces 57 are alternately present in the vertical direction. ing.
  • the die pad connecting portion 53, the first lead connecting portion 52 a, and the second lead connecting portion 52 b that connect the 25 and the lead portions 26 a and 26 b, respectively, are connected by a reinforcing piece 57 located in the dicing region 15.
  • the die pad connecting portion 53, the first lead connecting portion 52 a, and the second lead connecting portion 52 b that connect 26 a and 26 b, respectively, are not connected by the reinforcing piece 57.
  • FIG. 33 shows a lead frame 70D according to a modification (Modification 2-4) of the present embodiment.
  • the reinforcing piece 57 includes a die pad connecting portion 53 and a lead connected to the die pad 25 and the lead portion 26 in each package region 14, respectively. It extends only between the connecting portions 52 and connects the die pad connecting portion 53 and the lead connecting portion 52.
  • the die pad 25 and the lead portion 26 in one package region 14 and the die pad 25 and the lead portion 26 in another package region 14 adjacent to the upper side (or lower side) of the package region 14 are respectively connected to the lead connection portion. 52 and a die pad connecting portion 53.
  • the reinforcing piece 57 extends only between the lead connecting portion 52 and the die pad connecting portion 53, and connects the lead connecting portion 52 and the die pad connecting portion 53.
  • the reinforcing piece 57 does not extend to the left of the lead connecting portion 52 and to the right of the die pad connecting portion 53, respectively.
  • FIG. 34 shows a lead frame 70E according to a modification (Modification 2-5) of the present embodiment.
  • a lead frame 70E shown in FIG. 34 is a combination of Modification 2-1 shown in FIG. 30 and Modification 2-4 shown in FIG.
  • each package region 14 includes one die pad 25 and a pair of lead portions 26a and 26b (hereinafter also referred to as a first lead portion 26a and a second lead portion 26b) located on both sides of the die pad 25. (3-pin type).
  • the reinforcing piece 57 is between the first lead connecting portion 52a, the die pad connecting portion 53, and the second lead connecting portion 52b connected to the die pad 25 and the lead portions 26a, 26b in each package region 14, respectively.
  • the first lead connecting part 52a, the die pad connecting part 53, and the second lead connecting part 52b are connected to each other.
  • FIG. 35 shows a lead frame 70F according to a modification (Modification 2-6) of the present embodiment.
  • each package region 14 has one die pad 25 and a pair of lead portions 26a and 26b (first lead portion 26a and second lead portion 26b) located on both sides of the die pad 25. (3-pin type).
  • die pad 25, the first lead portion 26a, and the second lead portion 26b in each package region 14 are the same as the die pad 25, the first lead portion 26a, and the second lead portion 26 in the other adjacent package regions 14, respectively.
  • the two lead portions 26b are connected to each other by the die pad connecting portion 53, the first lead connecting portion 52a, and the second lead connecting portion 52b.
  • the reinforcing piece 57 that connects only the die pad connecting portion 53 and the first lead connecting portion 52a, and the reinforcing piece 57 that connects only the die pad connecting portion 53 and the second lead connecting portion 52b are in the vertical direction. Every other one is provided.
  • the package region 14 (14a) adjacent to the upper side when viewed from the package region 14 (14b) is defined as the first package region 14a, and the package region 14 adjacent to the lower side when viewed from the package region 14 (14b).
  • Let (14c) be the second package region 14c.
  • the reinforcing piece 57 extends only between the die pad connecting portion 53 and the first lead connecting portion 52a, and the die pad connecting portion 53 and Only the first lead connecting portion 52a is connected.
  • the reinforcing piece 57 extends only between the die pad connecting portion 53 and the second lead connecting portion 52b, and the die pad connecting portion 53 and the second pad connecting portion 53b. Only the lead connecting portion 52b is connected.
  • two die pads 25a and 25b in the package region 14 as shown in a lead frame 70G (Modification 2-7) shown in FIG.
  • the first die pad portion 25a and the second die pad portion 25b and a pair of lead portions 26a and 26b (hereinafter referred to as the first lead portion 26a and the second lead portion) located adjacent to both sides of the die pads 25a and 25b. 2 lead portions 26b), one die pad 25 in each package region 14, and a die pad as in a lead frame 70H (Modification 2-8) shown in FIG.
  • a pair of lead portions 26a and 26b (hereinafter also referred to as a first lead portion 26a and a second lead portion 26b) located adjacent to one side of the die 25, and a die It can be exemplified embodiment of 4pin type with a single lead portion 26c located adjacent to the other side of the head 25.
  • a problem common to these examples is that the die pad 25 (25a, 25b) and the lead part 26 (26a, 26b, 26c) of each package region 14 are arranged in a straight line, and therefore the die pad 25 and the lead part.
  • the lead connecting portion 52 and the die pad connecting portion 53 that connect the package regions 14 are arranged so as not to short-circuit the lead 26, gaps between the die pads 25 and the lead portions 26 are connected to one side of the lead frame 70.
  • a plurality of parallel and long and narrow spaces are generated, and there is a problem that the structure is easily deformed.
  • these problems can be effectively solved by the reinforcing piece 57 of the present embodiment.
  • FIG. 36 shows a lead frame 70G according to Modification 2-7 of the present embodiment.
  • each package region 14 includes two die pads 25a and 25b (hereinafter referred to as a first die pad portion 25a and a second die pad portion 25b). And a pair of lead portions 26a and 26b (hereinafter also referred to as a first lead portion 26a and a second lead portion 26b) located adjacent to both sides of the die pads 25a and 25b. 4pin type).
  • a semiconductor device 80 in which two LED elements 21 are stored in one package can be realized (FIG. 37).
  • the first lead portion 26a in each package region 14 and the first lead portion 26a in the package region 14 adjacent above and below each package region 14 are respectively the first lead portion 26a. It is connected beyond the dicing area 15 by the lead connecting part 52a. Further, the second lead portion 26b in each package region 14 and the second lead portion 26b in the package region 14 adjacent above and below each package region 14 are diced by the second lead connecting portion 52b, respectively. It is connected beyond the region 15.
  • first die pad 25a and the second die pad 25b in each package region 14 are respectively connected to the corresponding die pads 25a and 25b in the adjacent package region 14 above and below the first die pad connecting portion 53a,
  • the second die pad connecting portion 53b is connected beyond the dicing region 15.
  • first die pad connecting portion 53 a, the second die pad connecting portion 53 b, the first lead connecting portion 52 a, and the second lead connecting portion 52 b are connected by a reinforcing piece 57 located in the dicing region 15.
  • the reinforcing piece 57 extends in a straight line over the entire inner length of the frame body region 13, and includes a plurality of first die pad connecting portions 53a, a plurality of second die pad connecting portions 53b, a plurality of first lead connecting portions 52a, and A plurality of second lead connecting portions 52b are connected.
  • the dicing area 15 provided with the reinforcing pieces 57 and the dicing area where the reinforcing pieces 57 are not provided are formed in the vertical direction. Alternatingly arranged.
  • the reinforcing piece 57 does not cause an elongated space along the vertical direction of the lead frame 70G. Further, it is possible to prevent the lead frame 70G from becoming an interdigital shape, and it is possible to prevent the lead frame 70G from being deformed during handling. Further, since the reinforcing piece 57 is provided only in a part of the plurality of dicing areas 15, wear of the teeth of the dicer can be reduced.
  • FIG. 38 shows a lead frame 70H according to a modification (Modification 2-8) of the present embodiment.
  • each package region 14 has a die pad 25, a pair of lead placement regions 16L and a lead placement region 16R located on both sides of the die pad 25.
  • a lead portion 26a is arranged in the lead arrangement region 16L, and two lead portions 26c and 26d are arranged in a line along the die pad 25 in the lead arrangement region 16R (hereinafter, the lead portions 26a, 26c, and 26d are arranged).
  • the lead portions 26a, 26c, and 26d are arranged.
  • a semiconductor device 80 in which three LED elements 21 are stored in one package can be realized (FIG. 39).
  • Modification 38 differs from Modification 2-1 (FIG. 30) or Modification 2-3 (FIG. 32) in that it has a second lead portion 26c and a third lead portion 26d, but the lead frame 70H shown in FIG. Is provided with a partial lead connecting portion 55 for connecting the second lead portion 26c and the third lead portion 26d, and the second lead portion 26c and the second lead portion 26c via the second lead connecting portion 52c located in the dicing region 15. 3 lead portions 26d.
  • the second lead connecting portion 52 c extends in the vertical direction over the entire inner length of the frame region 13 in the dicing region 15.
  • the first lead connecting portions 52a are connected beyond the dicing area 15 respectively.
  • the second lead portion 26c and the third lead portion 26d in each package region 14 are the second lead portion 26c and the third lead in the package region 14 adjacent above and below each package region 14, respectively.
  • the second lead connecting portion 52c is connected to the portion 26d beyond the dicing region 15 through the partial lead connecting portion 55, respectively.
  • the second lead portion 26c and the third lead portion 26d can be handled as an integrated lead by the partial lead connecting portion 55, the second lead portion 26c and the third lead handled as an integral portion. If the portion 26d (that is, the lead placement region 16R), the die pad 25, and the first lead portion 26a are arranged in a straight line, the lead frame is deformed using the reinforcing piece 57 of the present invention. Can be prevented.
  • the dicing area 15 provided with the reinforcing piece 57 and the dicing area not provided with the reinforcing piece 57 are in the vertical direction. Alternatingly arranged.
  • FIG. 40 shows a lead frame 70I according to a modification (Modification 2-9) of the present embodiment.
  • the dicing areas 15 provided with the reinforcing pieces 57 are a predetermined number in the vertical direction. It is provided every other period.
  • every two dicing regions 15 provided with the reinforcing pieces 57 are provided, but the present invention is not limited to this.
  • the dicing regions 15 may be provided at intervals of three or four.
  • FIG. 41 shows a lead frame 70J according to a modification (Modification 2-10) of the present embodiment.
  • the dicing areas 15 provided with the reinforcing pieces 57 among the plurality of dicing areas 15 extending in the lateral direction are periodically arranged. It is not arranged in the vertical direction.
  • the lead frames shown in FIGS. 30 to 41 can obtain substantially the same effects as those of the embodiments shown in FIGS. 21 to 29 described above. it can.
  • FIGS. 21 to 23, 31, 33, 40, and 41 A semiconductor device manufactured by using the lead frames 70, 70B, 70D, 70I, and 70J shown in FIGS. 21 to 23, 31, 33, 40, and 41 is shown in FIGS.
  • the semiconductor device is not limited to the semiconductor device shown in FIG. 19 (Modification B) or FIG. 20 (Modification C). Further, the semiconductor device manufactured using the lead frames 70A, 70C, 70E, and 70F shown in FIGS. 30, 32, 34, and 35 may be the semiconductor device shown in FIG. 18 (Modification A). good.
  • FIGS. 42 to 44 are views showing a third embodiment of the present invention.
  • the third embodiment shown in FIGS. 42 to 44 is mainly different in that a semiconductor element 45 such as a diode is used in place of the LED element 21, and other configurations are the same as those in the first embodiment described above.
  • This is substantially the same as in the second embodiment. 42 to 44, the same parts as those in the first embodiment and the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 42 is a cross-sectional view showing a lead frame 60 according to the present embodiment.
  • the lead frame 60 according to the present embodiment is for mounting a semiconductor element 45 such as a diode (see FIG. 42) instead of the LED element 21, and the plating layer 12 is a part of the lead portion 26 (bonding wire 22). It is formed only in the part to which is connected.
  • Other configurations are the same as those of the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 3 or the lead frame 70 shown in FIGS. 21 to 23.
  • planar shape of the lead frame 60 is not limited to the shape of the lead frame 10 shown in FIG. 1 to FIG. 3 or the shape of the lead frame 70 shown in FIG. 21 to FIG. Or the shape of each lead frame shown in FIGS. 30 to 41.
  • FIG. 43 shows a semiconductor device 65 according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 65 is manufactured using the lead frame 60 shown in FIG. 42, and includes a lead frame 60 (separated) and a semiconductor element 45 placed on the die pad 25 of the lead frame 60.
  • the semiconductor element 45 may be composed of a discrete semiconductor element such as a diode, for example.
  • the terminal portion 45 a of the semiconductor element 45 and the plating layer 12 provided on the lead portion 26 are electrically connected by a bonding wire 22. Further, the semiconductor element 45 and the bonding wire 22 are sealed with a sealing resin 24.
  • sealing resin 24 it is possible to select an epoxy resin or a silicone resin, but unlike the first embodiment and the second embodiment, it is not necessarily transparent. Alternatively, it may be made of an opaque resin such as black.
  • FIGS. 44 (a) to 44 (f) are diagrams showing a method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
  • a lead frame 60 is fabricated in substantially the same manner as the above-described steps (FIGS. 6A to 6F and FIGS. 26A to 26F) (FIG. 44A).
  • the plating layer 12 in the step of forming the plating layer 12 (FIGS. 6 (f) and 26 (f)), the plating layer 12 is not formed on the entire surface of the lead frame body 11, but only on a part of the lead portion 26. Is done.
  • the semiconductor element 45 is mounted on the die pad 25 of the lead frame 60.
  • the semiconductor element 45 is mounted on the die pad 25 and fixed by using solder or die bonding paste (FIG. 44B).
  • the terminal portion 45a of the semiconductor element 45 and the plating layer 12 on the lead portion 26 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (FIG. 44C).
  • the semiconductor element 45 and the bonding wire 22 are collectively sealed with the sealing resin 24 (FIG. 44D).
  • the sealing resin 24 goes around the back surface of the first outer lead portion 27 and / or the second outer lead portion 28. It may be prevented.
  • the sealing resin 24 and the lead frame 60 are separated for each semiconductor element 45 by cutting a portion corresponding to the dicing region 15 in the sealing resin 24 and the lead frame 60 (FIG. 44E).
  • the lead frame 60 is first placed and fixed on the dicing tape 37, and then the sealing resin 24 between the semiconductor elements 45 and the inclination reinforcement of the lead frame 60 are performed by a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone.
  • the piece 51 (or the reinforcing piece 57), the lead connecting portion 52, the die pad connecting portion 53, and the package region connecting portion 54 are cut.
  • the method shown in FIGS. 9A and 9B or FIGS. 29A and 29B may be used.
  • a semiconductor element 45 such as a diode is placed instead of the LED element 21, and the reflective resin 23 is not provided on the lead frame 60.
  • the lead frame 60 is not reinforced by the reflective resin 23 in the middle thereof, so that the semiconductor device 65 is sealed by the sealing resin 24.
  • the lead frame 60 may be conveyed by a rail through its end face, and at this time, it is necessary to prevent the lead frame 60 from being deformed.
  • heat is applied to the lead frame 60 (for example, heat is applied at 400 ° C. for 10 minutes), and this heat reduces the strength of the lead frame 60. There is a need to prevent. Furthermore, since heat and impact are also applied during wire bonding, it is necessary to prevent the strength of the lead frame 60 from being reduced by this heat. Therefore, it is required to further increase the strength of the lead frame 60 as compared with the case where the reflective resin 23 is provided.
  • the die pad 25 in each package region 14 and the lead portion 26 in another adjacent package region 14 are connected by the inclined reinforcing piece 51 located in the dicing region 15. ing.
  • the die pad connecting portion 53 and the lead connecting portion 52 are connected by a reinforcing piece 57 located in the dicing area 15.

Abstract

　ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム１０は、枠体領域１３と、枠体領域１３内に多列および多段に配置された多数のパッケージ領域１４とを備えている。多数のパッケージ領域１４は、各々がＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含むとともに、互いにダイシング領域１５を介して接続されている。一のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、上下に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とは、ダイシング領域１５に位置する傾斜補強片５１により連結されている。

Description

ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム
　本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレームに関する。
　従来、樹脂封止型半導体装置用のリードフレームとして、例えば特開２００１－３２６３１６号公報に記載されたものが存在する。このようなリードフレームにおいては、各ダイパッド周囲に多数の端子部が配置されており、これら多数の端子部と吊りリードとを繋ぐタイバーが、縦横に格子状に配置されている。
　一方、近年、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームにＬＥＤ素子を搭載することにより作製された半導体装置を含むものがある。
特開２００１－３２６３１６号公報
　ＬＥＤ素子用の半導体装置またはディスクリート半導体素子用の半導体装置においては、ダイパッドの周囲に、ダイパッドとリードとが直線状に一列に配置されたものがある。このような半導体装置に用いられるリードフレームの場合、上述した従来のリードフレームと異なり、縦横の格子状のタイバーを設けることなく、互いに隣接するダイパッド同士およびリード部同士を連結する方が、１つのリードフレーム中の素子の面付け数を多くすることができ、リードフレームを効率良く製造することができる。
　この場合、ダイパッドとリード部とは、短絡が生じないように離して配置する必要がある。このため、各ダイパッドと各リード部との間の隙間が繋がり、リードフレームの一辺に平行な、複数の細長い空間が生じてしまうという問題が生じる。このため、リードフレームがすだれ状になり、取り扱う際にリードフレームに変形が生じてしまうおそれがある。
　本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ダイパッドとリード部との間の隙間が繋がり、リードフレームに細長い空間が生じることによりリードフレームがすだれ状になることを防止し、取り扱い時に変形が生じることを防止することが可能な、ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレームを提供することを目的とする。
　本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、一のパッケージ領域内のダイパッドと、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のリード部は、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとダイパッド連結部により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のリード部と、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、ダイパッド側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のリード部は、リード部側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、少なくとも一のパッケージ領域内のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結され、一のパッケージ領域内のリード部と、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、傾斜補強片は、本体と、本体上に形成されためっき層とからなることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、樹脂付リードフレームにおいて、リードフレームと、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
　本発明は、半導体装置の製造方法において、樹脂付リードフレームを準備する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　本発明は、半導体素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、一のパッケージ領域内のダイパッドと、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のリード部は、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとダイパッド連結部により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のリード部と、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、ダイパッド側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のリード部は、リード部側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、半導体素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、少なくとも一のパッケージ領域内のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結され、一のパッケージ領域内のリード部と、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明によれば、一のパッケージ領域内のダイパッドと、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されているので、各ダイパッドと各リード部との間の隙間が繋がり、リードフレームの一辺に対して平行な、複数の細長い空間が生じることがない。したがって、取り扱い時にリードフレームが変形することを防止することができる。
　本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、ダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、補強片は、枠体領域内側の全長にわたって延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、補強片により連結されていないことを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、補強片は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部にそれぞれ連結されたダイパッド連結部およびリード連結部間のみに延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、各パッケージ領域は、１つのダイパッドと、このダイパッドの両側に位置する第１のリード部および第２のリード部とを含み、一のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部と各々ダイパッド連結部、第１リード連結部、および第２リード連結部により連結され、前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第１リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第１リード連結部を連結し、前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第２リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第２リード連結部を連結することを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、一部のダイシング領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、不規則に設けられていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、補強片は、本体と、本体上に形成されためっき層とからなることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、樹脂付リードフレームにおいて、リードフレームと、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
　本発明は、半導体装置の製造方法において、樹脂付リードフレームを準備する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　本発明は、半導体素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、ダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、補強片は、枠体領域内側の全長にわたって延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、補強片により連結されていないことを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、補強片は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部にそれぞれ連結されたダイパッド連結部およびリード連結部間のみに延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、各パッケージ領域は、１つのダイパッドと、このダイパッドの両側に位置する第１のリード部および第２のリード部とを含み、一のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部と各々ダイパッド連結部、第１リード連結部、および第２リード連結部により連結され、前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第１リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第１リード連結部を連結し、前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第２リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第２リード連結部を連結することを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、半導体素子搭載用リードフレームにおいて、枠体領域と、枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、一部のダイシング領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明は、横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、不規則に設けられていることを特徴とするリードフレームである。
　本発明によれば、ダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結されているので、各ダイパッドと各リード部との間の隙間が繋がり、リードフレームの一辺に対して平行な、複数の細長い空間が生じることがない。したがって、取り扱い時にリードフレームが変形することを防止することができる。
本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図１のＡ部拡大図）。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のＢ－Ｂ線断面図）。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す断面図（図５のＣ－Ｃ線断面図）。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて、半導体装置を製造する方法を示す図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて、半導体装置を製造する方法を示す図。 半導体装置を製造する方法のうち、ダイシング工程を示す図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－１）を示す部分拡大平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－２）を示す部分拡大平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－３）を示す部分拡大平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－４）を示す部分拡大平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－５）を示す部分拡大平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－６）を示す部分拡大平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－７）を示す部分拡大平面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例１－８）を示す部分拡大平面図。 半導体装置の変形例（変形例Ａ）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例Ｂ）を示す断面図。 半導体装置の変形例（変形例Ｃ）を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図２１のＤ部拡大図）。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２２のＥ－Ｅ線断面図）。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す断面図（図２５のＦ－Ｆ線断面図）。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを用いて、半導体装置を製造する方法を示す図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを用いて、半導体装置を製造する方法を示す図。 半導体装置を製造する方法のうち、ダイシング工程を示す図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－１）を示す部分拡大平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－２）を示す部分拡大平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－３）を示す部分拡大平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－４）を示す部分拡大平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－５）を示す部分拡大平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－６）を示す部分拡大平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－７）を示す部分拡大平面図。 変形例２－７（図３６）によるリードフレームを用いて作製された半導体装置を示す概略平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－８）を示す部分拡大平面図。 変形例２－８（図３８）によるリードフレームを用いて作製された半導体装置を示す概略平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－９）を示す部分拡大平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例（変形例２－１０）を示す部分拡大平面図。 本発明の第３の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。 本発明の第３の実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態によるリードフレームを用いて、半導体装置を製造する方法を示す断面図。
　（第１の実施の形態）
　以下、図面を参照して本発明の第１の実施の形態について説明する。図１乃至図６は本発明の第１の実施の形態を示す図である。
　以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図２０を参照して説明する。
　リードフレームの構成
　まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるＬＥＤ素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図１は、本実施の形態によるリードフレームの全体平面図であり、図２は、図１のＡ部拡大図であり、図３は、図２のＢ－Ｂ線断面図である。
　図１に示すリードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を搭載した半導体装置２０（図４および図５）を作製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、矩形状の外形を有する枠体領域１３と、枠体領域１３内に多列および多段に（マトリックス状に）配置された、多数のパッケージ領域１４とを備えている。
　図２に示すように、複数のパッケージ領域１４は、各々ＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含んでいる。また、複数のパッケージ領域１４は、互いにダイシング領域１５を介して接続されている。
　一つのパッケージ領域１４内のダイパッド２５とリード部２６との間には、隙間が形成されており、ダイシングされた後、ダイパッド２５とリード部２６とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。なお、各パッケージ領域１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応する領域である。また、図２において、各パッケージ領域１４を二点鎖線で示している。
　一方、ダイシング領域１５は、各パッケージ領域１４の間に縦横に延びている。このダイシング領域１５は、後述するように、半導体装置２０を製造する工程において、リードフレーム１０をパッケージ領域１４毎に分離する際にブレード３８が通過する領域となる。なお、図２において、ダイシング領域１５を網掛けで示している。
　なお、本明細書において、図２に示すように、各パッケージ領域１４内のリード部２６とダイパッド２５とを左右に並べて配置した場合の横方向がＸ方向に対応し、縦方向がＹ方向に対応する。またこの場合、Ｙ方向プラス側、Ｙ方向マイナス側を、それぞれ上方、下方といい、Ｘ方向プラス側、Ｘ方向マイナス側を、それぞれ右方、左方という。
　図２に示すように、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、その上方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とは、傾斜補強片５１によって互いに連結されている。また、各パッケージ領域１４内のリード部２６と、その下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５とは、傾斜補強片５１によって互いに連結されている。各傾斜補強片５１は、ダイシング領域１５に位置しており、かつ図２のＸ方向およびＹ方向のいずれに対しても斜めになるように配置されている。
　また、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、それぞれリード連結部５２によって連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、それぞれダイパッド連結部５３により連結されている。これら各リード連結部５２および各ダイパッド連結部５３は、いずれもダイシング領域１５に位置しており、かつＹ方向に平行に配置されている。
　さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その右方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。さらにまた、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その左方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。各パッケージ領域連結部５４は、ダイシング領域１５に位置しており、かつＸ方向に平行に配置されている。
　なお、最も外周に位置するパッケージ領域１４内のリード部２６およびダイパッド２５は、傾斜補強片５１、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４のうちの１つまたは複数によって、枠体領域１３に連結されている。
　一方、図３の断面図に示すように、リードフレーム１０は、リードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１上に形成されためっき層１２とからなっている。
　このうちリードフレーム本体１１は金属板からなっている。リードフレーム本体１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このリードフレーム本体１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、０．０５ｍｍ～０．５ｍｍとすることが好ましい。
　また、めっき層１２は、リードフレーム本体１１の表面および裏面の全体に設けられている。表面側のめっき層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する。他方、裏面側のめっき層１２は、はんだとの密着性を高める役割を果たす。このめっき層１２は、例えば銀（Ａｇ）の電解めっき層からなっている。めっき層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ～０．２μｍとされることが好ましい。なお、めっき層１２は、必ずしもリードフレーム本体１１の表面および裏面の全体に設ける必要はなく、リードフレーム本体１１の表面および裏面のうち、一部のみに設けても良い。
　また、ダイパッド２５の裏面に、第１のアウターリード部２７が形成され、リード部２６の底面に、第２のアウターリード部２８が形成されている。第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８は、それぞれ半導体装置２０と外部の配線基板とを接続する際に用いられる。
　さらにリードフレーム１０の表面には、リードフレーム１０と反射樹脂２３（後述）との密着性を高めるための溝１８が形成されている。なお、図２においては、溝１８の表示を省略している。
　半導体装置の構成
　次に、図４および図５により、図１乃至図３に示すリードフレームを用いて作製された半導体装置の一実施の形態について説明する。図４および図５は、それぞれ半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図および平面図である。
　図４および図５に示すように、半導体装置２０は、（個片化された）リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド２５に載置されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１とリードフレーム１０のリード部２６とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
　また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する反射樹脂２３が設けられている。この反射樹脂２３は、リードフレーム１０と一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂２４によって封止されている。この封止樹脂２４は、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に充填されている。
　以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。
　ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。
　またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、反射樹脂２３の凹部２３ａ内においてダイパッド２５上に固定実装されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
　ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリード部２６上に接続されている。
　反射樹脂２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂を例えば射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。反射樹脂２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射樹脂２３の全体形状を、図４および図５に示すように直方体としても良く、あるいは円筒形または錐形等の形状とすることも可能である。また凹部２３ａの底面は、矩形、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部２３ａの側壁の断面形状は、図４のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。
　反射樹脂２３に使用される熱可塑性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタンおよびポリブチレンテレフタレート等を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面及び側面において、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
　封止樹脂２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂２４が強い光にさらされるため、封止樹脂２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
　なお、リードフレーム１０の構成については、図１乃至図３を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。
　ＬＥＤ素子搭載用リードフレームの製造方法
　次に、図１乃至図３に示すリードフレーム１０の製造方法について、図６（ａ）－（ｆ）を用いて説明する。
　まず図６（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
　次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図６（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
　続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図６（ｃ））。
　次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
　次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、リードフレーム本体１１が得られる（図６（ｅ））。またこのとき、図２に示す傾斜補強片５１、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４がエッチングにより形成される。
　次に、リードフレーム本体１１の表面および裏面に電解めっきを施すことにより、リードフレーム本体１１上に金属（銀）を析出させて、リードフレーム本体１１の表面および裏面にめっき層１２を形成する（図６（ｆ））。この場合、傾斜補強片５１、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３およびパッケージ領域連結部５４が、いずれも本体（リードフレーム本体１１）と、本体上に形成されためっき層１２とからなっているので、これら傾斜補強片５１、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３およびパッケージ領域連結部５４の強度を高めることができる。
　この間、具体的には、例えば電解脱脂工程、酸洗工程、化学研磨工程、銅ストライク工程、水洗工程、中性脱脂工程、シアン洗工程、および銀めっき工程を順次経ることにより、リードフレーム本体１１にめっき層１２を形成する。この場合、銀めっき工程で用いられる電解めっき用のめっき液としては、例えばシアン化銀を主成分とした銀めっき液を挙げることができる。実際の工程では、各工程間で必要に応じ適宜水洗工程を加える。また、上記工程の途中でパターニング工程を介在させることにより、リードフレーム本体１１の一部にめっき層１２を形成しても良い。
　このようにして、図１乃至図３に示すリードフレーム１０が得られる（図６（ｆ））。
　なお、図６（ａ）－（ｆ）において、エッチングによりリードフレーム１０を製造する方法を示したが、プレスによる製造方法を用いても良い。
　半導体装置の製造方法
　次に、図４および図５に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）－（ｄ）、図８（ａ）－（ｅ）、および図９（ａ）－（ｂ）を用いて説明する。
　まず上述した工程により（図６（ａ）－（ｆ））、リードフレーム１０を作製する（図７（ａ））。
　続いて、このリードフレーム１０を、射出成形機またはトランスファ成形機（図示せず）の金型３５内に装着する（図７（ｂ））。金型３５内には、反射樹脂２３の形状に対応する空間３５ａが形成されている。
　次に、射出成形機またはトランスファ成形機の樹脂供給部（図示せず）から金型３５内に熱可塑性樹脂を流し込み、その後硬化させることにより、リードフレーム１０のめっき層１２上に反射樹脂２３を形成する（図７（ｃ））。
　次いで、反射樹脂２３が形成されたリードフレーム１０を金型３５内から取り出す。このようにして、反射樹脂２３とリードフレーム１０とが一体に形成された樹脂付リードフレーム３０が得られる（図７（ｄ））。本実施の形態において、このように、リードフレーム１０と、リードフレーム１０の各パッケージ領域１４の周縁上に配置された反射樹脂２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０も提供する。
　次に、樹脂付リードフレーム３０の各反射樹脂２３内であって、リードフレーム１０のダイパッド２５上にＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をダイパッド２５上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ａ））。
　次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リード部２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｂ））。
　その後、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に封止樹脂２４を充填し、封止樹脂２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図８（ｃ））。
　次に、反射樹脂２３およびリードフレーム１０のうちダイシング領域１５に対応する部分を切断することにより、反射樹脂２３およびリードフレーム１０をＬＥＤ素子２１毎に分離する（ダイシング工程）（図８（ｄ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の反射樹脂２３、ならびにリードフレーム１０の傾斜補強片５１、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３およびパッケージ領域連結部５４を切断する。
　この際、図９（ａ）に示すように、ダイシング領域１５の幅に対応する相対的に厚いブレード３８によってリードフレーム１０を切断しても良い。この場合、１回の切断作業で、隣接するパッケージ領域１４同士を効率良く分離することができる。あるいは、図９（ｂ）に示すように、ダイシング領域１５の幅より狭い相対的に薄いブレード３８を用い、２回の切断作業によりリードフレーム１０を切断しても良い。この場合、１回の切断作業あたりのブレード３８の送り速度を速くすることができ、またブレード３８の寿命を長くすることができる。
　このようにして、図４および図５に示す半導体装置２０を得ることができる（図８（ｅ））。
　以上説明したように本実施の形態によれば、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とは、ダイシング領域１５に位置する傾斜補強片５１により連結されている。また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とパッケージ領域連結部５４により連結されている。したがって、リードフレーム１０の上下方向に沿って細長い空間が生じることがなく、リードフレーム１０が上下方向にすだれ状になることがない。これにより、取り扱い時にリードフレーム１０に変形が生じることを防止することができる。
　また、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とリード連結部５２により連結され、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５とダイパッド連結部５３により連結されている。したがって、リードフレーム１０の左右方向に沿って細長い空間が生じることがなく、リードフレーム１０が左右方向にすだれ状になることがない。これにより、取り扱い時にリードフレーム１０に変形が生じることを防止することができる。
　このように、リードフレーム１０の変形を防止したことにより、リードフレーム１０に反射樹脂２３を形成する際（図７（ｂ）（ｃ））、リードフレーム１０に対する反射樹脂２３の形成位置がずれることがない。したがって、小さなパッケージ領域１４に対して大面積のＬＥＤ素子２１を搭載したり、複数のＬＥＤ素子２１を搭載したり、あるいはＬＥＤ素子２１のほかに静電破壊素子を搭載することも容易になる。
　また、本実施の形態によれば、各パッケージ領域１４の周囲に縦横のタイバーを設ける必要がないので、各パッケージ領域１４同士を接近して配置することができ、リードフレーム１０あたりのパッケージ領域１４の取り個数を増やすことができる（高密度面付けが可能となる）。
　さらに、本実施の形態によれば、各パッケージ領域１４の角部に吊りリード等のコネクティングバーが存在しないので、半導体装置２０の角部において、反射樹脂２３がリードフレーム１０から剥離するおそれがなく、半導体装置２０の信頼性を更に向上させることができる。
　リードフレームの変形例
　以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例（変形例１－１～変形例１－８）について、図１０乃至図１７を参照して説明する。図１０乃至図１７は、それぞれリードフレームの変形例を示す部分拡大平面図（図２に対応する図）である。図１０乃至図１７において、図１乃至図９に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　変形例１－１
　図１０は、本実施の形態の一変形例（変形例１－１）によるリードフレーム１０Ａを示している。図１０に示すリードフレーム１０Ａにおいて、図１乃至図９に示す実施の形態と異なり、ダイパッド２５同士を連結するダイパッド連結部５３は設けられていない。
　すなわち各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、上方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と傾斜補強片５１によって連結され、右方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とパッケージ領域連結部５４により連結されているが、上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５とは直接連結されていない。
　このように、ダイパッド連結部５３を設けないことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図１乃至図９に示す実施の形態と略同一である。
　変形例１－２
　図１１は、本実施の形態の一変形例（変形例１－２）によるリードフレーム１０Ｂを示している。図１１に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、図１乃至図９に示す実施の形態と異なり、リード部２６同士を連結するリード連結部５２は設けられていない。
　すなわち各パッケージ領域１４内のリード部２６は、下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と傾斜補強片５１によって連結され、左方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５とパッケージ領域連結部５４により連結されているが、上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とは直接連結されていない。
　このように、リード連結部５２を設けないことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図１乃至図９に示す実施の形態と略同一である。
　変形例１－３
　図１２は、本実施の形態の一変形例（変形例１－３）によるリードフレーム１０Ｃを示している。図１２に示すリードフレーム１０Ｃにおいて、図１乃至図９に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域１４は、１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（以下、第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂともいう）とを有している（３ｐｉｎタイプ）。
　この場合、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の上方に隣接するパッケージ領域１４（第１のパッケージ領域）内の第１のリード部２６ａとは、第１傾斜補強片５１ａにより連結されている。また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の下方に隣接するパッケージ領域１４（各パッケージ領域１４に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域）内の第２のリード部２６ｂとは、第２傾斜補強片５１ｂにより連結されている。なお、第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂは、ともにダイシング領域１５に位置している。
　また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その上方および下方に隣接するパッケージ領域１４（第１のパッケージ領域および第２のパッケージ領域）内のダイパッド２５と、それぞれダイパッド連結部５３により連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａは、その上方および下方に隣接するパッケージ領域１４（第１のパッケージ領域および第２のパッケージ領域）内の第１のリード部２６ａと、それぞれ第１リード連結部５２ａによって連結されている。さらにまた、各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂは、その上方および下方に隣接するパッケージ領域１４（第１のパッケージ領域および第２のパッケージ領域）内の第２のリード部２６ｂと、それぞれ第２リード連結部５２ｂによって連結されている。
　また、各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂは、その右方に隣接する他のパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａと、パッケージ領域連結部５４により連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａは、その左方に隣接する他のパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂと、パッケージ領域連結部５４により連結されている。
　このように、各パッケージ領域１４がダイパッド２５と一対のリード部２６ａ、２６ｂとを有する場合においても、リードフレーム１０Ｃがすだれ状になることを防止し、取り扱い時に変形が生じることを防止することができる。
　変形例１－４
　図１３は、本実施の形態の一変形例（変形例１－４）によるリードフレーム１０Ｄを示している。図１３に示すリードフレーム１０Ｄにおいて、図１２に示す変形例１－３と異なり、ダイパッド２５同士を連結するダイパッド連結部５３は設けられていない。
　すなわち各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、上方に隣接する他のパッケージ領域１４（第１のパッケージ領域）内の第１のリード部２６ａと第１傾斜補強片５１ａによって連結され、下方に隣接する他のパッケージ領域１４（第２のパッケージ領域）内の第２のリード部２６ｂと第２傾斜補強片５１ｂにより連結されている。他方、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４（第１のパッケージ領域および第２のパッケージ領域）内のダイパッド２５とは直接連結されていない。
　このように、ダイパッド連結部５３を設けないことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図１２に示す変形例１－３と略同一である。
　変形例１－５
　図１４は、本実施の形態の一変形例（変形例１－５）によるリードフレーム１０Ｅを示している。図１４に示すリードフレーム１０Ｅにおいて、図１２に示す変形例１－３と異なり、第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂが連結されたダイパッド２５と、第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂが連結されていないダイパッド２５とが、上下方向１つおきに設けられている。
　例えば、図１４において、パッケージ領域１４（１４ｂ）のダイパッド２５には、第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂがいずれも連結されていない。これに対して、パッケージ領域１４（１４ｂ）の上方に隣接するパッケージ領域１４（１４ａ）と、パッケージ領域１４（１４ｂ）の下方に隣接するパッケージ領域１４（１４ｃ）には、それぞれ第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂが連結されている。
　このように、第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂの数を減らすことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図１２に示す変形例１－３と略同一である。
　変形例１－６
　図１５は、本実施の形態の一変形例（変形例１－６）によるリードフレーム１０Ｆを示している。図１５に示すリードフレーム１０Ｆにおいて、図１乃至図９に示す実施の形態と異なり、ダイパッド連結部５３およびリード連結部５２は設けられていない。
　この場合、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の上方に隣接するパッケージ領域１４内のリード部２６とは、第１傾斜補強片５１ａにより連結されている。また、各パッケージ領域１４内のリード部２６と、各パッケージ領域１４の上方に隣接するパッケージ領域１４内のダイパッド２５とは、第２傾斜補強片５１ｂにより連結されている。なお、第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂは、ともにダイシング領域１５に位置している。また、第１傾斜補強片５１ａおよび第２傾斜補強片５１ｂは、互いに交わることによりＸ字形状をなしている。
　また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の下方に隣接するパッケージ領域１４内のリード部２６とは、第２傾斜補強片５１ｂにより連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内のリード部２６と、各パッケージ領域１４の下方に隣接するパッケージ領域１４内のダイパッド２５とは、第１傾斜補強片５１ａにより連結されている。
　このように、ダイパッド連結部５３およびリード連結部５２を設けないことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図１乃至図９に示す実施の形態と略同一である。
　変形例１－７
　図１６は、本実施の形態の一変形例（変形例１－７）によるリードフレーム１０Ｇを示している。図１６に示すリードフレーム１０Ｇにおいて、図１５に示す変形例１－６と異なり、パッケージ領域連結部５４は設けられていない。
　この場合、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、ダイパッド２５側（右側）に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域１４内のリード部２６に、ダイシング領域１５に位置する一対の追加傾斜補強片５５ａ、５５ｂにより連結されている。すなわち、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、追加傾斜補強片５５ａにより右斜め上方に隣接するパッケージ領域１４内のリード部２６に連結され、追加傾斜補強片５５ｂにより右斜め下方に隣接するパッケージ領域１４内のリード部２６に連結されている。
　また、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、リード部２６側（左側）に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域１４内のダイパッド２５に、ダイシング領域１５に位置する一対の追加傾斜補強片５５ｂ、５５ａにより連結されている。すなわち、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、左斜め上方に隣接するパッケージ領域１４内のダイパッド２５に追加傾斜補強片５５ｂにより連結され、左斜め下方に隣接するパッケージ領域１４内のリード部２６に追加傾斜補強片５５ａにより連結されている。このほかの構成は、図１５に示す変形例１－６と略同一である。
　変形例１－８
　図１７は、本実施の形態の一変形例（変形例１－８）によるリードフレーム１０Ｈを示している。図１７に示すリードフレーム１０Ｈにおいて、図１６に示す変形例１－７と異なり、各パッケージ領域１４は、１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂ）とを有している。
　この場合、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の上方に隣接するパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａとは、ダイシング領域１５に位置する第１傾斜補強片５１ａにより連結されている。また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の下方に隣接するパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａとは、ダイシング領域１５に位置する第２傾斜補強片５１ｂにより連結されている。
　また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の上方に隣接するパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂとは、ダイシング領域１５に位置する第３傾斜補強片５１ｃにより連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、各パッケージ領域１４の下方に隣接するパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂとは、ダイシング領域１５に位置する第４傾斜補強片５１ｄにより連結されている。
　各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａは、第１のリード部２６ａ側（左側）に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂに、それぞれダイシング領域１５に位置する一対の追加傾斜補強片５５ｂ、５５ａにより連結されている。また、各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａは、上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内のダイパッド２５に、それぞれ第２傾斜補強片５１ｂおよび第１傾斜補強片５１ａにより連結されている。
　各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂは、第２のリード部２６ｂ側（右側）に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａに、それぞれダイシング領域１５に位置する一対の追加傾斜補強片５５ａ、５５ｂにより連結されている。また、各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂは、上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内のダイパッド２５に、それぞれ第４傾斜補強片５１ｄおよび第３傾斜補強片５１ｃにより連結されている。
　以上、図１０乃至図１７に示すリードフレーム（変形例１－１～変形例１－８）についても、上述した図１乃至図９に示す実施の形態の効果と略同様の効果を得ることができる。
　半導体装置の変形例
　次に、本実施の形態による半導体装置の変形例（変形例Ａ～変形例Ｃ）について、図１８乃至図２０を参照して説明する。図１８乃至図２０は、それぞれ半導体装置の変形例を示す断面図（図４に対応する図）である。図１８乃至図２０において、図４および図５に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　変形例Ａ
　図１８は、本実施の形態の一変形例（３ｐｉｎタイプ）による半導体装置２０Ａを示している。図１８に示す半導体装置２０Ａにおいて、リードフレーム１０は、１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂ）とを有している。
　また、ＬＥＤ素子２１は一対の端子部２１ａを有しており、この一対の端子部２１ａは、それぞれボンディングワイヤ２２を介して、第１のリード部２６ａおよび第２のリード部２６ｂに接続されている。この場合、リードフレーム１０としては、例えば図１２、図１３、図１４、または図１７に示すもの（リードフレーム１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｈ）を用いることができる。このほかの構成は上述した図４および図５に示す半導体装置２０と略同一である。
　変形例Ｂ
　図１９は、本実施の形態の一変形例（レンズ付一括モールドタイプ）による半導体装置２０Ｂを示している。図１９に示す半導体装置２０Ｂにおいて、反射樹脂２３は、ダイパッド２５とリード部２６との間に充填されている。他方、図４および図５に示す半導体装置２０と異なり、リードフレーム１０上には反射樹脂２３が設けられていない。
　また図１９において、ＬＥＤ素子２１は、ボンディングワイヤ２２に代えて、はんだボール（導電部）４１ａ、４１ｂによってリードフレーム１０に接続されている。すなわち、はんだボール４１ａ、４１ｂのうち、一方のはんだボール４１ａはダイパッド２５に接続され、他方のはんだボール４１ｂはリード部２６に接続されている。さらに、図１９において、封止樹脂２４の表面に、ＬＥＤ素子２１からの光の照射方向を制御するドーム状のレンズ６１が形成されている。
　変形例Ｃ
　図２０は、本実施の形態の一変形例（一括モールドタイプ）による半導体装置２０Ｃを示している。図２０に示す半導体装置２０Ｃにおいて、反射樹脂２３を用いることなく、封止樹脂２４のみによってＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とが一括封止されている。また、ダイパッド２５とリード部２６との間には、封止樹脂２４が充填されている。
　（第２の実施の形態）
　次に、図２１乃至図４１を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図２１乃至図４１は本発明の第２の実施の形態を示す図である。図２１乃至図４１において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　リードフレームの構成
　まず、図２１乃至図２３により、本実施の形態によるＬＥＤ素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図２１は、本実施の形態によるリードフレームの全体平面図であり、図２２は、図２１のＤ部拡大図であり、図２３は、図２２のＥ－Ｅ線断面図である。
　図２１乃至図２３に示すリードフレーム７０は、ＬＥＤ素子２１を搭載した半導体装置８０（図２４および図２５）を作製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム７０は、矩形状の外形を有する枠体領域１３と、枠体領域１３内に多列および多段に（マトリックス状に）配置された、多数のパッケージ領域１４とを備えている。
　図２２に示すように、複数のパッケージ領域１４は、各々ＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含んでいる。また、複数のパッケージ領域１４は、互いにダイシング領域１５を介して接続されている。
　一つのパッケージ領域１４内のダイパッド２５とリード部２６との間には、隙間が形成されており、ダイシングされた後、ダイパッド２５とリード部２６とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。なお、各パッケージ領域１４は、それぞれ個々の半導体装置８０に対応する領域である。また、図２２において、各パッケージ領域１４を二点鎖線で示している。
　一方、ダイシング領域１５は、各パッケージ領域１４の間に縦横に延びている。このダイシング領域１５は、後述するように、半導体装置８０を製造する工程において、リードフレーム７０をパッケージ領域１４毎に分離する際にブレード３８が通過する領域となる。なお、図２２において、ダイシング領域１５を網掛けで示している。
　図２２に示すように、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、それぞれリード連結部５２によってダイシング領域１５を越えて連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、それぞれダイパッド連結部５３によりダイシング領域１５を越えて連結されている。これら各リード連結部５２および各ダイパッド連結部５３は、Ｙ方向に対して平行に配置されている。
　また、各ダイパッド連結部５３および各リード連結部５２は、ダイシング領域１５に位置する補強片５７により連結されている。この場合、補強片５７は、Ｘ方向に対して平行に配置されており、枠体領域１３内側の全長にわたって一直線状に延びて、複数のダイパッド連結部５３および複数のリード連結部５２を連結している。
　さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その右方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。さらにまた、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その左方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。各パッケージ領域連結部５４は、Ｘ方向に対して平行に配置されている。
　なお、最も外周に位置するパッケージ領域１４内のリード部２６およびダイパッド２５は、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４のうちの１つまたは複数によって、枠体領域１３に連結されている。
　なお、図２１乃至図２３において、リードフレーム本体１１およびめっき層１２の構成は、第１の実施の形態におけるものと同様であるので、ここでは説明を省略する。
　半導体装置の構成
　次に、図２４および図２５により、図２１乃至図２３に示すリードフレームを用いて作製された半導体装置の第２の実施の形態について説明する。図２４および図２５は、それぞれ半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図および平面図である。
　図２４および図２５に示すように、半導体装置８０は、（個片化された）リードフレーム７０と、リードフレーム７０のダイパッド２５に載置されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１とリードフレーム７０のリード部２６とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
　また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する反射樹脂２３が設けられている。この反射樹脂２３は、リードフレーム７０と一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂２４によって封止されている。この封止樹脂２４は、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に充填されている。
　このような半導体装置８０を構成する、ＬＥＤ素子２１、ボンディングワイヤ２２、反射樹脂２３および封止樹脂２４の構成は、第１の実施の形態におけるものと同様であるので、ここでは説明を省略する。
　ＬＥＤ素子搭載用リードフレームおよび半導体装置の製造方法
　次に、図２１乃至図２３に示すリードフレーム７０および図２４および図２５に示す半導体装置８０の製造方法について、図２６乃至図２９を用いて説明する。なお、図２６乃至図２８に示す製造方法は、図６乃至図８に示す製造方法と略同様であるので、以下においては一部説明を省略する。
　まず、平板状の金属基板３１を準備する（図２６（ａ））。次に、この金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図２６（ｂ））。
　続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図２６（ｃ））。次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図２６（ｄ））。
　次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、リードフレーム本体１１が得られる（図２６（ｅ））。またこのとき、図２２に示す補強片５７、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４がエッチングにより形成される。
　次に、リードフレーム本体１１の表面および裏面に電解めっきを施すことにより、リードフレーム本体１１上に金属（銀）を析出させて、リードフレーム本体１１の表面および裏面にめっき層１２を形成する（図２６（ｆ））。この場合、補強片５７、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４が、いずれも本体（リードフレーム本体１１）と、本体上に形成されためっき層１２とからなっているので、これら補強片５７、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４の強度を高めることができる。
　このようにして、図２１乃至図２３に示すリードフレーム７０が得られる（図２６（ｆ））。
　続いて、このようにして得られたリードフレーム７０を（図２７（ａ））、射出成形機またはトランスファ成形機（図示せず）の金型３５内に装着する（図２７（ｂ））。その後、金型３５内に熱可塑性樹脂を流し込み、硬化させることにより、リードフレーム７０のめっき層１２上に反射樹脂２３が形成される（図２７（ｃ））。
　次いで、反射樹脂２３が形成されたリードフレーム７０を金型３５内から取り出すことにより樹脂付リードフレームが得られる（図２７（ｄ））。本実施の形態において、このように、リードフレーム１０と、リードフレーム１０の各パッケージ領域１４の周縁上に配置された反射樹脂２３とを備えた樹脂付リードフレーム９０も提供する。
　次に、樹脂付リードフレーム９０の各反射樹脂２３内であって、リードフレーム７０のダイパッド２５上にＬＥＤ素子２１を搭載する（図２８（ａ））。
　次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リード部２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（図２８（ｂ））。
　その後、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に封止樹脂２４を充填し、封止樹脂２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図２８（ｃ））。
　次に、反射樹脂２３およびリードフレーム７０のうちダイシング領域１５を切断することにより、反射樹脂２３およびリードフレーム７０をＬＥＤ素子２１毎に分離する（図２８（ｄ））。この際、まずリードフレーム７０をダイシングテープ３７上に載置して固定する。その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間に位置する反射樹脂２３、ならびにリードフレーム７０の補強片５７、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３およびパッケージ領域連結部５４をそれぞれ切断する。
　この際、図２９（ａ）に示すように、ダイシング領域１５の幅に対応する相対的に厚いブレード３８によってリードフレーム７０を切断しても良い。すなわち、ブレード３８をリードフレーム７０の補強片５７に沿って移動し、補強片５７と、補強片５７周囲に位置する各リード連結部５２および各ダイパッド連結部５３とをまとめて切断する。この場合、１回の切断作業で、隣接するパッケージ領域１４同士を効率良く分離することができる。
　あるいは、図２９（ｂ）に示すように、ダイシング領域１５の幅より狭い相対的に薄いブレード３８を用い、２回の切断作業によりリードフレーム７０を切断しても良い。すなわち、ブレード３８をリードフレーム７０の補強片５７に対して平行に移動し、補強片５７を直接切断せず、補強片５７周囲に位置する各リード連結部５２および各ダイパッド連結部５３を切断する。この場合、１回の切断作業あたりのブレード３８の送り速度を速くすることができるとともに、ブレード３８の寿命を長くすることができる。
　このようにして、図２４および図２５に示す半導体装置８０を得ることができる（図２８（ｅ））。
　以上説明したように本実施の形態によれば、ダイパッド連結部５３およびリード連結部５２は、ダイシング領域１５に位置する補強片５７により連結されている。また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とパッケージ領域連結部５４により連結されている。したがって、リードフレーム７０の上下方向に沿って細長い空間が生じることがなく、リードフレーム７０が上下方向にすだれ状になることがない。これにより、取り扱い時にリードフレーム７０に変形が生じることを防止することができる。
　また、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とリード連結部５２により連結され、かつ各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５とダイパッド連結部５３により連結されている。したがって、リードフレーム７０の左右方向に沿って細長い空間が生じることがなく、リードフレーム７０が左右方向にすだれ状になることがない。これにより、取り扱い時にリードフレーム７０に変形が生じることを防止することができる。
　このように、リードフレーム７０の変形を防止したことにより、リードフレーム７０に反射樹脂２３を形成する際（図２７（ｂ）（ｃ））、リードフレーム７０に対する反射樹脂２３の形成位置がずれることがない。したがって、小さなパッケージ領域１４に対して大面積のＬＥＤ素子２１を搭載したり、複数のＬＥＤ素子２１を搭載したり、あるいはＬＥＤ素子２１のほかに静電破壊素子を搭載することも容易になる。
　また、本実施の形態によれば、各パッケージ領域１４の周囲に縦横のタイバーを設ける必要がないので、各パッケージ領域１４同士を接近して配置することができ、リードフレーム７０あたりのパッケージ領域１４の取り個数を増やすことができる（高密度面付けが可能となる）。
　さらに、本実施の形態によれば、各パッケージ領域１４の角部に吊りリード等のコネクティングバーが存在しないので、半導体装置８０の角部において、反射樹脂２３がリードフレーム７０から剥離するおそれがなく、半導体装置８０の信頼性を更に向上させることができる。
　リードフレームの変形例
　以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例（変形例２－１～変形例２－６）について、図３０乃至図３５を参照して説明する。図３０乃至図３５は、それぞれリードフレームの変形例を示す部分拡大平面図（図２に対応する図）である。図３０乃至図３５において、図２１乃至図２９に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　変形例２－１
　図３０は、本実施の形態の一変形例（変形例２－１）によるリードフレーム７０Ａを示している。図３０に示すリードフレーム７０Ａにおいて、図２１乃至図２９に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域１４は、１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（以下、第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂともいう）とを有している（３ｐｉｎタイプ）。
　この場合、各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａと、各パッケージ領域１４の上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａとは、それぞれ第１リード連結部５２ａによりダイシング領域１５を越えて連結されている。また、各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂと、各パッケージ領域１４の上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂとは、それぞれ第２リード連結部５２ｂによりダイシング領域１５を越えて連結されている。
　さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、それぞれダイパッド連結部５３によりダイシング領域１５を越えて連結されている。さらに、ダイパッド連結部５３、第１リード連結部５２ａ、および第２リード連結部５２ｂは、ダイシング領域１５に位置する補強片５７によって連結されている。この場合、補強片５７は、枠体領域１３内側の全長にわたって一直線状に延びて、複数のダイパッド連結部５３、複数の第１リード連結部５２ａ、および複数の第２リード連結部５２ｂを連結している。
　また、各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂは、その右方に隣接する他のパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａと、パッケージ領域連結部５４により連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａは、その左方に隣接する他のパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂと、パッケージ領域連結部５４により連結されている。
　このように、各パッケージ領域１４がダイパッド２５と一対のリード部２６ａ、２６ｂとを有する場合においても、補強片５７が設けられていることにより、リードフレーム７０Ａの上下方向に沿って細長い空間が生じることがなく、リードフレーム７０Ａがすだれ状になることを防止することができ、取り扱い時にリードフレーム７０Ａに変形が生じることを防止することができる。
　変形例２－２
　図３１は、本実施の形態の一変形例（変形例２－２）によるリードフレーム７０Ｂを示している。図３１に示すリードフレーム７０Ｂにおいて、図２１乃至図２９に示す実施の形態と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域１５のうち、補強片５７が設けられたダイシング領域１５と、補強片５７が設けられていないダイシング領域１５とが、上下方向交互に配置されている。
　すなわち、図３１において、パッケージ領域１４（１４ｂ）から見て上方に隣接するパッケージ領域１４（１４ａ）を第１のパッケージ領域１４ａとし、パッケージ領域１４（１４ｂ）から見て下方に隣接するパッケージ領域１４（１４ｃ）を第２のパッケージ領域１４ｃとする。
　この場合、パッケージ領域１４ｂ内のダイパッド２５およびリード部２６と、第１のパッケージ領域１４ａ内のダイパッド２５およびリード部２６とをそれぞれ連結するダイパッド連結部５３およびリード連結部５２は、ダイシング領域１５に位置する補強片５７により連結されている。他方、パッケージ領域１４ｂ内のダイパッド２５およびリード部２６と、第２のパッケージ領域１４ｃ内のダイパッド２５およびリード部２６とをそれぞれ連結するダイパッド連結部５３およびリード連結部５２は、補強片５７によって連結されていない。
　このように、補強片５７の数を減らすことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図２１乃至図２９に示す実施の形態と略同一である。
　なお、横方向に延びる複数のダイシング領域１５のうち、補強片５７が設けられていないダイシング領域１５の幅（Ｗａ）を、補強片５７が設けられているダイシング領域１５の幅（Ｗｂ）よりも狭くすることが好ましい（Ｗａ＜Ｗｂ）。この場合、１つのリードフレーム７０あたりのパッケージ領域１４の取り個数を増やすことができる。また、相対的に薄いブレード３８を用いてダイシング領域１５を切断する場合には（図２９（ｂ））、補強片５７が設けられていないダイシング領域１５は１回の切断作業で切断することができるので、切断作業の回数を減らすことができる。
　変形例２－３
　図３２は、本実施の形態の一変形例（変形例２－３）によるリードフレーム７０Ｃを示している。図３２に示すリードフレーム７０Ｃは、図３０に示す変形例２－１と、図３１に示す変形例２－２とを組合せたものである。
　図３２において、各パッケージ領域１４は、１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（以下、第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂともいう）とを有している（３ｐｉｎタイプ）。
　また、図３２において、横方向に延びる複数のダイシング領域１５のうち、補強片５７が設けられたダイシング領域１５と、補強片５７が設けられていないダイシング領域１５とが、上下方向交互に存在している。
　すなわち、図３２において、一のパッケージ領域１４（１４ｂ）内のダイパッド２５およびリード部２６ａ、２６ｂと、このパッケージ領域１４（１４ｂ）の上方に隣接する第１のパッケージ領域１４（１４ａ）内のダイパッド２５およびリード部２６ａ、２６ｂとをそれぞれ連結するダイパッド連結部５３、第１リード連結部５２ａ、および第２リード連結部５２ｂは、ダイシング領域１５に位置する補強片５７により連結されている。
　他方、一のパッケージ領域１４（１４ｂ）内のダイパッド２５およびリード部２６ａ、２６ｂと、このパッケージ領域１４（１４ｂ）の下方に隣接する第２のパッケージ領域１４（１４ｃ）内のダイパッド２５およびリード部２６ａ、２６ｂとをそれぞれ連結するダイパッド連結部５３、第１リード連結部５２ａ、および第２リード連結部５２ｂは、補強片５７により連結されていない。
　このほかの構成は、図３０に示す変形例２－１および図３１に示す変形例２－２と略同一である。
　変形例２－４
　図３３は、本実施の形態の一変形例（変形例２－４）によるリードフレーム７０Ｄを示している。図３３に示すリードフレーム７０Ｄにおいて、図２１乃至図２９に示す実施の形態と異なり、補強片５７は、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５およびリード部２６にそれぞれ連結されたダイパッド連結部５３およびリード連結部５２間のみに延びて、これらダイパッド連結部５３およびリード連結部５２を連結している。
　すなわち、一のパッケージ領域１４内のダイパッド２５およびリード部２６と、このパッケージ領域１４の上方（または下方）に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５およびリード部２６とは、それぞれリード連結部５２およびダイパッド連結部５３によって連結されている。この場合、補強片５７は、これらリード連結部５２とダイパッド連結部５３との間のみに延びて、リード連結部５２とダイパッド連結部５３とを連結している。他方、補強片５７は、リード連結部５２の左方と、ダイパッド連結部５３の右方にはそれぞれ延び出していない。
　このように、ダイシング領域１５における補強片５７の全体的な長さを減らすことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図２１乃至図２９に示す実施の形態と略同一である。
　変形例２－５
　図３４は、本実施の形態の一変形例（変形例２－５）によるリードフレーム７０Ｅを示している。図３４に示すリードフレーム７０Ｅは、図３０に示す変形例２－１と、図３３に示す変形例２－４とを組合せたものである。
　図３４において、各パッケージ領域１４は、１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（以下、第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂともいう）とを有している（３ｐｉｎタイプ）。
　また、図３４において、補強片５７は、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５およびリード部２６ａ、２６ｂにそれぞれ連結された第１リード連結部５２ａ、ダイパッド連結部５３、および第２リード連結部５２ｂ間のみに延びて、これら第１リード連結部５２ａ、ダイパッド連結部５３、および第２リード連結部５２ｂを連結している。
　このように、ダイシング領域１５における補強片５７の全体的な長さを減らすことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図３０に示す変形例２－１および図３３に示す変形例２－４と略同一である。
　変形例２－６
　図３５は、本実施の形態の一変形例（変形例２－６）によるリードフレーム７０Ｆを示している。図３５に示すリードフレーム７０Ｆにおいて、各パッケージ領域１４は、１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂ）とを有している（３ｐｉｎタイプ）。
　また、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５、第１のリード部２６ａ、および第２のリード部２６ｂは、上下に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５、第１のリード部２６ａ、および第２のリード部２６ｂと各々ダイパッド連結部５３、第１リード連結部５２ａ、および第２リード連結部５２ｂにより連結されている。
　図３５に示すように、ダイパッド連結部５３および第１リード連結部５２ａのみを連結する補強片５７と、ダイパッド連結部５３および第２リード連結部５２ｂのみを連結する補強片５７とが、上下方向１つおきに設けられている。
　すなわち、図３５において、パッケージ領域１４（１４ｂ）から見て上方に隣接するパッケージ領域１４（１４ａ）を第１のパッケージ領域１４ａとし、パッケージ領域１４（１４ｂ）から見て下方に隣接するパッケージ領域１４（１４ｃ）を第２のパッケージ領域１４ｃとする。
　この場合、パッケージ領域１４ｂと、第１のパッケージ領域１４ａとの間のダイシング領域１５において、補強片５７は、ダイパッド連結部５３および第１リード連結部５２ａ間のみに延びて、ダイパッド連結部５３および第１リード連結部５２ａのみを連結している。
　他方、パッケージ領域１４ｂと、第２のパッケージ領域１４ｃの間のダイシング領域１５において、補強片５７は、ダイパッド連結部５３および第２リード連結部５２ｂ間のみに延びて、ダイパッド連結部５３および第２リード連結部５２ｂのみを連結している。
　このように、補強片５７の数を減らすことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図３４に示す変形例２－５と略同一である。
　本実施の形態の補強片を適用できるリードフレームの他の例としては、図３６に示すリードフレーム７０Ｇ（変形例２－７）のように、各パッケージ領域１４内に２つのダイパッド２５ａ、２５ｂ（以下、第１のダイパッド部２５ａ、第２のダイパッド部２５ｂともいう）と、ダイパッド２５ａ、２５ｂの両側に隣接して位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（以下、第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂともいう）とを有している４ｐｉｎタイプの形態や、図３８に示すリードフレーム７０Ｈ（変形例２－８）のように各パッケージ領域１４内に１つのダイパッド２５と、ダイパッド２５の一方の側に隣接して位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（以下、第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂともいう）と、ダイパッド２５の他方の側に隣接して位置する１つのリード部２６ｃとを持つ４ｐｉｎタイプの形態を例示することができる。
　これらの例に共通する課題は、各パッケージ領域１４のダイパッド２５（２５ａ、２５ｂ）とリード部２６（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）とが直線状に一列に配置されているため、ダイパッド２５とリード部２６とが短絡しないように各パッケージ領域１４間を連結するリード連結部５２およびダイパッド連結部５３を配置すると、各ダイパッド２５と各リード部２６との間の隙間が繋がり、リードフレーム７０の一辺に平行な、複数の細長い空間が生じてしまい、構造的に変形が生じやずくなるという問題を有することである。これらの課題はすでに述べた通り、本実施の形態の補強片５７により効果的に解決できる。なお、以下に示す変形例２－７～２－１０（図３６乃至図４１）においても、図２１乃至図２９に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　変形例２－７
　図３６は、本実施の形態の一変形例２－７によるリードフレーム７０Ｇを示している。図３６に示すリードフレーム７０Ｇにおいて、図２１乃至図２９に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域１４は、２つのダイパッド２５ａ、２５ｂ（以下、第１のダイパッド部２５ａ、第２のダイパッド部２５ｂともいう）と、ダイパッド２５ａ、２５ｂの両側に隣接して位置する一対のリード部２６ａ、２６ｂ（以下、第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｂともいう）とを有している（４ｐｉｎタイプ）。このようなリードフレーム７０Ｇを用いると、１パッケージに２つのＬＥＤ素子２１を格納した半導体装置８０を実現することができる（図３７）。
　この変形例２－７では、各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａと、各パッケージ領域１４の上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａとは、それぞれ第１リード連結部５２ａによりダイシング領域１５を越えて連結されている。また、各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂと、各パッケージ領域１４の上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｂとは、それぞれ第２リード連結部５２ｂによりダイシング領域１５を越えて連結されている。
　さらに、各パッケージ領域１４内の第１のダイパッド２５ａと第２のダイパッド２５ｂは、その上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内の対応するダイパッド２５ａ、２５ｂと、それぞれ第１のダイパッド連結部５３ａ、第２のダイパッド連結部５３ｂによりダイシング領域１５を越えて連結されている。さらに、第１のダイパッド連結部５３ａ、第２のダイパッド連結部５３ｂ、第１リード連結部５２ａ、および第２リード連結部５２ｂは、ダイシング領域１５に位置する補強片５７によって連結されている。この場合、補強片５７は、枠体領域１３内側の全長にわたって一直線状に延びて、複数の第１ダイパッド連結部５３ａ、複数の第２ダイパッド連結部５３ｂ、複数の第１リード連結部５２ａ、および複数の第２リード連結部５２ｂを連結している。
　なお、図３６に示すリードフレーム７０Ｇにおいては、横方向に延びる複数のダイシング領域１５のうち、補強片５７が設けられたダイシング領域１５と、補強片５７が設けられていないダイシング領域とが上下方向交互に配置されている。
　このように、各パッケージ領域１４が２つのダイパッド２５ａ、２５ｂと一対のリード部２６ａ、２６ｂとを有する場合においても、補強片５７によってリードフレーム７０Ｇの上下方向に沿って細長い空間が生じることがなく、リードフレーム７０Ｇがすだれ状になることを防止することができ、取り扱い時にリードフレーム７０Ｇに変形が生じることを防止することができる。又、複数のダイシング領域１５のうち一部のダイシング領域１５にのみ補強片５７を有するため、ダイサーの歯の磨耗を軽減できる。
　変形例２－８
　図３８は、本実施の形態の一変形例（変形例２－８）によるリードフレーム７０Ｈを示している。図３８に示すリードフレーム７０Ｈにおいて、各パッケージ領域１４は、ダイパッド２５と、ダイパッド２５の両側に位置する一対のリード配置領域１６Ｌ、リード配置領域１６Ｒを有している。リード配置領域１６Ｌにはリード部２６ａを配置し、リード配置領域１６Ｒには２つのリード部２６ｃと２６ｄをダイパッド２５に沿って１列に配置している（以下、リード部２６ａ、２６ｃ、２６ｄを、それぞれ第１のリード部２６ａ、第２のリード部２６ｃ、第３のリード部２６ｄとも言う）。このようなリードフレーム７０Ｈを用いると、１パッケージに３つのＬＥＤ素子２１を格納した半導体装置８０を実現することができる（図３９）。
　変形例２－１（図３０）もしくは変形例２－３（図３２）とは、第２のリード部２６ｃ、第３のリード部２６ｄを有する点で異なるが、図３８に示すリードフレーム７０Ｈにおいては、第２のリード部２６ｃと第３のリード部２６ｄとを連結する部分リード連結部５５を設け、ダイシング領域１５に位置する第２リード連結部５２ｃを介して第２のリード部２６ｃと第３のリード部２６ｄとを連結している。なお第２リード連結部５２ｃは、ダイシング領域１５内で、枠体領域１３の内側の全長にわたって縦方向に延びている。
　リードフレーム１０Ｈの各パッケージ領域１４間において、各パッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａと、各パッケージ領域１４の上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内の第１のリード部２６ａとは、それぞれ第１リード連結部５２ａによりダイシング領域１５を越えて連結されている。また、各パッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｃおよび第３のリード部２６ｄは、各パッケージ領域１４の上方および下方に隣接するパッケージ領域１４内の第２のリード部２６ｃおよび第３のリード部２６ｄと、それぞれ部分リード連結部５５を介して第２リード連結部５２ｃにより、ダイシング領域１５を越えて連結されている。この変形例で示したように、第２リード部２６ｃおよび第３リード部２６ｄを部分リード連結部５５により一体のリードとして取り扱うことが可能な場合、一体として扱う第２リード部２６ｃおよび第３リード部２６ｄ（つまりリード配置領域１６Ｒ）と、ダイパッド２５、第１のリード部２６ａ、が一直線上に一列に配置されていれば、本願発明の補強片５７を用いてリードフレームに変形が生じるのを防ぐことができる。
　なお、図３８に示すリードフレーム７０Ｈにおいては、横方向に延びる複数のダイシング領域１５のうち、補強片５７が設けられたダイシング領域１５と、補強片５７が設けられていないダイシング領域とが上下方向交互に配置されている。
　変形例２－９
　図４０は、本実施の形態の一変形例（変形例２－９）によるリードフレーム７０Ｉを示している。図４０に示すリードフレーム７０Ｉにおいて、図３１に示す変形例２－２と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域１５のうち、補強片５７が設けられたダイシング領域１５が、上下方向に所定数おきに周期的に設けられている。図４０において、補強片５７が設けられたダイシング領域１５は２つおきに設けられているが、これに限らず、例えば３つまたは４つおき等の間隔で設けても良い。
　このように、補強片５７の数を減らすことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図３１に示す変形例２と略同一である。
　変形例２－１０
　図４１は、本実施の形態の一変形例（変形例２－１０）によるリードフレーム７０Ｊを示している。図４１に示すリードフレーム７０Ｊにおいて、図４０に示す変形例２－９と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域１５のうち、補強片５７が設けられたダイシング領域１５は、周期的に配置されておらず、上下方向に不規則的に配置されている。
　この場合においても、補強片５７の数を減らすことにより、ダイシング時にブレード３８に加わる負荷を軽減することができる。このほかの構成は、図３１に示す変形例２－２と略同一である。
　以上、図３０乃至図４１に示すリードフレーム（変形例２－１～変形例２－１０）についても、上述した図２１乃至図２９に示す実施の形態の効果と略同様の効果を得ることができる。
　なお、図２１乃至図２３、図３１、図３３、図４０、図４１に示すリードフレーム７０、７０Ｂ、７０Ｄ、７０Ｉ、７０Ｊを用いて作製される半導体装置としては、図２４および図２５に示すものに限らず、図１９（変形例Ｂ）または図２０（変形例Ｃ）に示す半導体装置であっても良い。また、図３０、図３２、図３４、図３５に示すリードフレーム７０Ａ、７０Ｃ、７０Ｅ、７０Ｆを用いて作製される半導体装置としては、図１８（変形例Ａ）に示す半導体装置であっても良い。
　（第３の実施の形態）
　次に、図４２乃至図４４を参照して本発明の第３の実施の形態について説明する。図４２乃至図４４は本発明の第３の実施の形態を示す図である。図４２乃至図４４に示す第３の実施の形態は、ＬＥＤ素子２１に代えてダイオード等の半導体素子４５を用いる点が主として異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と略同一である。図４２乃至図４４において、第１の実施の形態および第２の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　リードフレームの構成
　図４２は、本実施の形態によるリードフレーム６０を示す断面図である。本実施の形態によるリードフレーム６０は、ＬＥＤ素子２１に代えてダイオード等の半導体素子４５（図４２参照）を搭載するためのものであり、めっき層１２がリード部２６の一部（ボンディングワイヤ２２が接続される部分）のみに形成されている。このほかの構成は、図１乃至３に示すリードフレーム１０または図２１乃至図２３に示すリードフレーム７０と同一である。
　なお、本実施の形態において、リードフレーム６０の平面形状は、図１乃至図３に示すリードフレーム１０の形状または図２１乃至図２３に示すリードフレーム７０の形状に限らず、図１０乃至図１７に示す各リードフレームの形状または図３０乃至図４１に示す各リードフレームの形状からなっていても良い。
　半導体装置の構成
　図４３は、本実施の形態による半導体装置６５を示している。半導体装置６５は、図４２に示すリードフレーム６０を用いて作製されたものであり、（個片化された）リードフレーム６０と、リードフレーム６０のダイパッド２５に載置された半導体素子４５とを備えている。半導体素子４５は、例えばダイオード等のディスクリート半導体素子からなっていても良い。また、半導体素子４５の端子部４５ａと、リード部２６上に設けられためっき層１２とは、ボンディングワイヤ２２によって電気的に接続されている。さらに、半導体素子４５とボンディングワイヤ２２とが封止樹脂２４によって封止されている。
　なお、封止樹脂２４としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるものを選択することが可能であるが、第１の実施の形態および第２の実施の形態と異なり、必ずしも透明なものでなくても良く、黒色等の不透明な樹脂からなっていても良い。
　半導体装置の製造方法
　次に、図４３に示す半導体装置６５の製造方法について、図４４（ａ）－（ｆ）を用いて説明する。図４４（ａ）－（ｆ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図である。
　まず、上述した工程（図６（ａ）－（ｆ）および図２６（ａ）－（ｆ））と略同様にして、リードフレーム６０を作製する（図４４（ａ））。なお、この場合、めっき層１２を形成する工程（図６（ｆ）および図２６（ｆ））において、めっき層１２は、リードフレーム本体１１の全面ではなく、リード部２６の一部にのみ形成される。
　次に、リードフレーム６０のダイパッド２５上に半導体素子４５を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、半導体素子４５をダイパッド２５上に載置して固定する（図４４（ｂ））。
　次に、半導体素子４５の端子部４５ａと、リード部２６上のめっき層１２とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（図４４（ｃ））。
　その後、封止樹脂２４により、半導体素子４５とボンディングワイヤ２２とを一括封止する（図４４（ｄ））。なお、このとき、リードフレーム６０の裏面に、図示しないバックテープを貼付することにより、封止樹脂２４が第１のアウターリード部２７および／または第２のアウターリード部２８の裏面に回り込むことを防止しても良い。
　次に、封止樹脂２４およびリードフレーム６０のうちダイシング領域１５に対応する部分を切断することにより、封止樹脂２４およびリードフレーム６０を半導体素子４５毎に分離する（図４４（ｅ））。この際、まずリードフレーム６０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各半導体素子４５間の封止樹脂２４、ならびにリードフレーム６０の傾斜補強片５１（または補強片５７）、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３およびパッケージ領域連結部５４を切断する。なお、ブレード３８によってリードフレーム６０を切断する際、上述した図９（ａ）、（ｂ）または図２９（ａ）、（ｂ）に示す方法を用いても良い。
　このようにして、図４３に示す半導体装置６５を得ることができる（図４４（ｅ））。
　このように、本実施の形態においては、ＬＥＤ素子２１に代えてダイオード等の半導体素子４５を載置しており、リードフレーム６０上には反射樹脂２３が設けられていない。この場合、半導体装置６５を製造する工程において（図４４（ａ）－（ｆ））、その途中で反射樹脂２３によってリードフレーム６０が補強されることがないため、封止樹脂２４によって封止されるまでの間、リードフレーム６０（図４４（ｅ））の変形を防止する必要が生じる。具体的には、半導体素子４５を搭載する際、リードフレーム６０は、その端面を介してレールにより搬送される場合があり、このときリードフレーム６０が変形しないようにする必要がある。また、共晶ボンディングにより半導体素子４５を接合する場合には、リードフレーム６０に熱が加わるため（例えば４００℃で１０分間熱が加わる等）、この熱によってリードフレーム６０の強度が低下することを防止する必要がある。さらに、ワイヤーボンディングの際にも熱および衝撃が加わるため、この熱によってリードフレーム６０の強度が低下することを防止することも必要である。したがって、反射樹脂２３を設ける場合と比べて、より一層リードフレーム６０の強度を高めることが求められる。
　これに対して本実施の形態によれば、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５と、隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６とは、ダイシング領域１５に位置する傾斜補強片５１により連結されている。あるいは、ダイパッド連結部５３およびリード連結部５２は、ダイシング領域１５に位置する補強片５７により連結されている。このことにより、リードフレーム６０の上下方向に沿って細長い空間が生じることがなく、リードフレーム６０が上下方向にすだれ状になることがない。これにより、取り扱い時にリードフレーム６０に変形が生じることを防止することができる。
　このほか、本実施の形態においても、上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。

Claims (38)

  1. 　ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　一のパッケージ領域内のダイパッドと、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  2. 　前記一のパッケージ領域内のリード部は、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  3. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとダイパッド連結部により連結されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  4. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、
    　前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  5. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、
    　前記一のパッケージ領域内のリード部と、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  6. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、ダイパッド側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  7. 　前記一のパッケージ領域内のリード部は、リード部側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  8. 　ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　少なくとも一のパッケージ領域内のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結され、
    　一のパッケージ領域内のリード部と、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  9. 　傾斜補強片は、本体と、本体上に形成されためっき層とからなることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  10. 　樹脂付リードフレームにおいて、
    　請求項１記載のリードフレームと、
    　リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
  11. 　半導体装置の製造方法において、
    　請求項１０記載の樹脂付リードフレームを準備する工程と、
    　樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
    　ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、
    　樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、
    　反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 　半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　一のパッケージ領域内のダイパッドと、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  13. 　前記一のパッケージ領域内のリード部は、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結されていることを特徴とする請求項１２記載のリードフレーム。
  14. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとダイパッド連結部により連結されていることを特徴とする請求項１２記載のリードフレーム。
  15. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、
    　前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１２記載のリードフレーム。
  16. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第１傾斜補強片により連結され、
    　前記一のパッケージ領域内のリード部と、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する第２傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１２記載のリードフレーム。
  17. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、ダイパッド側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１２記載のリードフレーム。
  18. 　前記一のパッケージ領域内のリード部は、リード部側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項１２記載のリードフレーム。
  19. 　半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　少なくとも一のパッケージ領域内のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結され、
    　一のパッケージ領域内のリード部と、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  20. 　ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
    　ダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  21. 　補強片は、枠体領域内側の全長にわたって延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項２０記載のリードフレーム。
  22. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、補強片により連結されていないことを特徴とする請求項２０記載のリードフレーム。
  23. 　補強片は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部にそれぞれ連結されたダイパッド連結部およびリード連結部間のみに延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項２０記載のリードフレーム。
  24. 　各パッケージ領域は、１つのダイパッドと、このダイパッドの両側に位置する第１のリード部および第２のリード部とを含み、
    　一のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部と各々ダイパッド連結部、第１リード連結部、および第２リード連結部により連結され、
    　前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第１リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第１リード連結部を連結し、
    　前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第２リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第２リード連結部を連結することを特徴とする請求項２０記載のリードフレーム。
  25. 　ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
    　横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、一部のダイシング領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  26. 　横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とする請求項２５記載のリードフレーム。
  27. 　横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、不規則に設けられていることを特徴とする請求項２５記載のリードフレーム。
  28. 　補強片は、本体と、本体上に形成されためっき層とからなることを特徴とする請求項２０記載のリードフレーム。
  29. 　樹脂付リードフレームにおいて、
    　請求項２０記載のリードフレームと、
    　リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
  30. 　半導体装置の製造方法において、
    　請求項２９記載の樹脂付リードフレームを準備する工程と、
    　樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
    　ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、
    　樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、
    　反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  31. 　半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
    　ダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  32. 　補強片は、枠体領域内側の全長にわたって延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項３１記載のリードフレーム。
  33. 　前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結され、
    　前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、補強片により連結されていないことを特徴とする請求項３１記載のリードフレーム。
  34. 　補強片は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部にそれぞれ連結されたダイパッド連結部およびリード連結部間のみに延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項３１記載のリードフレーム。
  35. 　各パッケージ領域は、１つのダイパッドと、このダイパッドの両側に位置する第１のリード部および第２のリード部とを含み、
    　一のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッド、第１のリード部、および第２のリード部と各々ダイパッド連結部、第１リード連結部、および第２リード連結部により連結され、
    　前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接する第１のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第１リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第１リード連結部を連結し、
    　前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第１のパッケージ領域と反対側に位置する第２のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第２リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第２リード連結部を連結することを特徴とする請求項３１記載のリードフレーム。
  36. 　半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
    　枠体領域と、
    　枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
    　一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
    　横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、一部のダイシング領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。
  37. 　横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とする請求項３６記載のリードフレーム。
  38. 　横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、不規則に設けられていることを特徴とする請求項３６記載のリードフレーム。
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