JP6213582B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
特許文献1や特許文献2にはリードフレームと樹脂を有する樹脂パッケージに発光素子が実装された発光装置が開示されている。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある点も留意されたい。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。
樹脂パッケージは、下面と下面と連続する凹面を有する第1リードと、第1リードと対向して配置される第2リードと、第1リード及び第2リードと一体に形成された成形体とを備えており、発光素子は第1リードの上面に載置される。そして、凹部の底面にある第1リードの上面には溝部が形成されている。また、光反射性部材は凹部の側面と溝部との間に形成される。さらに、第1リードの凹面は、第1リードの第2リード側の端部に位置し、断面視において、溝部の外側上端縁が下面と凹面の境界部よりも端部側に位置している。
以下に本発明の実施形態に係る発光装置の詳細を説明する。
図1Aは発光装置100を示す模式斜視図であり、図1Bは本開示の1つの実施形態に係る発光装置100を示す模式上面図であり、図1Cは図1BのA−A断面を示す模式断面図であり、図1Dは図1Cの破線で囲んだ部分を拡大した図である。
発光装置100の樹脂パッケージ1は、成形体7と、成形体7と一体に形成された第1リード81及び第2リード82を備えている。そして、樹脂パッケージ1は凹部2を有し、第1リード81及び第2リード82の一部が凹部2の底面に配置されている。
第1リード81は下面101と、下面101と連続する凹面102を有している。図1Dで示す発光装置100では、第1リード81は下面101と、下面101と連続して形成される凹面102と、凹面102と連続し第1リード81の下面101と垂直な方向に延びる側面103と、側面103と連続し下面101と平行な方向に延びる上面104とを有する。そして、第1リード81の凹面102は、第1リード81の第2リード82側の端部105に位置する。第1リード81の第2リード82側の端部105とは、第1リード81の第2リード82側の外縁のことを指す。
図1Dで示す発光装置100では、第1リード81の凹面102と側面103は後述する成形体7に被覆されている。このように第1リード81に凹面102が形成されていることで、第1リード81と成形体7が接する面積が増えるので、第1リード81と成形体7の密着性が向上する。
第2リード82は第1リード81と対向するように配置される。第2リード82と第1リード81が対向するとは、第2リード82の一の側面と第1リード81の一の側面が完全に対面している場合だけでなく、第2リード82の少なくとも一部の面が第1リード81の少なくとも一部の面が対面している場合も含む。また、図1Cで示すように第2リード82も第1リード81と同様に凹面102を備えていてもよい。これにより、一対のリード8と成形体7の密着性がより向上する。
溝部3は、凹部2の底面にある第1リード81の上面に素子載置領域Xを取り囲むように形成される。そして、溝部3は外側上端縁Pと内側上端縁Qを有する。外側上端縁Pとは、図1Dで示すように、溝部3の上面で幅方向に対向する2つの縁部(上端縁)のうち、素子載置領域Xから遠い縁部であり、内側上端縁Qとは、素子載置領域Xに近い縁部である。実施形態1に係る発光装置100では、予め溝部3が形成された第1リード81用いて樹脂パッケージ1を製造してもよいし、樹脂パッケージ1を形成した後に溝部3を別途形成してもよい。
溝部3は、樹脂パッケージ1の凹部2の側面よりも内側に形成され、光反射性部材が発光素子4の側面まで達することを抑制するための堰き止め部として機能する。そのため、溝部3は、光反射性部材6が形成される領域と発光素子4との間に配置されればよい。例えば、光反射性部材6が発光素子4の周囲の全周に渡って形成される場合は、溝部3は発光素子4の周囲の全周に渡って配置される。この場合、溝部3は、図2Aで示すように連続する1つの溝部であってもよく、断続的に形成された複数の溝部であってもよく、あるいは、図2Bで示すように分離した複数の孔部が溝状に設けられたものであってもよい。複数の孔部間の距離は、光反射性部材6が素子載置領域X内に一部は侵入してもよいが発光素子4の側面を覆わないように、狭い距離に設定される。複数の孔部間の距離は、例えば、1μm〜100μmであり、好ましくは10μm〜50μmである。いずれの場合も、発光素子4の全周において、換言すると発光素子4の全辺に対応する領域において、溝部3が環状に配置される。
以上のように、溝部3は、発光素子4の全周囲に配置される場合、発光素子4の一部に配置される場合のいずれであってもよく、これらのいずれをも指して「発光素子を取り囲む」と称する。
以下に、図3A〜図3Dで溝部3の好ましい形状を例示する。
溝部3の外周形状が平面視において円形形状である場合、図3Aに示すように、溝部3の周囲に形成される光反射性部材6の内形が円形形状となる。このように光反射性部材6が角部を有しない形状であれば、発光素子4から出射される光成分の内、角部で減衰される光成分を抑えることができる。したがって、光取出し効率の高い発光装置とすることができる。また、この場合の発光素子4の平面視における形状は、溝部3の円形形状に対応して、例えば6角形等の円形に近い形状であることが好ましい。このような発光素子4を用いることで、同じ面積の素子載置領域Xに対して比較的大きな発光素子4を用いることができるので、光取出し効率を向上させることができる。
また、図3Dに示すように、発光素子4の側面から溝部3までの距離は一律ではなく異なっていてもよい。図3Dで示す発光装置100では、平面視における外形形状が略四角形の発光素子4のそれぞれの角部が、溝部3のそれぞれの辺に対向するように配置されている。例えば、このような配置にすることにより、発光素子4の側面から溝部3までの距離が異なることになる。これにより、発光素子4と光反射性部材6までの距離を任意の方向において長くすることや短くすることができるので、発光装置自身の配光を任意に制御することができる。
溝部3は、リードフレームから一対のリード8を所定の形状に加工する際に同時に形成してもいいし、リードフレームに一対のリード8を形成した後に別の工程で設けてもよい。
素子載置領域Xは、その上に配置される発光素子4の外周に対応した形状で、発光素子4の平面形状に対応する形状を有する部位を指す。つまり、素子載置領域Xの外形は、その上に配置される発光素子4の外周形状と一致、若しくは略一致(例えば、±10%以内の面積割合)する形状を有する。
1つの素子載置領域X上に配置される発光素子4は1つであってもよいし、2つ以上でもよい。後者の場合は、配置された複数の発光素子4の最外形を、上述した発光素子4の外周形状とみなすことができる。また素子載置領域Xは複数個あってもよく、この場合各々の素子載置領域Xに1つ又は2つ以上の発光素子4が配置される。
第1リード81及び第2リード82は母材と、母材を被覆するメッキ層とを有する。
母材の材料として、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などが挙げられる。これらは単層であってもよいし、積層構造(例えば、クラッド材)であってもよい。
また、メッキ層の材料としては、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などがあげられる。
第1リード81及び第2リード82の膜厚は、例えば、100〜1000μm程度が挙げられる。
成形体7は第1リード81及び第2リード82を固定する部材である。成形体7の母体となる樹脂として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。特に、熱硬化樹脂が好ましい。
また、成形体7には、発光装置のコントラストを向上させるために、発光装置の外光(多くの場合、太陽光)に対して光反射率が低いものを用いてもよい。この場合、通常は黒色ないしそれに近似した色であることが好ましい。この時の充填剤としてはアセチレンブラック、活性炭、黒鉛などのカーボンや、酸化鉄、二酸化マンガン、酸化コバルト、酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物、もしくは有色有機顔料などを目的に応じて利用することができる。
光反射性部材6は、凹部2の側面と溝部3との間の底面に形成される。光反射性部材6は発光素子4から出射される光を凹部2の開口側に偏向させる役割を持つ。
光反射性部材6は、例えば、図1Cで示すように凹部2の側面から溝部3に渡って全体的に連続して形成されていてもよいし、図2Cで示すように光反射性部材6が複数に分かれて形成されている場合であってもよい。
図2Cで示す発光装置では、2つの溝部3と2つの光反射性部材6を備える。より具体的には、図2Cで示す発光装置は、上面視において長手方向と長手方向に直交する短手方向を有する略四角形状の外形形状を備えている。そして、2つの溝部3は短手方向に延び、発光素子4の2つの側面を挟み込むように形成される。この時、2つの溝部3は発光素子4の近傍に配置され、発光素子4の側面と離間するように形成される。一方、2つの光反射性部材6は凹部2の長手方向の2つの側面から溝部3に渡って形成される。このような発光装置においては、光反射性部材6の使用される樹脂量を少なくすることができるので安価な発光装置とすることができる。ここでは、上面視における外形形状が長方形の発光装置を例に挙げて説明したが、発光装置の外形形状は特に限定されず、例えば、上面視においてその外形形状が正方形である発光装置であっても同様の構成を備えることができる。
光反射性部材6は成形体7よりも光や熱による変色がしにくい耐変色性に優れた樹脂を用いることが好ましい。発光素子4からの光や熱が直接触れる部位は特に変色が起きやすいので、例えばエポキシ系樹脂の成形体7の表面を、成形体7よりも耐変色性に優れたシリコーン系樹脂等の光反射性部材6で被覆することが好ましい。
光反射性部材6は高い粘度を有していることが好ましい。例えば、光反射性部材6の粘度は1〜100Pa・s、より好ましくは5〜10Pa・sである。これにより、光反射性部材6を形成する際に、光反射性部材6が溝部3を超えて発光素子4の側面に達することを防止することができる。
発光素子4は、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子4は、種々の半導体で構成される素子構造と、正負一対の電極と、を有するものであればよい。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)の発光素子4が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。多くの発光素子4は、基板を有する。基板は、透光性であることが好ましいが、これに限定されない。基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素などが挙げられる。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子4の場合、各電極をワイヤでリード電極と接続してフェイスアップ実装される。1つの発光装置に搭載される発光素子4の個数は1つでも複数でもよい。発光素子4が複数用いられる場合は、各発光素子はワイヤにより直列、並列、又はその組み合わせによる方法で接続される。また、1つの発光装置に、例えば青色、緑色、赤色発光の3つの発光素子4が搭載されていてもよいし、青色、緑色発光の2つの発光素子4が搭載されていてもよい。
発光装置100は透光性部材5を備えることが好ましい。透光性部材5は、発光素子4を被覆するように凹部2に形成される。透光性部材5は発光素子を外力や埃、水分などから保護すると共に、発光素子の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものにする。
また、透光性部材5は溝部3の内面の少なくとも一部と接するように形成されることが好ましい。これにより、発光素子4からの熱で光反射性部材6が発光素子4の側面側に膨張したとしても、透光性部材5(特に、溝部3の内面に位置する透光性部材5)がその膨張する応力に対して反対方向の応力をかけることができる。その結果、光反射性部材6が発光素子4の側面を覆うことを防止することができる。また、透光性部材5が溝部3の内面の少なくとも一部と接することで、透光性部材5と樹脂パッケージ1との密着性が向上する。この時の「溝部3の内面」とは、溝部3の外側上端縁Pと内側上端縁Qとで囲まれる領域の表面全体のことをいう。
さらに、透光性部材5には、発光素子4からの発光の波長を変換する材料(蛍光体等)の粒子を分散させてもよい。蛍光体としては、具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び/若しくはクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(カルシウムの一部をストロンチウムで置換可)、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、ユウロピウムで賦活されたアルミン酸ストロンチウム、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどを用いることができる。
光散乱粒子及び/又は蛍光体の含有量は、例えば、透光性部材5の全重量に対して10〜80重量%程度であることが好ましい。
図5Aは発光装置200を示す模式断面図であり、図5Bは図5Aの破線で囲んだ部分を拡大した図である。
実施形態2に係る発光装置では、凹面102が複数の凹面を有している。図5A及び図5Bで示す発光装置200では、凹面102が第1凹面801と第2凹面802を有し、第1凹面801は第1リード81の下面101と連続して形成されており、第2凹面802は第1凹面801と連続して形成されている。第1凹面801及び第2凹面802を設けることで、第1リード81の端部105の表面積を増やすことができるので、透光性部材5等の成分の漏出や半田フラックスの浸入を抑制しやすくなる。さらに、一対のリード8及び成形体7の密着性を向上させることができる。
なお、このような第1凹面801及び第2凹面802の形状は、リードフレームをエッチングにより加工する際、マスクの特性、形状、位置関係などにより形成することができる。また、第1凹面801及び第2凹面802のそれぞれの凹面は、曲面で構成されていることが好ましいが、平坦面や曲面の組み合わせで構成されてもよいし、凹凸を有していてもよい。
また、図5A及び図5Bで示す発光装置200では、凹面102が2つの凹面から構成されているが、これに限らず、凹面102は3つ以上の凹面を有していてもよい。さらに、図1D及び図5Bで示す発光装置100及び発光装置200では第1リード81の端部105側に側面103を備えているが、これに限らず、第1リード81の上面104から下面101に渡って第1リード81の端部は全て凹面が形成されていてもよい。
1 樹脂パッケージ
2 凹部
3 溝部
4 発光素子
5 透光性部材
6 光反射性部材
7 成形体
8 一対のリード
81 第1リード
82 第2リード
101 下面
102 凹面
103 側面
104 上面
105 端部
106 境界部
801 第1凹面
802 第2凹面
X 素子載置領域
P 外側上端縁
Q 内側上端縁
Claims (8)
- 下面と前記下面と連続する凹面を有する第1リードと、前記第1リードと対向して配置される第2リードと、前記第1リード及び第2リードと一体に形成された成形体とを備え、前記第1リード及び第2リードの上面の一部が底面に含まれる凹部を有する樹脂パッケージと、
前記凹部の底面にある前記第1リードの上面に載置された発光素子と、
前記凹部の底面にある前記第1リードの上面に、前記凹部の側面と離間し前記発光素子を取り囲む溝部と、
前記凹部の側面と前記溝部との間の前記底面に形成された光反射性部材と、
前記発光素子を被覆し、前記溝部の内面と接する透光性部材と、を備え、
前記第1リードの前記凹面は、前記第1リードの前記第2リード側の端部に位置し、
断面視において、前記溝部の外側上端縁が前記下面と前記凹面の境界部よりも前記端部側に位置し、かつ、前記光反射性部材の端部は前記溝部の外側上端縁の近傍に位置する、発光装置。 - 前記溝部は、断面視において前記境界部の垂直方向に位置する請求項1に記載の発光装置。
- 前記外側上端縁を通り前記第1リードの上面に垂直な方向の第1面と、前記境界部を通り前記第1リードの上面に垂直な方向の第2面との平面の距離が10〜30μmである請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記光反射性部材の光反射率は、前記成形体の光反射率よりも高い請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記成形体は、光反射性物質を含有する、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記成形体および前記光反射性部材は、同一の光反射性物質を含有し、
前記光反射性部材に含有される前記光反射性物質の濃度は、前記成形体に含有される前記光反射性物質の濃度の1.5倍以上である、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記成形体は、アセチレンブラックまたはカーボンを含有する、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第1リードおよび前記第2リードは銀のメッキ層を有し、
前記メッキ層の表面は保護層が形成される、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の発光装置。
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DE102018125138A1 (de) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils |
WO2020137855A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP6974746B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2021-12-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP7364858B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2023-10-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11417808B2 (en) | 2019-09-12 | 2022-08-16 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP7391694B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2023-12-05 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
JP7495610B2 (ja) * | 2020-07-06 | 2024-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
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Family Cites Families (20)
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---|---|---|---|---|
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JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
KR101007062B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2011-01-12 | 주식회사 루멘스 | 발광다이오드 리드프레임과 그 리드프레임을 이용한발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2010199547A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP5618189B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-11-05 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
KR101778832B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2017-09-14 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Led 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임 |
JP5886584B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5720496B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2015-05-20 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5849694B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
DE102012215705B4 (de) * | 2012-09-05 | 2021-09-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe |
KR102042150B1 (ko) * | 2012-09-13 | 2019-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명 시스템 |
JP6024352B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP6056336B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5596763B2 (ja) | 2012-10-24 | 2014-09-24 | 京楽産業.株式会社 | 遊技機 |
JP6209826B2 (ja) | 2013-02-22 | 2017-10-11 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
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