JP6303738B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6303738B2
JP6303738B2 JP2014077641A JP2014077641A JP6303738B2 JP 6303738 B2 JP6303738 B2 JP 6303738B2 JP 2014077641 A JP2014077641 A JP 2014077641A JP 2014077641 A JP2014077641 A JP 2014077641A JP 6303738 B2 JP6303738 B2 JP 6303738B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
light emitting
light
emitting device
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014077641A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014220490A (ja
Inventor
林　正樹
林　　正樹
塩田　勇樹
勇樹 塩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2014077641A priority Critical patent/JP6303738B2/ja
Publication of JP2014220490A publication Critical patent/JP2014220490A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6303738B2 publication Critical patent/JP6303738B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Description

本発明は、発光装置に関する。
近年、放熱性に優れたパッケージとしてリードフレームの主表面上に発光素子が搭載され、この発光素子が発生した熱を外部へ放出する放熱経路に絶縁基板などの熱抵抗が大きな材料を介在させない構造とした発光装置が提案されている。
例えば、照明用途等に用いられる発光装置では、蛍光体等の波長変換部材を含有させた封止部材で発光素子を被覆することにより、白色発光装置としている。具体的には、この種の発光装置では、発光素子及びワイヤを被覆する熱硬化性樹脂が形成されており、この封止樹脂に蛍光体を含有させることにより、白色発光が可能な発光装置としている（特許文献１、段落４３に記載）。
特開２００８−２２７１６６号公報
しかし、特許文献１のような発光装置では、光質が安定しないという問題があった。つまり、蛍光体を含有した封止樹脂は、その広がりが、樹脂の粘度、周囲の温度の影響を受けやすく、安定しない。すなわち、蛍光体が配置される領域が安定しない。そのため、発光素子周辺は青色よりに光り、発光素子から離れた箇所では黄色よりに光ることになり、光質バラツキが大きくなるという問題がある。また、蛍光体が配置される領域が広くなるので、発光素子周辺と発光素子から離れた箇所の色度の差が、大きくなるという問題がある。
本発明は、光質バラツキを抑えることができる発光装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。すなわち、
本発明の発光装置の態様の１つは、発光素子が載置された第１のリードと、前記第１のリードと間隔を開けて配置された第２のリードと、前記第１のリード及び前記第２のリードを固定する絶縁性部材と、前記発光素子を被覆する波長変換部と、前記波長変換部を被覆するレンズ部と、を有し、前記絶縁性部材の厚みは前記第１のリード及び前記第２のリードと略同じであり、前記第１のリードの上面には前記波長変換部を特定の領域に留めるための溝部又は凹部が設けられており、前記波長変換部の形成された領域の反対側となる前記第１のリードの下面は、前記絶縁性部材に被覆されずに外部に露出されていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置の別の態様の１つは、
発光素子が載置された第１のリードと、
前記第１のリードと間隔を開けて配置された第２のリードと、
前記第１のリード及び前記第２のリードを固定する絶縁性部材と、
前記発光素子を被覆する拡散材含有部と、
前記拡散材含有部を被覆する波長変換部と、
前記波長変換部を被覆するレンズ部と、を有し、
前記絶縁性部材の厚みは前記第１のリード及び前記第２のリードと略同じであり、
前記第１のリードの上面には前記波長変換部を特定の領域に留めるための溝部又は凹部が設けられており、該溝部又は凹部の内側に、第２の溝部又は凹部が形成されており、該第２の溝部又は凹部の内側に前記拡散材含有部が充填されていることを特徴とする。
本発明に係る発光装置は、集光装置を用いて集光を行った場合であっても優れた照明品質を得ることができる。
（ａ）は本発明の発光装置の第１実施形態を示す概要断面図であり、（ｂ）は（ａ）の発光装置の概要平面図である。 （ａ）は本発明の発光装置の第２実施形態を示す概要断面図であり、（ｂ）は（ａ）の発光装置の概要平面図である。 （ａ）は本発明の発光装置の第１実施形態の樹脂成形体を示す概要平面図であり、（ｂ）は（ａ）のリードフレームのＩＩＩ−ＩＩＩ線概要断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の発光装置の第１実施形態の樹脂成形体の製造方法を説明するための図である。 本発明の発光装置の第３実施形態を示す概要平面図である。 本発明の発光装置の第４実施形態を示す概要平面図である。 本発明の発光装置の第５実施形態を示す概要断面図である。 本発明の発光装置の第６実施形態を示す概要断面図である。 本発明の発光装置の第７実施形態を示す概要断面図である。 本発明の発光装置の第８実施形態を示す概要断面図である。 本発明の発光装置の第９実施形態を示す概要断面図である。 （ａ）は本発明の溝部の概略を示す図であり、（ｂ）は本発明の凹部の概略を示す図である。 本発明の発光装置の実施形態の一例を示す概要断面図である。 （ａ）は本発明の発光装置の第１０実施形態を示す概要断面図であり、（ｂ）は（ａ）の発光装置の概要平面図である。 （ｃ）から（ｆ）は発光装置における第１のリード１２の変形例を示す概要断面図である。 本発明の発光装置の第１１実施形態を示す概要断面図である。 本発明の発光装置の第１２実施形態を示す概要断面図である。
以下、本発明に係る発光装置の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。なお、以下の説明では必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。
また、本明細書において、個片化された後の発光装置には、リード、絶縁性部材、樹脂基板という用語を用い、個片化される前の段階では、リードフレーム、樹脂成形体という用語を用いる。
＜第１実施形態＞
図１（ａ）に、本発明の第１実施形態に係る発光装置１００を断面図で示す。また、図１（ｂ）は図１（ａ）の発光装置１００を上から見た図（平面図）であり、図１（ｂ）のＩ−Ｉ線断面図が図１（ａ）となる。
発光装置１００は、主として第１のリード１２と、第２のリード１４と、これらのリードを固定する絶縁性部材２０と、第１のリード１２に載置される発光素子１０と、発光素子１０を被覆する波長変換部１６と、波長変換部１６を被覆するレンズ部１８と、を有する。
本実施形態において、第１のリード１２と第２のリード１４とは、絶縁性部材２０により一体的に形成されている。すなわち、図１に示すように、第１のリード１２及び第２のリード１４は間隔を開けて配置されており、その間隔を埋めるように絶縁性部材２０が埋め込まれている。第１のリード１２及び第２のリード１４の厚みと絶縁性部材２０の厚みとは略同一とされている。第１のリード１２、第２のリード１４及び絶縁性部材２０により、樹脂基板３０が形成される。図１（ｂ）に示すように、樹脂基板３０は、平板状であり、その上面及び下面において、第１のリード１２及び第２のリード１４の上面及び下面が露出されている。言い換えると、第１のリード１２、第２のリード１４及び絶縁性部材２０は、その上面及び下面において面一である。
図１（ｂ）に示すように、第１のリード１２は第２のリード１４と対向する方向に突出しており、第２のリード１４は第１のリード１２の突出に対応して窪んでいる。第１のリード１２の突出部は上下方向の略中央に、後述する溝部２６の形状に沿って、溝部２６の円と同心円弧状に形成されている。これにより第１のリード１２の発光素子１０載置領域が発光装置１００の略中央に位置するようにされている。つまり、発光素子１０が発光装置１００の略中央に位置することができるように第１のリード１２を突出させることが好ましい。
第１のリード１２には、波長変換部１６を特定の領域に留めるための溝部２６が形成されている。本実施形態において溝部２６は図１（ｂ）に示すように平面視で円形状とされており、この溝部２６で囲まれた領域に発光素子１０が４つ配置されている。図１（ａ）に示すように、溝部２６は、第１のリード１２が厚み方向に薄くされて形成されてなる。このように、溝部２６の底面、つまり、溝部が形成する第１のリード１２の開口が発光素子１０を載置する面よりも下方向に位置するように形成されている。
また、溝部２６の開口の形状は、図１（ａ）の断面図に示すように、溝を形成する内側の面と発光素子１０の載置面とのなす角度が直角若しくは鋭角とされることが好ましい。この開口部の形状で、ピン止め効果により、波長変換部１６の端部が形成されるので、波長変換部１６の広がり形状が画定され、波長変換部１６の凸形状が、安定して形成される。このように、波長変換部１６を発光素子載置面から突出した凸形状とすることにより、波長変換部１６が半球状になるため、配光色度バラツキが小さくなり、光質が特に優れた発光装置とすることができる。
図１２（ａ）に示すように、溝部２６の溝を形成する内側の面から最も近接した発光素子１０までの距離Ｘは、好ましくは１μｍ以上、５μｍより大きくすることがさらに好ましい。Ｘの距離が小さいと、この領域に粒径がＸよりも大きい波長変換部材が入り込むことができなくなるため、この領域で波長変換物質の含有量が少なくなり、発光素子１０からの光を所望の波長に変換できなくなる。そのため、使用する波長変換物質（蛍光体等）の平均粒径よりもＸの距離を大きくすることが好ましいが、光質を考慮する場合はＸを５μｍ以下とすることが好ましい。ここで、波長変換部はその粒径が大きいほうが光取り出し効率が向上することが知られており、１μｍ〜５０μｍのものを好適に用いることができる。より好ましくは３μｍ〜４０μｍである。
発光素子１０の個数及びその配置は特に限定されるものではなく、１つであってもよいし、複数であってもよいが、光質をより良好にするために溝部２６に囲まれた領域に線対称若しくは点対称に配置するなどしてバランスよく配置することが好ましい。本実施形態においては、発光素子は複数個（４個）配置されている。発光素子１０は第１のリード１２に載置される面が絶縁性であり、上面に正負の電極が形成された、いわゆるフェイスアップ型の発光素子である。発光素子１０の正負の電極はワイヤ２４により第１のリード１２及び第２のリード１４と電気的に接続されている。
第１のリード１２に接している発光素子１０の底面の面積は、第１のリード１２の上面であって波長変換部１６の形成された領域の面積（溝部２６に囲まれた領域の面積）の１０％以上であることが好ましい。発光素子１０の底面の面積が１０％よりも小さい場合、発光素子近辺と発光素子から離れた場所の色調が大きく変わってしまう。例えば、青色の発光素子と黄色に発光する蛍光体を使用する場合、発光素子から離れた場所は、蛍光体が多くなるため、発光素子近辺よりも黄色寄りの色調になる。その結果、イエローリングが顕著になり、発光装置の配光色度が悪くなり、光質が悪くなる。
波長変換部１６は、発光素子１０の光を波長変換する波長変換部材を含有しており、発光素子１０を被覆するように設けられる。波長変換部１６の底面は、溝部２６に囲まれた領域の内側に形成されており、ワイヤ２４の一部が波長変換部１６に被覆されており、ワイヤ２４の残りの部分はその外側に設けられるレンズ部１８に被覆されている。
波長変換部１６は、第１のリード１２上にのみ形成されており、第２のリード１４及び絶縁性部材２０の上には形成されていない。つまり、絶縁性部材２０と波長変換部１６は接していない。これにより、絶縁性部材２０が光反射率の低い部材であっても、光取り出し効率には殆ど影響されないため、反射率を考慮することなく安価な樹脂材料を使用することができる。また、リードという金属部材により、発光素子からの光を効率良く反射させることができるため、光取り出し効率を向上させることが可能である。
レンズ部１８は、波長変換部１６を被覆するように形成される。本実施形態において、波長変換部１６の底面は第１のリード１２とのみ接しており、その上から波長変換部１６の全てを覆うように凸形状のレンズ部１８が形成されている。本実施形態ではレンズ形状は半球状とされている。
ここで、本実施形態において、波長変換部１６の形成された領域の反対側となる第１のリード１２の下面（図１（ａ）においてＡで示す部分）は、絶縁性部材２０に被覆されずに外部に露出されている。これにより、発光装置１００を実装基板に実装した際に、発光素子１０、波長変換部１６で発生する熱を効率よく実装基板へ熱引きすることができ、発光効率を高めることができる。
上述したように、本実施形態の発光装置１００によれば、優れた光質及び高い光取り出し効率を得ることができる。
以下、発光装置１００の構成部材について詳述する。
（第１のリード１２、第２のリード１４）
第１のリード１２及び第２のリード１４は、例えば、鉄、銅、リン青銅、銅合金、４２アロイのような鉄系合金、これらの材料を積層したクラッド材等の電気良導体を用いて形成される。プレス、エッチング、レーザーにより加工することができる。また、必要に応じて、その表面に金属メッキをすることができる。メッキ材料には、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄなどが挙げられる。最表面のメッキは、好ましくはＡｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、Ａｕ合金であり、下地は、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄが積層されていても良い。
第１のリード１２及び第２のリード１４の厚みは、５０μｍ〜１０００μｍ程度であり、好ましくは、１００μｍ〜５００μｍである。溝の深さは、第１のリード１２の厚みに対して、１０〜８０％程度であることが好ましい。溝が浅すぎると、波長変換部１６が漏れてきて、きちんと留めることができない。また、溝が深すぎると、溝に入った光が出てきにくくなり、発光効率が悪くなる。
第１のリード１２及び第２のリード１４には、絶縁性部材２０との密着性を高めるための凹凸構造が形成されていることが好ましい。これにより、リードと絶縁性部材２０との密着面積が大きくなり、密着性を向上させることができる。この凹凸構造はリードの表面から側面にかけて形成されることが好ましく、エッチングやプレス加工により形成することができる。
（絶縁性部材２０）
絶縁性部材２０としては、樹脂が好適に用いられる。アクリレート樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、液晶樹脂の少なくとも1種以上含む熱可塑性樹脂、または、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂、ウレタン樹脂、これらの樹脂を少なくとも１種以上含む熱硬化性樹脂により形成されることが好ましい。特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂が好ましい。
絶縁性部材２０には、拡散材、高熱伝導材料、強化材料、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、滑剤など、少なくとも１つ含まれていても良い。拡散材としては、酸化チタン、酸化ジルコン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ホウ素、中空フィラーなどの少なくとも１つ以上を用いることができる。強化材料は、ウィスカー、ガラス繊維なども用いることができる。
高熱伝導材料としては、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムなどを用いることができる。酸化防止剤は、フェノール系、硫黄系、燐系、アミン系なども用いることができる。滑剤としては、高級脂肪酸エステル、シリコーン系、フッ素系などを用いることができる。紫外線吸収剤、光安定剤などの添加剤が含まれていても良い。
（波長変換部１６）
波長変換部１６は、樹脂部材中に波長変換部材が含有されてなる。樹脂部材としては、アクリレート樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、液晶樹脂の少なくとも１種以上を含む熱可塑性樹脂、または、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂、ウレタン樹脂の少なくとも１種以上含む熱硬化性樹脂により形成されることが好ましい。特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂が好ましい。
また、樹脂部材は、所定の機能を持たせるため、拡散剤等を混合することもできる。拡散剤としては、酸化チタン、酸化ジルコン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ホウ素、中空フィラー等の１つ以上を用いることができる。また、ナノ材料で、ナノ酸化チタン、ナノ酸化ジルコン、ナノ酸化アルミニウム、ナノ酸化ケイ素、ナノ酸化ホウ素等を用いることができる。平均粒径は、１ｎｍ〜５０μｍが好ましく、５ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
（波長変換部材（図示しない））
波長変換部材としては、発光素子１０の光を所望の波長の光に変換するものであれば特に限定されない。例えば、ＹＡＧ系蛍光体（黄色〜緑色蛍光物質）や、ＬＡＧ系蛍光体（黄色〜緑色蛍光物質）、Ｅｕ，Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体、Ｅｕ，Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体等を用いることができる。なお、ユーロピウムドープの赤色蛍光物質としては、例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕのようなＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ３：ＥｕのようなＣＡＳＮ系蛍光体、ＳｒＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ等がある。他にも、発光素子の青色光を吸収して緑色光を発光する、例えば、クロロシリケート蛍光体やβサイアロン蛍光体等を用いることができる。
（レンズ部１８）
レンズ部１８には、樹脂材料を好適に用いることができる。例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、液晶樹脂の少なくとも１種以上を含む熱可塑性樹脂、または、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂の少なくとも１種以上を含む熱硬化性樹脂、低融点ガラス、水ガラス等の無機材料の少なくとも１種により形成さることが好ましい。特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂が好まく、更には、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂が好ましい。
また、レンズ部１８に所定の機能をもたせるため、拡散剤、高熱伝導材料からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。
具体的な拡散剤としては、酸化チタン、酸化ジルコン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ホウ素を用いることができる。平均粒径は、０．１μｍ〜５０μｍが好ましく、０．５μｍ〜４０μｍが、より好ましい。また、ナノ材料で、ナノ酸化チタン、ナノ酸化ジルコン、ナノ酸化アルミニウム、ナノ酸化ケイ素、ナオ酸化ホウ素等を用いることができる。平均粒径は、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜９０ｎｍが好ましい。高熱伝導材料は、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、ナノダイヤモンド等を用いることができる。さらに、レンズ部１８は、発光素子からの光を吸収し、波長変換する波長変換物質を含有させることもできる。
なお、レンズ部１８は、光を屈折させて発散または集束させる機能を有することが好ましく、種々の目的に応じて例えば半球状や、半球よりも曲率の小さいレンズ、又は半球よりも曲率の大きいレンズなど、様々な形態をとることができる。なお、レンズ部１８により所望の配光を得ることができるが、レンズ部１８により発光素子１０からの光を集光させるような場合には、レンズ部を介することで発光素子近傍の色バラツキがより強調されて、いわゆるイエローリングが生じるなど、色の偏り（色ムラ）のある光が照射されてしまうという問題があった。本実施形態では、発光素子近傍での色バラツキを抑えることが可能であるため、レンズ部１８により集光させても市場の要求に応えられる優れた照明品質を得ることができる。
（発光素子１０）
発光素子１０は、発光ダイオードであることが好ましい。例えば発光ピーク波長が３５０ｎｍ〜８００ｎｍのものを使用することができる。特に、窒化物系半導体からなる発光素子を用いる場合には、４２０ｎｍ〜５５０ｎｍの可視光の短波長領域に発光ピーク波長を有するものを用いることが好ましい。
（その他）
発光装置１００には、図１（ｂ）に示すように、さらに保護素子３２を設けることもできる。保護素子としては、例えばツェナーダイオードを好適に用いることができる。保護素子３２は、発光素子１０の載置された溝部２６の外側の領域に載置されることが好ましい。これにより、保護素子３２により発光素子１０からの光が吸収されることを抑制し、発光装置１００の光取り出し効率の低下を抑制することができる。また、配光特性にも影響を与えにくくすることができ、光質を高めることができる。
（第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法）
第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について説明する。図３及び図４は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す図である。
第１工程として、図４（ａ）に示すように、リードフレーム３４を上金型４６と下金型４８とで挟み込む。次に、図４（ｂ）に示すように上金型４６と下金型４８とで挟み込まれた金型内に、絶縁性部材２０をトランスファー成形し、オーブンで加熱処理して樹脂硬化させてリードフレーム３４に絶縁性部材２０を一体形成して樹脂成形体４４を形成する。このように形成された樹脂成形体４４を図３に示す。
リードフレーム３４は、発光装置１００を構成する第１のリード１２と第２のリード１４が複数個連なったものである。図３（ａ）に示すように、のちに第１のリード１２となる部分と第２のリード１４となる部分とが吊りリード３６により横方向に連なっており、縦方向に隣接する第１のリード１２となる部分同士が吊りリード３８により連なっており、縦方向に隣接する第２のリード１４となる部分同士もまた吊りリード４０により連なっている。さらに、縦方向に隣接する第１のリード１２となる部分と第２のリード１４となる部分同士は斜め方向に延在された吊りリード４２により連なっている。なお、吊りリード４２は設けられていても設けられていなくても良い。
成形方法はトランスファー成形が好ましいが、射出成形、圧縮成形、押出成形であってもよい。
リードフレーム３４には、絶縁性部材２０との密着性を高めるための孔５０が設けられていることが好ましい。これにより、絶縁性部材２０がリードフレーム３４から脱落したり剥離したりすることを抑制することができる。また、リードフレーム３４にレンズ部１８との密着性を高めるための凹部が設けられていてもよい。凹部はハーフエッチング、プレス加工などにより形成することができる。凹部の形状は、例えば平面視で円状、帯状、湾曲した帯状、多角形状などとすることができる。
次に、第２工程として、トランスファー成形で発生した樹脂成形体表面にある樹脂バリを除去するため、電解バリ浮かし処理して、ウォータージェットで樹脂バリを除去する。なお、電解バリ浮かし処理とは、樹脂成形体を溶液中に浸漬し、その状態で電解を行い、リードフレーム上に付着した薄い樹脂片、すなわちバリを膨潤させる処理である。樹脂バリを除去することで後述する発光素子の実装、保護素子の実装、ワイヤーボンディングの信頼性を向上させることができる。樹脂バリの除去は、ケミカルディップ処理、ブラスト処理、レーザー処理を用いることもできる。
第３の工程で、第１のリード１２となる部分の溝部２６の内側であって発光素子１０を実装する箇所へ接合部材を塗布して、発光素子１０を実装する。次に、接合部材を硬化するために、オーブンで加熱処理する。接合部材としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂、ウレタン樹脂など、これらの樹脂を少なくとも１種以上を含む熱硬化性樹脂、若しくは低融点ガラス、水ガラス、水硬性セメントといった無機材料の少なくとも１種により形成さることが好ましい。特に、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂が好ましく、更には、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ハイブリッド樹脂がより好ましい。
第４の工程で、第１のリード１２の溝部２６の外側であって保護素子を実装する場所へ、導電性接合部材を塗布して、保護素子を実装して、導電性接合部材を硬化させるために、オーブンで加熱処理する。導電性接合部材は、例えばＡｇペースト剤を好適に用いることができる。
第５の工程で、ワイヤーボンディング装置を用い、ワイヤ２４で、発光素子１０と第１のリード１２となる部分及び第２のリード１４となる部分、保護素子３２と第２のリード１４となる部分をそれぞれ電気的に接続させる。
第６工程で、発光素子１０の上から、樹脂塗布装置を用いて、波長変換部材を含む樹脂を塗布して波長変換部１６を形成し、オーブンで加熱処理を行って硬化させる。
波長変換部１６は、溝部２６により、ピン止め効果により凸形状とされる。
次に、第７の工程として、第６の工程で得られた樹脂成形体を、加熱した下金型に設置して、レンズ部１８を形成するための樹脂を塗布した後、金型で挟み込み、凸形状のレンズ部１８が形成された樹脂成形体を取り出す。レンズ部１８を硬化させるために、オーブンで加熱処理を行う。
レンズ部１８の形成方法としては、トランスファー成形や圧縮成形、樹脂の塗布（ポッティング）、キャスティングケースによる成形等、種々の方法を用いることができる。なお、圧縮成形で形成した場合には、図１３に発光装置１１０として示すようにレンズ部１８の周囲に平坦部５２が形成される。本発明の発光装置は、樹脂成形体４４をリードフレームの厚み程度とすることができ、従来の発光装置に比べて極めて薄く形成可能であるため、レンズ部１８にこのような平坦部５２を設けることにより、樹脂成形体の厚みが薄い場合であっても十分な強度をもった発光装置とすることができる。
最後に、第８の工程として第７の工程で得られた樹脂基板をダイシングシートに貼りつけ、ダイシングブレードで吊りリード３６、３８、４０、４２を通るように絶縁性部材２０を切断して、個片化した発光装置１００を得る。
＜第２実施形態＞
図２（ａ）に、本発明の第２実施形態に係る発光装置２００を断面図で示す。また、図２（ｂ）は図２（ａ）の発光装置２００を上から見た図（平面図）であり、図２（ｂ）のＩＩ−ＩＩ線断面図が図２（ａ）となる。
発光装置２００は、第１のリード１２に溝部に代えて凹部２８が設けられている点が第１実施形態と異なっており、その他の部分は第１実施形態と実質的に同じである。
第１のリード１２には、波長変換部１６を特定の領域に留めるための凹部２８が形成されている。本実施形態において凹部２８は図２（ｂ）に示すように平面視で円形状とされており、この凹部２８に発光素子１０が４つ配置されている。図２（ａ）に示すように、凹部２８は、第１のリード１２が厚み方向に薄くされて形成されてなる。すなわち、凹部２８の発光素子１０を載置する底面が、絶縁性部材２０の上面よりも下方向に位置するように形成されている。
凹部２８の深さは、第１のリード１２の厚みに対して、５〜７０％程度が好ましい。凹部の深さが浅すぎると、波長変換部１６が漏れてきて、きちんと留めることができない。また、凹部が深すぎると、発光素子、波長変換部から出る光が凹内部で留まってしまい、光の取り出し効率が悪くなる。
波長変換部１６は凹部２８を充填するように形成される。波長変換部１６は、図２（ａ）に示すように凸形状とされていてもよいし、凹形状とされていても良いし、平坦な上面を有していてもよい。また、波長変換部１６の上面は第１のリード１２、第２のリード１４及び絶縁性部材２０の表面よりも上側に位置していても良いし、下側に位置していてもよい。
第２実施形態に係る発光装置２００の製造方法としては、溝部に替えて凹部を形成したリードフレームを用いて、第１実施形態の発光装置１００の製造方法と同様にして製造することができる。
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、優れた光質及び高い光取り出し効率を得ることができる。また、凹部２８内で、光を反射することが可能であるため凹部の開口から上面方向へ発光される光が多くなるので、発光面積を小さくでき、見切りの良い光質を得ることができる。
図１２（ｂ）に示すように、凹部２８の溝を形成する内側の面から最も近接した発光素子１０までの距離Ｘは、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。但し、光質を考慮する場合はＸを５μｍ以下とすることが好ましい。この点についても、第１実施形態と同様である。
＜第３実施形態＞
図５に本発明の第３実施形態に係る発光装置３００を平面図で示す。発光装置３００は、溝部２６が平面視で矩形状に形成されており、２つの発光素子１０が溝部２６の内側に配置されている点が第１実施形態と異なっており、その他の部分は第１実施形態と実質的に同じである。本実施形態によれば、波長変換部１６の底面が発光素子１０の外形に沿って形成される。これにより、発光素子１０近辺に、発光素子１０外周に沿って、均一に波長変換部１６を形成できるので、発光素子１０近辺の色度、波長変換部１６の端部の色度の差が小さくなり、優れた光質が得られる。
第３実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜第４実施形態＞
図６に本発明の第４実施形態に係る発光装置４００を平面図で示す。発光装置４００は、凹部２８が平面視で矩形状に形成されている点が第２実施形態と異なっており、その他の部分は第２実施形態と実質的に同じである。
凹部２８を矩形状に形成することにより、発光素子１０近辺に、波長変換部１６が形成されるため、発光素子１０近辺の色度、波長変換部１６の端部の色度の差が小さくなり、一方で、凹部の開口から上面方向への発光される光が多くなるので、発光面積を小さくでき、見切りの良い光質が得られる。
第４実施形態においても、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜第５実施形態＞
図７に本発明の第５実施形態に係る発光装置５００を断面図で示す。発光装置５００は、第１のリード１２の上面よりも下側に、発光素子１０の上面が形成される点が第２実施形態と異なっており、その他の部分は第２実施形態と実質的に同じである。第１のリード１２上面よりも下側に発光素子１０の上面が形成されることにより、発光素子１０上面に、波長変換部１６中の波長変換物質を均一に分散させやすくなり、光取り出し効率を向上させつつ、優れた光質を得ることができる。
第５実施形態においても、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜第６実施形態＞
図８に本発明の第６実施形態に係る発光装置６００を断面図で示す。発光装置６００は、第２実施形態ではレンズ部１８は半球状とされていたが、本実施形態においては第２実施形態よりもレンズ部１８の曲率が小さく形成されており、より広配光に光を取り出すことができる点が第２実施形態と異なっており、その他の部分は第２実施形態と実質的に同じである。
第６実施形態においても、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜第７実施形態＞
図９に本発明の第７実施形態に係る発光装置７００を断面図で示す。発光装置７００は、レンズ部１８が断面形状で２つの凸を形成し、中央部が凹状に窪んでいる。このようなレンズ形状により、いわゆるバットウイング配光とすることができ、第２実施形態に比べてより広い配光に光を取り出すことができる点が第２実施形態と異なっており、その他の部分は第２実施形態と実質的に同じである。
第７実施形態においても、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜第８実施形態＞
図１０に本発明の第８実施形態に係る発光装置８００を断面図で示す。発光装置８００は、第１実施形態ではレンズ部１８の形状は半球状とされていたが、本実施形態では第１実施形態よりもレンズ部１８の曲率が小さく形成されており、より広配光に光を取り出すことができる点が第１実施形態と異なっており、その他の部分は第１実施形態と実質的に同じである。
第８実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜第９実施形態＞
図１１に本発明の第９実施形態に係る発光装置９００を断面図で示す。発光装置９００は、レンズ層レンズ部１８が断面形状で２つの凸を形成し、中央部が凹状に窪んでいる。このようなレンズ形状により、いわゆるバットウイング配光とすることができ、第１実施形態に比べてより広い配光に光を取り出すことができる点が第１実施形態と異なっており、その他の部分は第１実施形態と実質的に同じである。
第９実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
＜第１０実施形態＞
図１４（ａ）に、本発明の第１０実施形態に係る発光装置１２０を断面図で示す。図１４（ｂ）は図１４（ａ）の発光装置１２０を上から見た図（平面図）であり、図１４（ｂ）のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図が図１４（ａ）となる。
発光装置１２０は、第１のリード１２に平面視が円形状の凹部２８を有しており、凹部２８の底面に、発光素子１０が４つ配置されている。図１４（ｂ）に示されるように、この凹部２８は、第１のリード１２の厚みを薄くすることで形成されている。凹部２８は、第２実施形態と同じ構成とすることができる。
本実施形態においては、凹部２８の外側に、さらに溝部２６を有している点が、これまでに述べた実施形態とは異なっている。凹部２８が形成された第１のリード１２に、凹部２８から離間して外側に溝部２６が形成されている。この溝部２６の構成としては、第１実施形態と同じ構成とすることができる。
本実施形態において、波長変換部１６は、発光素子１０を覆うように凹部２８内に充填され、かつ、溝部２６を形成する内側の面と第１のリード１２の上面とで形成される面でのピン止め効果により、波長変換部１６の端部が溝部２６の内側の面の上部に安定して形成される。本実施形態では、さらに内側に凹部２８が形成されている。よって、凹部のみで波長変換部１６を凸状に形成するよりも凸形状の高さを高くすることができる。また、凹部の外側に近い箇所に配置されている発光素子も十分な量の波長変換部１６で覆うことができる。その結果、より一層色ムラが改善される。
（第２の溝又は凹部）
第１のリード１２には、波長変換部１６等を特定の領域に留めるための溝部又は凹部の内側又は外側に、これら溝部又は凹部と同様の第２の溝部又は凹部が形成されていてもよい。図１４Ａ（ａ）及び（ｂ）では、図１４Ｂ（ｃ）に示すように、第１のリード１２には、凹部２８の外側に溝部２６が第２の溝として形成されているが、図１４Ｂ（ｄ）に示すように、溝部２８ａの外側に溝部２６が第２の溝として形成されていてもよいし、図１４Ｂ（ｅ）に示すように、凹部２８の外側に凹部２６ａが第２の凹部として形成されていてもよいし、図１４Ｂ（ｆ）に示すように、溝２８ａの外側に凹部２６ａが第２の凹部として形成されていてもよい。この第２の溝部又は凹部は、波長変換部１６、レンズ部１８又は後述する拡散材含有部５４等を充填することができる。
なお、第１のリード１２には、レンズ部１８との密着性を向上させるため、平面視が円状の凹部２１ａが設けられている。また、第２のリード１４には同様に平面視が湾曲した帯状の凹部２１ｂが設けられている。これらは、リードフレームにハーフエッチング加工をすることにより形成することができる。
＜第１１実施形態＞
本発明の第１１実施形態に係る発光装置１３０の断面図を図１５に示す。発光装置１３０は、凹部２８には拡散材含有部５４が第２実施形態と同様に凸状に形成されており、その上方に、拡散材含有部５４を被覆するように波長変換部１６が溝部２６によりピン止め効果で凸状に形成されており、２層構造とされている点が異なる他は、第１０実施形態と同様である。拡散材含有部５４で複数の発光素子１０を被覆することにより、これら複数の発光素子からの光を拡散させて拡散材含有部５４全体が一つの光として光っているような状態を作り出すことができる。そして、その上に波長変換部１６を形成することにより、色ムラを抑制することができる。
（拡散材含有部５４）
波長変換部１６に含有される拡散材は、波長変換部材を含む波長変換部１６とは別個に、拡散材含有部５４として配置されてもよい。拡散材含有部は、拡散材と、樹脂材料とによって形成することができる。樹脂材料としては、波長変換部１６に用いることのできる樹脂を好適に用いることができる。拡散材としては、波長変換部１６に用いることのできる拡散材を好適に用いることができる。拡散材含有部５４と波長変換部１６の樹脂は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、拡散材含有部５４と波長変換部１６の拡散材は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
＜第１２実施形態＞
本発明の第１２実施形態に係る発光装置１４０の断面図を図１６に示す。発光装置１４０は、発光装置１３０の拡散材含有部５４に代えて、拡散材を含有しない樹脂部材５５が第２実施形態と同様に凸状に形成されており、その上方に、樹脂部材５５を被覆するように波長変換部１６が溝部２６によりピン止め効果で凸状に形成されており、２層構造とされている点が異なる他は、第１０及び１１実施形態と同様である。拡散材を含有しない樹脂部材５５で発光素子１０を被覆することにより、発光素子１０からの光を、樹脂部材５５と波長変換部１６との界面により効率的に反射させ、この反射光を、さらに発光素子１０が実装されていない第１のリード１２の表面で反射させることができる。これにより、光取り出し効果を向上させることができる。また、樹脂部材５５には、光を遮断／吸収する材料が存在しないために、発光素子からの光が上述した反射光とともに、樹脂部材５５内全体に亘って進行することができ、色ムラを改善することができる。
（樹脂部材５５）
樹脂部材５５は、拡散材含有部５４に代えて、拡散材含有部５４とともに、波長変換部の下に配置することができる。樹脂部材５５は、波長変換部１６又は拡散材含有部５４に用いることのできる樹脂を用いて形成することができる。樹脂部材５５の樹脂は、拡散材含有部５４及び／又は波長変換部１６の樹脂と、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
１００、１１０、１２０、１３０、１４０、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００ 発光装置
１０ 発光素子
１２ 第１のリード
１４ 第２のリード
１６ 波長変換部
１８ レンズ部
２０ 絶縁性部材
２１ａ、２１ｂ 凹部
２４ ワイヤ
２６ 溝部
２６ａ 凹部
２８ 凹部
２８ａ 溝部
３０ 樹脂基板
３２ 保護素子
３４ リードフレーム
３６、３８、４０、４２ 吊りリード
４４ 樹脂成形体
４６ 上金型
４８ 下金型
５０ 孔
５２ 平坦部
５４ 拡散材含有部
５５ 樹脂部材

Claims (9)

  1. 発光素子が載置された第１のリードと、
    前記第１のリードと間隔を開けて配置された第２のリードと、
    前記第１のリード及び前記第２のリードを固定する絶縁性部材と、
    前記発光素子を被覆する波長変換部と、
    前記波長変換部を被覆するレンズ部と、を有し、
    前記絶縁性部材の厚みは前記第１のリード及び前記第２のリードと略同じであり、
    前記第１のリードの上面には前記波長変換部を特定の領域に留めるための溝部が設けられており、
    前記溝部で囲まれた領域に前記発光素子が配置され、
    前記波長変換部の形成された領域の反対側となる前記第１のリードの下面は、前記絶縁性部材に被覆されずに外部に露出されていることを特徴とする発光装置。
  2. 発光素子が載置された第１のリードと、
    前記第１のリードと間隔を開けて配置された第２のリードと、
    前記第１のリード及び前記第２のリードを固定する絶縁性部材と、
    前記発光素子を被覆する拡散材含有部と、
    前記拡散材含有部を被覆する波長変換部と、
    前記波長変換部を被覆するレンズ部と、を有し、
    前記絶縁性部材の厚みは前記第１のリード及び前記第２のリードと略同じであり、
    前記第１のリードの上面には前記波長変換部を特定の領域に留めるための溝部が設けられており、該溝部の内側に、第２の溝部又は凹部が形成されており、
    前記溝部で囲まれた領域に前記発光素子が配置され、
    該第２の溝部又は凹部の内側に前記拡散材含有部が充填されていることを特徴とする発光装置。
  3. 前記絶縁性部材と前記波長変換部は接していない請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記溝部の底面と前記波長変換部は接していない請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記発光素子と前記第２のリードはワイヤによって電気的に接続されており、前記ワイヤは前記波長変換部及び前記レンズ部に被覆されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記第１のリードに接している前記発光素子の底面の面積は、前記第１のリードの上面であって前記波長変換部の形成された領域の面積の１０％以上である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記第１のリードは前記第２のリードと対向する方向に突出しており、前記第２のリードは前記第１のリードの突出に対応して窪んでいる請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 前記発光素子は複数個配置されている請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 前記波長変換部の形成された領域及び前記拡散材含有部が充填された領域の反対側となる前記第１のリードの下面は、前記絶縁性部材に被覆されずに外部に露出されている請求項２乃至８のいずれか１項に記載の発光装置。
JP2014077641A 2013-04-12 2014-04-04 発光装置 Active JP6303738B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014077641A JP6303738B2 (ja) 2013-04-12 2014-04-04 発光装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013083755 2013-04-12
JP2013083755 2013-04-12
JP2014077641A JP6303738B2 (ja) 2013-04-12 2014-04-04 発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018040368A Division JP6635137B2 (ja) 2013-04-12 2018-03-07 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014220490A JP2014220490A (ja) 2014-11-20
JP6303738B2 true JP6303738B2 (ja) 2018-04-04

Family

ID=51686194

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014077641A Active JP6303738B2 (ja) 2013-04-12 2014-04-04 発光装置
JP2018040368A Active JP6635137B2 (ja) 2013-04-12 2018-03-07 発光装置
JP2019159372A Active JP6931170B2 (ja) 2013-04-12 2019-09-02 発光装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018040368A Active JP6635137B2 (ja) 2013-04-12 2018-03-07 発光装置
JP2019159372A Active JP6931170B2 (ja) 2013-04-12 2019-09-02 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9343643B2 (ja)
JP (3) JP6303738B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11355678B2 (en) 2018-01-31 2022-06-07 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013220880B4 (de) * 2013-10-15 2016-08-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Halbleitergehäuse mit einer elektrisch isolierenden, thermischen Schnittstellenstruktur auf einer Diskontinuität einer Verkapselungsstruktur sowie ein Herstellungsverfahren dafür und eine elektronische Anordung dies aufweisend
TWI540771B (zh) * 2014-01-20 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件及應用其之發光二極體燈具
US9966506B2 (en) 2014-10-09 2018-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emission device
KR102378761B1 (ko) * 2015-07-21 2022-03-25 엘지이노텍 주식회사 일체형 발광 패키지 및 이를 이용한 차량용 램프
US10069050B2 (en) * 2015-09-25 2018-09-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package including the device, and lighting apparatus including the package
KR101811005B1 (ko) * 2015-09-25 2017-12-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 패키지를 포함하는 조명 장치
JP2017112295A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6213582B2 (ja) * 2016-01-22 2017-10-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11145795B2 (en) 2016-05-31 2021-10-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing same
TWI688128B (zh) * 2016-10-06 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片級封裝結構及直下式背光模組
JP6458793B2 (ja) * 2016-11-21 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2018190849A (ja) * 2017-05-09 2018-11-29 スタンレー電気株式会社 発光装置
WO2019057534A1 (en) * 2017-09-19 2019-03-28 Lumileds Holding B.V. LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP6806042B2 (ja) * 2017-11-28 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102559294B1 (ko) * 2018-05-28 2023-07-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP2019087763A (ja) * 2019-03-01 2019-06-06 パイオニア株式会社 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法
TWI764349B (zh) * 2020-10-30 2022-05-11 達運精密工業股份有限公司 背光模組

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003324215A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
TWI260065B (en) * 2005-01-03 2006-08-11 Unimicron Technology Corp Substrate and method for fabricating the same
TWI419375B (zh) * 2005-02-18 2013-12-11 Nichia Corp 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
JP5123466B2 (ja) * 2005-02-18 2013-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2007173373A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2007281218A (ja) 2006-04-07 2007-10-25 Renesas Technology Corp 発光ダイオードおよびその製造方法
CN101432899B (zh) 2006-04-28 2014-05-28 岛根县 半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置
JP5326229B2 (ja) * 2006-09-08 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW200834968A (en) * 2007-02-13 2008-08-16 Harvatek Corp Method of making light-emitting diode structure with high heat dissipation effect and structure made thereby
JP4205135B2 (ja) * 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
KR100880638B1 (ko) * 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
JP4989614B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-01 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 高出力ｌｅｄパッケージの製造方法
JP2011071349A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP5691681B2 (ja) * 2010-03-15 2015-04-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101662038B1 (ko) 2010-05-07 2016-10-05 삼성전자 주식회사 칩 패키지
JPWO2012049854A1 (ja) * 2010-10-14 2014-02-24 パナソニック株式会社 発光装置及びこれを用いた面光源装置
JP2012094689A (ja) 2010-10-27 2012-05-17 Stanley Electric Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2014038876A (ja) 2010-12-15 2014-02-27 Panasonic Corp 半導体発光装置
CN102834941B (zh) * 2010-12-28 2016-10-12 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
US8987022B2 (en) * 2011-01-17 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP5766976B2 (ja) * 2011-02-28 2015-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP5781801B2 (ja) 2011-03-29 2015-09-24 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP5818149B2 (ja) * 2011-09-09 2015-11-18 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11355678B2 (en) 2018-01-31 2022-06-07 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020010053A (ja) 2020-01-16
JP2014220490A (ja) 2014-11-20
JP6931170B2 (ja) 2021-09-01
US9484503B2 (en) 2016-11-01
US20140306245A1 (en) 2014-10-16
JP2018113460A (ja) 2018-07-19
JP6635137B2 (ja) 2020-01-22
US9343643B2 (en) 2016-05-17
US20160225961A1 (en) 2016-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6931170B2 (ja) 発光装置
US10454003B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5367668B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6221403B2 (ja) 発光装置
JP6398554B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
WO2010123059A1 (ja) Ｌｅｄ発光デバイスの製造方法
JP2010206039A (ja) 発光装置
JP5772293B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6065408B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP6606966B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
KR20120084553A (ko) 발광소자의 패키지 및 그 제조방법과 리드 프레임
JP6303457B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR20090104578A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20180062365A (ko) Led 소자, led 소자의 제조방법 및 led 디스플레이 모듈
US10490704B2 (en) Light emitting device and method of producing the same
JP6668742B2 (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法
US11233184B2 (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101258398B1 (ko) 계면박리를 줄인 ｌｅｄ 패키지
TWI479701B (zh) 發光二極體
JP2011066302A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2016100447A (ja) 発光装置
US10720559B2 (en) Light-emitting diode device and manufacturing method thereof
JP7071631B2 (ja) パッケージ、発光装置及びそれぞれの製造方法
JP7048879B2 (ja) 発光装置
JP6724939B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161020

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170810

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171006

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6303738

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250