JP2009200321A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージの小型化及び薄型化が容易で、高出力化が可能な保護素子内蔵型の発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口端に向かって拡開し内部側壁が光反射面である凹部を有し、樹脂からなる成型体と、前記成型体に埋め込まれ且つその一部が前記凹部の中に露出した第１のインナーリード部を有する、第１のリードと、前記凹部の中に露出した前記第１のインナーリード部の上面に接着された発光素子と、前記成型体に埋め込まれ且つその一部が前記凹部の中に露出した第２のインナーリード部を有し、先端部が前記第１のインナーリード部の先端部と対向する、第２のリードと、前記第１のインナーリード部の前記上面及び前記上面と同一の側である前記第２のインナーリード部の上面のいずれかに接着され、前記成型体に埋め込まれた保護素子と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。

照明、車載、信号機などの用途における半導体発光装置は、高出力かつ小型であることが要求される。また、動作温度範囲が広いなど使用条件が厳しくなるに伴い高い機械的強度を有するパッケージが必要となる。さらに、ＥＳＤ（electrostatic discharge：静電気放電）耐量高め信頼性を改善することが要求される。

パッケージを構成する樹脂成型体に設けられた凹部の内側側壁を光反射面とし、発光素子の側方へ放出される光を上方に反射すると光出力を高めることが容易になる。しかし、樹脂成型体の凹部底面に発光素子及びＥＳＤ耐量を高める保護素子を配置しようとすると、発光素子と光反射面との距離が長くなり、パッケージの平面サイズが大きくなり、かつ光取り出し効率が低下する。

静電気放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオードに関する技術開示例がある（特許文献１）。この技術開示例では、リードフレームの上面にＬＥＤチップを実装し、リードフレームの下面に静電気放電衝撃保護素子を備えている。
しかしながら、この技術開示例では、高出力を得ることが容易ではなく、またリードフレームの上面及び下面の両側にチップを配置するために、パッケージの薄型化が困難である。
特開２００６−３３９６４０号公報

パッケージの小型化及び薄型化が容易で、高出力化が可能な保護素子内蔵型の発光装置及びその製造方法を提供する。

本発明の一態様によれば、開口端に向かって拡開し内部側壁が光反射面である凹部を有し、樹脂からなる成型体と、前記成型体に埋め込まれ且つその一部が前記凹部の中に露出した第１のインナーリード部を有する、第１のリードと、前記凹部の中に露出した前記第１のインナーリード部の上面に接着された発光素子と、前記成型体に埋め込まれ且つその一部が前記凹部の中に露出した第２のインナーリード部を有し、前記第２のインナーリード部の先端部が前記第１のインナーリード部の先端部と対向する、第２のリードと、前記第１のインナーリード部の前記上面及び前記上面と同一の側である前記第２のインナーリード部の上面のいずれかに接着され、前記成型体に埋め込まれた保護素子と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、上記発光装置の製造方法であって、前記第１及び第２のリードを有するリードフレームの上面に前記保護素子を接着する工程と、前記第１のインナーリード部のうちの前記発光素子の接着領域が前記凹部の中に露出し、前記保護素子と、前記第１及び第２のインナーリード部の一部と、が埋め込まれるように、前記樹脂を用いて前記成型体を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。

また、本発明のさらに他の一態様によれば、上記発光装置の製造方法であって、前記第１及び第２のリードを有するリードフレームの上面に、前記樹脂として用いる熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高い融点を有する第１の金属半田を用いて前記保護素子を接着する工程と、前記リードフレームの前記上面に、前記ガラス転移温度よりも高い融点を有する第２の金属半田を用いて前記発光素子を接着する工程と、前記発光素子が前記凹部の中に露出し、前記保護素子と、前記第１及び第２のインナーリード部の一部と、が埋め込まれるように、前記熱可塑性樹脂を用いて前記成型体を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。

パッケージの小型化及び薄型化が容易で、高出力化が可能な保護素子内蔵型の発光装置及びその製造方法が提供される。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる発光装置を表す。すなわち、図１（ａ）は、模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図１（ｃ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。紫外〜可視光の波長を放出する発光素子１０が、第１のリード２２のインナーリード２２ａ上に接着剤１１を用いて接着（マウント）されている。

第１のリード２２は、樹脂に埋め込まれたインナーリード部２２ａと、樹脂から突出したアウターリード部２２ｂと、を有している。また、第２のリード３２は、樹脂に埋め込まれたインナーリード部３２ａと、樹脂から突出したアウターリード部３２ｂと、を有しており、インナーリード部２２ａの先端部と、インナーリード部３２ｂの先端部と、が熱可塑性樹脂からなる成型体４０の内部で互いに対向している。発光素子１０の上部の電極（図示せず）と、第２のリード３２のインナーリード部３２ａと、がボンディングワイヤ１５により接続されている。

第２のリード３２のインナーリード部３２ａの上には保護素子１２が、接着剤１３を用いてマウントされており、保護素子１２の上部電極（図示せず）と、第１のリード２２のインナーリード部２２ａと、がボンディングワイヤ１４により接続されている。保護素子１２は、発光素子１０がＥＳＤや逆方向印加電圧により破壊することを抑制するもので、ダイオードやバリスタなどを用いることができる。

例えば、保護素子１２がダイオードの場合、発光素子１０とはｐｎ接合の方向が互いに逆方向となるように、発光素子１０と保護素子１２とを接続する。図１において、発光素子１０と保護素子１２とは基板側が同一の極性を有しているが、発光素子１０の基板極性と保護素子１２の基板極性が逆であれば、保護素子１２を第１のリード２２にマウントすればよい。発光素子１０のｐｎ接合に逆方向電圧が印加されると、保護素子１２を介して電流が流れ、発光素子１０に過大な逆方向電流が流れることを抑制し、発光素子１０の破壊を防止できる。

さらに、保護素子１２を定電圧ダイオード（ツェナーダイオイード）とすると、ＥＳＤ及び誤動作による高電圧が印加されても、ツェナー電圧以上の電圧ではツェナーダイオードを介して電流が流れるので発光素子１０の破壊を防止できより好ましい。

他方、バリスタは半導体セラミックからなり、２つの電極間における非直線性抵抗特性を利用してＥＳＤによるサージ電圧を吸収し、発光素子１０を保護できる。

発光素子１０は、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系などからなる発光層を含み、紫外〜赤外光の波長帯の光を放出することができる。封止樹脂４２に、蛍光体を分散して配置すると、発光素子１０からの光の波長変換光を生成し、発光素子１０からの放出光と、波長変換光と、を混合し、例えば白色光を得ることができる。

第１及び第２のリード２２、３２を有するリードフレームの材料には銅系または鉄系の合金を用いることができるが、銅系材料は高い熱伝導率であるのでより好ましい。第１及び第２のリード２２、２３の厚さは、例えば０．１〜２．０ｍｍの間とすることができる。第１及び第２のリード２２、２３の表面にメッキなどによりコーティングを施すと、インナーリード２２ａ、３２ａにおいて光反射率を高め、また、アウターリード２２ｂ、３２ｂにおいて実装基板との間で半田の接合強度をあげることができる。コーティングとしては、例えば、銀、ニッケル／パラジウム／金をこの順序に積層したものなどとすることができる。銀の場合、例えば厚さを１〜１０μｍなどとする。

第１及び第２のリード２２、３２、及び保護素子１２は、熱可塑性樹脂などの樹脂からなる成型体４０に埋め込まれている。すなわち、インナーリード２２ａ、３２ａは、発光素子１０及び保護素子１２のマウント領域、ボンディングワイヤの接続領域を除いて成型体４０に埋め込まれている。なお、樹脂としては、エポキシからなる熱硬化性樹脂などを用いることもできる。

成型体４０は、開口端に向かって拡開する凹部４０ａを有し、凹部４０ａの底面４０ｃには発光素子１０が配置される。また、凹部４０の内部側壁４０ｂは傾斜しており、発光素子１０からの放出光を上方に向かって反射する光反射面となる。

なお、本明細書において、熱可塑性樹脂とは、加熱すると軟化さらには液状化し、冷却すると固化し、これを繰り返すことができる高分子物質をいう。図２は、熱可塑性樹脂のガラス転移温度を説明する図である。加熱によりガラス状からゴム状に軟化し弾性率が低下し始める温度Ｔｇ１をガラス転移温度と定義する。実線で表す非晶性樹脂の場合、ガラス転移温度Ｔｇ１よりも低い固化した状態においても、高分子配列が不規則となっている。非晶性樹脂では、ガラス転移温度が高い程、耐熱性に優れていると言える。

他方、鎖線で表す結晶性樹脂の場合、融点Ｔｍ１はガラス転移温度Ｔｇ２よりも高く、この融点Ｔｍ１よりも低い温度範囲において高分子配列が規則正しい。結晶性樹脂では、融点Ｔｍ１が高い程、耐熱性に優れていると言える。

熱可塑性樹脂の材料としては、ガラス転移温度が１００℃以上であり、引っ張り強度が４９ＭＰａ以上、曲げ弾性率が２．４ＧＰａ以上の特性を有するエンジニアリング樹脂などが好ましい。

エンジニアリング樹脂として、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリケトン（ＰＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などの材料がある。なお、ＰＡ、ＰＯＭなどは結晶性樹脂であり、ＰＣは非晶性樹脂である。

成型体４０の材料としては、２００℃以上の耐熱性を有するＰＰＡなどの材料を用いることができる。これらの熱可塑性樹脂にガラス繊維を混合すると、機械的強度がさらに高められたパッケージとできるのでより好ましい。

また、熱可塑性樹脂には、例えばチタン酸カリウムの粉末などを混合しておくと、凹部４０ａの内部側壁４０ｂを光反射面とし、光取り出し効率を改善することができる。
なお、内部側壁４０ｂに、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、これらの合金などを、例えば蒸着法などを用いて形成し、光反射面とすることができる。

図３は、第１の実施形態にかかる発光装置の製造方法を表すフローチャートである。また、図４はこの製造方法の工程断面図である。通常、リードフレームは数十〜数百個が連結された多数個取りとなっている。図４（ａ）のように、リードフレームを構成する第２のリード３２の上面３２ｃに、保護素子１２を接着剤１３を用いてマウントする。接着剤１３には、例えば銀ペーストのような導電性接着剤を用いる。銀ペーストの場合、塗布後約２００℃で熱硬化を行う。導電性接着剤を用いる場合、接着工程の接着温度は熱硬化温度と略同一である。接着剤１３として、ＡｕＳｎ（融点約２８０℃）、ＡｕＳｉ（融点約３７０℃）のような金属半田を用いることもでき、この場合、接着温度は金属半田の融点と略同一である。さらに保護素子１２の上部電極（図示せず）と、リードフレームを構成する第１のリード２２と、をボンディングワイヤ１４を用いて接続する（Ｓ１００）。

インナーリード部２２ａ、３２ａは、発光素子１０のマウント領域及びボンディングワイヤ１５の接続領域を除き、金型を用いて樹脂のインサート成型により埋め込まれる。この場合、図４（ｂ）のように、成型体４０は、凹部４０ａを形成し、保護素子１２を埋め込むような金型を用いて形成される（Ｓ１０２）。このインサート成型工程において、例えば金型温度を約１５０℃、樹脂温度を約３００℃とする。

続いて、図４（ｃ）のように、第１のリード２２の上面２２ｃに導電性接着剤及び金属半田などの接着剤１１などを用いて発光素子１０を接着し、ボンディングワイヤ１５により第２のリード３２の露出している領域と接続する（Ｓ１０４）。

続いて、図４（ｄ）のように、液状の封止樹脂４２を撹拌脱泡し、ポッティング法などを用い成型体４０の凹部４０ａに充填し、約２００℃で熱硬化する（Ｓ１０６）。封止樹脂４２の材料としては、エポキシ、シリコーン、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。エポキシ樹脂は紫外〜青色光照射により変色を生じることがあるので、紫外〜青色光波長範囲の波長光の場合、例えばシリコーン樹脂を用いることがより好ましい。

さらに、図４（ｅ）または図４（ｆ）などのように、リードカット及びアウターリード２２ｂ、３２ｂのフォーミング（曲げ加工）を行い、実装基板への実装を容易とする（Ｓ１０８）。

図５は、比較例にかかる発光装置であり、図５（ａ）は模式平面図、図５（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図である。本比較例において、発光素子１１０は第１のリード１２２にマウントされ、発光素子１１０の上部の電極（図示せず）と、第２のリード１３２と、がボンディングワイヤ１１５を用いて接続されている。また、保護素子１１２が第２のリード１３２にマウントされ、保護素子１１２と、第１のリード１２２と、がボンディングワイヤ１１４を用いて接続されている。

樹脂からなる成型体１４０には、光反射面となる内部側壁１４０ｂを有する凹部１４０ａが形成されている。発光素子１１０及び保護素子１１２は、第１及び第２のリード１２２、１３２を含むリードフレームの同一の側に形成されるので、凹部１４０ａの平面サイズは図５（ａ）のように大きくなり、発光素子１１０から内部側壁１４０ｂまでの距離が長くなり、側方に放出された光が内部側壁１４０ｂにおいて効果的に上方へ反射されない。このために光取り出し効率が低下し、高出力を得ることが困難になる。また、パッケージの平面サイズが大きくなる。

これに対して、本実施形態では、凹部４０ａ内には発光素子１０のみが配置され、保護素子１２は成型体４０に埋め込まれているのでパッケージの平面サイズが増大することはなく、発光素子１０と光反射面との距離を短く保ち光取り出し効率を低下させることは無い。この場合、平面視で、保護素子１２を内部側壁４０ｂに重なるようにするとよい。すなわち、凹部４０ａの開口端の側からみて、保護素子１２を内部側壁４０ｂの下方に埋め込むようにすれば、成型体４０の平面サイズを小型化でき、内部側壁４０ｂの領域に完全に含まれるように配置すれば平面サイズの小型化がより容易となる。

なお、リードフレームの一方の面に発光素子、他方の面に保護素子をマウントする構造とする場合、液状の導電性接着材を用いると、マウント→熱硬化工程を２回連続して行う必要があり組立時間短縮が困難であり、また薄型化が困難である。これに対して本実施形態では、保護素子１２及び発光素子１０はリードフレームの同一の面に設けられているので、成型体４０を薄型化することが容易である。

さらに、本実施形態において成型体４０の材料を熱可塑性樹脂とすると、エポキシなどの熱硬化性からなる樹脂成型と比較して、加工がより容易でありかつ材料を繰り返し使用できるのでより経済的である。また、熱可塑性樹脂は、熱硬化性であるエポキシよりも熱膨張率が小さい。このため、熱膨張及び収縮に基づく応力を低減し、インナーリードと熱可塑性樹脂との間の接着強度が高いパッケージとでき、かつ保護素子１２のチップ剥離を抑制することがより容易である。

図６は、本発明の第２の実施形態にかかる発光装置であり、図６（ａ）は模式平面図、図６（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図６（ｃ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。本実施形態において、第１のリード２３は、厚いインナーリード部２３ａと、薄いアウターリード部２３ｂと、を有する。また、第２のリード３３は、厚いインナーリード部３３ａと、薄いアウターリード部３３ｂと、を有する。インナーリード部２３ａ、３３ａの厚さは、例えば０．５〜２ｍｍ、アウターリード部２３ｂ、３３ｂの厚さは、例えば０．１〜０．５ｍｍなどとできる。

インナーリード部２３ａは凹部２３ｄを有し、発光素子１０は凹部２３ｄの底面に、接着剤１１を用いてマウントされている。他方、保護素子１２はインナーリード３３ａの上面に接着剤１３を用いてマウントされている。

発光素子１０が露出し、保護素子１２と、インナーリード２３ａ、３３ａと、が埋め込まれるように熱可塑性樹脂を用いて成型体４０が形成されている。成型体４０は凹部４０ａを有するが、凹部４０の内部側壁４０ｂは、インナーリード２３ａの内部側壁と共に光反射面である。また、インナーリード３３ａには発光素子１０とボンディングワイヤ１５を用いて接続するために成型体４０に切り欠き部４０ｄが設けられている。

本実施形態もパッケージの小型化及び薄型化、高出力化が容易である。また、発光素子１０及び保護素子１２のマウントにＡｕＳｎのような金属半田を用いると接着強度を高めることができ、信頼性が改善できる。さらに、図６のように、インナーリード２３ａにおいて、発光素子１０のマウント領域の裏面側である底面２３ｅを露出するように成型体４０を形成すると、ヒートシンクなどの付設が容易となるので、動作温度を低減し信頼性改善及び高出力化が容易となる。

図７は、第２の実施形態にかかる発光装置の製造方法を表すフローチャートであり、図８は、その工程断面図である。なお、図８に表す断面は、図６のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図８（ａ）のように、保護素子１２をインナーリード３３ａ上面に、ＡｕＳｉ（融点約３７０℃）またはＡｕＳｎ（融点約２８０℃）のような共晶組成の金属半田１３を用いてマウントする。マウント温度は、ＡｕＳｉの場合に約４００℃とし、ＡｕＳｎの場合に約３５０℃とすると、より確実にマウントし接着強度を高めることができ、作業性も改善できる。さらに、発光素子１０をインナーリード２３ａの凹部２３ｄの底面にＡｕＳｎのような金属半田１１を用いてマウントする（Ｓ２００）。

発光素子１０をマウントした後に保護素子１２をマウントしてもよい。いずれのマウント順序であっても、１番目のマウント工程は約４００℃に昇温しＡｕＳｉ半田を用い、２番目のマウント工程は約３５０℃に降温してＡｕＳｎ半田を用いると、作業性がよく接着をより確実にできる。

続いて、保護素子１２とインナーリード２３ａとをボンディングワイヤ１４を用いて接続する（Ｓ２０２）。

発光素子１０の上面が、インナーリード２３ａの上面よりも低くなるように凹部２３ｄを設けると成型体４０のインサート成型がより容易となる。この場合、図８（ｂ）のように、凹部２３ｄを覆い、インナーリード２３ａの上面に接触するような上金型５０と、下金型（図示せず）と、の間にリードフレームを挟持し、注入口５０ａから熱可塑性樹脂を注入し、インサート成型を行う（Ｓ２０４）。インサート成型工程において、金型温度を約１５０℃、樹脂温度を約３００℃などに設定する。

フレーム温度と略同一である金型温度をＡｕＳｎなど半田材の融点よりも低くしてインサート成型ができる熱可塑性樹脂を用いると、金属半田１１、１３が再溶融することを抑制し、発光素子１０とインナーリード２３ａとの間、及び保護素子１２とインナーリード３３ａとの間において接着強度を高く保つことが容易となり、チップ剥離を抑制できる。図８（ｃ）は金型から離型後を表す。

続いて、発光素子１０と、インナーリード２３ａと、をボンディングワイヤ１５を用いて接続する（Ｓ２０６）。
さらに、図８（ｄ）のように成型体４０の凹部４０ａ及びインナーリード２３ｄに液状の封止樹脂４２をポッティング法などにより充填し、約２００℃で熱硬化する（Ｓ２０８）。

リードカット及びアウターリード２３ｂ、３３ｂのフォーミングを行い、実装基板への実装を容易とする（Ｓ２１０）。

第２の実施形態にかかる発光装置の製造方法は、上記フローチャートに限定されない。例えば、接着剤１１、１３として導電性接着剤を用いることができ、保護素子１２を成型体４０に埋め込んだ後、発光素子１０をマウントする工程順序とすることもできる。しかし、金属半田を用い、発光素子１０及び保護素子１２をマウントした後、熱可塑性樹脂を用いて成型体４０を形成する製造方法を用いると、チップマウント工程を連続して行うことができるので、昇温及び降温に要する時間を短縮することが容易である。さらに、成型体４０を熱硬化する必要がないので熱可塑性樹脂成型時間を短縮することができる。

このようにして、本製造方法を用いると、リール・ツー・リール組立ラインでリードフレームを搬送するか、または短冊状リードフレームを搬送し、連続した組立工程の自動化が容易となる。このために、量産性に富む発光装置を提供することができる。

以上のように、第１及び第２の実施形態にかかる発光装置によれば、ＥＳＤなどに対する保護素子１２を内蔵しつつ、小型平面サイズかつ薄型の形状を有し、高光出力が可能で、機械的強度が改善された発光装置が提供される。この発光装置は、照明、車載、信号機などの用途における厳しい環境条件においても信頼性を確保することが容易である。

以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかしながら本発明はこれら実施形態に限定されない。本発明を構成する発光素子、リードフレーム、熱可塑性樹脂、封止樹脂、保護素子、接着剤、成型体の材質、形状、サイズ、配置、などに関して当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。

第１の実施形態にかかる発光装置の模式図 ガラス転移温度を説明する図 第１の実施形態の発光装置の製造方法のフローチャート 第１の実施形態の発光装置の工程断面図 比較例にかかる発光装置の模式図 第２の実施形態にかかる発光装置の模式図 第２の実施形態の発光装置の製造方法のフローチャート 第２の実施形態の発光装置の工程断面図

符号の説明

１０ 発光素子、１２ 保護素子、１１、１３ 接着剤、２２、２３ 第１のリード、３２、３３ 第２のリード、４０ 成型体、４０ａ 凹部、４０ｂ 内部側壁、Ｔｇ１、Ｔｇ２ ガラス転移温度

Claims (5)

1. 開口端に向かって拡開し内部側壁が光反射面である凹部を有し、樹脂からなる成型体と、
   前記成型体に埋め込まれ且つその一部が前記凹部の中に露出した第１のインナーリード部を有する、第１のリードと、
   前記凹部の中に露出した前記第１のインナーリード部の上面に接着された発光素子と、
   前記成型体に埋め込まれ且つその一部が前記凹部の中に露出した第２のインナーリード部を有し、前記第２のインナーリード部の先端部が前記第１のインナーリード部の先端部と対向する、第２のリードと、
   前記第１のインナーリード部の前記上面及び前記上面と同一の側である前記第２のインナーリード部の上面のいずれかに接着され、前記成型体に埋め込まれた保護素子と、
   を備えたことを特徴とする発光装置。
2. 前記保護素子は、前記開口端の側からみて前記内部側壁の下方に埋め込まれてなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記保護素子は第１の金属半田を用いて接着され、
   前記樹脂は熱可塑性樹脂からなり、
   前記第１の金属半田の融点は、前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高いことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 請求項１または２に記載の発光装置の製造方法であって、
   前記第１及び第２のリードを有するリードフレームの上面に前記保護素子を接着する工程と、
   前記第１のインナーリード部のうちの前記発光素子の接着領域が前記凹部の中に露出し、前記保護素子と、前記第１及び第２のインナーリード部の一部と、が埋め込まれるように、前記樹脂を用いて前記成型体を形成する工程と、
   を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
5. 請求項１または２に記載の発光装置の製造方法であって、
   前記第１及び第２のリードを有するリードフレームの上面に、前記樹脂として用いる熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高い融点を有する第１の金属半田を用いて前記保護素子を接着する工程と、
   前記リードフレームの前記上面に、前記ガラス転移温度よりも高い融点を有する第２の金属半田を用いて前記発光素子を接着する工程と、
   前記発光素子が前記凹部の中に露出し、前記保護素子と、前記第１及び第２のインナーリード部の一部と、が埋め込まれるように、前記熱可塑性樹脂を用いて前記成型体を形成する工程と、
   を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
   

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