JP7048879B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7048879B2
JP7048879B2 JP2017198300A JP2017198300A JP7048879B2 JP 7048879 B2 JP7048879 B2 JP 7048879B2 JP 2017198300 A JP2017198300 A JP 2017198300A JP 2017198300 A JP2017198300 A JP 2017198300A JP 7048879 B2 JP7048879 B2 JP 7048879B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
light emitting
lead
emitting device
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017198300A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019075400A (ja
Inventor
宏明 宇川
竜一 仲神
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2017198300A priority Critical patent/JP7048879B2/ja
Priority to US16/152,370 priority patent/US10756246B2/en
Publication of JP2019075400A publication Critical patent/JP2019075400A/ja
Priority to US16/934,902 priority patent/US11367821B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7048879B2 publication Critical patent/JP7048879B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Description

本発明は、発光装置に関する。
発光ダイオード等の発光素子を備えた発光装置は、発光効率が高く小型でかつ長寿命であることから種々の用途に幅広く用いられている。例えば、特許文献1には、第1のリードフレームと第2のリードフレームとが樹脂で一体成型された基台部(基体)と発光素子を備えた発光装置が開示されている。この発光装置では、第1のリードフレームの上に発光素子を搭載し、発光素子と第2のリードフレームとを接続した後、発光素子を基台部上で封止することにより作製される。この特許文献1の発光装置では、発光素子を封止する際に封止樹脂の流れ止め用に、基台部(基体)上に樹脂枠を設けている。特許文献1では、上記構成により、高放熱性、高耐久性の光学半導体装置を低コストで実現できるとされている。また、特許文献1には開示されていないが、発光素子を保護するためにツェナーダイオード等の保護素子を発光素子とともに基台部(基体)に搭載されることがよくある。
特開2013-206895号公報
近年より発光効率の高い発光装置が求められている。
そこで、本発明は、発光効率の高い発光装置を提供することを目的とする。
本発明に係る一実施形態の発光装置は、第1リードと第2リードと前記第1リードと前記第2リードとを電気的に分離して保持する支持部材とを含み、前記第1リードの表面からなる第1表面と前記第2リードの表面からなる第2表面と前記支持部材の表面からなる第3表面とを含む基体上面を有する基体と、
前記第1表面の上に設けられた発光素子と、
前記第2表面の上に設けられ、端子電極を備える保護素子と、
第1端部が前記第1表面に接続され、第2端部が前記保護素子の前記端子電極に接続されたワイヤと、
前記基体上面に設けられ、前記保護素子の少なくとも一部を覆いかつ前記発光素子及び前記ワイヤの前記第1端部を囲む樹脂枠と、
前記樹脂枠に囲まれ、前記発光素子及び前記ワイヤの前記第1端部を覆う第1樹脂部と、
前記樹脂枠と前記第1樹脂部とを覆う第2樹脂部と、
を含み、
前記樹脂枠は、樹脂部と光反射性部材を有し、
前記第1樹脂部の屈折率は、前記第2樹脂部の屈折率よりも大きく、
前記第1樹脂部の屈折率は、前記樹脂枠の樹脂部の屈折率よりも大きく、
前記樹脂枠の光反射性部材の屈折率は、前記樹脂枠の樹脂部の屈折率よりも高いことを特徴とする。
以上の本発明に係る一実施形態の発光装置によれば、発光効率の高い発光装置を提供することができる。
本発明に係る実施形態の発光装置の構成を示す平面図である。 実施形態の発光装置の断面の一部を拡大して示す部分断面図である。 実施形態の発光装置の製造方法において、基体10を作製するために用いるリードフレームの平面図である。 図2のリードフレームの一単位領域を拡大して示す平面図である。 図3AのA-A線についての断面図である。 図3AのB-B線についての断面図である。 図3AのC-C線についての断面図である。 図2のリードフレームに支持部材を形成したときの単位領域の平面図である。 図4AのD-D線についての断面図である。 図4AのE-E線についての断面図である。 図4Aの裏面の平面図である。 支持部材を形成したリードフレームに発光素子1と保護素子3を実装したときの単位領域の平面図である。 図5AのF-F線についての断面図である。 実装した発光素子1と保護素子3に配線を施したときの平面図である。 保護素子3に配線を施したときの図5Bと同じ部分の断面図である。 実装した発光素子1を囲み、保護素子3を覆う樹脂枠20を形成したときの単位領域の平面図である。 樹脂枠を形成したときの図5Bと同じ部分の断面図である。 樹脂枠20の内側に第1樹脂部21を形成したときの単位領域の平面図である。 第1樹脂部を形成したときの図5Bと同じ部分の断面図である。 本発明に係る実施形態の発光装置の変形例の構成を示す平面図である。
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置及び発光装置の製造方法は、本開示の技術思想を具体化するためのものであって、本開示を以下のものに限定しない。また、一の実施形態において説明する内容は、他の実施形態にも適用可能である。他の実施形態において説明した構成のうち同一の名称については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、図面が示す部材の大きさ、繰り返しの数や位置関係等は、説明を容易にするため、誇張もしくは省略していることがある。
実施形態.
図1Aは、本発明に係る実施形態の発光装置の構成を示す平面図である。また、図1Bは、実施形態の発光装置の断面の一部を拡大して示す部分断面図である。
実施形態の発光装置は、基体10と、基体10上にそれぞれ設けられた発光素子1と保護素子3とを含む。基体10は、第1リードフレーム(以下、単に第1リードという。)11と第2リードフレーム(以下、単に第2リードという。)12と第1リード11と第2リード12とを電気的に分離して保持する支持部材13とを含む。実施形態の発光装置では、2つの発光素子1を含み、その2つの発光素子1は、前記第1リード11の上面である第1表面11msの上に設けられている。尚、発光素子の数は1つでも2つ以上でもよい。発光素子が金属製の第1リード11上に載置されることで、発光素子の熱が金属製の第1リードに伝わる。これにより発光装置の放熱性が向上する。また、第1リード11の下面が支持部材13より露出していることが好ましい。このようにすることで、発光装置100を実装基板に実装した時に、実装基板と第1リード11との接触面積が増えるので発光装置の放熱性を向上させることができる。また、保護素子3は、第2リード12の上面である第2表面12msの上に設けられている。ここで、基体10において、第1リード11の第1表面11msと第2リード12の第2表面12msと支持部材の上面である第3表面13aとは実質的に同一平面上に位置することが好ましい。このようにすることで、基体10を薄型にすることができるので、発光装置を薄型化できる。本明細書において実質的に同一平面とは、±50μm程度の変動は許容されることを意味する。
実施形態の発光装置において、2つの発光素子1のそれぞれは、下面と、n電極とp電極とが形成された上面と、を有している。発光素子1の下面が、第1リード11の第1表面11msに接合されて第1リード11に固定される。また、2つの発光素子1のうちの一方の発光素子1の上面に形成されたn電極がワイヤ6により第1リード11に電気的に接続される。その一方の発光素子1の上面に形成されたp電極がワイヤ6により他方の発光素子1のn電極に電気的に接続される。さらに、他方の発光素子1のp電極がワイヤ6により第2リード12に電気的に接続される。これにより、基体10の第1リード11と第2リード12の間に、2つの発光素子1が直列に接続される。
実施形態の発光装置において、保護素子3は、例えば、ツェナーダイオードであり、上面にカソード側の端子電極3aを備え下面にアノード側の端子電極3bを備えている。保護素子3は、下面の端子電極3bが例えば導電性接着部材8により第2リード12の第2表面12ms上に固定されるとともに第2リード12に電気的に接続される。また、保護素子3のカソード側の端子電極3aはワイヤ5により第1リード11に電気的に接続される。ワイヤ5は、第1端部と、第2端部と、を備える。第1端部とは、第1表面に接続されるワイヤの部分である。第2端部とは、保護素子の端子電極と接続されるワイヤの部分である。基体10の第1リード11と第2リード12の間に、直列に接続された2つの発光素子1と並列に保護素子3が接続される。
また、実施形態の発光装置においては、基体10の上面に設けられ、保護素子3の少なくとも一部を覆う樹脂枠20を備えている。樹脂枠20は、2つの発光素子1と、保護素子3のカソード側の端子電極3aと第1リード11とを接続するワイヤ5の第1リード11側の端部である第1端部5aと、を囲むように設けられている。さらに、実施形態の発光装置は、第1樹脂部21と、第2樹脂部22と、を備えている。第1樹脂部21は、樹脂枠20に囲まれ、2つの発光素子1とワイヤ5の第1端部5aを覆う。第2樹脂部22は、樹脂枠20と第1樹脂部21とを覆う。第1樹脂部21と第2樹脂部22とはそれぞれ透光性樹脂からなる。また、第2樹脂部22は、例えばレンズ形状に形成され、発光装置の配光特性を制御する。
以上のように構成された実施形態の発光装置において、樹脂枠20は、樹脂部20aと光反射性部材20bを有し、樹脂部20aの屈折率が第1樹脂部21の屈折率より小さくなるように構成されている。これにより、発光素子1の側面から出射された光は、第1樹脂部21と樹脂部20aとの界面により反射されて第2樹脂部22を介して出射される。また、発光素子1の側面から出射された光のうち第1樹脂部21と樹脂部20aの界面で反射されることなく樹脂部20aに入射された光は、光反射性部材20bにより反射されて第2樹脂部22を介して発光装置の外部に出射される。尚、本明細書において屈折率とは、発光素子のピーク波長に対する屈折率のことである。発光素子が複数ある場合は、最も短波な発光素子のピーク波長に対する屈折率とする。
ここで特に、実施形態の発光装置では、(a)第1樹脂部21の屈折率を、第2樹脂部22の屈折率及び樹脂枠20の樹脂部20aの屈折率よりも大きくし、(b)樹脂枠20において、光反射性部材20bの屈折率を樹脂部20aの屈折率よりも大きくしている。
このように構成された実施形態の発光装置は、以下に説明するように発光素子が発光する光を効率良く取りだすことができ、発光効率の高くできる。
具体的には、(a)第1樹脂部21の屈折率を第2樹脂部22の屈折率よりも大きくすることにより、発光素子からの光が第1樹脂部21から第2樹脂部22を介して外部に出射される時に、発光素子からの光が通過する部材の屈折率を段々下げていくことができる。これにより、発光素子からの光が通過する部材の界面によって反射される割合を小さくできるので発光装置の光取り出し効率が向上する。
また、(a)第1樹脂部21の屈折率が第2樹脂部22及び樹脂部20aの屈折率よりも大きいことにより、発光素子1と第1樹脂部21との屈折率差を小さくすることができる。これにより、発光素子が発光する光が、発光素子1と第1樹脂部21の界面(発光面及び側面)において反射する割合を小さくすることができるので、発光素子が発光する光を効率よく発光素子から第1樹脂部21に出射させることができる。尚、発光素子の屈折率は、用いる半導体材料及び基板の厚み、種類によって変動するが、発光素子において、支配的な体積を有する材料の屈折率に近似する。このため、本明細書において、発光素子の屈折率とは、発光素子において、支配的な体積を有する材料の屈折率とする。従って、発光素子が、サファイア基板を伴う場合は、通常、サファイア基板の体積が発光素子において支配的であるために、サファイア基板の屈折率を発光素子の屈折率とする。例えば、サファイア基板の屈折率は1.7程度である。また、発光素子が、サファイア基板を備えず、半導体層のみで構成される場合には、半導体層の屈折率を発光素子の屈折率とする。例えば、窒化物半導体の屈折率は2.5程度である。発光素子の屈折率は、一般的に樹脂材料よりも屈折率が高いので、第1樹脂部21の屈折率が第2樹脂部22及び樹脂部20aの屈折率よりも大きいことにより、発光素子1と第1樹脂部21との屈折率差を小さくできる。さらに、第1樹脂部21の屈折率が樹脂部20aの屈折率よりも大きいことにより、第1樹脂部21と樹脂部20aとの屈折率差が生じる。これにより、第1樹脂部21と樹脂部20aとの界面において、発光素子1からの光を反射して第2樹脂部22を介して効率良く発光素子からの光を取り出すことができる。
また、(b)樹脂枠20において、光反射性部材20bの屈折率を樹脂部20aの屈折率よりも大きくしているので、樹脂枠20内に入射した光を、光反射性部材20bと樹脂部20aとの屈折率差を利用して光反射性部材20bにより反射して第2樹脂部22を介して出射することができる。さらに、樹脂枠20の光反射性部材20bは、第1樹脂部21の屈折率よりも大きいことが好ましく、これにより光反射性部材20bと樹脂部20aとの屈折率差を大きくできる。また、樹脂枠20の光反射性部材20bと樹脂部20aの屈折率差は1以上であることが好ましい。
また、光反射性部材20bは、後述するように、酸化チタン等の樹脂より屈折率の大きい無機物が選択されることが多い。したがって、樹脂部20aの屈折率を第1樹脂部21の屈折率より小さくすることにより、光反射性部材20bとして酸化チタン等の無機物を選択した場合、樹脂部20aと光反射性部材20bとの屈折率差を大きくでき、樹脂部20aと光反射性部材20bの界面で反射される光の割合を大きくできる。これにより、樹脂枠20内に入射した光は、光反射性部材20bと樹脂部20aとの比較的大きな屈折率差を利用して反射し、第2樹脂部22を介して効率良く出射することができる。例えば、酸化チタンの屈折率は2.7程度である。
樹脂枠20は、保護素子3の少なくとも一部を覆うように基体10上に設けられている。これにより、保護素子を搭載する領域を確保するために発光素子を搭載する領域が制限されることを抑制できる。また、保護素子3の端子電極3aと第1リード11とを接続するワイヤ5の第1端部5aが、樹脂枠20に囲まれている。さらに、第1端部5aが第1樹脂部21によって覆われている。これにより、第1リード11と第1端部5aとの接続信頼性を高くすることができる。このようにすることで、製造時にチャッキング等により外力がかかってもワイヤ5が断線することを抑制できるので、発光装置の歩留まりの低下を抑制できる。
したがって、実施形態の発光装置によれば、保護素子3を発光素子1とともに基体10の上面に搭載した構造において、小型化が可能でかつ製造時の歩留まりの低下を抑制できる発光装置を提供することができる。
実施形態の発光装置において、以上の屈折率の関係を考慮すると、例えば、第1樹脂部21を構成する樹脂として、例えば、フェニルシリコーン樹脂を用いることができ、第2樹脂部22及び樹脂枠20の樹脂部20aを構成する樹脂として、ジメチルシリコーン樹脂を用いることができる。フェニルシリコーン樹脂の屈折率は1.54程度であり、ジメチルシリコーン樹脂は1.41程度である。
また、実施形態の発光装置において、第1樹脂部21が第2樹脂部22より硬い樹脂で構成される場合には、外力によって第1樹脂部21が変形することを抑制できる。これにより、第1樹脂部21に被覆されたワイヤ5の変形を抑制することができるので、接続信頼性を向上させることができる。例えば、第1樹脂部21を、JISK7215に準拠したデュロメータ硬さがD28~D53の範囲の硬度のフェニルシリコーン樹脂により構成して、第2樹脂部22を、JISK7215に準拠したデュロメータ硬さがA20~A70の範囲の硬度のジメチルシリコーン樹脂により構成する。
ワイヤ5の第1端部5aは、ワイヤ5の径より径が大きいボール形状であることが好ましい。従来からよく使用されるワイヤボンディング技術として、ファーストボンディングをボールボンディングとし、セカンドボンディングをウェッジボンディングとする例えば、金ワイヤを用いたボール/ウェッジボンディングがある。このボール/ウェッジボンディングでは、ボールボンディング部の接合強度は、ウェッジボンディング部の接合強度に比較して弱いことが分かった。そこで、保護素子3の端子電極3aと第1リード11とをワイヤ5により接続する際、第1リード11とワイヤ5の接続をボールボンディング(ファーストボンディング)とする。このボールボンディング部は、第1樹脂部21と樹脂枠20との2重構造になっているので、横方向からの力を低減することができる。これにより、ボールボンディング部が第1リードから剥がれることを抑制することができる。
図1Bに示すように、ワイヤ5の第2端部5bはワイヤ径より薄い形状であり、端子電極3aに設けられたバンプ4を介して接続されていることが好ましい。保護素子3の上面に形成された端子電極3aとワイヤ5の接続部は、樹脂枠20に覆われていて、比較的発光装置の外周部に近い部分に位置する。したがって、第2端部5bには横方向の外力がかかりやすい。そこで、保護素子3の上面に形成された端子電極3aとワイヤ5との接続を、ボールボンディングより接合強度が強いウェッジボンディングにより行って、ワイヤ5の第2端部5bはワイヤ径より薄い形状としていることが好ましい。このようにすることで、ワイヤ5と保護素子の端子電極3aとの接合強度が向上し、ワイヤ5が断線することを抑制することができる。また、このウェッジボンディングは、ボールボンディングに比較して保護素子3にかかる負荷が大きい。そこで、この好ましい形態3では、保護素子3の端子電極3aの上にバンプ4を形成してそのバンプ4の上にワイヤをウェッジボンディングにより接続することが好ましい。
尚、ウェッジボンディングにより保護素子3の端子電極3aの上に接続された第2端部5bはその接合部を保護するために樹脂枠20に埋設されていることが好ましい。
樹脂枠20の内側に位置する基体10の上面は、第1リード11の上面のみにより構成されていることが好ましい。このようにすると、例えば、樹脂からなり光の吸収率が高い支持部材13が樹脂枠20の内側に露出することがなく、光の取り出し効率を高くできる。
保護素子3の一部は樹脂枠20の外側に露出していてもよい。樹脂枠20から露出している保護素子3の一部は第2樹脂部22により覆われていることが好ましい。例えば、発光装置の外形を矩形とし、その角部に保護素子3を配置して、保護素子3の一部を樹脂枠20の外側に露出させてその露出させた部分を第2樹脂部22により覆うようにすると、保護素子3を保護しつつ樹脂枠20の外形を小さくすることが可能になり、発光装置を小型にできる。
以下、実施形態の発光装置の製造方法について説明する。
実施形態の発光装置の製造方法は、基体準備工程と、発光素子載置工程と、保護素子載置工程と、配線工程と、樹脂枠形成工程と、第1樹脂部形成工程と、第2樹脂部形成工程と、を含む。
以下、実施形態の発光装置の製造方法について工程順に説明する。
1.基体準備工程
ここでは、それぞれ第1リード11と、第2リード12、と第1リード11と第2リード12とを保持する支持部材13とを含む複数の基体10を集合状態で作製する。以下、実施形態の製造方法において、個々の基体10に対応する部分を単位領域210という。
1-1.リードフレーム準備工程
図2に示すように、それぞれ第1リードと第2リードとを含む単位領域210が、例えば、8行×8列に繰り返し配置されたリードフレーム200を準備する。
図2及び図3A~図3Dを参照しながら、リードフレーム200について詳細に説明する。尚、以降の説明で参照する図3A~図3D,図4A~図4D,図5A,図6A,図7A及び図8Aには、単位領域210のみを拡大し示している。
リードフレーム200は、例えば、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、銅合金、ステンレス鋼、インバー合金を含む鉄合金などの金属板を、エッチング、打ち抜き加工、切削加工等により所定の形状に加工することにより作製され。リードフレームの厚みは、例えば、200μm~300μmであり、好ましくは、230μm~280μmとする。
第1リード11は、図3Aに示すように、例えば、略八角形の平面形状の主要部11aと、単位領域210の一辺に沿って延びる端子部11bと、主要部11aと端子部11bとを繋ぐ連結部11cとを含む。第2リード12は、図3Aに示すように、単位領域210の前記一辺と対向する辺に沿って延びる端子部12bと、端子部12bの両端部から第1リード11の主要部11aに沿って延びる略三角形の延伸部12aとを含む。以上のように構成される第2リード12は、第1リード11における主要部11aの八角形の3辺とほぼ一定の間隔を隔てて配置される。
また、リードフレーム200は、支持部材13により支持される。例えば、第1リードの側面及び/又は第2リードの側面に凸部(段差)が形成されることが好ましい。このようにすると、リードフレーム200と例えば樹脂からなる支持部材13との密着面積を大きくなりかつ凸部を支持部材13中にくい込ませることで密着性を向上させることができる。例えば、第1リード11は、図3A~図3Dに示すように、側面11ssに5つの凸部11pを有し、第2リード12は、図3Aに示すように、側面12ssに2つの凸部を有する。ここで、第1リード11において、5つの凸部11pは主要部11aの5つの辺に分散して設けられ、第2リード12において、2つの凸部はそれぞれ延伸部12aの先端部分に設けられている。尚、図3A~図3Dにおいて、凸部11pを設けることにより窪んだ部分(凹部)には11rの符号を付して示している。また、図3Aにおいて、2つの凸部を形成して表面から窪んだ凹部には12rの符号を付して示している。さらに、リードフレーム200の表面は、金、銀、ニッケル、パラジウムおよびそれらの合金などでメッキしてもよい。
1-2.支持部材形成工程
支持部材形成工程では、例えば、樹脂成形により第1リード11と第2リード12の間に樹脂を形成することにより第1リード11と第2リード12とを支持する支持部材13を形成する。
支持部材13は、図4Aに示すように、第1リード11と第2リード12の間に加えて第1リード11の主要部11aの周りを取り囲み、第2リード12の2つの延伸部12aの外周側面に延在させて延伸部12aを外側と内側から支持するように設けられる。さらに、図4Aに示すように、延伸部12aにおいて、端子部12bとの連結部分に平面視で内側に窪んだ切り欠き部12cを形成することが好ましい。これにより延伸部12aをより強固に支持することができる。尚、延伸部12aの先端部の凹部12rは支持部材13により覆われており、これにより、第2リード12の延伸部12aがより強固に支持される。
この支持部材13を構成する樹脂成形材料には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂のほか、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して支持部材13を形成することにより、支持部材13の光の反射率を高めることもできる。
以上のようにして、各単位領域210においてそれぞれ第1リード11と第2リード12とが支持部材13によって電気的に分離して保持されてなる複数の基体10を集合状態で作製する。尚、図4Dは、支持部材13を形成した後の基体10を下面から見たときの平面図である。
2.発光素子載置工程
発光素子1を、図5Aに示すように、第1リード11の主要部11a上の所定の位置に載置して固定する。発光素子1は、例えば、シリコーン樹脂により主要部11a上に固定する。発光素子は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体発光素子を適用できる。発光素子の発光波長は、可視域(380~780nm)を含め、紫外域から赤外域まで選択することができる。例えば、ピーク波長430~490nmの発光素子としては、窒化物半導体を用いることができる。その窒化物半導体としては、InAlGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等を用いることができる。
3.保護素子載置工程
保護素子3を、図5Aに示すように、第2リード12の延伸部12a上の所定の位置に載置して固定する。保護素子3は、例えば、上面にカソード側の端子電極3aを備え下面にアノード側の端子電極3bを備えており、アノード側の端子電極3bが延伸部12aに電気的に導通するように、例えば、Agを含有したエポキシ樹脂等の導電性接着部材8により延伸部12a上に固定する。
4.配線工程
配線工程では、ワイヤボンディングにより第1リード11及び第2リード12間に所定の配線を施す。以下では、2つの発光素子を備えた発光装置を例に説明する。
4-1.発光素子配線工程
発光素子配線工程は、図6Aに示すように、
2つの発光素子1の一方の発光素子1のn電極1nと第1リード11(例えば、主要部11aと連結部11cの境界付近)とをワイヤ6により接続する第1ボンディングと、
一方の発光素子1のp電極1pと他方の発光素子1のn電極1nとをワイヤ6により接続する第2ボンディングと、
他方の発光素子1のp電極1pと第2リード12(例えば、2つある延伸部12aの保護素子が実装されていない延伸部12a)とをワイヤ6により接続する第3ボンディングと、を含む。
以上の第1~第3ボンディングにより、第1リード11と第2リード12の間に2つの発光素子1が直列に接続される。
この発光素子配線工程では、ボンディングの順序は特に制限はなく、例えば、第1ボンディング、第2ボンディング、第3ボンディングの順に行ってもよいし、第3ボンディング、第2ボンディング、第1ボンディングの順に行ってもよいし、第2ボンディングを最初に行って、その後、第1ボンディング及び第3ボンディングまたは第3ボンディング及び第1ボンディングを行ってもよい。発光素子配線工程では、上述のように、ボンディングの順序はとはないが、発光素子1のn電極1n及びp電極1pに対する接続はボールボンディングにより行うことが好ましく、これによりボンディング時における発光素子1に対する荷重による付加を小さくできる。
4-2.保護素子配線工程
保護素子配線工程では、図6Aに示すように、延伸部12a上に載置された保護素子3の上面に形成されたカソード側の端子電極3aをワイヤ5により第1リード11に接続する。ここでは、例えば、ワイヤ5の一端部である第1端部5aを第1リード11の第1表面11ms接続した後に、ワイヤ5の他端部である第2端部5bを保護素子3の端子電極3aに接続する。
具体的には、まず、ワイヤ5の一端部である第1端部5aをボールボンディングにより第1リード11の第1表面11ms(例えば、主要部11aの表面)の上に接続する(ファーストボンディング)。次に、ワイヤ5の他端部である第2端部5bをウェッジボンディングにより保護素子3の上面に形成された端子電極3a上に接続する(セカンドボンディング)。このセカンドボンディングにおけるウェッジボンディングは、ボールボンディングに比較して接合強度を高くできるという利点を有しており、保護素子3を発光装置の外周に近い位置に配置しても高い接続信頼性が得られる。また、本実施形態の発光装置では、保護素子3を発光装置の外周に近い位置に配置できるので、発光素子1を載置する領域を小さくでき、小型化が可能になる。
しかしながら、上述したように、ウェッジボンディングは、ボールボンディングに比較すると荷重による負荷が大きい。したがって、ウェッジボンディングにより端子電極3a上に接続する本実施形態の製造方法では、ウェッジボンディングによる保護素子3に対する負荷を軽減するために、例えば、保護素子3の端子電極3a上にバンプ4を形成し、そのバンプ4の上にワイヤ5の第2端部5bをウェッジボンディングにより接続することが好ましい。
5.樹脂枠形成工程
樹脂枠形成工程では、図7Aに示すように、少なくとも発光素子1及びワイヤ5の第1端部5aと囲むように環状に樹脂枠20を形成する。樹脂枠20は、発光素子1及びワイヤ5の第1端部5aから離間して発光素子1及びワイヤ5の第1端部5aを囲むように形成する。樹脂枠20は、例えば、ディスペンサーを液状の樹脂枠形成用樹脂を一定量吐出させながら、例えば、主要部11aの中心の周りに所定の半径で移動させることにより、樹脂を環状に塗布して乾燥させることにより形成する。ここで、樹脂枠形成用樹脂は、樹脂部20aを構成する樹脂材料と、光反射性部材20bとを含む。
樹脂枠20は、好ましくは保護素子3の少なくとも一部、より好ましくは保護素子3の端子電極3aとの接続部であるワイヤ5の第2端部5bを埋設するように形成する。これにより、保護素子3の端子電極3aとワイヤ5の第2端部5bとの接続部における接続強度を向上させることができる。また、樹脂枠20は、発光素子1の配線を構成するワイヤ6と第1リード11との接続部及びワイヤ6の第2リード12との接続部を埋設するように形成することが好ましい。これにより、ワイヤ6と第1リード11との接続部及びワイヤ6の第2リード12との接続部における接続強度を向上させることができる。ここで、樹脂枠20は、例えば、ディスペンサーを移動させる主要部11aの中心の周りの半径を適宜調整することにより、所望の環状の形状に形成することができる。
樹脂枠20の幅(基体10上面における樹脂枠20の内周と外周間の距離)、樹脂枠の高さ等の断面形状は、ディスペンサーから吐出させる樹脂の粘度、ディスペンサーからの樹脂の吐出量及びディスペンサーを移動させる速度を適宜設定することにより調整できる。
樹脂枠20の樹脂部20aを構成する樹脂材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジンやPPAやシリコーン樹脂などが挙げられる。特に、樹脂枠20の材料としては、耐光性に優れたシリコーン樹脂が好ましく、より好ましくはジメチル系シリコーン樹脂を用いる。ジメチル系シリコーン樹脂は、フェニル系シリコーン樹脂に比較して屈折率が小さく、例えば、光反射性部材20bとの屈折率差を大きくできる。このように、樹脂部20aとの屈折率差の大きい光反射性部材20bを含むと、樹脂枠20の発光素子1からの光に対する反射率を高くすることができ、発光装置の光取出し効率を高めることができる。
光反射性部材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。樹脂枠20の発光素子1からの光に対する反射率は、好ましくは60%以上、より好ましくは70%以上とする。
平面視における樹脂枠の形状は図7Aに示すように円形状でもよく、図9に示すように略八角形でもよい。尚、図9において、樹脂枠は、28の符号を付して示している。平面視において第1リード11の主要部11aが略八角形である場合には、樹脂枠の平面形状が略八角形であることが好ましい。つまり、平面視において第1リード11の主要部11aの形状と樹脂枠の形状が略相似形状であることが好ましい。このようにすることで、樹脂枠の内側に位置する基体10の上面を、第1リード11の上面のみにより構成しやすくなるので、発光装置の光の取り出し効率を高くできる。また、第1リード11の主要部11aの外縁と樹脂枠の外縁の少なくとも1辺が略平行であることが好ましい。また、第1リード11の主要部11aの外縁と樹脂枠の外縁の2辺以上が略平行であることが好ましく、3辺以上が略平行であることがより好ましく、4辺以上が略平行であることが更に好ましい。このようにすることで、樹脂枠の内側に位置する基体10の上面を、第1リード11の上面のみにより構成しやすくなる。本明細書において略平行とは、±5°程度の変動は許容されることを意味する。
6.第1樹脂部形成工程
第1樹脂部形成工程では、図8A及び図8Bに示すように、樹脂枠20に囲まれた内側に第1樹脂を充填して硬化させて第1樹脂部21を形成する。第1樹脂部21は、樹脂枠20に囲まれた発光素子1及びワイヤ5の第1端部5aを第1樹脂部21内に埋設して封止する。第1樹脂部21は、例えば、ディスペンサーにより主要部11aの中心部から第1樹脂を吐出して樹脂枠20の内側に充填して硬化させる。ここで、第1樹脂部21は、例えば、ディスペンサーから吐出させる第1樹脂の粘度及びディスペンサーからの吐出量を調整することにより、第1樹脂の粘度及び吐出量に応じた形状に形成することができる。例えば、図8Bには、第1樹脂の粘度及び吐出量を調整することにより、第1樹脂部21の外周端がほぼ樹脂枠20の頂上の峰に一致し、その外周端から第1樹脂部21の中心部に向かって基体10からの厚さが厚くなるように形成した例を示している。
第1樹脂部21の樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂やこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。特に、第1樹脂部21の樹脂材料としては、耐光性に優れたシリコーン樹脂が好ましく、より好ましくは屈折率の高いフェニル系シリコーン樹脂を用いる。尚、フェニル系シリコーン樹脂は、ジメチル系シリコーン樹脂に比較すると硬度が高く、発光素子1及びワイヤ5の第1端部5aを外力から保護することができる。第1樹脂部21は波長変換部材を含有していてもよい。波長変換部材とは、発光素子が発する第一ピーク波長の光を、この第一ピーク波長とは波長の異なる第二ピーク波長の光に波長変換する部材である。第1樹脂部21に波長変換部材を含有させることにより、発光素子が発する第一ピーク波長の光と、波長変換部材が発する第二ピーク波長の光とが混色された混色光を出力することができる。例えば、発光素子に青色LEDを、波長変換部材にYAG等の蛍光体を用いれば、青色LEDの青色光と、この青色光で励起されて蛍光体が発する黄色光とを混合させて得られる白色光を出力する発光装置を構成することができる。
7.第2樹脂部形成工程
第2樹脂部形成工程では、図1A及び図1Bに示すように、第2樹脂部22を、樹脂枠20および第1樹脂部21を覆うように形成する。
例えば、第2樹脂部22は、図1A及び図1Bに示すように、
(a)第2樹脂部22の外側に、第1リード11の端子部11bが発光装置の一辺に沿って露出し、その一辺に対向する辺に沿って第2リード12の端子部12bが露出するように、かつ
(b)保護素子3が樹脂枠20から外側に露出している場合には少なくとも露出した保護素子3を覆うように、好ましくは、第2リード12の延伸部12aを実質的に全て覆うように、形成する。
また、第2樹脂部22は、例えば、トランスファー成形により形成する。具体的には、基体10の上に、第2樹脂部22の形状(例えばレンズ形状)空洞を有する上金型を、当該空洞が樹脂枠20および第1樹脂部21を覆うように配置し、下金型を、基体10の、樹脂枠20の下面に配置して、空洞に第2樹脂部22を構成する樹脂を注入し、これを硬化させる。
以上のようにして、第2樹脂部22を形成する。
この第2樹脂部22は、例えば、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂やこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等を用いて形成することができる。特に、第2樹脂部22の樹脂材料としては、シリコーン樹脂が好ましく、より好ましくは、透光性が高く、かつ光による変色が少ないジメチル系シリコーン樹脂を用いる。
以上の工程を経て、実施形態の発光装置は製造される。
1 発光素子
1n n電極
1p p電極
3 保護素子
3a 端子電極
3b 端子電極
4 バンプ
5,6 ワイヤ
5a 第1端部
5b 第2端部
8 導電性接着部材
10 基体
11 第1リード
11a 主要部
11b 端子部
11c 連結部
11ms 第1表面
11ss 側面
11p 凸部
11r,12r 凹部
12 第2リード
12a 延伸部
12b 端子部
12ms 第2表面
12ss 側面
13 支持部材
13a 第3表面
20 樹脂枠
20a 樹脂部
20b 光反射性部材
21 第1樹脂部
22 第2樹脂部
200 リードフレーム
210 単位領域

Claims (11)

  1. 第1リードと第2リードと前記第1リードと前記第2リードとを電気的に分離して保持する支持部材とを含み、前記第1リードの表面からなる第1表面と前記第2リードの表面からなる第2表面と前記支持部材の表面からなる第3表面とを含む基体上面を有する基体と、
    前記第1表面の上に設けられた発光素子と、
    前記第2表面の上に設けられ、端子電極を備える保護素子と、
    第1端部が前記第1表面に接続され、第2端部が前記保護素子の前記端子電極に接続されたワイヤと、
    前記基体上面に設けられ、前記保護素子の少なくとも一部を覆いかつ前記発光素子及び前記ワイヤの前記第1端部を囲む樹脂枠と、
    前記樹脂枠に囲まれ、前記発光素子及び前記ワイヤの前記第1端部を覆う第1樹脂部と、
    前記樹脂枠と前記第1樹脂部とを覆う第2樹脂部と、
    を含み、
    前記樹脂枠は、樹脂部と光反射性部材を有し、
    前記第1樹脂部の屈折率は、前記第2樹脂部の屈折率よりも大きく、
    前記第1樹脂部の屈折率は、前記樹脂枠の樹脂部の屈折率よりも大きく、
    前記樹脂枠の光反射性部材の屈折率は、前記樹脂枠の樹脂部の屈折率よりも高く、
    前記ワイヤの前記第2端部は、ワイヤ径より薄い形状であり、前記端子電極に設けられたバンプを介して前記端子電極に接続されている
    発光装置。
  2. 前記ワイヤの前記第1端部は、ワイヤ径より径の大きいボール形状である請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記保護素子の一部は、前記樹脂枠の外側に位置し、その外側に位置する部分は前記第2樹脂部により覆われている請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記ワイヤの前記第2端部は、前記樹脂枠に埋設されている請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。
  5. 前記第1リードの前記第1表面と、前記第2リードの前記第2表面と、前記支持部材の第3表面と、は実質的に同一平面上に位置する請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置。
  6. 前記第1リードは、上面、下面、及び、前記上面と前記下面との間に位置する側面を備え、前記側面が凸部を有する請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記樹脂枠の樹脂部は、ジメチルシリコーン樹脂を含み、前記第1樹脂部は、フェニルシリコーン樹脂を及び前記第2樹脂部はジメチルシリコーン樹脂を含む請求項1~6のいずれか1つに記載の発光装置。
  8. 前記樹脂枠の内側に位置する基体上面は、前記第1リードの上面からなる請求項1~7のいずれか1つに記載の発光装置。
  9. 前記第1樹脂部は前記第2樹脂部より硬い樹脂である請求項1~8のいずれか1つに記載の発光装置。
  10. 前記樹脂枠の光反射性部材は、前記第1樹脂部の屈折率よりも大きい請求項1~9のいずれか1つに記載の発光装置。
  11. 前記樹脂枠の光反射性部材と前記樹脂枠の樹脂部の屈折率の屈折率差が1以上である請求項1~10のいずれか1つに記載の発光装置
JP2017198300A 2017-10-12 2017-10-12 発光装置 Active JP7048879B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017198300A JP7048879B2 (ja) 2017-10-12 2017-10-12 発光装置
US16/152,370 US10756246B2 (en) 2017-10-12 2018-10-04 Light emitting device
US16/934,902 US11367821B2 (en) 2017-10-12 2020-07-21 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017198300A JP7048879B2 (ja) 2017-10-12 2017-10-12 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019075400A JP2019075400A (ja) 2019-05-16
JP7048879B2 true JP7048879B2 (ja) 2022-04-06

Family

ID=66096592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017198300A Active JP7048879B2 (ja) 2017-10-12 2017-10-12 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10756246B2 (ja)
JP (1) JP7048879B2 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164157A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Nichia Corp 発光装置
JP2012015319A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
JP2013201380A (ja) 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 反射材及び照明装置
JP2014209602A (ja) 2013-03-29 2014-11-06 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2016100350A (ja) 2014-11-18 2016-05-30 日亜化学工業株式会社 複合基板並びに発光装置及びその製造方法
JP2017076765A (ja) 2015-10-17 2017-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100084683A1 (en) 2006-02-23 2010-04-08 Novalite Optronics Corp. Light emitting diode package and fabricating method thereof
TWI284433B (en) 2006-02-23 2007-07-21 Novalite Optronics Corp Light emitting diode package and fabricating method thereof
JP5256591B2 (ja) 2006-08-16 2013-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5233170B2 (ja) 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
KR100896068B1 (ko) 2007-11-30 2009-05-07 일진반도체 주식회사 정전기 방전 보호 기능을 갖는 발광다이오드 소자
JP2009200321A (ja) 2008-02-22 2009-09-03 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
EP2448023B1 (en) 2009-06-22 2016-08-31 Nichia Corporation Light-emitting device
JP5746620B2 (ja) * 2009-06-26 2015-07-08 株式会社朝日ラバー 白色反射材及びその製造方法
CN102576684B (zh) * 2009-10-09 2015-08-26 日亚化学工业株式会社 半导体装置及其制造方法
US8723409B2 (en) * 2010-04-07 2014-05-13 Nichia Corporation Light emitting device
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
JP5772833B2 (ja) * 2010-12-28 2015-09-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2012234955A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法
JP2013206895A (ja) 2012-03-27 2013-10-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 光学半導体装置用基板とその製造方法、及び光学半導体装置とその製造方法
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
JP6107559B2 (ja) * 2012-11-09 2017-04-05 豊田合成株式会社 発光装置
JP6191453B2 (ja) 2013-12-27 2017-09-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI540771B (zh) * 2014-01-20 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件及應用其之發光二極體燈具
JP2015179777A (ja) 2014-03-19 2015-10-08 株式会社東芝 半導体発光装置
KR102160075B1 (ko) * 2014-04-22 2020-09-25 서울반도체 주식회사 발광 장치
CN105742467A (zh) * 2014-12-30 2016-07-06 震扬集成科技股份有限公司 承载器阵列以及发光二极管封装结构
JP6481458B2 (ja) * 2015-03-27 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164157A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Nichia Corp 発光装置
JP2012015319A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
JP2013201380A (ja) 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 反射材及び照明装置
JP2014209602A (ja) 2013-03-29 2014-11-06 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2016100350A (ja) 2014-11-18 2016-05-30 日亜化学工業株式会社 複合基板並びに発光装置及びその製造方法
JP2017076765A (ja) 2015-10-17 2017-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10756246B2 (en) 2020-08-25
US11367821B2 (en) 2022-06-21
JP2019075400A (ja) 2019-05-16
US20190115512A1 (en) 2019-04-18
US20200350479A1 (en) 2020-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI476962B (zh) 發光裝置
JP5689223B2 (ja) 発光装置
JP5154155B2 (ja) 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法
JP6323217B2 (ja) 発光装置
US20120007122A1 (en) Light emitting device package and a lighting device
KR101766297B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20150092423A (ko) 발광소자 패키지
US20160190397A1 (en) Led package structure and the manufacturing method of the same
JP6332342B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2017188278A1 (ja) 発光装置
US11315913B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US10153416B1 (en) Package body and light emitting device using same
JP6303457B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US20180175252A1 (en) Light emitting device and method of producing the same
JP2006156662A (ja) 発光装置
KR102022463B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
JP7048879B2 (ja) 発光装置
KR20190049645A (ko) 반도체 발광소자
US11233184B2 (en) Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2019179791A (ja) モジュールの製造方法及び光学モジュールの製造方法
JP2020004842A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6724939B2 (ja) 発光装置
KR101946243B1 (ko) 반도체 발광소자의 제조방법
KR101997806B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101946239B1 (ko) 반도체 발광 구조물 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210921

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210922

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7048879

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150