JP5233170B2 - 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 - Google Patents

発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、半導体発光素子を載置する樹脂成形体及びこれを備える発光装置並びにこれらの製造方法に関し、特に複数の半導体発光素子を搭載可能な、耐熱性、耐光性に優れる樹脂成形体及び樹脂成形体を有する発光装置並びにこれらの製造方法に関するものである。
近年、半導体発光素子を搭載した発光装置において、高出力化、発光効率の向上化が望まれている。これに応じて、素子への投入電力を増加させ、または搭載する半導体発光素子の個数を増加させ、或いは半導体発光素子における発光面積を大型化することで、光源自体の光出力を増大させる策が講じられている。加えて、光損失を促す要因を排除することで、発光装置全体としての光取り出し量を増大できる発光装置が開発されている(例えば特許文献1)。一例として、光源からの出射光が、静電衝撃保護素子に吸収されるのを抑止可能な構造を有する発光装置を図31〜図33に示す。図31は、複数の半導体発光素子104を有する発光装置100の断面図である。また図32は、図31のXXXII−XXXII’線における断面図であり、図33は図31のXXXIII−XXXIII’線における発光装置100の断面図である。
図31及び図32に示すように、発光装置100は、離間された一対の陰極リード101及び陽極リード102からなるリードフレーム103を有しており、陰極リード101上には複数の半導体発光素子104が、また、陽極リード102上には静電放電衝撃保護素子105が載置されている。さらに図31及び図33に示すように、半導体発光素子104を除く、リードフレーム103の大部分を被覆する凹部106は、素子104の周囲を囲む壁面を形成しており、すなわち各々の凹部106の、開口した略凹形状における内部の底面域に、一の半導体発光素子104が載置されている。この凹部106の壁内に静電放電衝撃保護素子105が埋め込まれてなる。凹部106は白色TiO系熱硬化樹脂によって成型されており、凹部106の凹部はSiOガラスにて充填される。
上記の構造を有する発光装置100であれば、静電放電衝撃保護素子105が凹部106内に埋め込まれているため外部に露出しない。したがって半導体発光素子104からの出射光は静電放電衝撃保護素子105へと進行されないため、出射光の一部が静電放電衝撃保護素子105に吸収されるのを防止できる。或いは静電放電衝撃保護素子105に反射され、所望しない方向へと光が進行するのを抑止できる。ひいては装置全体としての光取り出し効率を増加でき、照度の高い発光装置を実現できる。
しかしながら、近年の発光素子の出力向上はめざましく、特に短波長或いは青色系の光を出射可能な発光素子を有する発光装置では、一層の高出力化が図られるにつれて、励起光源の波長を変換可能な波長変換部材、或いは光源自体からの発熱量が増大し、素子の特性を悪化させる問題があった。同時に、部材のクラックなど、装置の信頼性を低減させる虞があった。特に、図31に示すように、片方の極性リードのみに複数の素子を搭載する構成では、装置内の熱量が偏在してしまう。これにより、熱引き不十分で蓄熱された装置内の部材が、部位による熱膨張係数の差により発生した応力を受ける。特に異部材の界面では、応力が発生しやすくクラックを誘発する。したがって図31のように、樹脂で成型された凹部内に異質の部材が埋め込まれた構造を有する発光装置では、異質部材同士の界面でクラックが発生しやすい問題があった。加えて、光量の増大に伴い、凹部の耐光性及び耐熱性の向上が望まれていた。
特開2006−93697号公報
本発明は、従来のこのような問題点に鑑みてなされたものである。本発明の重要な目的は、高出力で且つ耐熱性、耐光性及び放熱性に優れた堅牢な発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の第1の半導体発光装置は、複数の発光素子2と、発光素子2が載置される基台3と、発光素子2と電気的に接続される複数の第1リード4及び第2リード5と、基台3と第1リード4及び第2リード5の少なくとも一部を樹脂で被覆することにより一体成形してなる第1樹脂成形体11と、第1樹脂形成体11の少なくとも一部に接して、発光素子2を被覆する第2樹脂成形体12と、を有する発光装置であって、第1樹脂成形体11と第2樹脂成形体12とは熱硬化性樹脂であり、第1樹脂成形体11には、基台3における発光素子2の載置面側に、側面を有する上部に開口した凹部13が形成されている。凹部13の底面領域においては、第1リード4及び第2リード5の一部が露出されており、第1リード4及び第2リード5からなる一組のリード対が、基台3を基準にして略対称に複数組配置されていることを特徴とする。
また、本発明の第2の半導体発光装置は、発光素子2が、第1電極及び第2電極を有しており、第1リード4は、凹部13の底面領域における露出された領域であって且つ発光素子2の第1電極と電気的に接続される接続領域4dと、第1樹脂成形体11に被覆される第1リード埋込領域4cと、を含む第1インナーリード領域4aと、第1インナーリード領域4aから第1樹脂成形体11の外側方向へと延伸された領域であって、第1樹脂成形体11の外部に露出された第1アウターリード領域4bと、を備える。また、第2リード5は、凹部13の底面領域における露出された領域であって且つ発光素子2の第2電極と電気的に接続される接続領域5dと、第1樹脂成形体11に被覆される第2リード埋込領域5cと、を含む第2インナーリード領域5aと、第2インナーリード領域5aから第1樹脂成形体11の外側方向へと延伸された領域であって、第1樹脂成形体11の外部に露出された第2アウターリード領域5bと、を備えていることを特徴とする。
また、本発明の第3の半導体発光装置は、第1樹脂成形体11の凹部13における底面領域には、基台3の少なくとも一部が露出されており、基台3の露出領域に発光素子2が載置されていることを特徴とする。
また、本発明の第4の半導体発光装置は、基台3と、第1リード4及び第2リード5の接続領域4d、5dとは離間して絶縁されていることを特徴とする。
また、本発明の第5の半導体発光装置は、基台3において、発光素子2が載置されている載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、第1樹脂成形体11から露出されていることを特徴とする。
また、本発明の第6の半導体発光装置は、第1リード4及び第2リード5において、発光素子2と電気的に接続されている載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、第1樹脂成形体11より露出されていることを特徴とする。
また、本発明の第7の半導体発光装置は、基台3における発光素子2が載置されている載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、第1樹脂成形体11から露出されており、第1リード4及び第2リード5における発光素子2と電気的に接続されている載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、第1樹脂成形体11から露出されており、基台3、第1リード4及び第2リード5の裏面側における、少なくとも2つの露出領域が、略同一平面上に位置することを特徴とする。
また、本発明の第8の半導体発光装置は、基台3における発光素子2が載置されている載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、第1樹脂成形体11から露出されており、第1リード4及び第2リード5における発光素子2と電気的に接続されている載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、第1樹脂成形体11から露出されており、基台3、第1リード4及び第2リード5の裏面側における、少なくとも一部の露出領域に、熱伝導性を有する放熱部材20が連結されていることを特徴とする。
また、本発明の第9の半導体発光装置は、第1樹脂成形体11は、トランスファーモールドにより成形されていることを特徴とする。
また、本発明の第10の半導体発光装置は、第1樹脂成形体11は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種により形成されてなることを特徴とする。
また、本発明の第11の半導体発光装置は、第1樹脂成形体11は、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、紫外線吸収材、酸化防止材、離型剤よりなる群から選択される少なくとも1種が含有されていることを特徴とする。
また、本発明の第12の半導体発光装置は、第2樹脂成形体12は、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収材、酸化防止材よりなる群から選択される少なくとも1種が含有されていることを特徴とする。
また、本発明の第13の半導体発光装置は、第1リード4又は第2リード5に保護素子14が載置されており、保護素子14は第1樹脂成形体11により被覆されていることを特徴とする。
また、本発明の第14の樹脂成形体は、基台3と、基台3に発光素子2を載置した場合に発光素子2と電気的に接続される、複数の第1リード4及び第2リード5と、基台3及び第1リード4、第2リード5の少なくとも一部を被覆して一体形成してなる第1樹脂成形体11と、を備える樹脂成形体であって、第1リード4及び第2リード5からなる一対のリードが、基台3を基準にして略対称に2組備えられており、基台3において、発光素子2が載置可能な載置面側には、側面を有する上部に開口した凹部13が形成されており、凹部13の底面領域において、第1リード4及び第2リード5の一部が露出されている。第1リード4は、凹部13の底面領域における露出された領域であって且つ発光素子2と電気的に接続できる接続領域4dと、第1樹脂成形体11に被覆される第1リード埋込領域4cと、を含む第1インナーリード領域4aと、第1インナーリード領域4aから第1樹脂成形体11の外側方向へと延伸された領域であって、第1樹脂成形体11の外部に露出された第1アウターリード領域4bと、を備えている。さらに、第2リード5は、凹部13の底面領域における露出された領域であって且つ発光素子2と電気的に接続できる接続領域5dと、第1樹脂成形体11に被覆される第2リード埋込領域5cと、を含む第2インナーリード領域5aと、第2インナーリード領域5aから第1樹脂成形体11の外側方向へと延伸された領域であって、第1樹脂成形体11の外部に露出された第2アウターリード領域5bと、を備えており、第1樹脂成形体11は熱硬化性樹脂であることを特徴とする。
また、本発明の第15の樹脂成形体は、基台3は、第1リード4及び第2リード5と絶縁されていることを特徴とする。
また、本発明の第16の樹脂成形体は、基台3の載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、露出されていることを特徴とする。
また、本発明の第17の樹脂成形体は、第1リード4及び第2リード5において、発光素子2と電気的に接続できる載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、露出されていることを特徴とする。
また、本発明の第18の樹脂成形体は、基台3の載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、露出されており、第1リード4及び第2リード5において、発光素子2と電気的に接続できる載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、露出されており、基台3、第1リード4及び第2リード5の裏面側における、少なくとも2つの露出領域が、略同一平面上にあることを特徴とする。
また、本発明の第19の樹脂成形体は、基台3の載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、露出されており、第1リード4及び第2リード5において、発光素子2と電気的に接続できる載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、露出されており、基台3、第1リード4及び第2リード5の裏面側における、少なくとも一部の露出領域に、熱伝導性を有する放熱部材20が連結されていることを特徴とする。
また、本発明の第20の樹脂成形体は、樹脂成形体は、トランスファーモールドにより成形されていることを特徴とする。
また、本発明の第21の樹脂成形体は、樹脂成形体は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種により形成されてなることを特徴とする。
また、本発明の第22の樹脂成形体は、樹脂成形体は、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、紫外線吸収材、酸化防止材、離型剤よりなる群から選択される少なくとも1種が含有されていることを特徴とする。
また、本発明の第23の樹脂成形体は、第1リード4又は第2リード5に保護素子14が載置されており、保護素子14は第1樹脂成形体11により被覆されていることを特徴とする。
また、本発明の第24の発光装置の製造方法は、複数の発光素子2が載置される基台3と、発光素子2と電気的に接続される複数の第1リード4及び第2リード5と、を一体成形してなり、且つ基台3における発光素子2の載置面側に、側面を有する上部に開口した凹部13が形成されている第1樹脂成形体11と、凹部13の底面領域であって、基台3上に略平行で且つ複数列に載置される複数の発光素子2と、発光素子2を被覆する第2樹脂成形体12と、を有する発光装置の製造方法であって、基台3と、第1リード4及び第2リード5とが離間され、且つ第1リード4及び第2リード5からなる一組のリード対が、基台3を基準にして略対称に複数組位置されるよう配置し、凹部13の形状に相当する凹凸が形成され、且つ、第1リード4及び第2リード5の上面の少なくとも一部に接する上金型31と、上金型31と対向し且つ第1リード4及び第2リード5の下面の少なくとも一部と接する下金型32とが、第1リード4及び第2リード5の上下面を挟み込む第1の工程と、第1リード4及び第2リード5と、対向する上金型31及び下金型32とで形成された凹み領域33に、第1の熱硬化性樹脂をトランファーモールドにより流し込む第2の工程と、第1の熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、第1樹脂成形体11を成形する第3の工程と、上金型31を取り外す第4の工程と、形成された凹部13の底面領域であって、基台3上に、複数の発光素子2を載置するとともに、リード対に電気的に接続する第5の工程と、第1樹脂形成体11の少なくとも一部に接して、発光素子2を第2の熱硬化性樹脂で被覆する第6の工程と、第2の熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、第2樹脂成形体12を成形する第7の工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の第25の発光装置の製造方法は、第1の工程前に、第1リード4又は第2リード5の上面に保護素子を載置することを特徴とする。
また、本発明の第26の樹脂成形体の製造方法は、基台3と、基台3に載置される発光素子2と電気的に接続される複数の第1リード4及び第2リード5と、を一体成形してなり、且つ基台3における発光素子2の載置面側に、側面を有する上部に開口した凹部13が形成されている樹脂成形体の製造方法であって、基台3と、第1リード4及び第2リード5とが離間され、且つ第1リード4及び第2リード5からなる一組のリード対が、基台3を基準にして略対称に複数組位置されるよう配置し、凹部13の形状に相当する凹凸が形成され、且つ、第1リード4及び第2リード5の上面の少なくとも一部に接する上金型31と、上金型31と対向し且つ第1リード4及び第2リード5の下面の少なくとも一部と接する下金型32とが、第1リード4及び第2リード5の上下面を挟み込む第1の工程と、第1リード4及び第2リード5と、対向する上金型31及び下金型32とで形成された凹み領域33に、第1の熱硬化性樹脂をトランファーモールドにより流し込む第2の工程と、第1の熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、第1の樹脂成形体11を成形する第3の工程と、上金型31を取り外す第4の工程と、を有することを特徴とする。
第1、4、14、15、24、26発明の構造を有する発光装置、樹脂成形体、発光装置及び樹脂成形体の製造方法によれば、基台、第1及び第2リードを始め、各部材のレイアウトを対称に近づけ、これにより配置される発光素子の発熱量などの特性を均等にして、熱の偏在を防止し、もって素子の信頼性を向上できる。これは、発光素子から発生しうる熱が、直下に位置する基台へと伝達された後、略対称に、波及的にリードへと伝導されるからである。よって上記構成により、発熱は中央域に位置する基台及び発光素子から、その両側に略対称に設けられたリード対へと略輻射状に伝導されるため、いずれかのリードに熱が偏在することなく、ほぼ均等に分散できる。これにより、耐熱性に優れた堅牢な発光装置、樹脂成形体とできる。
第13、23、25発明の構造を有する発光装置、樹脂成形体及び発光装置の製造方法によれば、保護素子を第1樹脂成形体により被覆して埋設できるため、発光素子からの出射光が保護素子に吸収されるのを抑止できる。すなわち光損失の低減された高出力な発光装置とできる。また、対称に近づけた配置構造を有する樹脂成形体、及び発光装置であるため、第1樹脂成形体と、これに埋設された異部材との界面で、熱膨張係数の差により生じる応力の発生を防止できる。ひいては長寿命で信頼性の高い発光装置とできる。
また、第2、3、5、6、8、16、17、19発明の構造を有する発光装置、樹脂成形体によれば、基台又は/及びリードが、第1樹脂成形体から露出した領域を備えることにより、放熱効果を得ることができる。加えて、リードと基台とが離間した構造を有するため、両者を別部材とできる。すなわち、熱源に近傍する基台の材質を選択し、或いは別個の放熱部材を連結することにより、基台に対して、より一層の放熱対策を集中的に講じることができ、装置内の蓄熱を顕著に抑制できる。これにより、各部材の界面において、各部材の熱膨張係数の違いにより生じる応力の発生を著しく低減でき、異部材での界面近傍で発生しやすいクラックを抑制できる。すなわち信頼性の高い堅牢な発光装置とでき、放熱性の向上により搭載可能な発光素子数を増加できるため高輝度な高出力光を望める。
また、一対の電極が構成されたリード対を、中央に位置する基台の両側に複数備えることで、発光素子への電力供給を可能とする電気的経路を複数備えることができる。さらに、複数列に配置された各列の発光素子群毎と、各々のリード対とは並列に電気的な接続が可能である。これにより発光素子間のワイヤボンディングの配線パターンが簡潔となり、短絡を防止できる。
さらに、本発明の構造を有する発光装置、樹脂成形体、発光装置及び樹脂成形体の製造方法によれば、樹脂成形体を熱硬化性樹脂によって形成することにより、第1樹脂成形体と第2樹脂成形体との界面の剥離を防止することができる。これは、熱可塑性樹脂と異なり、熱硬化性樹脂が表面に多数の反応性官能基を有しているので第2樹脂成形体と強固な接着界面を形成することができるからである。そして、第2樹脂成形体を熱硬化性樹脂とすることにより、第1樹脂成形体と同様な等方性の熱膨張・収縮挙動を得ることができるため、温度変化による接着界面の熱応力を更に低減することができる。ついで第2樹脂成形体を第1樹脂成形体と同種の熱硬化性樹脂とすることにより、界面張力の低減による接着力の改善だけでなく、界面にて硬化反応が進行し、極めて強固な密着性を得ることが可能となる。耐光性については、3次元架橋している熱硬化性樹脂が耐熱性を損なうことなく容易に組成を変更できるため、耐光性の劣悪な芳香族成分を簡単に排除できる。一方、熱可塑性樹脂では耐熱性と芳香族成分は事実上同義語であり、芳香族成分なくしてリフロー半田熱に耐えうる成形体を得ることができない。従って、第1樹脂成形体と第2樹脂成形体を熱硬化性樹脂にすることにより本来強固な接着界面を有し、かつ光劣化の少ない耐剥離性に優れ、また経年変化の少ない発光装置を得ることができる。
また、第9、10、20、21発明の構造を有する発光装置、樹脂成形体によれば、粘性の低い熱硬化性樹脂を、トランスファーモールドにて成形することにより、射出成形と比較して、複雑な形状を有する成形体を高精度に成形することができる。加えて、凹部内に埋め込まれる保護素子及び導電部材において、載置後に被覆される樹脂の粘性が高い場合、樹脂の応力が導電部材に加わって断線される虞があるが、粘性の低い熱硬化性樹脂を採用することで、これをを抑制できる。
また、第11、12、22発明の構造を有する発光装置によれば、発光素子からの出射光が樹脂成形体に進行した場合の光を、反射または散乱できるため、色ムラの低減された放出光を得ることができる。また、光源からの出射光の波長を変換可能であるため、所定の色域において高い発光素子を有する発光装置を得られる。加えて、所定のピーク波長を有する光源を選択的に搭載すれば、所望の発光色を高効率に出射できる発光装置となり、実現可能な出射光の波長幅が増大する。また、上記の構造を備えることにより、製造工程における作業を容易にでき、耐候性に優れた発光装置とできる。
第7、18発明の構造を有する発光装置、樹脂成形体であれば、実装する際の安定が図れる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための、発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法を例示するものであって、本発明は、発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法を以下のものに特定しない。なお特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
(構造)
実施例1に係る発光装置の概略斜視図を図1に、また概略平面図を図2に、図2のIII−III’線における概略断面図を図3に、概略底面図を図4にそれぞれ示す。図における発光装置1は、複数の発光素子2と、これらの発光素子2を搭載する第1樹脂成形体11と、さらに発光素子2を被覆する第2樹脂成形体12と、から主に構成される。
また、図1〜図4に示すように、発光装置1の中央域に位置する一の基台3の両側には、複数の第1リード4及び第2リード5が互いに離間され島状に形成されており、各部材は絶縁されてなる。この基台3、第1リード4及び第2リード5の離間領域を第1の熱硬化性樹脂15でもって埋め込むことにより、各部材が一体に成形された第1樹脂成形体11をなす。また、基台3、第1及び第2リード4、5は、その上面が略水平に位置されており、基台3の上面域には、側面を有する上方に開口した略凹状の凹部13が形成されている。また、この凹部13における開口部内に、第2の熱硬化性樹脂16が充填されることにより、第2樹脂成形体12が形成されている。
さらに、基台3、第1及び第2リード4、5は、発光素子2の載置面である上面と、載置面と反対側の裏面を有しており、上面又は裏面の少なくとも一部は、第1樹脂成形体11より露出した領域を有する。具体的には、図1〜図3に示すように、凹部13の底面領域において、第1リード4及び第2リード5の一部が第1樹脂成形体11から露出されている。また、図4に図示されるように、発光装置1の裏面側においても、基台3、第1リード4及び第2リード5の裏面領域の少なくとも一部が、外部に露出されている。以下に各部材について詳細に説明する。
(基台)
基台3は、その上面に複数の発光素子2が載置される。発光素子2は熱源となりうるため、これと近傍に位置する基台3は、熱伝導性に優れた材質であり、外部に放熱可能な構造を有するのが好ましい。材質としては例えば、銅、銅合金、アルミニウム等の熱伝導性の良いものを採用できる。また、発光素子2からの光の反射率を向上させるため、基台3の表面に銀、アルミニウム、銅や金等の金属メッキを施すこともできる。ただ、後述するリード4、5と同部材とすることもでき、これにより発光装置1の骨格となる基台及びリードをほぼ同時に成形できるため、工程を簡略化できる。この場合、例えば基台の表面上に熱伝導性に優れた樹脂から構成されるシート類を被覆させることにより、さらなる放熱効果を得ることもできる。
また、基台3の形状はその上面に複数の発光素子2を複数列に載置できれば、特に限定されず、平板状の円柱状、略直方体、略立方体などでもよく、凹部を成形していてもよい。また、基台3の上面は平滑にすることが好ましく、これにより発光素子2を安定して載置できる他、光の反射率を向上させることができる。さらに、発光素子2を載置する主面側を除く他の面、例えば裏面側を外部に露出させる構造とすることで一層の放熱効果を得られる。さらに、裏面領域において、例えば凹凸等、表面に連続した高低差を有する形状とすれば、外気と接する表面積を稼ぐことができ、一層の放熱効果が得られる。
また、基台3の上面の面積を大きくすれば、素子の載置における安定性および載置可能な個数、放熱性が高まり、投入電力の増大が見込める。同様に、厚さ方向においても基台3を肉厚にすれば、放熱性が高まる他、基台3自体のたわみが低減され、発光素子2の実装における安定性、出射光の指向性が高まり、信頼性の高い発光装置とできる。一方、基台3を薄くすれば、総括的に発光装置を薄型にできる。
さらに、図4の発光装置1では、基台3、第1リード4及び第2リード5の裏面側の全面を露出させ放熱効果を得ているが、必ずしも全面露出させる必要はなく、例えばバリ発生を抑制したい部位のみの露出でもよい。リードの露出が樹脂によって分断されることにより、例えば半田等の流れによるリード4、5の短絡を抑止できる。また、基台3、第1リード4及び第2リード5の裏面側における、少なくとも2つの露出領域が、略同一平面上に位置することが好ましい。これにより、発光装置あるいは樹脂成形体を実装をしやすくできる。
また、第1リード4及び第2リード5の裏面側の露出部分は、実質的に同一平面上にあることが好ましい。これにより発光装置1の実装時の安定性を向上できる。また、露出部分が同一平面上にあることから、平板上の外部電極に半田を用いて発光装置1を載置して実装すればよく、発光装置の実装性を向上させることができる。さらに、金型による成形が極めて容易となる。
基台3の裏面側の露出部分は、放熱フィン等の放熱部材が接触するように配置されていてもよい。発光装置1とは別に、放熱部材を外部の部材として配置することができる他、発光装置と一体に放熱部材を取り付けることもできる。これにより熱源に近傍する基台の熱を、直接的に放熱部材へ伝導させ、さらに外部へと放熱できるため、一層の放熱効果が得られる。また、放熱部材を外部の部材として配置する場合は、発光装置1の実装位置を容易に決めることができる。尚、絶縁性の放熱部材を採用すれば、或いは、絶縁体を介して放熱部材を装着すれば、基台3及び両側のリード対6にまたがるような光面積の放熱部材を連結することも可能である。
(第1樹脂成形体)
上記の基台3と、リード4、5との離間領域に第1の熱硬化性樹脂15が埋め込まれ、これにより各部材が一体に連結された第1樹脂成形体となる。図1に示すように、第1樹脂成形体11は、基台3における発光素子2の載置面側に、上部に開口し且つ開口方向に広口となる略凹状の凹部13が形成されてなる。また、凹部13の底面域に発光素子2が載置されており、さらに凹部13は、基台3の上面に対して略直角乃至鈍角に連結された側面13aを有する。これにより発光素子2からの出射光を反射させ、高効率に前方方向へと光を導くことが可能となる。したがって基台3の上面を基準にした側面13aの傾斜角度は、所望の光の進行方向に合わせて決定すれば良いが、95°以上150°以下が好ましく、100°以上120°以下が特に好ましい。これにより発光素子2の光取り出し効率を向上させることができる。ただし、傾斜を設けず、円筒形状の凹部13とすることもできる。加えて凹部13の内面側を銀、アルミニウム、銅や金等の金属の反射材で被覆することにより、一層の反射率を高めることができ、光取り出し効率が高まる。また、傾斜は滑らかな方が好ましいが凹凸を設けることもできる。これにより、凹部13と、後述するが凹部13の開口部に充填される第2樹脂成形体12との密着性を高めることができ、発光装置の信頼性が向上する。さらに、凹部13は四方を囲むように連続した側面を形成することが好ましいが、内部に第2樹脂成形体12を形成可能であれば、断続的な側面、或いは対向する二方のみを有する側面でもよい。また、第1樹脂成形体11の材質、及び形状は発光素子2の光を効率良く反射できるよう適宜決定される。具体的には発光素子2からの光の30%以上を反射するものが好ましく、またより好ましくは50%以上、更に好ましくは70%以上である。さらに、460nmの光の反射率が50%以上であることが好ましく、より好ましくは70%以上である。
(形状)
第1樹脂成形体11における凹部13の底面側の形状は、複数の発光素子2を載置でき、各々の発光素子2からの出射光が均等に前方へ放出可能であれば特に限定されない。図1における凹部13の開口部は略楕円形状をなすが、円形、楕円形、矩形、多角形等、任意の形状とできる。例えば発光素子と凹部13の側面13aまでの距離が均一になるように、発光素子2を底面の中央域に載置し、凹部13の側面における周囲方向において、光源からの光量を略均等に受光できるよう構成すれば、発光装置1より光が均等に出射可能となるため、光ムラを低減できる。さらに、図1に示す凹部13の、主発光面側からの平面視における外側の形状、すなわち、第1樹脂成形体11の外側の形状は略矩形であるが、これに限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等、また、断面形状は、矩形、底面よりも上面が大きいテーパー状、逆テーパー状等、任意の形状をとることができる。なかでも、光の取り出し効率を考慮して、底面よりも上面が大きい逆円錐台形状が好ましい。また、必要に応じて所定の場所にカソードマーク等の印を付すことで、作業の効率化が図られ歩留まりの向上につながる。
(凹部の底面領域)
また、凹部13内の開口した底面領域において、基台3の上面の一部が露出されており、この露出領域に上述の発光素子2が、例えば複数列にわたって載置される。これにより熱伝導性を有する基台3を介して、発光素子2の発熱を外部へと放熱できる。ただし、凹部13の底面領域における基台3の上面は、必ずしも露出される必要はなく、第1の熱硬化性樹脂15によって、基台3の上面の一部乃至全部が被覆されていてもかまわない。つまり基台3の両側に位置する熱硬化性樹脂に架橋して連結できるため、基台3及びリード対6とを強固に一体成形でき、堅牢な第1樹脂成形体11とできる。また、リード間の絶縁性を高められ、装置の短絡を抑制できる。基台3が第1の熱硬化性樹脂15でもって被覆される場合、素子は基台3の直上に在する熱硬化性樹脂15上に載置される。すなわち、素子2は装置のほぼ中央に載置され、熱源となりうる素子2からの発熱が近傍の基台3に伝導され、輻射状に放射でき、発光装置内に熱を均等に分散できる。これにより、各部材の膨張係数の違いにより生じる応力を抑制でき、ひいては装置内にクラックが発生するのを防止できる。
(材質)
第1樹脂成形体11の材質は熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましい。このうち、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂が好ましい。これにより耐熱性、耐光性、密着性、量産性に優れた発光装置とできる。また、熱可塑性樹脂と比して、熱硬化性樹脂を採用することにより、第1樹脂成形体11の劣化を低減することができるため、発光装置の寿命を延ばすことができる。
具体的には、例えば、トリグリシジルイソシアヌレート(化1)、水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテル(化2)他よりなるエポキシ樹脂と、ヘキサヒドロ無水フタル酸(化3)、3−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(化4)、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(化5)他よりなる酸無水物とを、エポキシ樹脂へ当量となるよう溶解混合した無色透明な混合物100重量部へ、硬化促進剤としてDBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0) undecene-7)(化6)を0.5重量部、助触媒としてエチレングリコール(化7)を1重量部、酸化チタン顔料を10重量部、ガラス繊維を50重量部添加し、加熱により部分的に硬化反応させBステージ化した固形状エポキシ樹脂生成物を使用することができる。
上記の熱硬化性樹脂を採用することにより、基台3及びリード4、5との接着性が高まり安定した発光装置とできる。この凹部13内に充填される第2樹脂成形体との密着性に加えて、さらに、耐光性及び耐熱性の向上が実現するため、熱によって両部材の界面域に生じやすいクラックを抑止できる。また、粘性の低い熱硬化性樹脂を使用することにより、保護素子と他の部材で形成される微小な隙間まで樹脂が進行でき、保護素子を第1樹脂成形体11内に安定して埋め込むことができる。また、低粘性のため、凹部13内で接触する各部材への応力を低減でき、これにより、例えばワイヤ7の断線による絶縁を抑止できる。
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(添加材)
第1樹脂成形体11は、発光素子2等の部材を包囲するパッケージとしての機能を有するため、硬質のものが好ましい。また、第1樹脂成形体11は透光性の有無を問わないが、用途等に応じて適宜設計することが可能である。例えば、第1樹脂成形体11に遮光性物質を混合して、第1樹脂成形体11を透過する光を低減することができる。一方、発光装置1からの光が主に前方向及び側方向に均一に出射されるように、フィラーや拡散材を混合しておくこともできる。また、光の吸収を低減するために、暗色系の顔料よりも白色系の顔料を添加しておくこともできる。さらに樹脂の熱応力を緩和させるため、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム及びそれらの複合混合物等の各種フィラーを混入してもよい。このように、第1樹脂成形体11は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、紫外線吸収材、酸化防止材、離型剤よりなる群から選択される少なくとも1種を混合することができる。さらに第1樹脂成形体11に応じて、種々の物質を添加できる。例えば、透光性の高い樹脂を第1樹脂成形体11に用い、さらに蛍光物質を混合できる。これにより発光素子2の側面若しくは底面側に出射された光を蛍光物質が吸収して波長変換して出射するため、発光装置全体として所望の発光色を実現することができる。例えば、出射された光を均一に分散するために、発光素子2の側面若しくは底面側にフィラーや拡散材、反射性物質等を添加しておいてもよい。例えば、発光装置の裏面側から出力される光を低減するために、遮光性樹脂を混合しておいてもよい。特に第1樹脂成形体11はエポキシ樹脂中に酸化チタン及びシリカ、アルミナを混合しているものが好ましい。これにより耐熱性に優れた発光装置とできる。
(リード)
図1〜図4に示す発光装置1では、第1リード4及び第2リード5からなる一組のリード対6が、基台3を基準にして略対称に二組配置されている。第1及び第2リード4、5は、一対の正負の電極である。具体的には、第1リードは陰極又は陽極を指し、第2リードは、第1リードとは異なる導電型、つまり陽極又は陰極を示す。(好ましくは、第1リードが陰極を示し、第2リードが陽極を示す。)リードは外部電極と接続され、これにより発光素子2は電極を供給することが可能となる。
(リードにおける各部位の説明)
リード対6を構成する、互いに異極であり且つ絶縁された第1リード4及び第2リード5は、ほぼ平行に離間して位置している。尚、どちらか一方のリードが基台3と連結していても、発光装置としての機能は果たすが(点灯可能)、素子が載置されている側のリードに熱が局在してしまうため、局部的な高温が装置の低信頼性の引き金となりうる。したがって均一な熱拡散の観点からは、両方のリード4、5が基台3と離間されていることが好ましい。具体的に図1の発光装置1では、両方のリードとも基台3と離間して略対称に配置される。これにより熱源となりうる発光素子2に隣接した基台の熱を均等に分散でき、発光装置内での蓄熱が偏在するのを抑止でき、高効率な放熱が可能となる。また、凹部13の底面領域では基台3、リード4、5の少なくとも一部が外部に露出されてなる。露出された基台3上には複数の発光素子2が載置されており、さらに発光素子2は、第1リード4及び第2リード5において、凹部13の底面領域における露出された接続領域4d、5dと、電気的に接続される。
リード4、5は、接続領域4d、5dと近傍し、且つ、第1の熱硬化性樹脂15に被覆された第1及び第2埋込領域領域4c、5cを有する。この埋込領域4c、5c及び接続領域4d、5dを包括する領域を、便宜上、第1及び第2インナーリード領域4a、5aと呼称するが、両者は同一部材の部位において付した名称であって、個別の部材を称するものではない。さらにインナーリード領域4a、5aから、第1樹脂成形体11の外側方向へと延伸された領域であって、外部に露出された領域をそれぞれ第1及び第2アウターリード領域4b、5bと称する。ただ、リード4、5の裏面側において、露出された領域を第1及び第2アウターリード領域4b、5bと称することもある。
また、裏面側の第1及び第2アウターリード領域4b、5bは、略水平面状に位置しており、外部電極と電気接続することができる。さらに、図3に示すように、少なくとも第1リード4及び第2リード5の裏面側に、樹脂等の電気絶縁性の絶縁部材21を薄くコーティングすることができる。これにより、半田等を介してリード4、5の裏面を他の基体に実装する際において、半田の流れを堰き止め、例えば第1リード4と第2リード5とが短絡するのを防止できる他、実装の安定性が増す。
(リードの材質)
第1リード4及び第2リード5は、鉄、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて構成することができる。また、リードの表面に金属メッキや、放熱部材の装着等の加工を施すことにより、発光素子2からの光の反射性や、放熱効果を助長できることは上述の基台3と同様である。また、第1及び第2リード4、5の表面の反射率をさらに向上させるため、第1及び第2リード4、5の面積を大きくすることができる。これにより発光素子2の温度上昇を効果的に抑制することができ、発光素子2に比較的多くの電気を流すことができる。また、第1及び第2リード4、5を肉厚にすることにより放熱性を向上することができるが、この場合、第1及び第2リード4、5を折り曲げる等の成形加工が困難であるため、所定の大きさに切断するのが好ましい。また、第1及び第2リード4、5を肉厚にすることにより、第1及び第2リード4、5のたわみが少なくなり、発光素子2の実装をし易くすることができる。また、一方で、第1及び第2リード4、5を薄い平板状とすることにより折り曲げ加工が容易となる。
また、接続領域4d、5dは、少なくとも、発光素子2の電極と電気的に接続可能な面積を有していればよいが、反射効率の観点からは広面積の方が好ましい。また、接続領域4d、5dの面積の増減は、接続領域と埋込領域4c、5cとを分域する凹部13内の開口量、すなわち側面13aの配置位置に依存するため、側面13aでの反射率及び導光方向を考慮して決定されるのが好ましい。
光源からの発熱は、その近傍に位置するリードの接続領域へと伝わり、外部へと露出されたアウターリード領域へと熱移動することにより、光源からの発熱を外部へと放熱させることができる。すなわちリードは熱伝達機能を有する。
(放熱部材)
また、図3に示すように、基台3及び/又はリード4、5は、放熱部材20と連結できる。放熱部材20は少なくとも放熱性を有している材料であって、好ましくは放熱性と導電性との双方の機能を有している材料とする。これにより、光源からの発熱を、素子に近接した基台3を経由して放熱部材20へと熱伝導され、外部に放熱可能となる。加えて、発光素子2と導通されるリード4、5の、放熱性及び導電性の両機能を顕著に発揮させることができる。
また、放熱部材20の連結位置としては、基台3及び/又はリード4、5における裏面側が好適である。主面側の、特に凹部13内に配置された場合、これに吸収されてしまい光損失を招いてしまうからである。また、放熱部材20を、基台3及び/又はリード4、5の各部材の裏面側に装着する際の連結位置は、各部材の材質を考慮する必要がある。具体的に、導電性を有する放熱部材20を採用する場合、第1リード4及び第2リード5が電気的に接続されない位置に装着される。なお、このような機能は、必ずしも1種類の材料で発揮するのみならず、2種以上の材料を用いても良い。放熱性材料の指標として、例えば、熱伝導率が10〜500W/m・K程度の材料が上げられる。このような材料としては、金属又は合金、金属ペースト、導電ペースト又は金属薄膜と樹脂との組み合わせ材料等が上げられる。具体的には、半田、アルミニウム、銅、銀、クロム、金等を単独又は組み合わせて含有する金属ペースト、これら金属の単層膜又は積層膜を、基台3またはリード4、5に形成し、この膜内にエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリノルボルネン樹脂、変性シリコーン樹脂、非晶質ポリアミド樹脂、フッ素樹脂等を埋設したもの等が上げられる。
(発光素子群の載置)
実施例1に係る発光装置1においては、第1樹脂成形体11における開口部の底面領域であって、外部に露出した基台3上に、略並列であって且つ複数列に載置された複数の発光素子2が載置されてなる。また、各々の列における発光素子2の搭載個数は、同数が好ましい。これにより、発光装置1全体において、光源がほぼ同じ長さに配置され、すなわち光源を発光装置の中央から略対称に配置できるため、光源からの出射光による色ムラの発生を低減できる。加えて、発熱量を均等に分散し、装置において偏在的に蓄熱されるのを抑制できるため、信頼性の高い高出力な発光装置とできる。なお、搭載される発光素子2が多数になるほど、各列に載置される素子数に多少の差があっても、各列の発熱量の差が相対的に小さくなり、熱の不均一を抑制できる。また、本明細書において「対称」とは、実質上対称であればよく、厳密な対称性のみを意味するものではない。
また、載置される発光素子の出射光における波長は特に制限されず、例えば同類の発光色を有するものでも、異なる発光色を有するものでも良い。例えば、光の三原色である青色系、緑色系、赤色系に発光する発光素子をそれぞれ装着することで、全色を発光可能な発光装置とできる。
図1及び図2に係る発光装置1では、基台3の長手方向において、中央で分断した際の左側領域に、3個の第1発光素子群2cが一列に載置されており、これと平行になるよう右側領域に、3個の第2発光素子群2dが一列に配置されている。また、発光素子2は基台3の上面に直に接触して載置されるのが好ましい。これにより放熱性が高まる。ただ、基台3が第1樹脂成形体11によって被覆されている場合は、基台3の上面に被覆された第1樹脂成形体11上に、発光素子2が載置される。
(電気的接続)
各発光素子群2c、2dは近傍する各々のリード対6と電気的に接続される。すなわち、図1及び図2に図示されるように、第1リード4及び第2リード5からなるリード対6a、6bが、基台3を基準にして左右の両側に離間して配置される。また、基台3の左側に載置される第1発光素子群2cは、近傍に位置する左側のリード対6aと電気的に接続される。これと同様に、右側の第2発光素子群2dは、右側のリード対6bと電気的に接続される。
具体的に、それぞれの発光素子群2c、2dは、第1電極及び第2電極を有しており、各素子同士の同一電極同士はワイヤ7等の伝導部材を介して接続される。さらに発光素子群2c、2dの両端の発光素子において、一端側の発光素子の第1電極と、これに対応する第1リード4の接続領域4dとがワイヤ7等の伝導部材を介して接続される。一方、他端側の発光素子の第2電極と、これに対応する第2リード5の接続領域5dが伝導部材を介して接続される。また、リード対6における外部への露出領域は、半田等の導電部材により外部電極と電気的に接続でき、これにより発光素子2への電力が供給可能となる。
(ワイヤ)
発光素子2の第1電極及び第2電極と、第1リード4及び第2リード5との各々を電気的に接続するワイヤ7は、発光素子2の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性が良いものが好ましい。例えば熱伝導率としては0.01cal/(S)(cm)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(S)(cm)(℃/cm)以上である。部材間のワイヤボンディングは、発光素子の直上から、他の発光素子の電極、或いは第1及び第2リードの接続領域4d、5dまでワイヤを張ることで施され、これにより導通される。
なお、本明細書において、発光素子2の載置面側または接続面側を「上側」或いは「主面側」とする。また位置構成などで言う「上」とは、基体の必ずしも上面に接触して形成される場合に限られず、離間して基体の上方に形成される場合、すなわち基体との間に他の介在物が存在する場合も包含する意味で使用する。また、「上面側」或いは「主面側」と対応する側を、「下面側」或いは「裏面側」とする。
(保護素子)
図1〜図4に係る発光装置1では、保護素子14として規定電圧以上の電圧が印加されると通電状態になるツェナーダイオード(zener diode)14a、或いはパルス性の電圧を吸収するコンデンサ等を有する。ツェナーダイオード14aは、正電極を有するp型半導体領域と、負電極を有するn型半導体領域とを有し、発光素子10のp側電極とn側電極に対して逆並列となるように電気的に接続される。さらに、ツェナーダイオードに設けられた正負両電極は、リード対6を介して外部電極と接続される。これにより、電極間に過大な電圧が印加された場合、その電圧がツェナーダイオードのツェナー電圧を超えると、発光素子2の正負両電極間はツェナー電圧に保持され、このツェナー電圧以上になることはない。したがって、発光素子2間に過大な電圧が印加されるのを防止でき、過大な電圧から発光素子2を保護し、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。ツェナーダイオード14aのサイズは、凹部13の側面内に埋め込み可能であれば特に限定されないが、□280μmサイズの他、□300μmサイズ等の保護素子を使用することができる。また、保護素子の一部が樹脂の外に露出されていてもかまわないが、少なくとも凹部13の開口側には露出しないよう樹脂によって完全に被覆されるのが好ましい。これにより光源からの出射光が保護素子に反射・吸収されるのを抑制し、光取り出し効率を向上させることができる。
(第2樹脂成形体)
第1樹脂成形体11の凹部13における開口部に、第1樹脂形成体11の少なくとも一部に接するよう、第2の熱硬化性樹脂16が充填され、第2樹脂成形体12が形成される。換言すれば、凹部13内の底面領域に載置された発光素子2は、第2の熱硬化性樹脂16によって被覆され、第2樹脂成形体12内に埋め込まれる。つまり、第2の熱硬化性樹脂16は、外部環境からの外力や埃、水分などから発光素子2を保護する役割を担う。したがって硬質で堅牢のものが好ましい。第2の樹脂成形体12は、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、耐光性に優れた装置とできる。また、熱硬化性樹脂は、可能な限り、分子内に芳香族成分を有しないものが好ましい。これにより耐熱性、耐光性等に優れた表面実装型発光装置を提供することができる。
(形状)
また、第2樹脂成形体の発光面側を所望の形状にすることによってレンズ効果を持たせることができ、発光素子からの発光を集束させることができる。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合わせた形状にすることができる。
(添加材)
さらに、第2樹脂成形体12に種々の機能を持たせるため、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収材、酸化防止材よりなる群から選択される少なくとも1種を混合することができる。その他、種々の物質を添加できる。これにより、発光装置1からの出射光を色ムラの低減された所望の色調とすることができる。例えば拡散材としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化珪素、重質炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム、銀、および、これらを少なくとも一種以上含む混合物等を挙げることができる。これによって良好な指向特性を有する発光装置が得られる。また、所望外の波長をカット可能なフィルター効果を有するフィルター材として、有機・無機の着色染料や着色顔料を添加させることもできる。
また、発光素子2からの光を吸収し、波長変換する蛍光物質を含有させることもできる。これにより、発光素子から射出される発光色と異なる発光色を実現できる。例えば、青色に発光する発光素子と、黄色に発光する蛍光物質とを用いることにより、白色光を実現することができる。また、蛍光物質は、第2樹脂成形体12中に均一に分散されている。ただ、蛍光体は、一層からなる発光層中に二種類以上存在してもよいし、二層からなる発光層中にそれぞれ一種類あるいは二種類以上存在してもよい。また、蛍光体は各層において均一に分散させることが好ましい。これによって、波長変換物質の部位によらず均一に波長変換を行い、ムラのない均一な混色光を得ることができる。一方で、蛍光物質は第2樹脂成形体12よりも比重の大きいものを使用することにより凹部13内の底面側、すなわち発光素子2の近傍に沈降させることもできる。これにより光源からの出射光を効率良く変換でき、さらに波長変換量が安定した色ムラの少ない発光装置とできる。また、発光素子2近傍には低密度に配置し、出射光側に蛍光物質が多く含まれるよう偏在させることも可能である。発光素子2と蛍光物質とを離間させることにより、発光素子2で発生した熱や高密度な光エネルギーを蛍光物質に伝達し難くして、蛍光物質の劣化を抑制できる。
さらに、蛍光物質の他にフィラーを含有させてもよい。具体的な材料としては、拡散剤と同様のものが使用できる。ただ、拡散剤とフィラーとは中心粒径が異なり、本明細書においてはフィラーの中心粒径は0.1μm以上100μm以下とすることが好ましい。このような粒径のフィラーを第2樹脂成形体12中に含有させると、光散乱作用により発光装置の色度バラツキが改善される他、第2樹脂成形体12の耐熱衝撃性を高めることができる。これにより、高温下での使用においても、発光素子と外部電極とを電気的に接続しているワイヤの断線や発光素子2底面と基台3上面との剥離等を防止可能な信頼性の高い発光装置とできる。さらには樹脂の流動性を長時間一定に調整することが可能となり、所望とする場所内に第2樹脂成形体12を形成することができ、歩留まり良く量産することが可能となる。
また第2樹脂成形体12は、接着性を有していることが好ましい。これにより、発光素子2との固着性を高めることができる。接着性は、常温で接着性を示すものだけでなく、第2樹脂成形体12に所定の熱と圧力を加えることにより接着するものも含む。また第2樹脂成形体12の、固着強度を高めるために、温度や圧力を加える他、乾燥させることもできる。
(蛍光物質)
蛍光物質は、発光素子2からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。
また、発光装置において、蛍光物質は、2種類以上の蛍光体を混合させてもよい。即ち、Al、Ga、Y、La、Lu及びGdやSmの含有量が異なる2種類以上の(Re1-xSmx3(Al1-yGay512:Ce蛍光体を混合させて、RGBの波長成分を増やすことができる。また、黄〜赤色発光を有する窒化物蛍光体等を用いて赤味成分を増し、平均演色評価数Raの高い照明や電球色LED等を実現することもできる。具体的には、発光素子の発光波長に合わせてCIEの色度図上の色度点の異なる蛍光体の量を調整し含有させることでその蛍光体間と発光素子で結ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、MSi:Eu、CaAlSiN:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。また、MSi:EuのほかMSi10:Eu、M1.8Si0.2:Eu、M0.9Si0.110:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活されるサイアロン系蛍光体は、Mp/2Si12−p−qAlp+q16−p:Ce、M−Al−Si−O−N(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。qは0〜2.5、pは1.5〜3である。)などがある。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M(POX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、MX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl:R、SrAl1425:R、CaAl:R、BaMgAl1627:R、BaMgAl1612:R、BaMgAl1017:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、LaS:Eu、YS:Eu、GdS:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、YAl12:Ce、(Y0.8Gd0.2Al12:Ce、Y(Al0.8Ga0.212:Ce、(Y,Gd)(Al,Ga)12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTbAl12:Ce、LuAl12:Ceなどもある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、ZnGeO:Mn、MGa:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光体は、発光素子2の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体を種々組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する発光装置を製造することができる。
例えば、青色に発光するGaN系化合物半導体を用いて、YAl12:Ce若しくは(Y0.8Gd0.2Al12:Ceの蛍光物質に照射し、波長変換を行う。発光素子2からの光と、蛍光体からの光との混合色により白色に発光する発光装置を提供することができる。
例えば、緑色から黄色に発光するCaSi:Eu又はSrSi:Euと、蛍光体である青色に発光する(Sr,Ca)(POCl:Eu、赤色に発光するCaSi:Eu又はCaAlSiN:Euと、からなる蛍光体80を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する発光装置を提供することができる。これは、色の三源色である赤・青・緑を使用しているため、第1の蛍光体及び第2の蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。
(発光素子)
本発明の発光装置における発光素子は、当該分野で公知の方法及び構造を有して作製されるいかなる半導体発光素子であってもよく、通常、基板上に半導体層が積層されて構成される。
具体的には、発光素子は、成長基板上に半導体層をエピタキシャル成長させた半導体発光素子が好適に利用できる。成長基板としてはサファイアが挙げられるが、これに限定されず例えばスピネル、SiC、GaN、GaAs等、公知の部材を用いることができる。また、サファイアのような絶縁性基板でなく、SiC、GaN、GaAs等の導電性基板を用いることにより、p電極及びn電極を対向して配置させることもできる。
発光素子は、BN、SiC、ZnSeやGaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN、BAlGaN、BInAlGaN等種々の材料を有する。同様に、これらの元素に不純物元素としてSiやZn等を含有させ発光中心とすることもできる。なかでも、蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(例えば、AlやGaを含む窒化物半導体、InやGaを含む窒化物半導体としてInXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)等が好適に利用できる。また、この窒化物半導体には、任意に、BやP、Asを混晶してもよい。また、半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合等を有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが好適に挙げられる。また、半導体層の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。さらに、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることで、より出力を向上させることもできる。また、発光素子2は、紫外線領域から可視光領域までの光を発することができる。特に350nm〜550nm近傍に発光ピーク波長を有する発光素子を使用し、蛍光物質を効率よく励起可能な発光波長を有する光を発光できる発光層を有することが好ましい。ここでは発光素子として窒化物半導体発光素子を例にとって説明するが、これに限定されるものではない。
窒化物半導体を使用する場合、発光素子を形成するための基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO及びGaN等の材料が挙げられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。なお、サファイア基板上には、GaN、AlN、GaAlN等のバッファ層が形成されていてもよい。このサファイア基板上にMOCVD法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。
尚、発光装置内において、載置される上記発光素子の個数は特に限定されない。また、複数搭載される場合の、種々の色調を有する素子の組み合わせも特に限定されない。例えば、緑色系に発光可能な発光素子が2個、青色系及び赤色系に発光可能な発光素子が1個ずつ搭載された発光装置1では、それらの混色により白色を表示できる。さらに、表示装置用のフルカラー発光装置として複数の素子を搭載する場合、赤色系の発光波長が610nmから700nm、緑色系の発光波長が495nmから565nm、青色系の発光波長が430nmから490nmである発光素子を採用することが好ましい。本発明の発光装置において、白色系の混色光を発光させる場合、同時に載置される蛍光物質からの発光波長との補色関係や透光性樹脂の劣化等を考慮して発光素子の発光波長は400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましい。発光素子と蛍光物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるためには、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。尚、紫外線に耐性のある部材との組み合わせにより、400nmより短い紫外線領域或いは可視光の短波長領域を主発光波長とする発光素子を用いることもできる。また、発光素子2の大きさは□320μm、□600μm、□1mm等が挙げれる。
(発光装置の製造方法)
図5〜図13を用いて、以下に発光装置1の製造方法の一例を説明する。まず、製造後に得られる発光装置1(図1参照)において、上述したように、基台3と電気的に分離された二組のリード対6は、基台3を中心とした両側領域に離間されて配置されている。このように基台3及びリード対6を配置するため、図5に示すように、導電性部材からなるリード板8上に、基台3及びリード対6の適切な配置位置が設計されたパターンに準じて、打抜加工等が施される。また、図5の破線領域は、一の発光装置1に対応する基台3及びリード対6のパターン9である。パターン9は、リード板8上にマトリックス状に複数配置されており、各部材は、アウターリード領域4b、5b及び基台3から延伸されたリード連結部10を介して枝状に連結されている。すなわち、リード板8に対して、下記の工程を同時に進めていくことで、複数の発光装置1が一度に製作され、最終的にリード連結部10を切断することで個々の発光装置1に分離される。図6〜図16は、一の発光装置1の概略断面図であり、これを用いて各工程を説明する。
図6に示すように、第1リード4及び第2リードからなるリード対6は、基台3を中心として、その両側領域に離間されて配置されている。第1リード4及び第2リード5の略中央域には埋込領域4c、5cが位置している。図7に示すように、いずれか一方のリード上の埋込領域4c、5c上に、保護素子14が載置される。実施例1では第2リード5の埋込領域5c上に保護素子14であるチェナーダイオード14aが装着されている。チェナーダイオード14aは、載置されたリードと異極のリードにおける埋込領域4cと、ワイヤ7等の導電部材でもってワイヤボンディングされることにより電気的に導通される。さらに、図8に示す上金型31及び下金型32でもって、リード対6の上下面を挟み込む。図9は、上下の金型31、32によって基台3及びリード対6が接触された状態を示す。
具体的に上金型31は、発光装置1の凹部13(図1参照)の形状に相当する凹凸が形成されており、且つ、少なくともリード対6において、略両端領域に位置された接続領域4d、5dと、第1アウターリード領域4b及び第2アウターリード領域5bと、の上面に接するよう形成されてなる。さらに、下金型32は上金型31と対向可能であり、且つ第1リード4及び第2リード5の下面の少なくとも一部と接するよう形成されてなる。下金型32との接触域は、少なくともリード対6の下面の一部、及び基台3の下面の一部を含む。
また、チェナーダイオード14a及び、これと接続される導電部材が装着される埋込領域4c、5cは、凹部13の側面を形成する上金型31の凹み領域33に位置しており、したがって上金型31における凹み領域33はリード対6と接触しない。さらに、図9に示すように、上金型31及び下金型32でもってリード対6の上下面を挟み込む(第1の工程)。第1の工程において、チェナーダイオード14aは金型31、32の凹み領域33内に配置されている。
この凹み領域33に第1の熱硬化性樹脂15をトランスファーモールドにより流し込む(第2の工程)。ここで、トランスファーモールドとは、非難燃性樹脂等の熱硬化性材料を加熱ポット内で軟化してから、この熱硬化性材料を加熱金型のキャビティの中に送り込み硬化させる熱硬化性樹脂成形法である。具体的には、所定の大きさを有するペレット状の第1の熱硬化性樹脂を加熱ポット(図示せず)に挿入し、100〜220℃の金型温度の条件で封止用タブレットを溶融し、1〜50MPaの圧をかける。これにより、図10に示すように、容器から繋がる上金型31及び下金型32からなる凹み領域33に、第1の熱硬化性樹脂15が流し込まれ、チェナーダイオード14aを被覆する。さらに、樹脂内にチェナーダイオード14aを埋め込んだ状態で、5〜600秒間加圧し第1の熱硬化性樹脂15を熱硬化させる(第3の工程)。金型を開くことにより、図11に示すように、基台3及びリード対6が一体に成形され、側面を有する凹部13が形成された第1樹脂成形体11が取り出される(第4の工程)。尚、第1樹脂成形体11の硬化を一層強固にする場合には後硬化を行い、これにより樹脂成形体11の機械強度を向上させることができる。また、凹部13の側面の内部にはチェナーダイオード14aが埋め込まれおり、第1樹脂成形体11は、熱硬化性樹脂により成形されているため、耐熱性、耐光性、密着性に優れたパッケージを提供することができる。
また図12に示すように、複数の発光素子2を基台3上に載置させ、発光素子2が持つ第1電極及び第2電極と、第1リード4及び第2リード5の接続領域4d、5d(図1参照)とを、ワイヤ7等の導電部材でもって各々電気的に接続させる(第5の工程)。
さらに図13に示すように、発光素子2が載置された凹部13の開口部内に第2の熱硬化性樹脂16を充填することにより、発光素子2を樹脂で被覆する(第6の工程)。第2の熱硬化性樹脂16は、滴下手段や射出手段、押出手段、トランスファーモールドなどを用いて凹部13内に載置されるが、滴下手段が好ましい。これにより、凹部13内に残存する空気を効果的に排出できるためである。さらに、第2の熱硬化性樹脂16は、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質17、反射性物質、紫外線吸収材、酸化防止材よりなる群から選択される少なくとも1種が含有されている。これにより発光装置からの出射光を色ムラの低減された所望の色調とすることができる。また、第2の熱硬化性樹脂16は加熱して硬化され、第2樹脂成形体12が形成される(第7の工程)。第1樹脂成形体11及び第2樹脂成形体12は両者とも熱硬化性樹脂で成形されるため、耐熱性及び耐光性に優れた発光装置とでき、ひいては発光素子からの光照射による樹脂成形体11、12の劣化を回避できる。また、密着性が高まるため、両者の界面での剥離を低減して、装置の信頼性が向上する。加えて、リードを折曲させて曲部を設ける、或いは、凹部13の側面に凹凸部を形成することで、第1樹脂成形体11及び第2樹脂成形体12との接着面積を増大させ、一層の密着性を高めることができる。尚、リードの折曲加工は、リード連結部の分離前後の適切な工程で適宜施される。
また、上下の金型31、32とリード対6とでもって構成される凹み部分は、樹脂による成形体の外側形状と一致している。一方、金型31、32とリード対6との接触領域は、樹脂が流れ込まれないため、樹脂成形体の形成後においては、リードの露出領域となる。したがって、上下金型31を所望の形状とすることにより、これに対応した第1樹脂成形体11の成形が可能となる。これによりリード対6及び基台3の露出領域或いは樹脂埋込領域を適宜設計できる。例えば図9における上金型31は、基台3との接触領域を有しているため樹脂成形体後に、この領域は外部に露出される。同様に、下金型32の上面は、リード対6の下面と略平行な水平面を有しており、リード対6及び基台3の底面と接触することによって、形成後に外部へ露出される。
さらに、第2樹脂成形体12が形成される第7の工程がトランスファーモールドにより行われる際の製造方法を図14〜図16を用いて説明する。図14は、図5〜図12で示したように、上記の第1乃至第6の工程をふまえて成形された第1樹脂成形体11と、これに載置された発光素子2に、上金型41及び下金型42が狭着された際の概略断面図である。具体的に、上金型41は、凹部13内に形成される第2樹脂成形体12の、例えば半球状など、所望の発光面形状に対応しており、下金型42は、第1樹脂成形体11の裏面側の形状に対応している。続いて、図15に示すように、金型内に第2の熱硬化性樹脂16をトランスファーモールドによって流し込む。さらに、これを加熱して硬化させ、第2の樹脂成形体16を成形した後、上金型41及び下金型42を取り外す。これにより、図16に示すように、種々の形状を有する第2樹脂成形体12を形成することができる。尚、第2の熱硬化性樹脂16内に添加材を混合させることができるのは上記と同様であるため説明を省略する。また、リードの折曲加工及び分離加工も同様とする。
また、放熱部材20を発光装置と一体に装着させる際の、製造方法を図17を用いて説明する。図17は、上記の第1の工程を経た状態であって、基台3及びリード4、5の裏面の少なくとも一部に放熱部材20が接している。また、第1樹脂成形体11を成形する上金型51は、図8の上金型31と同様の形状をなしている。一方、下金型52においては、図17に示すように第1の熱硬化性樹脂15が放熱部材20の外面を被覆可能な形状に形成されている。金型内に第1の熱硬化性樹脂15をトランスファーモールドにより充填することにより、放熱部材20が第1の樹脂成形体11に組み込まれ一体的に成形された構成とできる。一例として図18に発光装置1kを示す。放熱部材20が一体的に樹脂内に成形されることで、第1樹脂成形体11を成形後に、放熱部材20を別部材として装着する場合と比して、両者の接合性を考慮する必要がなく、実装状態の安定性が増す。また、放熱部材20と第1樹脂成形体11の裏面側とはほぼ水平にすることができ、さらに安定性が向上する。尚、放熱部材20は第1の樹脂成形体11よりも熱伝導性のものであれば材質は特に限定されない。また、電気絶縁性の部材を用いることで、放熱部材20が基台3及び第1リード4、第2リード5にまたがる程度の広面積とできるため、さらなる放熱効果を向上できる。
また、上記の製造方法であれば、上金型31及び下金型32によってリード対6を密接に挟み込み、金型とリードとを隙間なく狭着させるため、第1の熱硬化性樹脂が両者間に浸透することがない。したがって、樹脂成形体11においてバリの発生を抑制でき、短絡等を低減させた信頼性の高い発光装置1kとできる。さらに、電極との接続領域のみを露出させ、他の部分は銀、金、パラジウム、ロジウム等の貴金属めっきを施すことが好ましい。これにより金属の腐食を防止できる。ただし、光の反射効率を向上させるため接続部位以外の部分が露出していてもよい。
以上の構成を採ることにより、本発明に係る発光装置を提供することができる。
(発光装置の実装状態)
上記の発光装置1kを用いて、外部電極と電気的に接続した実装形態を図19に示す。第1リード4の第1アウターリード領域4b及び第2リード5の第2アウターリード領域5bと、外部電極18とが電気的に接続され、発光素子2への電力供給が可能となる実装形態であれば、接続方法は特に限定されない。例えば、図19に示すように、第1及び第2リード4、5が肉厚の平板である場合は、発光装置1を、外部電極18と放熱部材20とで挟み込むように電気的に接続すれば、安定した実装となる。この他、外部電極18に第1アウターリード領域4bを載置するように、リード5bの底面側と外部電極18を電気的接続することもできる。また、電気的接続には鉛フリー半田を用いるのが好ましい。
さらに、図19に示すように、発光装置1の裏面側に放熱接着材22を介して放熱部材20を設けることもできる。この放熱接着材22は、第1樹脂成形体11の材質よりも熱伝導性が高いものが好ましい。具体的には、電気絶縁性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、放熱部材20の材質に、導電性の良好なアルミ、銅、タングステン、金等を採用することも可能である。この場合、外部電極から発光素子2への電力供給経路としても併用できるが、導電性の放熱部材20と各部材への電気的接続により生じる短絡を考慮して、放熱部材20の装着位置を決定するのが好ましい。さらに、基台3のみに接触するように放熱接着材22を介して放熱部材20を設けることもできる。これにより、放熱接着材22として更に熱伝導性の良い半田を含む共晶金属を用いることができ、熱源となりうる発光素子2が載置された基台3を最短に、且つ集中的に放熱可能とできるため、一層の放熱効果を得ることができる。
実施例2に係る発光装置1bの概略平面図を図20に示す。尚、実施例1に係る発光装置1と同様な構成を採る部分については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。実施例2の発光装置1bは、実施例1の発光装置1と比較して、第1リード及び第2リード、基台の形状が異なる。具体的に、図20に図示される発光装置1bの、第1リード54及び第2リード55は、主面側から平面視した場合、リード54、55の延伸方向と垂直な方向(図20の上下方向)において、その一部の幅が狭くなっており、すなわち凹凸形状に成形されてなる。また、同様に、基台53においても、その幅が一定ではない。これにより、第1の熱硬化性樹脂15と、基台53或いは第1リード54及び第2リード55との接触面積が大きくなり密着性が高まる。ひいては各部材の剥離が低減され、堅牢な第1樹脂成形体11とできる。尚、リードの表面積を拡大する目的で形成される凹凸は、その形成位置、形成方向、形状は特に限定されず、例えば発光装置1bの厚さ方向に、リード54、55を折曲することで、段差を設けたものでもかまわない。
また、図21に図示される発光装置1cは、第1及び第2リード64、65の形状が、図20に係る発光装置1bのそれらと異なる。具体的に、図21の第1リード64及び第2リード65は、略T字形状をなしており、すなわち、中央部から3つに分岐され、その端部領域は外部に露出されてなる。例えば、図示されるように第1リード64は、略矩形の発光装置1cを構成する隣接した2辺から、外側に露出したアウターリード領域64b、64eを有する。同様に、第2リード65も隅部から、2方向へと外側に延伸されたアウターリード領域65b、65eを有する。また、基台63は、一端のみ外部に露出されているが、これに限らず図20と同様に、両端を外部に露出させる構造としてもよい。すなわち、リード及び基台の形状を種々のものにすることにより、それらの外部への露出面積や、露出方向を自由に決定することができる。これにより、第1の熱硬化性樹脂15との密着性の向上に加えて、露出領域の増加による放熱性効果が顕著となる。また、発光装置1cを構成する4辺の全てからリードが延伸されているため、実装状態が安定する他、別の基体との連結時に、その装着方向を選ばないため、実装の自由度が高まる。
実施例3に係る発光装置1dの概略断面図を図22に示す。尚、実施例1に係る発光装置1と同様な構成を採る部分については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。発光装置1dは、基台73、第1リード74、第2リード75が厚さ方向において薄肉であり、したがって、第1樹脂成形体11も平板状に形成されている。これにより発光装置1dを小型化或いは薄型化にできる。第1の熱硬化性樹脂15を流し込むトランスファーモールドにおいて、上金型と下金型とで第1リード74及び第2リード75を挟み込むため、たとえ薄型のリード74、75であっても、密着性よく狭着できるため、所望しないリード上に樹脂が進行するのを抑止でき、樹脂成形体11においてバリを生じることがない。
また、薄型の第1及び第2リード74、75は、容易に折曲加工することができる。例えば図23に示す発光装置1eでは、第1及び第2リード74、75の外部への露出領域である第1及び第2リードのアウターリード領域74b、75bを、主面側に略直角に折り曲げ、発光装置1eの外側側面に沿うように形成される。これにより発光装置1eを、別の基体に実装する際に、第1及び第2リードのアウターリード領域74b、75bに装着される半田が這い上がり、両者を強固に固着することができる。
さらに、図24に図示される発光装置1fでは、図23に係る発光装置1eの第1及び第2リードのアウターリード領域74b、75bにおいて、その端領域を発光装置の外側方向にさらに折曲してなる。これにより、放熱部材20と外部電極18とで発光装置1fを挟み込めるため実装しやすくなり、装置の安定性が高まる。尚、便宜上、折曲起点から端部までの領域を折曲領域19と呼称する。図24の発光装置1fにおいて、外側方向への折曲起点は特に限定されないが、例えば図25に示すように、発光装置1fの上面から、外部電極18の厚み分だけ下がった位置で折曲することにより、折曲領域19上に装着された外部電極18の上面と、発光装置1fの上面に位置する発光面23とを略水平とすることができる。これにより、第1及び第2リード74、75において、放熱部材20との固着位置よりも、外部電極18との接続位置を高くすることができる。したがって実装基板上より発光面23を除く発光装置の全体を隠すことができるため、実装基板そのものを効率良く反射材として利用することができる。
また、実施例4に係る発光装置1gの概略平面図を図26に、概略断面図を図27に示す。尚、実施例1に係る発光装置1と同様な構成を採る部分については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。図26及び図27の発光装置1gは、基台83、第1リード84、第2リード85は第1樹脂成形体11の外方側へ突出しておらず、第1樹脂成形体11内に被覆され埋め込まれている。これにより発光装置1gの小型化が実現できる。また、図27に示すように、第1及び第2リード84、85の裏面側の少なくとも一部は露出しており、この露出領域でもって導通を取ることが可能であるのは実施例1と同様である。さらに、基台83、第1リード84、第2リード85は、光主面側から平面視した際の形状を略矩形状とできる他、実施例2と同様に凹凸を設けた形状や3次元構造とすることもできる。さらに、図27の発光装置1gにおいて、基台83、第1リード84、第2リード85は、その厚み方向において厚肉のものを用いたが、薄肉の平板状のものを用いることができ、リードを折曲加工できるのは実施例2と同様である。
また、実施例1では基台2、第1リード4、第2リード5の厚みをほぼ同一とし、それらの上面及び裏面を略水平に構成したが、各部材の厚みに変化を持たせてもよい。一例として実施例5に係る発光装置1hの概略断面図を図28に示す。発光装置1hにおいて、基台93の上面は、第1及び第2リード94、95の上面と略水平に位置する。一方、基台93の裏面は、第1及び第2リード94、95の裏面よりも発光装置の外側方向(図28における下側方向)に突出して構成される。これにより、他の基体への組み込みが容易になる場合がある他、基台93の外部への露出面積が増大し、放熱効果を高めることができる。特に、基台93上には熱源となりうる発光素子2が載置されるため、素子の直下に位置する基台93の高い冷却効果を達成することで、素子への投入電力量を増大させることができる。
また、図28に示すように、基台93の断面形状は矩形の他、略Y字状とすることもできる。すなわち、基台93において、発光素子2を載置する上面側から下方側にしたがって、幅狭になるよう形成すれば、基台93における素子の搭載面積に変化はないため、搭載可能な発光素子の個数を低減することなく、基台93の下方側の幅の減少量に応じて、装置全体のサイズの小型化が実現できる。ただ、図28に示すように、外側に突出した領域では、幅を一定あるいは下方にしたがって幅広になるよう延伸することで、外部への露出面積を稼ぐのが好ましい。これにより、発光装置1hの小型化を実現しつつ、放熱効果を高めることができる。また、幅が不連続な基台93において、これと対向する第1及び第2リード94、95の形状は、基台93と絶縁状態にあれば特に限定されないが、例えば図28に示すように、基台3と略平行に離間されるよう基台3の形状に相当した側面とすることもできる。
同様に、第1及び第2リード114、115においても、種々の形状をとることができる。図29に図示された発光装置1iにおいて、第1リード114及び第2リード115は、光取り出し面側より平面視した場合の、第1樹脂成形体11の内側から外側方向、すなわち外部に露出された第1及び第2アウターリード領域114b、115bにかけて幅広になる構造を有する。これにより発光装置の半田実装時におけるセルフアライメント性を向上させることができる。
また、図28のように、基台93が下方側に突出した構造を有する発光装置において、さらに第1及び第2リードを折曲加工した発光装置1jを図30に示す。尚、実施例1または実施例5に係る発光装置1と同様な構成を採る部分については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。図30に示すように、第1及び第2リード124、125におけるアウターリード領域124b、125bは、第1樹脂成形体11の外側に突出しており、この突出したアウターリード領域124b、125bを発光装置1jの底面側へと折り返すように、略2つ折りに折り畳んでなる。これにより電気的接続部分を光面積にすることができる。また、第1及び第2リード124、125において、所定の折り曲げ位置に切り込みを設けることで、折曲加工を容易にすることもできる。
さらに、第1及び第2リード124、125は、基台123の下方側へ突出した高さ内に収まるよう折り畳まれており、リード124、125の折曲部における最低面と、基台123の底面とはほぼ水平に位置する(図30における破線)。これにより、発光装置1jを実装する際、リード124、125及び基台123の底面と、他の基体とが複数箇所でもって接着可能となるため、両者の接着領域を増大させることができ、実装の安定性が向上する。
本発明の樹脂成形体及び樹脂成形体を備える発光装置は、照明器具、ディスプレイ、携帯電話のバックライト、カメラのフラッシュライト、動画照明補助光源、その他の一般的民生用光源に好適に利用できる。
実施例1に係る発光装置の概略斜視図である。 実施例1に係る発光装置の概略平面図である。 実施例1に係る発光装置の概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の概略底面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略平面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る別の発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る別の発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る別の発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る別の発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。 実施例1に係る別の発光装置の概略断面図である。 実施例1に係る発光装置の実装形態を示す概略断面図である。 実施例2に係る発光装置の概略平面図である。 実施例2に係る別の発光装置の概略平面図である。 実施例3に係る発光装置の概略断面図である。 実施例3に係る別の発光装置の概略断面図である。 実施例3に係るさらに別の発光装置の概略断面図である。 実施例3に係るさらに別の発光装置の実装形態を示す概略断面図である。 実施例4に係る発光装置の概略平面図である。 実施例4に係る発光装置の概略断面図である。 実施例5に係る発光装置の概略断面図である。 実施例5に係る別の発光装置の概略平面図である。 実施例6に係る発光装置の概略断面図である。 従来の発光装置の断面図である。 図31のXXXII−XXXII’線における断面図である。 図31のXXXIII−XXXIII’線における断面図である。
符号の説明
1、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i、1j、1k…発光装置
2…発光素子
2a、2b…発光素子群
2c…第1発光素子群
2d…第2発光素子群
3…基台
4…第1リード
4a…第1インナーリード領域
4b…第1アウターリード領域
4c…第1リード埋込領域
4d…接続領域
5…第2リード
5a…第2インナーリード領域
5b…第2アウターリード領域
5c…第2リード埋込領域
5d…接続領域
6、6a、6b…リード対
7…ワイヤ
8…リード板
9…パターン
10…リード連結部
11…第1樹脂成形体
12…第2樹脂成形体
13…凹部
13a…凹部の側面
14…保護素子
14a…チェナーダイオード
15…第1の熱硬化性樹脂
16…第2の熱硬化性樹脂
17…蛍光物質
18…外部電極
19…折曲領域
20…放熱部材
21…絶縁部材
22…放熱接着材
23…発光面
31、41、51…上金型
32、42、52…下金型
33…凹み領域
53、63、73、83、93、123…基台
54、64、74、84、94、114、124…第1リード
55、65、75、85、95、115、125…第2リード
64b、64e、74b、114b、124b…第1リードのアウターリード領域
65b、65e、75b、115b、125b…第2リードのアウターリード領域
100…発光装置
101…陰極リード
102…陽極リード
103…リードフレーム
104…半導体発光素子
105…静電放電衝撃保護素子
106…凹部

Claims (26)

  1. 複数の発光素子(2)と、
    前記発光素子(2)が載置される基台(3)と、
    前記発光素子(2)と電気的に接続される複数の第1リード(4)及び第2リード(5)と、
    前記基台(3)と前記第1リード(4)及び第2リード(5)の少なくとも一部を樹脂で被覆することにより一体成形してなる第1樹脂成形体(11)と、
    前記第1樹脂形成体(11)の少なくとも一部に接して、前記発光素子(2)を被覆する第2樹脂成形体(12)と、を有する発光装置であって、
    前記第1樹脂成形体(11)と第2樹脂成形体(12)とは熱硬化性樹脂であり、
    前記第1樹脂成形体(11)には、前記基台(3)における前記発光素子(2)の載置面側に、側面を有する上部に開口した凹部(13)が形成されており、
    前記凹部(13)の底面領域において、前記第1リード(4)及び第2リード(5)の一部が露出されており、
    前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)からなる一組のリード対が、前記基台(3)を基準にして略対称に複数組配置されていることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置であって、
    前記発光素子(2)は、第1電極及び第2電極を有しており、
    前記第1リード(4)は、前記凹部(13)の底面領域における露出された領域であって且つ前記発光素子(2)の第1電極と電気的に接続される接続領域(4d)と、前記第1樹脂成形体(11)に被覆される第1リード埋込領域(4c)と、を含む第1インナーリード領域(4a)と、前記第1インナーリード領域(4a)から前記第1樹脂成形体(11)の外側方向へと延伸された領域であって、前記第1樹脂成形体(11)の外部に露出された第1アウターリード領域(4b)と、を備えており、
    前記第2リード(5)は、前記凹部(13)の底面領域における露出された領域であって且つ前記発光素子(2)の第2電極と電気的に接続される接続領域(5d)と、前記第1樹脂成形体(11)に被覆される第2リード埋込領域(5c)と、を含む第2インナーリード領域(5a)と、前記第2インナーリード領域(5a)から前記第1樹脂成形体(11)の外側方向へと延伸された領域であって、前記第1樹脂成形体(11)の外部に露出された第2アウターリード領域(5b)と、を備えていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1又は2に記載の発光装置であって、
    前記第1樹脂成形体(11)の凹部(13)における底面領域には、前記基台(3)の少なくとも一部が露出されており、前記基台(3)の露出領域に前記発光素子(2)が載置されていることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記基台(3)と、前記第1リード(4)及び第2リード(5)の接続領域(4d,5d)とは離間して絶縁されていることを特徴とする発光装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記基台(3)において、前記発光素子(2)が載置されている載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、前記第1樹脂成形体(11)から露出されていることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)において、前記発光素子(2)と電気的に接続されている載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、前記第1樹脂成形体(11)より露出されていることを特徴とする発光装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記基台(3)における前記発光素子(2)が載置されている載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、前記第1樹脂成形体(11)から露出されており、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)における前記発光素子(2)と電気的に接続されている載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、前記第1樹脂成形体(11)から露出されており、
    前記基台(3)、前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)の前記裏面側における、少なくとも2つの露出領域が、略同一平面上に位置することを特徴とする発光装置。
  8. 請求項1乃至7のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記基台(3)における前記発光素子(2)が載置されている載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、前記第1樹脂成形体(11)から露出されており、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)における前記発光素子(2)と電気的に接続されている載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、前記第1樹脂成形体(11)から露出されており、
    前記基台(3)、前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)の前記裏面側における、少なくとも一部の露出領域に、熱伝導性を有する放熱部材(20)が連結されていることを特徴とする発光装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記第1樹脂成形体(11)は、トランスファーモールドにより成形されていることを特徴とする発光装置。
  10. 請求項1乃至9のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記第1樹脂成形体(11)は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種により形成されてなることを特徴とする発光装置。
  11. 請求項1乃至10のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記第1樹脂成形体(11)は、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、紫外線吸収材、酸化防止材、離型剤よりなる群から選択される少なくとも1種が含有されていることを特徴とする発光装置。
  12. 請求項1乃至11のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記第2樹脂成形体(12)は、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収材、酸化防止材よりなる群から選択される少なくとも1種が含有されていることを特徴とする発光装置。
  13. 請求項1乃至12のいずれか一に記載の発光装置であって、
    前記第1リード(4)又は第2リード(5)に保護素子(14)が載置されており、
    前記保護素子(14)は前記第1樹脂成形体(11)により被覆されていることを特徴とする発光装置。
  14. 基台(3)と、
    前記基台(3)に発光素子(2)を載置した場合に該発光素子(2)と電気的に接続される、複数の第1リード(4)及び第2リード(5)と、
    前記基台(3)及び第1リード(4)、第2リード(5)の少なくとも一部を被覆して一体形成してなる第1樹脂成形体(11)と、を備える樹脂成形体であって、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)からなる一対のリードが、前記基台(3)を基準にして略対称に2組備えられており、
    前記基台(3)において、前記発光素子(2)が載置可能な載置面側には、側面を有する上部に開口した凹部(13)が形成されており、
    前記凹部(13)の底面領域において、前記第1リード(4)及び第2リード(5)の一部が露出されており、
    前記第1リード(4)は、前記凹部(13)の底面領域における露出された領域であって且つ前記発光素子(2)と電気的に接続できる接続領域(4d)と、前記第1樹脂成形体(11)に被覆される第1リード埋込領域(4c)と、を含む第1インナーリード領域(4a)と、前記第1インナーリード領域(4a)から前記第1樹脂成形体(11)の外側方向へと延伸された領域であって、前記第1樹脂成形体(11)の外部に露出された第1アウターリード領域(4b)と、を備えており、
    前記第2リード(5)は、前記凹部(13)の底面領域における露出された領域であって且つ前記発光素子(2)と電気的に接続できる接続領域(5d)と、前記第1樹脂成形体(11)に被覆される第2リード埋込領域(5c)と、を含む第2インナーリード領域(5a)と、前記第2インナーリード領域(5a)から前記第1樹脂成形体(11)の外側方向へと延伸された領域であって、前記第1樹脂成形体(11)の外部に露出された第2アウターリード領域(5b)と、を備えており、
    前記第1樹脂成形体(11)は熱硬化性樹脂であることを特徴とする樹脂成形体。
  15. 請求項14に記載の樹脂成形体であって、
    前記基台(3)は、前記第1リード(4)及び第2リード(5)と絶縁されていることを特徴とする樹脂成形体。
  16. 請求項14又は15に記載の樹脂成形体であって、
    前記基台(3)の載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、露出されていることを特徴とする樹脂成形体。
  17. 請求項14乃至16のいずれか一に記載の樹脂成形体であって、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)において、前記発光素子(2)と電気的に接続できる載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、露出されていることを特徴とする樹脂成形体。
  18. 請求項14乃至17のいずれか一に記載の樹脂成形体であって、
    前記基台(3)の載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、露出されており、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)において、前記発光素子(2)と電気的に接続できる載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、露出されており、
    前記基台(3)、前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)の前記裏面側における、少なくとも2つの露出領域が、略同一平面上にあることを特徴とする樹脂成形体。
  19. 請求項14乃至18のいずれか一に記載の樹脂成形体であって、
    前記基台(3)の載置面と反対側の裏面の少なくとも一部が、露出されており、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)において、前記発光素子(2)と電気的に接続できる載置面と反対側である裏面の少なくとも一部が、露出されており、
    前記基台(3)、前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)の前記裏面側における、少なくとも一部の露出領域に、熱伝導性を有する放熱部材(20)が連結されていることを特徴とする樹脂成形体。
  20. 請求項14乃至19のいずれか一に記載の樹脂成形体であって、
    前記樹脂成形体は、トランスファーモールドにより成形されていることを特徴とする樹脂成形体。
  21. 請求項14乃至20のいずれか一に記載の樹脂成形体であって、
    前記樹脂成形体は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種により形成されてなることを特徴とする樹脂成形体。
  22. 請求項14乃至21のいずれか一に記載の樹脂成形体であって、
    前記樹脂成形体は、フィラー、拡散材、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、紫外線吸収材、酸化防止材、離型剤よりなる群から選択される少なくとも1種が含有されていることを特徴とする樹脂成形体。
  23. 請求項14乃至22のいずれか一に記載の樹脂成形体であって、
    前記第1リード(4)又は第2リード(5)に保護素子(14)が載置されており、
    前記保護素子(14)は前記第1樹脂成形体(11)により被覆されていることを特徴とする樹脂成形体。
  24. 複数の発光素子(2)が載置される基台(3)と、前記発光素子(2)と電気的に接続される複数の第1リード(4)及び第2リード(5)と、を一体成形してなり、且つ前記基台(3)における前記発光素子(2)の載置面側に、側面を有する上部に開口した凹部(13)が形成されている第1樹脂成形体(11)と、
    前記凹部(13)の底面領域であって、前記基台(3)上に略平行で且つ複数列に載置される複数の発光素子(2)と、
    前記発光素子(2)を被覆する第2樹脂成形体(12)と、
    を有する発光装置の製造方法であって、
    前記基台(3)と、前記第1リード(4)及び第2リード(5)とが離間され、且つ前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)からなる一組のリード対が、前記基台(3)を基準にして略対称に複数組位置されるよう配置し、
    前記凹部(13)の形状に相当する凹凸が形成され、且つ、前記第1リード(4)及び第2リード(5)の上面の少なくとも一部に接する上金型(31)と、前記上金型(31)と対向し且つ前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)の下面の少なくとも一部と接する下金型(32)とが、前記第1リード(4)及び第2リード(5)の上下面を挟み込む第1の工程と、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)と、対向する前記上金型(31)及び前記下金型(32)とで形成された凹み領域(33)に、第1の熱硬化性樹脂をトランファーモールドにより流し込む第2の工程と、
    前記第1の熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、第1樹脂成形体(11)を成形する第3の工程と、
    前記上金型(31)を取り外す第4の工程と、
    形成された凹部(13)の底面領域であって、前記基台(3)上に、前記複数の発光素子(2)を載置するとともに、前記リード対に電気的に接続する第5の工程と、
    前記第1樹脂形成体(11)の少なくとも一部に接して、前記発光素子(2)を第2の熱硬化性樹脂で被覆する第6の工程と、
    第2の熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、第2樹脂成形体(12)を成形する第7の工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  25. 請求項24に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記第1の工程前に、前記第1リード(4)又は前記第2リード(5)の上面に保護素子を載置することを特徴とする発光装置の製造方法。
  26. 基台(3)と、前記基台(3)に載置される前記発光素子(2)と電気的に接続される複数の第1リード(4)及び第2リード(5)と、を一体成形してなり、且つ前記基台(3)における前記発光素子(2)の載置面側に、側面を有する上部に開口した凹部(13)が形成されている樹脂成形体の製造方法であって、
    前記基台(3)と、前記第1リード(4)及び第2リード(5)とが離間され、且つ前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)からなる一組のリード対が、前記基台(3)を基準にして略対称に複数組位置されるよう配置し、
    前記凹部(13)の形状に相当する凹凸が形成され、且つ、前記第1リード(4)及び第2リード(5)の上面の少なくとも一部に接する上金型(31)と、前記上金型(31)と対向し且つ前記第1リード(4)及び前記第2リード(5)の下面の少なくとも一部と接する下金型(32)とが、前記第1リード(4)及び第2リード(5)の上下面を挟み込む第1の工程と、
    前記第1リード(4)及び第2リード(5)と、対向する前記上金型(31)及び前記下金型(32)とで形成された凹み領域(33)に、第1の熱硬化性樹脂をトランファーモールドにより流し込む第2の工程と、
    前記第1の熱硬化性樹脂を加熱して硬化し、第1の樹脂成形体(11)を成形する第3の工程と、
    前記上金型(31)を取り外す第4の工程と、を有することを特徴とする樹脂成形体の製造方法。
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US12/129,986 US7777417B2 (en) 2007-05-31 2008-05-30 Light emitting apparatus, resin molding device composing light emitting device, method for producing the same
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160084052A (ko) * 2015-01-05 2016-07-13 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR20160098893A (ko) * 2015-02-11 2016-08-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US11955466B2 (en) 2020-08-25 2024-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
US12002909B2 (en) 2020-08-25 2024-06-04 Nichia Corporation Surface-mounted multi-colored light emitting device
US12396302B2 (en) 2021-09-30 2025-08-19 Nichia Corporation Light-emitting device

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
KR101438826B1 (ko) * 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
JP5280818B2 (ja) * 2008-11-28 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置
JP5458910B2 (ja) 2009-02-24 2014-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5493389B2 (ja) * 2009-02-27 2014-05-14 日亜化学工業株式会社 発光素子用回路基板及び発光装置並びにそれらの製造方法
US8783914B2 (en) 2009-03-31 2014-07-22 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting apparatus and illumination apparatus
TWI447893B (en) * 2009-06-24 2014-08-01 Led package structure for increasing light-emitting efficiency and controlling light-projecting angle and method for manufacturing the same
JP2011074355A (ja) * 2009-09-07 2011-04-14 Nitto Denko Corp 光半導体装置用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
US20110089448A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single Encapsulant For A Plurality Of Light Sources
EP2317205A1 (en) * 2009-10-27 2011-05-04 Liang Meng Plastic Share Co. Ltd. Housing of LED light source comprising electrical connector
KR101163850B1 (ko) * 2009-11-23 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101186648B1 (ko) * 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그의 제조 방법
JP5347953B2 (ja) * 2009-12-28 2013-11-20 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5691681B2 (ja) 2010-03-15 2015-04-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5459104B2 (ja) * 2010-06-28 2014-04-02 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及びこれを備えた照明器具
US8608340B2 (en) 2010-06-28 2013-12-17 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting module and lighting apparatus with the same
KR20120022410A (ko) * 2010-09-02 2012-03-12 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101220834B1 (ko) * 2011-02-16 2013-01-21 (주)라이트스탠다드 방열성능의 향상 및 전압강하의 방지를 위한 고광력 엘이디 광원 구조체
CN102456806A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
TWI407601B (zh) * 2010-10-28 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構
CN102456826A (zh) * 2010-11-01 2012-05-16 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管导线架
TWM401207U (en) * 2010-11-03 2011-04-01 Harvatek Corp Light-emitting diode packaging structure
AU2011353319B2 (en) 2010-12-28 2014-01-23 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4870233B1 (ja) * 2011-02-14 2012-02-08 E&E Japan株式会社 チップled
KR101766297B1 (ko) * 2011-02-16 2017-08-08 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
WO2012165007A1 (ja) * 2011-05-27 2012-12-06 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法
JP5527286B2 (ja) * 2011-06-29 2014-06-18 豊田合成株式会社 発光装置
KR101303168B1 (ko) * 2011-07-26 2013-09-09 안상정 반도체 발광부 연결체
TW201306312A (zh) * 2011-07-26 2013-02-01 隆達電子股份有限公司 發光裝置
JP5747737B2 (ja) * 2011-08-26 2015-07-15 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法
JP5940799B2 (ja) 2011-11-22 2016-06-29 新光電気工業株式会社 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法
JP5865038B2 (ja) * 2011-11-30 2016-02-17 日東電工株式会社 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置
JP6078948B2 (ja) 2012-01-20 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
JP2013157408A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置およびその製造方法
CN103682018B (zh) * 2012-09-21 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
US20140167083A1 (en) * 2012-12-19 2014-06-19 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Led package with integrated reflective shield on zener diode
JP6183195B2 (ja) 2013-02-20 2017-08-23 豊田合成株式会社 発光装置
JP6274943B2 (ja) * 2014-03-27 2018-02-07 新日本無線株式会社 Ledモジュールおよびその製造方法
JP2016062904A (ja) 2014-09-12 2016-04-25 株式会社東芝 半導体装置
DE102014116370A1 (de) * 2014-11-10 2016-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Trägers und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP6569217B2 (ja) * 2014-12-22 2019-09-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
US12364074B2 (en) 2015-03-31 2025-07-15 Creeled, Inc. Light emitting diodes and methods
CN113130725B (zh) * 2015-03-31 2024-09-24 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
US10074635B2 (en) * 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
JP6738224B2 (ja) * 2015-09-18 2020-08-12 ローム株式会社 Ledパッケージ
JP6459880B2 (ja) * 2015-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2017080605A1 (en) * 2015-11-12 2017-05-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Package for an electronic component, electronic component and electronic arrangement
DE102016005291B4 (de) * 2016-04-29 2024-01-11 Ksg Austria Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Gerätes in der Form eines Spritzgußteils mit eingelegter Leiterplatte
JP6508131B2 (ja) * 2016-05-31 2019-05-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6572938B2 (ja) 2017-05-12 2019-09-11 日亜化学工業株式会社 発光装置と発光装置の製造方法
WO2019057534A1 (en) * 2017-09-19 2019-03-28 Lumileds Holding B.V. LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP7048879B2 (ja) 2017-10-12 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6760324B2 (ja) * 2018-03-27 2020-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
JP6669208B2 (ja) * 2018-08-02 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109256448A (zh) * 2018-08-07 2019-01-22 广州市巨宏光电有限公司 一种led灯成型工艺
KR102785601B1 (ko) * 2018-12-26 2025-03-26 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈, 조명 장치 및 그 제조방법
JP7535918B2 (ja) * 2020-11-17 2024-08-19 サンコール株式会社 バスバーアッセンブリ及びその製造方法
CN112747295B (zh) * 2021-01-25 2024-10-01 崇义县精亿灯饰制品有限公司 灯珠支架及灯具
JP7492142B2 (ja) * 2021-07-01 2024-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び照明器具
JP7492143B2 (ja) * 2021-07-02 2024-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び街路灯
DE102021119707A1 (de) 2021-07-29 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Träger mit eingebetteter elektrischer verbindung, bauelement und verfahren zur herstellung eines trägers

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01108778A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH10144965A (ja) 1996-11-11 1998-05-29 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置及びその製造方法
JP3472450B2 (ja) * 1997-09-04 2003-12-02 シャープ株式会社 発光装置
JP2002124703A (ja) * 2000-08-09 2002-04-26 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
US20020024299A1 (en) 2000-08-09 2002-02-28 Tadahiro Okazaki Chip-type light-emitting device
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP3770192B2 (ja) * 2002-04-12 2006-04-26 松下電器産業株式会社 チップ型led用リードフレーム
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP4009208B2 (ja) * 2003-01-21 2007-11-14 京セラ株式会社 発光装置
JP4029843B2 (ja) 2004-01-19 2008-01-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2006086139A (ja) * 2003-07-07 2006-03-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
TWI246780B (en) 2003-03-10 2006-01-01 Toyoda Gosei Kk Solid-state component device and manufacturing method thereof
JP4085917B2 (ja) * 2003-07-16 2008-05-14 松下電工株式会社 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
JP2005259972A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型led
TWI240423B (en) * 2004-03-12 2005-09-21 Opto Tech Corp Light emitting device with high heat dissipation efficiency
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006049442A (ja) 2004-08-02 2006-02-16 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
KR200373718Y1 (ko) * 2004-09-20 2005-01-21 주식회사 티씨오 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드
JP2006093470A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Corp リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法
JP4608294B2 (ja) * 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
KR100631903B1 (ko) 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법
DE102005031336B4 (de) * 2005-05-13 2008-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Projektionseinrichtung
DE102005034166A1 (de) 2005-07-21 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
KR100632003B1 (ko) 2005-08-08 2006-10-09 삼성전기주식회사 열전달부에 오목부가 형성된 led 패키지
JP2007095797A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP2007329219A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160084052A (ko) * 2015-01-05 2016-07-13 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR102374676B1 (ko) * 2015-01-05 2022-03-16 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR20220035084A (ko) * 2015-01-05 2022-03-21 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR102436128B1 (ko) 2015-01-05 2022-08-26 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR20160098893A (ko) * 2015-02-11 2016-08-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102316037B1 (ko) 2015-02-11 2021-10-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
US11955466B2 (en) 2020-08-25 2024-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
US12002909B2 (en) 2020-08-25 2024-06-04 Nichia Corporation Surface-mounted multi-colored light emitting device
US12396302B2 (en) 2021-09-30 2025-08-19 Nichia Corporation Light-emitting device

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Publication number Publication date
US20110111082A1 (en) 2011-05-12
US7898177B2 (en) 2011-03-01
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US20100264449A1 (en) 2010-10-21
US8344622B2 (en) 2013-01-01
JP2008300694A (ja) 2008-12-11
US7777417B2 (en) 2010-08-17

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