JP2002124703A - チップ型発光装置 - Google Patents
チップ型発光装置Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子とダイオードとを並設したチップ型
発光装置において、ダイオードのリーク電流の発生を防
止し、発光素子へ電流が充分に流れるようにする。 【解決手段】 チップ基板４の表面の両端に端子電極
３，３’を形成し、発光素子１と、発光素子１を少なく
とも逆方向電圧から保護するダイオード２とを端子電極
３，３’に並列且つ逆方向に接続したチップ型発光装置
において、発光素子１からの光を所定の方向に出射させ
る反射部５１と、ダイオード２への外部からの光を遮断
する光遮断部５２とを一体に形成した反射ケース５を、
チップ基板４に取り付けた構成とする。ここで反射部５
１が、発光素子１を包囲し光出射方向に開口を形成し
た、反射ケース５に形成された内部空間であり、光遮断
部５２が、ダイオード２を包囲する、反射ケース５に形
成されたもう一つの内部空間であるのが好ましい。
発光装置において、ダイオードのリーク電流の発生を防
止し、発光素子へ電流が充分に流れるようにする。 【解決手段】 チップ基板４の表面の両端に端子電極
３，３’を形成し、発光素子１と、発光素子１を少なく
とも逆方向電圧から保護するダイオード２とを端子電極
３，３’に並列且つ逆方向に接続したチップ型発光装置
において、発光素子１からの光を所定の方向に出射させ
る反射部５１と、ダイオード２への外部からの光を遮断
する光遮断部５２とを一体に形成した反射ケース５を、
チップ基板４に取り付けた構成とする。ここで反射部５
１が、発光素子１を包囲し光出射方向に開口を形成し
た、反射ケース５に形成された内部空間であり、光遮断
部５２が、ダイオード２を包囲する、反射ケース５に形
成されたもう一つの内部空間であるのが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップ型発光装置に
関し、より詳細には発光素子と、発光素子を逆方向電圧
から保護するダイオードとを備えたチップ型発光装置に
関するものである。
関し、より詳細には発光素子と、発光素子を逆方向電圧
から保護するダイオードとを備えたチップ型発光装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ型発光装置に用いられる発光素子
としては、ＧａＡｓ系やＧａＰ系、ＧａＮ系などの化合
物半導体が広く用いられているが、これらの化合物半導
体は逆方向に印加される電圧に対して弱く、半導体層が
破壊することすらあった。特に、耐逆方向電圧が５０Ｖ
程度と低く、またバンドギャップエネルギーが大きいＧ
ａＮ系化合物半導体では、通常よりも動作電圧を高くす
る必要があるため、交流電圧を印加すると発光素子が壊
れたり、その特性が劣化するという問題があった。加え
て、静電気などの大きな電圧が印加されると、順方向電
圧であっても１５０Ｖ程度で発光素子が壊れるという問
題があった。
としては、ＧａＡｓ系やＧａＰ系、ＧａＮ系などの化合
物半導体が広く用いられているが、これらの化合物半導
体は逆方向に印加される電圧に対して弱く、半導体層が
破壊することすらあった。特に、耐逆方向電圧が５０Ｖ
程度と低く、またバンドギャップエネルギーが大きいＧ
ａＮ系化合物半導体では、通常よりも動作電圧を高くす
る必要があるため、交流電圧を印加すると発光素子が壊
れたり、その特性が劣化するという問題があった。加え
て、静電気などの大きな電圧が印加されると、順方向電
圧であっても１５０Ｖ程度で発光素子が壊れるという問
題があった。
【０００３】このような逆方向電圧や静電気の印加によ
る発光素子の壊れを防止するため、ダイオードなどの保
護素子をチップ型発光装置に設けることがこれまでから
行われていた。このような従来のチップ型発光装置の斜
視図を図６に示す。さらに図６のＢ−Ｂ線断面図を図７
に示す。チップ基板４の長手方向両端部にはそれぞれ端
子電極３，３’が形成され、表面側と裏面側の端子電極
はスルーホール６で接続されている。一方の端子電極３
のチップ基板１の表面側には、ワイヤボンディング部３
１とチップボンディング部３２とが形成されている。こ
のワイヤボンディング部３１と発光素子１のｐ側電極と
がボンディングワイヤで結線され、チップボンディング
部３２にはダイオード２のｎ側電極がボンディングされ
ている。他方の電極３’の表面側にはワイヤボンディン
グ部３３、３４が形成されている。ワイヤボンディング
部３３と発光素子１のｎ側電極、及びワイヤボンディン
グ部３４とダイオード２のｐ側電極とはボンディングワ
イヤによって結線されている。チップ型発光装置の表面
側の周囲には反射ケース５が設けられ、発光素子１から
側面方向に発せられた光を反射ケース５で上方向に反射
させている。そして、反射ケース５内に配設されている
発光素子１およびダイオード２、ボンディングワイヤは
透光性の封止樹脂７で封止されている。
る発光素子の壊れを防止するため、ダイオードなどの保
護素子をチップ型発光装置に設けることがこれまでから
行われていた。このような従来のチップ型発光装置の斜
視図を図６に示す。さらに図６のＢ−Ｂ線断面図を図７
に示す。チップ基板４の長手方向両端部にはそれぞれ端
子電極３，３’が形成され、表面側と裏面側の端子電極
はスルーホール６で接続されている。一方の端子電極３
のチップ基板１の表面側には、ワイヤボンディング部３
１とチップボンディング部３２とが形成されている。こ
のワイヤボンディング部３１と発光素子１のｐ側電極と
がボンディングワイヤで結線され、チップボンディング
部３２にはダイオード２のｎ側電極がボンディングされ
ている。他方の電極３’の表面側にはワイヤボンディン
グ部３３、３４が形成されている。ワイヤボンディング
部３３と発光素子１のｎ側電極、及びワイヤボンディン
グ部３４とダイオード２のｐ側電極とはボンディングワ
イヤによって結線されている。チップ型発光装置の表面
側の周囲には反射ケース５が設けられ、発光素子１から
側面方向に発せられた光を反射ケース５で上方向に反射
させている。そして、反射ケース５内に配設されている
発光素子１およびダイオード２、ボンディングワイヤは
透光性の封止樹脂７で封止されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】発光素子１とダイオー
ド２とを端子電極３，３’に並列に接続したこのような
従来のチップ型発光装置では、発光素子１での発光がダ
イオード２に不可避的に当たる結果、ダイオード２にお
いてリーク電流が発生して発光素子１へ電流が充分に流
れないという問題があった。加えて、チップ型発光装置
に外部から入射し、ダイオード２に当たる光によっても
少ないながらリーク電流が発生していた。
ド２とを端子電極３，３’に並列に接続したこのような
従来のチップ型発光装置では、発光素子１での発光がダ
イオード２に不可避的に当たる結果、ダイオード２にお
いてリーク電流が発生して発光素子１へ電流が充分に流
れないという問題があった。加えて、チップ型発光装置
に外部から入射し、ダイオード２に当たる光によっても
少ないながらリーク電流が発生していた。
【０００５】本発明は、このような従来の問題に鑑みて
なされたものであり、発光素子とダイオードとを並設し
たチップ型発光装置において、ダイオードのリーク電流
の発生を防止し、発光素子へ電流が充分に流れるように
することをその目的とするものである。
なされたものであり、発光素子とダイオードとを並設し
たチップ型発光装置において、ダイオードのリーク電流
の発生を防止し、発光素子へ電流が充分に流れるように
することをその目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、チップ
基板の表面の両端に端子電極を形成し、発光素子と、少
なくとも逆方向電圧から前記発光素子を保護するダイオ
ードとを前記端子電極に並列に接続したチップ型発光装
置において、前記発光素子からの光を所定の方向に出射
させる反射部と、前記ダイオードへの外部からの光を遮
断する光遮断部とを一体に形成した反射ケースを、前記
チップ基板に取り付けたことを特徴とするチップ型発光
装置が提供される。
基板の表面の両端に端子電極を形成し、発光素子と、少
なくとも逆方向電圧から前記発光素子を保護するダイオ
ードとを前記端子電極に並列に接続したチップ型発光装
置において、前記発光素子からの光を所定の方向に出射
させる反射部と、前記ダイオードへの外部からの光を遮
断する光遮断部とを一体に形成した反射ケースを、前記
チップ基板に取り付けたことを特徴とするチップ型発光
装置が提供される。
【０００７】ここで、前記反射部は、前記発光素子を包
囲し光出射方向に開口を形成した、前記反射ケースに形
成された内部空間であり、前記光遮断部は、前記ダイオ
ードを包囲する、反射ケースに形成されたもう一つの内
部空間であるのが好ましい。
囲し光出射方向に開口を形成した、前記反射ケースに形
成された内部空間であり、前記光遮断部は、前記ダイオ
ードを包囲する、反射ケースに形成されたもう一つの内
部空間であるのが好ましい。
【０００８】また本発明によれば、チップ基板の表面の
両端に端子電極を形成し、発光素子と、少なくとも逆方
向電圧から前記発光素子を保護するダイオードとを前記
端子電極に並列に接続したチップ型発光装置において、
前記ダイオードを覆うように光遮断部材を設けて、前記
ダイオードに当たる光を遮断したことを特徴とするチッ
プ型発光装置が提供される。
両端に端子電極を形成し、発光素子と、少なくとも逆方
向電圧から前記発光素子を保護するダイオードとを前記
端子電極に並列に接続したチップ型発光装置において、
前記ダイオードを覆うように光遮断部材を設けて、前記
ダイオードに当たる光を遮断したことを特徴とするチッ
プ型発光装置が提供される。
【０００９】ここで前記光遮断部材は、底面が開口した
箱状部材あるいはダイオードを封止する不透光性樹脂か
らなる封止体であるのが好ましい。
箱状部材あるいはダイオードを封止する不透光性樹脂か
らなる封止体であるのが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明者は、発光素子とダイオー
ドとを並設することにより不可避的に生じる、発光素子
の発光に起因するダイオードのリーク電流を防止すべく
鋭意検討した結果、そもそもダイオードに当たる光を遮
断すればよいという一見単純な発想ながらこれまでまっ
たく提案されていなかった発想に基づき本発明をなすに
至った。
ドとを並設することにより不可避的に生じる、発光素子
の発光に起因するダイオードのリーク電流を防止すべく
鋭意検討した結果、そもそもダイオードに当たる光を遮
断すればよいという一見単純な発想ながらこれまでまっ
たく提案されていなかった発想に基づき本発明をなすに
至った。
【００１１】すなわち本発明の大きな特徴の一つは、光
遮断部を設けてダイオードに当たる光を遮断すること点
にある。このような構成により、ダイオードと発光素子
とを並設しても、ダイオードにおいてリーク電流が発生
することはなく、発光素子へ電流が充分に流れないこと
による発光素子の発光低下は生じない。
遮断部を設けてダイオードに当たる光を遮断すること点
にある。このような構成により、ダイオードと発光素子
とを並設しても、ダイオードにおいてリーク電流が発生
することはなく、発光素子へ電流が充分に流れないこと
による発光素子の発光低下は生じない。
【００１２】図１に、本発明のチップ型発光装置の一実
施態様を示す。チップ基板４上に配設された端子電極
３，３’、発光素子１、ダイオード２の位置および接続
は図６に示した従来のチップ型発光装置と同じであるの
で、ここではその説明を省略する。このチップ基板４に
反射ケース５を覆うように設ける。反射ケース５には、
発光素子１からの光を上方向に反射するための反射部５
１と、ダイオード２への外部からの光を遮断する光遮断
部５２とが一体的に形成されており、反射部５１が発光
素子１を、そして光遮断部５２がダイオード２をそれぞ
れ取り囲むように反射ケース５をチップ基板４に設置す
る。そして、発光素子１を含む反射部５１内を透光性の
封止樹脂７で封止する。図１のＡ−Ａ線断面図を図２に
示す。
施態様を示す。チップ基板４上に配設された端子電極
３，３’、発光素子１、ダイオード２の位置および接続
は図６に示した従来のチップ型発光装置と同じであるの
で、ここではその説明を省略する。このチップ基板４に
反射ケース５を覆うように設ける。反射ケース５には、
発光素子１からの光を上方向に反射するための反射部５
１と、ダイオード２への外部からの光を遮断する光遮断
部５２とが一体的に形成されており、反射部５１が発光
素子１を、そして光遮断部５２がダイオード２をそれぞ
れ取り囲むように反射ケース５をチップ基板４に設置す
る。そして、発光素子１を含む反射部５１内を透光性の
封止樹脂７で封止する。図１のＡ−Ａ線断面図を図２に
示す。
【００１３】図２に示すように、光遮断部５２は、ダイ
オード２、ボンディングワイヤ、ボンディング部を覆
う、反射ケース５に形成された内部空間である。この内
部空間５２の深さとしてはボンディングワイヤが接しな
い程度、その幅としてはダイオード２が接触しない程度
が好ましい。また内部空間の形状に特に限定はなく、ダ
イオード２、ボンディングワイヤ、ボンディング部の形
状や位置関係から適宜決定すればよい。また、図１およ
び図２のチップ型発光装置では、上方向に光を出射させ
るために反射部上面に開口を形成しているが、横方向に
光を出射させる場合には反射部の側面に開口を形成すれ
ばよい。
オード２、ボンディングワイヤ、ボンディング部を覆
う、反射ケース５に形成された内部空間である。この内
部空間５２の深さとしてはボンディングワイヤが接しな
い程度、その幅としてはダイオード２が接触しない程度
が好ましい。また内部空間の形状に特に限定はなく、ダ
イオード２、ボンディングワイヤ、ボンディング部の形
状や位置関係から適宜決定すればよい。また、図１およ
び図２のチップ型発光装置では、上方向に光を出射させ
るために反射部上面に開口を形成しているが、横方向に
光を出射させる場合には反射部の側面に開口を形成すれ
ばよい。
【００１４】光遮断部と反射部とを一体形成した反射ケ
ースは、発光素子からの光を所定方向に出射し、且つダ
イオードへの光を遮断するものであれば特に限定はな
く、例えば白色の液晶ポリマーなどを材料として金型成
形して作製することができる。またチップ基板への反射
ケースの装着は、エポキシ系接着剤など従来公知の接着
剤を用いて、加熱・押圧することにより行うことができ
る。
ースは、発光素子からの光を所定方向に出射し、且つダ
イオードへの光を遮断するものであれば特に限定はな
く、例えば白色の液晶ポリマーなどを材料として金型成
形して作製することができる。またチップ基板への反射
ケースの装着は、エポキシ系接着剤など従来公知の接着
剤を用いて、加熱・押圧することにより行うことができ
る。
【００１５】本発明で使用するダイオードとしては、特
に限定はなく従来公知のものを使用することができる
が、中でも定電圧ダイオード（ツェナダイオード）が好
ましく使用できる。発光素子に逆方向電圧が印加された
場合には、ツェナダイオードを介して電流が流れるの
で、発光素子には電圧はほとんど印加されず、また発光
素子に静電気による高電圧が印加された場合には、その
電圧がツェナ電圧よりも高ければツェナダイオードを介
して放電されるので、発光素子の破壊が防止されるから
である。
に限定はなく従来公知のものを使用することができる
が、中でも定電圧ダイオード（ツェナダイオード）が好
ましく使用できる。発光素子に逆方向電圧が印加された
場合には、ツェナダイオードを介して電流が流れるの
で、発光素子には電圧はほとんど印加されず、また発光
素子に静電気による高電圧が印加された場合には、その
電圧がツェナ電圧よりも高ければツェナダイオードを介
して放電されるので、発光素子の破壊が防止されるから
である。
【００１６】本発明で使用できる発光素子としては特に
限定はなく、例えばＧａＮ系などの青色発光素子や、Ｇ
ａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＩｎＰ
系などの赤色発光素子や緑色発光素子などが挙げられ
る。この中でもＧａＮ系発光素子は、その製法上、サフ
ァイヤのような絶縁性の基板にｐ形層・ｎ形層が積層さ
れた構造を有するので静電気を蓄積しやすく、本発明の
チップ型発光装置に好適に使用される。
限定はなく、例えばＧａＮ系などの青色発光素子や、Ｇ
ａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＩｎＰ
系などの赤色発光素子や緑色発光素子などが挙げられ
る。この中でもＧａＮ系発光素子は、その製法上、サフ
ァイヤのような絶縁性の基板にｐ形層・ｎ形層が積層さ
れた構造を有するので静電気を蓄積しやすく、本発明の
チップ型発光装置に好適に使用される。
【００１７】発光素子を含む反射部内を封止する透光性
の封止樹脂としては、例えばエポキシ樹脂や不飽和ポリ
エステル樹脂、シリコーン樹脂、ユリア・メラミン樹脂
などが挙げられ、この中でも透光性などの点からエポキ
シ樹脂がより好適に使用できる。エポキシ樹脂として
は、一分子中に２個以上のエポキシ基を有するものでエ
ポキシ樹脂成形材料として使用されるものであれば制限
はなく、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノ
ボラック型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ
型、ビスフェノールＳ型、水添ビスフェノールＡ型など
のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；フタル酸、ダイ
マー酸などの多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応に
より得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジア
ミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミ
ンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂；オレフィン結合を過酢酸など
の過酸により酸化して得られる脂環型エポキシ樹脂など
を挙げることができ、これらを単独であるいは２以上の
混合物として使用することができる。これらのエポキシ
樹脂は十分に精製されたもので、常温で液状であっても
固形であってもよいが、液化時の外観ができる限り透明
なものを使用するのが好ましい。
の封止樹脂としては、例えばエポキシ樹脂や不飽和ポリ
エステル樹脂、シリコーン樹脂、ユリア・メラミン樹脂
などが挙げられ、この中でも透光性などの点からエポキ
シ樹脂がより好適に使用できる。エポキシ樹脂として
は、一分子中に２個以上のエポキシ基を有するものでエ
ポキシ樹脂成形材料として使用されるものであれば制限
はなく、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノ
ボラック型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ
型、ビスフェノールＳ型、水添ビスフェノールＡ型など
のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；フタル酸、ダイ
マー酸などの多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応に
より得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジア
ミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミ
ンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂；オレフィン結合を過酢酸など
の過酸により酸化して得られる脂環型エポキシ樹脂など
を挙げることができ、これらを単独であるいは２以上の
混合物として使用することができる。これらのエポキシ
樹脂は十分に精製されたもので、常温で液状であっても
固形であってもよいが、液化時の外観ができる限り透明
なものを使用するのが好ましい。
【００１８】本発明のチップ型発光装置の他の実施態様
を図３に示す。図３は、チップ型発光装置の断面図であ
る。反射ケース５と別体の箱状の光遮断部材８１を、ダ
イオード２及びボンディングワイヤを覆うようにチップ
基板４上に装着している。そして、発光素子１や光遮断
部材８１を含む、反射ケース５で囲まれた凹部を透光性
の封止樹脂７で封止している。このような構成によって
もダイオード２に当たる光を遮断することができ、ダイ
オード２でのリーク電流の発生を防止できる。反射ケー
ス５と別体で設ける光遮断部材８１の形状としては、少
なくともダイオード２を完全に覆うものであれば特に限
定はなく、ダイオード２の形状や装着位置などを考慮し
適宜決定すればよい。また光遮断部材８１の材質として
は、光を透過しないものであれば特に限定はなく、例え
ば不透光性の樹脂などが加工性の点から好適に使用でき
る。ここで、ダイオード２を覆うように光遮断部材８１
を設置する際には、ダイオード２やボンディングワイヤ
に光遮断部材８１が接触しないように留意する必要があ
る。なお、図３のチップ型発光装置では反射ケース５が
装着されているが、反射ケース５が装着されていないい
わゆるモールドタイプのものであってももちろん構わな
い。
を図３に示す。図３は、チップ型発光装置の断面図であ
る。反射ケース５と別体の箱状の光遮断部材８１を、ダ
イオード２及びボンディングワイヤを覆うようにチップ
基板４上に装着している。そして、発光素子１や光遮断
部材８１を含む、反射ケース５で囲まれた凹部を透光性
の封止樹脂７で封止している。このような構成によって
もダイオード２に当たる光を遮断することができ、ダイ
オード２でのリーク電流の発生を防止できる。反射ケー
ス５と別体で設ける光遮断部材８１の形状としては、少
なくともダイオード２を完全に覆うものであれば特に限
定はなく、ダイオード２の形状や装着位置などを考慮し
適宜決定すればよい。また光遮断部材８１の材質として
は、光を透過しないものであれば特に限定はなく、例え
ば不透光性の樹脂などが加工性の点から好適に使用でき
る。ここで、ダイオード２を覆うように光遮断部材８１
を設置する際には、ダイオード２やボンディングワイヤ
に光遮断部材８１が接触しないように留意する必要があ
る。なお、図３のチップ型発光装置では反射ケース５が
装着されているが、反射ケース５が装着されていないい
わゆるモールドタイプのものであってももちろん構わな
い。
【００１９】本発明のチップ型発光装置のさらに他の実
施態様を図４に示す。図４のチップ型発光装置は、不透
光性の樹脂からなる封止体（光遮断部材）８２でダイオ
ード２を封止した後、封止体８２及び発光素子１をさら
にエポキシなどの透光性の封止樹脂７で封止したもので
ある。このような構成によってもダイオード２に当たる
光を遮断することができ、ダイオード２でのリーク電流
の発生を防止できる。
施態様を図４に示す。図４のチップ型発光装置は、不透
光性の樹脂からなる封止体（光遮断部材）８２でダイオ
ード２を封止した後、封止体８２及び発光素子１をさら
にエポキシなどの透光性の封止樹脂７で封止したもので
ある。このような構成によってもダイオード２に当たる
光を遮断することができ、ダイオード２でのリーク電流
の発生を防止できる。
【００２０】このようなチップ型発光装置の製造方法と
しては特に限定はなく、従来公知の方法により製造すれ
ばよい。例えば図５に示すように、ダイオード２やボン
ディングワイヤ、ボンディング部３２など不透光性樹脂
で封止すべき部分を枠９１で囲み（同図（ａ））、枠９
１内に不透光性の熱硬化性樹脂９２を注ぎ込む（同図
（ｂ））。そして熱硬化性樹脂９２を加熱・硬化させた
後（同図（ｃ））、枠９１を外して封止体８２を完成さ
せる（同図（ｄ））。そして、以後の工程は図示しない
が、封止体８２が形成された前記のチップ基板４を、封
止体形状に凹部が形成された金型に装着し、トランスフ
ァー成形により封止成形を行い図４のチップ型発光装置
とする。なお、図５の製法では、枠９１を形成してその
中に樹脂９２を流し込んで封止体８２を形成したが、枠
９１を形成することなく粘度の高い樹脂をそのままダイ
オード２などの封止すべき部分に掛けて硬化させて封止
体８２を形成してもよい。
しては特に限定はなく、従来公知の方法により製造すれ
ばよい。例えば図５に示すように、ダイオード２やボン
ディングワイヤ、ボンディング部３２など不透光性樹脂
で封止すべき部分を枠９１で囲み（同図（ａ））、枠９
１内に不透光性の熱硬化性樹脂９２を注ぎ込む（同図
（ｂ））。そして熱硬化性樹脂９２を加熱・硬化させた
後（同図（ｃ））、枠９１を外して封止体８２を完成さ
せる（同図（ｄ））。そして、以後の工程は図示しない
が、封止体８２が形成された前記のチップ基板４を、封
止体形状に凹部が形成された金型に装着し、トランスフ
ァー成形により封止成形を行い図４のチップ型発光装置
とする。なお、図５の製法では、枠９１を形成してその
中に樹脂９２を流し込んで封止体８２を形成したが、枠
９１を形成することなく粘度の高い樹脂をそのままダイ
オード２などの封止すべき部分に掛けて硬化させて封止
体８２を形成してもよい。
【００２１】ここで封止体８２として使用できる樹脂と
しては、不透光性のものであればよい。また透光性の樹
脂に着色顔料・染料を配合して不透光性としたものであ
ってもよい。より好ましい樹脂としては黒色の樹脂であ
る。このような樹脂としては、例えばエポキシ樹脂や不
飽和ポリエステル、メタクリル樹脂、ポリウレタン、ケ
イ素樹脂、ε−カプロラクタム、ジエチレングリコール
などが挙げられる。なお、エポキシ樹脂や不飽和ポリエ
ステル、メタクリル樹脂などのような無色透明な樹脂の
場合には、着色剤を配合して不透光性として用いる。
しては、不透光性のものであればよい。また透光性の樹
脂に着色顔料・染料を配合して不透光性としたものであ
ってもよい。より好ましい樹脂としては黒色の樹脂であ
る。このような樹脂としては、例えばエポキシ樹脂や不
飽和ポリエステル、メタクリル樹脂、ポリウレタン、ケ
イ素樹脂、ε−カプロラクタム、ジエチレングリコール
などが挙げられる。なお、エポキシ樹脂や不飽和ポリエ
ステル、メタクリル樹脂などのような無色透明な樹脂の
場合には、着色剤を配合して不透光性として用いる。
【００２２】トランスファー成形の条件はとしては通
常、成形温度１４０〜１６０℃、圧力４００〜１，２０
０Ｎ／ｃｍ2、成形時間１〜５ｍｉｎの範囲である。
常、成形温度１４０〜１６０℃、圧力４００〜１，２０
０Ｎ／ｃｍ2、成形時間１〜５ｍｉｎの範囲である。
【００２３】本発明のチップ型発光装置を、例えば回路
基板に装着して使用する場合には、回路基板上の配線パ
ターンと当該チップ型発光装置の端子電極とを接触する
ように回路基板上に配設した後、クリーム半田などの導
電性接着剤を端子電極および配線パターンに塗布し、リ
フロー炉で加熱してクリーム半田を溶融させればよい。
基板に装着して使用する場合には、回路基板上の配線パ
ターンと当該チップ型発光装置の端子電極とを接触する
ように回路基板上に配設した後、クリーム半田などの導
電性接着剤を端子電極および配線パターンに塗布し、リ
フロー炉で加熱してクリーム半田を溶融させればよい。
【００２４】
【発明の効果】請求項１の発明に係るチップ型発光装置
では、反射部と光遮断部とを一体に形成した反射ケース
をチップ基板に取り付けるので、ダイオードに当たる光
を遮断でき、ダイオードのリーク電流の発生を防止でき
る。また、光遮断部の位置決めを確実かつ容易に行うこ
とができる。
では、反射部と光遮断部とを一体に形成した反射ケース
をチップ基板に取り付けるので、ダイオードに当たる光
を遮断でき、ダイオードのリーク電流の発生を防止でき
る。また、光遮断部の位置決めを確実かつ容易に行うこ
とができる。
【００２５】また請求項３の発明に係るチップ型発光装
置では、ダイオードを覆うように光遮断部材を設けるの
で、ダイオードに当たる光を確実に遮断でき、ダイオー
ドのリーク電流の発生を防止できる。
置では、ダイオードを覆うように光遮断部材を設けるの
で、ダイオードに当たる光を確実に遮断でき、ダイオー
ドのリーク電流の発生を防止できる。
【図１】 本発明のチップ型発光装置の一実施形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】 本発明のチップ型発光装置の他の実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】 本発明のチップ型発光装置のさらに他の実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図５】 請求項５のチップ型発光装置の製法の一例を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図６】 従来のチップ型発光装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】 図６のＢ−Ｂ線断面図である。
１ 発光素子 ２ ダイオード ３、３’ 端子電極 ４ チップ基板 ５ 反射ケース ７ 封止樹脂 ５１ 反射部 ８１ 光遮断部材 ８２ 封止体（光遮断部材）
Claims (5)
- 【請求項１】 チップ基板の表面の両端に端子電極を形
成し、発光素子と、少なくとも逆方向電圧から前記発光
素子を保護するダイオードとを前記端子電極に並列に接
続したチップ型発光装置において、 前記発光素子からの光を所定の方向に出射させる反射部
と、前記ダイオードへの外部からの光を遮断する光遮断
部とを一体に形成した反射ケースを、前記チップ基板に
取り付けたことを特徴とするチップ型発光装置。 - 【請求項２】 前記反射部が、前記発光素子を包囲し光
出射方向に開口を形成した、前記反射ケースに形成され
た内部空間であり、前記光遮断部が、前記ダイオードを
包囲する、反射ケースに形成されたもう一つの内部空間
である請求項１記載のチップ型発光素子。 - 【請求項３】 チップ基板の表面の両端に端子電極を形
成し、発光素子と、少なくとも逆方向電圧から前記発光
素子を保護するダイオードとを前記端子電極に並列に接
続したチップ型発光装置において、 前記ダイオードを覆うように光遮断部材を設けて、前記
ダイオードに当たる光を遮断したことを特徴とするチッ
プ型発光装置。 - 【請求項４】 前記光遮断部材が、底面が開口した箱状
部材である請求項３記載のチップ型発光装置。 - 【請求項５】 前記光遮断部材が前記ダイオードを封止
する不透光性樹脂からなる封止体である請求項３記載の
チップ型発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001231028A JP2002124703A (ja) | 2000-08-09 | 2001-07-31 | チップ型発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000240754 | 2000-08-09 | ||
| JP2000-240754 | 2000-08-09 | ||
| JP2001231028A JP2002124703A (ja) | 2000-08-09 | 2001-07-31 | チップ型発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124703A true JP2002124703A (ja) | 2002-04-26 |
Family
ID=26597601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001231028A Pending JP2002124703A (ja) | 2000-08-09 | 2001-07-31 | チップ型発光装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2002124703A (ja) |
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- 2001-07-31 JP JP2001231028A patent/JP2002124703A/ja active Pending
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