JP2013138204A - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、ツェナーダイオードと電極との接続が安定性した発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、ツェナーダイオードを第一電極及び第二電極にそれぞれ接続させるステップと、下型及び上型を備える金型を提供するステップと、第一電極、第二電極及びツェナーダイオードを下型の収容溝内に設置し、上型のコアコンポーネントを第一電極及び第二電極に覆設し、上型の壁を下型に設置させるステップと、金型内に液体の成形材料を注入させるステップと、成形材料が固化されると、金型を除去し、ベース、ダム及び反射カップを一体に形成し、ツェナーダイオードがダムの内部に封入されるステップと、第一、第二発光ダイオードチップを第一電極及び第二電極にそれぞれ設置するステップと、反射カップ内に封止材料を充填するステップと、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオードの製造方法に関するものである。
発光ダイオード(LED)は、高輝度、低消費電力、長寿命である等の利点を有することから、従来の蛍光灯或いは白熱灯に代わるランプの光源として広く利用されている。
発光ダイオードは、一方導通の電子部品であるため、発光ダイオードに順方向の導通電流を流すと、発光ダイオードを点灯することができる。しかし、発光ダイオードに逆方向の電流を流すと、発光ダイオードは導通されることができない。また、この際、逆方向の電流は発光ダイオードを損傷させる可能性がある。従って、発光ダイオードは、一般的に、ツェナーダイオードと並列させる必要があり、この発光ダイオードとツェナーダイオードとの並列により、逆方向の電流を発生させる或いは静電気が発生すると、逆方向の電流をツェナーダイオードによって放電することができる。これにより、発光ダイオードを保護することができる。しかし、従来のツェナーダイオードは、一般的に、金属線を採用して発光ダイオードパッケージにおける電極と接続させるため、このような接続方法は、ツェナーダイオードと電極との接続の不具合を招きやすい。
前記課題を解決するために、本発明は、ツェナーダイオードと電極との接続が安定した発光ダイオードの製造方法を提供する。
本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、第一電極、第二電極及びツェナーダイオードを提供し、ツェナーダイオードの電極を第一電極及び第二電極にそれぞれ電気的に接続させるステップと、下型及び上型を備える金型を提供し、該下型には収容溝が設置され、該上型はコアコンポーネント及び該コアコンポーネントを囲んで設置する壁を備え、コアコンポーネントの下型と相対する底面には、溝が設けられるステップと、第一電極、第二電極及びツェナーダイオードを下型の収容溝内に設置し、次いで、上型のコアコンポーネントを第一電極及び第二電極に覆設し、ツェナーダイオードは、コアコンポーネントの溝に収容され、最後に、上型の壁をコアコンポーネントを囲んで下型に設置させ、壁とコアコンポーネントとの間には、スプルーが形成されるステップと、壁とコアコンポーネントとの間のスプルーを介して金型の内部に液体の成形材料を注入させ、収容溝、溝及びスプルーに完全に充填させるステップと、液体の成形材料が固化された後、金型を除去し、従って、ベース、反射カップ及びダムを一体に形成し、コアコンポーネントの溝の中の液体の成形材料が固化されるとダムが形成され、スプルーの中の液体の成形材料が固化されると反射カップが形成され、下型の収容溝中の液体の成形材料が固化されるとベースが形成され、ツェナーダイオードはダムの内部に封入されるステップと、第一発光ダイオードチップ及び第二発光ダイオードチップをダムの両側の第一電極及び第二電極にそれぞれ設置し、2つの発光ダイオードチップ及びツェナーダイオードを逆方向に並列させるステップと、反射カップの内部に2つの発光ダイオードチップを覆う封止材料を充填して、封止層を形成するステップと、を備える。
本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、第一電極及び第二電極を提供するステップと、下型及び上型を備える金型を提供し、該下型には収容溝が設けられ、該上型はコアコンポーネント及び該コアコンポーネントを囲んで設置する壁を備え、コアコンポーネントの下型と相対する底面には、環状の溝が設けられるステップと、第一電極及び第二電極を下型の収容溝内に設置し、次いで、上型のコアコンポーネントを第一電極及び第二電極に覆設し、最後に、上型の壁をコアコンポーネントを囲んで下型に設置し、壁とコアコンポーネントとの間には、スプルーが形成されるステップと、壁とコアコンポーネントとの間のスプルーを介して金型の内部に液体の成形材料を注入し、収容溝、溝及びスプルーに完全に充填させるステップと、液体の成形材料が固化された後、金型を除去し、従って、ベース、反射カップ及びダムを一体に成型し、コアコンポーネントの溝の中の液体の成形材料が固化されるとダムが形成され、スプルーの中の液体の成形材料が固化されると反射カップが形成され、下型の収容溝中の液体の成形材料が固化されるとベースが形成され、ダムは開口部を有し、第一電極及び第二電極は開口部の底部に露出されるステップと、ツェナーダイオードをダムの開口部の内部に設置し且つツェナーダイオードの電極を第一電極及び第二電極にそれぞれ接続させ、次いで、ダムの開口部の頂部に被覆層を形成し、該被覆層により、ツェナーダイオードがダムの内部に密封されるステップと、第一発光ダイオードチップ及び第二発光ダイオードチップをダムの両側の第一電極及び第二電極にそれぞれ設置し、2つの発光ダイオードチップ及びツェナーダイオードを逆方向に並列させるステップと、反射カップの内部に2つの発光ダイオードチップを覆う封止材料を充填して、封止層を形成するステップと、を備える。
従来の技術と比べ、本発明に係る発光ダイオードの製造方法において、金型の内部に液体の成形材料を注入することにより、ベース、反射カップ及びダムを一体に成型し、ツェナーダイオードがダムの内部に封入されるので、ツェナーダイオードと第一電極及び第二電極との接続は強固になる。従って、ツェナーダイオードと第一電極及び第二電極との電気的な接続の安定性を向上させることができる。
本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法によって製造された発光ダイオードの断面図である。 本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法で使用した金型の断面図である。 本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードの製造方法で使用した金型の断面図である。 本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示す図である。 本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示す図である。 本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示す図である。 本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示す図である。 本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示す図である。 本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示す図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図1を参照すると、本発明の発光ダイオードの製造方法によって製造された発光ダイオード100は、ベース10と、該ベース10に設置される2つの発光ダイオードチップ11、11a及び1つのツェナーダイオード12と、ベース10に設置される第一電極13及び第二電極13aと、発光ダイオードチップ11、11aを封止する封止層14と、該ベース10に形成されるダム16及び環状の反射カップ15と、を備える。ベース10、ダム16及び反射カップ15は一体に成型される。
ベース10は、第一表面101及び該第一表面101に対向する第二表面102を備える。
第一電極13及び第二電極13aの断面はU形を呈し、ベース10に互いに離間して設置され、且つ、ベース10の第一表面101からベース10の2つの側面を各々経由して、ベース10の第二表面102までそれぞれ延伸する。
2つの発光ダイオードチップ11、11aは、第一電極13及び第二電極13aにそれぞれ設置され、2つの発光ダイオードチップ11、11aのアノードは第二電極13aに接続され、2つの発光ダイオードチップ11、11aのカソードは第一電極13に接続される。2つの発光ダイオードチップ11、11aは、異なる波長の光をそれぞれ発することができる。
反射カップ15は、発光ダイオードチップ11、11aから出射した光を反射するために、ベース10の第一表面101の周囲に形成され且つ発光ダイオードチップ11、11aを取り囲んでいる。
ダム16は、2つの発光ダイオードチップ11、11aの間に設置され、反射カップ15によって囲まれた空間を2つの部分に分割する。ダム16は、2つの発光ダイオードチップ11、11aから出射した光が互いに干渉することを防止する。ダム16の高さは反射カップ15の高さより低いが、2つの発光ダイオードチップ11、11aの高さより高い。
ツェナーダイオード12は、ダム16の内部に設置され且つ第一電極13及び第二電極13aに接続される。具体的には、ツェナーダイオード12のアノードは第一電極13に接続され、ツェナーダイオード12のカソードは第二電極13aに接続される。これにより、2つの発光ダイオードチップ11、11aとツェナーダイオード12とは、逆方向に並列されるため、発光ダイオードチップ11、11aに逆方向の電流を流す場合或いは静電気が発生する場合、逆方向の電流は、ツェナーダイオード12によって放電されて良く、従って、発光ダイオードチップ11、11aを保護することができる。
ダム16と反射カップ15との間の空間には、第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aが充填される。第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aは、ダム16の両側に位置し且つ2つ発光ダイオードチップ11、11aをそれぞれ覆う。第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aの上表面とダム16の上表面とは同じ平面上に位置する。また、第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aの組成物は異なる。
封止層14は透明な材料からなり、発光ダイオードチップ11、11a、ダム16及び第一蛍光体層17と第二蛍光体層17aを覆うように反射カップ15の内部に収容される。封止層14の上表面と反射カップ15の上表面とは同じ平面上に位置する。
図2を参照すると、本発明の第一実施形態の発光ダイオード100を製造するための金型20は下型21及び上型22を備える。下型21には矩形の収容溝211が設けられる。上型22は、コアコンポーネント221及び該コアコンポーネント221を囲む壁222を備える。壁222の頂面及び底面とコアコンポーネント221の頂面及び底面とはそれぞれ同じ平面上に位置する。コアコンポーネント221の断面は台形を呈し、コアコンポーネント221の幅は上方から下方へ徐々に小さくなる。コアコンポーネント221の下型21に対向する底面には台形を呈する溝2211が設けられる。該溝2211の幅は、上方から下方へ徐々に大きくなる。壁222とコアコンポーネント221との間には、環状のスプルー30が形成される。
図3を参照すると、本発明の第二実施形態の発光ダイオード100を製造するための金型20aは、前記金型20に似ている。金型20aは、下型21a及び上型22aを備える。該下型21aには矩形の収容溝211aが設けられる。上型22aは、コアコンポーネント221a及び該コアコンポーネント221aを囲む壁222aを備える。壁222aとコアコンポーネント221aとの間には環状のスプルー30aが形成される。金型20aと金型20との違いは、コアコンポーネント221aの下型21aに対向する底面に環状の溝2211aが設けられることである。該環状の溝2211aの断面は、二つの三角形である。
図4〜図6を参照すると、本発明の第一実施形態に係る発光ダイオード100の製造方法は、下記のステップ1〜ステップ7を備える。
図4を参照すると、ステップ1において、第一電極13、第二電極13a及びツェナーダイオード12を提供し、該第一電極13及び該第二電極13aは、断面がU形を呈し且つ該2つのU形構造の開口は相対する。次いでツェナーダイオード12のアノード及びカソードを第一電極13及び第二電極13aにそれぞれ電気的に接続させる。
図5を参照すると、ステップ2において、金型20を提供し、第一電極13、第二電極13a及びツェナーダイオード12を下型21の収容溝211の内部に設置する。この際、第一電極13及び第二電極13aの上表面と下型21の上表面とは、同じ平面上に位置する。次いで、金型20の上型22のコアコンポーネント221を第一電極13及び第二電極13a上に覆設する。この際、ツェナーダイオード12は、コアコンポーネント221の溝2211に収容される。最後に、上型22の壁222を下型21の収容溝211の側壁に設置する。この際、壁222は、コアコンポーネント221と互いに離間してコアコンポーネント221を囲み、壁222とコアコンポーネント221との間には、環状のスプルー30が形成される。
ステップ3において、壁222とコアコンポーネント221との間のスプルー30を介して金型20の内部に液体の成形材料を注入し、収容溝211、溝2211及びスプルー30に完全に充填させる。スプルー30に充填された液体の成形材料の上表面と上型22の上表面とは同じ平面上に位置する。
図6を参照すると、ステップ4において、液体の成形材料が固化された後、金型20を除去する。従って、ベース10、反射カップ15及びダム16が一体に形成される。具体的には、コアコンポーネント221の溝2211の中の液体の成形材料が固化されると、ダム16が形成され、スプルー30の中の液体の成形材料が固化されると、反射カップ15が形成され、下型21の収容溝211中の液体の成形材料が固化されると、ベース10が形成される。ツェナーダイオード12は、ダム16の内部に封入される。
図1を再度参照すると、ステップ5において、2つの発光ダイオードチップ11、11aを第一電極13及び第二電極13aにそれぞれ設置し、金属線を介して2つの発光ダイオードチップ11、11aのアノードを第二電極13aに電気的に接続させ、2つの発光ダイオードチップ11、11aのカソードを第一電極13に電気的に接続させる。
ステップ6において、第一電極13及び第二電極13aに第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aをそれぞれ形成する。第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aは、ダム16の両側に位置し且つ発光ダイオードチップ11及び発光ダイオードチップ11aをそれぞれ覆う。この際、第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aの上表面とダム16の上表面とは同じ平面上に位置する。
ステップ7において、反射カップ15の内部に封止材料を充填して、封止層14を形成する。該封止層14は、発光ダイオードチップ11、11a、ダム16及び第一蛍光体層17と第二蛍光体層17aを覆う。この際、封止層14の上表面と反射カップ15の上表面とは同じ平面上に位置する。
図7〜図9を参照すると、本発明の第二実施形態に係る発光ダイオード100の製造方法は、下記のステップ1〜ステップ8を備える。
ステップ1において、第一電極13及び第二電極13aを提供する。該第一電極13及び該第二電極13aの断面はU形を呈する。
図7を参照すると、ステップ2において、金型20aを提供し、第一電極13及び第二電極13aを下型21aの収容溝211aの内部に設置し、次いで、上型22aのコアコンポーネント221aを第一電極13及び第二電極13a上に覆設し、最後に、上型22aの壁222aを下型21aの収容溝211aの側壁に設置する。この際、該壁222aは、コアコンポーネント221aと互いに離間してコアコンポーネント221aを囲み、壁222aとコアコンポーネント221aとの間には、環状のスプルー30aが形成される。
ステップ3において、壁222aとコアコンポーネント221aとの間のスプルー30aを介して金型20aの内部に液体の成形材料を注入し、収容溝211a、溝2211a及びスプルー30aに完全に充填させる。
図8を参照すると、ステップ4において、液体の成形材料が固化された後、金型20aを除去する。従って、ベース10、反射カップ15及びダム16aが一体に成型される。具体的には、コアコンポーネント221aの溝2211aの中の液体の成形材料が固化されると、ダム16aが形成され、スプルー30aの中の液体の成形材料が固化されると、反射カップ15が形成され、下型21aの収容溝211a中の液体の成形材料が固化されると、ベース10が形成される。ダム16aは開口部161を有し、第一電極13及び第二電極13aは開口部161の底部に露出される。
図9を参照すると、ステップ5において、ツェナーダイオード12をダム16aの開口部161の内部に設置し且つツェナーダイオード12のアノード及びカソードは、第一電極13及び第二電極13aにそれぞれ接続される。ダム16aの開口部161の頂部には被覆層162が形成され、該被覆層162により、ツェナーダイオード12はダム16aの内部に密封される。
図1を再度参照すると、ステップ6において、2つの発光ダイオードチップ11、11aを第一電極13及び第二電極13aにそれぞれ設置し且つ金属線を介して2つの発光ダイオードチップ11、11aのアノードを第二電極13aに電気的に接続させ、2つの発光ダイオードチップ11、11aのカソードを第一電極13に電気的に接続させる。
ステップ7において、第一電極13及び第二電極13aに第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aをそれぞれ形成する。第一蛍光体層17及び第二蛍光体層17aは、ダム16aの両側に位置し且つ発光ダイオードチップ11及び発光ダイオードチップ11aをそれぞれ覆う。
ステップ8において、反射カップ15の内部に封止材料を充填して、封止層14を形成する。該封止層14は、発光ダイオードチップ11、11a、ダム16a及び第一蛍光体層17と第二蛍光体層17aを覆う。
本発明に係る発光ダイオードの製造方法において、金型20、20aの内部に液体の成形材料を注入することにより、ベース10、反射カップ15及びダム16、16aを一体に成型し、ツェナーダイオード12は、ダム16、16aの内部に封入されるので、ツェナーダイオード12と第一電極13及び第二電極13aとの接続は強固である。従って、ツェナーダイオード12と第一電極13及び第二電極13aとの電気的接続の安定性を向上させることができる。
100 発光ダイオード
10 ベース
11、11a 発光ダイオードチップ
12 ツェナーダイオード
14 封止層
101 第一表面
102 第二表面
16、16a ダム
161 開口部
162 被覆層
15 反射カップ
13 第一電極
13a 第二電極
17 第一蛍光体層
17a 第二蛍光体層
20、20a 金型
21、21a 下型
22、22a 上型
211、211a 収容溝
221、221a コアコンポーネント
222、222a 壁
2211、2211a 溝
30、30a スプルー

Claims (3)

  1. 第一電極、第二電極及びツェナーダイオードを提供し、ツェナーダイオードの電極を第一電極及び第二電極にそれぞれ電気的に接続させるステップと、
    下型及び上型を備える金型を提供し、該下型には収容溝が設置され、該上型はコアコンポーネント及び該コアコンポーネントを囲んで設置する壁を備え、コアコンポーネントの下型と相対する底面には、溝が設けられるステップと、
    第一電極、第二電極及びツェナーダイオードを下型の収容溝内に設置し、次いで、上型のコアコンポーネントを第一電極及び第二電極に覆設し、ツェナーダイオードは、コアコンポーネントの溝に収容され、最後に、上型の壁をコアコンポーネントを囲んで下型に設置させ、壁とコアコンポーネントとの間には、スプルーが形成されるステップと、
    壁とコアコンポーネントとの間のスプルーを介して金型の内部に液体の成形材料を注入させ、収容溝、溝及びスプルーに完全に充填させるステップと、
    液体の成形材料が固化された後、金型を除去し、従って、ベース、反射カップ及びダムを一体に形成し、コアコンポーネントの溝の中の液体の成形材料が固化されるとダムが形成され、スプルーの中の液体の成形材料が固化されると反射カップが形成され、下型の収容溝中の液体の成形材料が固化されるとベースが形成され、ツェナーダイオードはダムの内部に封入されるステップと、
    第一発光ダイオードチップ及び第二発光ダイオードチップをダムの両側の第一電極及び第二電極にそれぞれ設置し、2つの発光ダイオードチップ及びツェナーダイオードを逆方向に並列させるステップと、
    反射カップの内部に2つの発光ダイオードチップを覆う封止材料を充填して、封止層を形成するステップと、
    を備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
  2. 第一電極及び第二電極に第一蛍光体層及び第二蛍光体層をそれぞれ形成し、第一蛍光体層及び第二蛍光体層はダムの両側に位置し且つ2つの発光ダイオードチップをそれぞれ覆うことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
  3. 第一電極及び第二電極を提供するステップと、
    下型及び上型を備える金型を提供し、該下型には収容溝が設けられ、該上型はコアコンポーネント及び該コアコンポーネントを囲んで設置する壁を備え、コアコンポーネントの下型と相対する底面には、環状の溝が設けられるステップと、
    第一電極及び第二電極を下型の収容溝内に設置し、次いで、上型のコアコンポーネントを第一電極及び第二電極に覆設し、最後に、上型の壁をコアコンポーネントを囲んで下型に設置し、壁とコアコンポーネントとの間には、スプルーが形成されるステップと、
    壁とコアコンポーネントとの間のスプルーを介して金型の内部に液体の成形材料を注入し、収容溝、溝及びスプルーに完全に充填させるステップと、
    液体の成形材料が固化された後、金型を除去し、従って、ベース、反射カップ及びダムを一体に成型し、コアコンポーネントの溝の中の液体の成形材料が固化されるとダムが形成され、スプルーの中の液体の成形材料が固化されると反射カップが形成され、下型の収容溝中の液体の成形材料が固化されるとベースが形成され、ダムは開口部を有し、第一電極及び第二電極は開口部の底部に露出されるステップと、
    ツェナーダイオードをダムの開口部の内部に設置し且つツェナーダイオードの電極を第一電極及び第二電極にそれぞれ接続させ、次いで、ダムの開口部の頂部に被覆層を形成し、該被覆層により、ツェナーダイオードがダムの内部に密封されるステップと、
    第一発光ダイオードチップ及び第二発光ダイオードチップをダムの両側の第一電極及び第二電極にそれぞれ設置し、2つの発光ダイオードチップ及びツェナーダイオードを逆方向に並列させるステップと、
    反射カップの内部に2つの発光ダイオードチップを覆う封止材料を充填して、封止層を形成するステップと、
    を備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101572667B1 (ko) * 2014-04-09 2015-11-30 한국광기술원 발광다이오드 칩의 형광체 도포방법
KR20160098893A (ko) * 2015-02-11 2016-08-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
WO2017010851A1 (ko) * 2015-07-16 2017-01-19 엘지이노텍(주) 발광 소자 패키지
KR20180107486A (ko) * 2017-03-22 2018-10-02 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 조명 시스템

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013220790A1 (de) * 2013-10-15 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN104752369B (zh) * 2013-12-27 2018-02-16 展晶科技(深圳)有限公司 光电元件模组
CN103794701B (zh) * 2014-01-26 2017-01-18 广东晶科电子股份有限公司 一种led支架及其led器件
CN103872218B (zh) * 2014-03-18 2016-09-28 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led支架及led发光体
KR20180000976A (ko) * 2016-06-24 2018-01-04 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN110416432B (zh) * 2019-07-31 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种oled面板的制备方法、oled面板及oled装置
CN110310948A (zh) * 2019-08-01 2019-10-08 中山市欧磊光电科技有限公司 一种五合一灯珠及其加工方法
WO2021134748A1 (zh) * 2020-01-02 2021-07-08 厦门市三安光电科技有限公司 发光装置及发光设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124703A (ja) * 2000-08-09 2002-04-26 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP2006093697A (ja) * 2004-09-20 2006-04-06 Tco Co Ltd 静電放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード
JP3137072U (ja) * 2006-12-18 2007-11-15 凱鼎科技股▲ふん▼有限公司 パッケージ構造
JP2009194026A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2011249807A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを含むライトユニット

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124703A (ja) * 2000-08-09 2002-04-26 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP2006093697A (ja) * 2004-09-20 2006-04-06 Tco Co Ltd 静電放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード
JP3137072U (ja) * 2006-12-18 2007-11-15 凱鼎科技股▲ふん▼有限公司 パッケージ構造
JP2009194026A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2011249807A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを含むライトユニット

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101572667B1 (ko) * 2014-04-09 2015-11-30 한국광기술원 발광다이오드 칩의 형광체 도포방법
KR20160098893A (ko) * 2015-02-11 2016-08-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102316037B1 (ko) 2015-02-11 2021-10-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
WO2017010851A1 (ko) * 2015-07-16 2017-01-19 엘지이노텍(주) 발광 소자 패키지
US10424704B2 (en) 2015-07-16 2019-09-24 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
US10998476B2 (en) 2015-07-16 2021-05-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
KR20180107486A (ko) * 2017-03-22 2018-10-02 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 조명 시스템
KR102369820B1 (ko) 2017-03-22 2022-03-03 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지 및 조명 시스템

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