KR20090051508A - 백색 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20090051508A
KR20090051508A KR20070117934A KR20070117934A KR20090051508A KR 20090051508 A KR20090051508 A KR 20090051508A KR 20070117934 A KR20070117934 A KR 20070117934A KR 20070117934 A KR20070117934 A KR 20070117934A KR 20090051508 A KR20090051508 A KR 20090051508A
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곽창훈
손종락
박나나
박일우
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 지향각을 향상시킬 수 있는 백색 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 두개의 전극패턴이 형성된 하부기판; 상기 하부기판 상에 실장되는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩의 좌우측 오픈시키며, 상기 발광소자 칩의 전후측에 각각 반사면을 갖는 상부기판; 및 상기 발광소자 칩 상부에, 형광체를 포함하는 봉지재를 포함하여 구성된 백색 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
백색 발광소자, 형광체, 지향각, 색 균일도, 색 재현성

Description

백색 발광소자 및 그 제조방법{WHITE LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 백색 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 지향각을 향상시키고, 소형화가 가능하도록 한 백색 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자(light emission diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광소자, GaP 등을 이용한 녹색 발광소자, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광소자 등이 있다.
발광소자는 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 가지고 있다. 이러한 발광소자는 표시 소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 최근 일반 조명 용도로 이를 적용하기 위해 활발한 연구가 진행중이다.
최근에는 단일 색성분 예를 들어, 적색, 청색, 또는 녹색 발광소자 외에 백색 발광소자들이 출시되고 있다.
백색 발광소자는 자동차용 및 조명용 제품에 응용되면서, 그 수요가 급속히 증가할 것으로 예상된다.
발광소자 기술에서 백색을 구현하는 방식은 크게 두 가지로 구분될 수 있다.
첫 번째 방식은, 적색, 녹색, 청색 발광소자 칩을 인접하게 설치하고, 각 소자의 발광을 혼색시켜 백색을 구현하는 방식이다. 그러나, 각 발광소자 칩은 열적 또는 시간적 특성이 상이하기 때문에 사용 환경에 따라 색조가 변하고 특히, 색얼룩이 발생하는 등 균일한 혼색을 구현하지 못하는 문제점이 있다.
두 번째 방식은, 형광체를 발광소자 칩에 배치시켜, 발광소자 칩의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색되어 백색을 구현하는 방식이다. 즉, 자외선을 발광하는 발광소자 칩 상부에 자외선에 의하여 여기되어 청색에서 적색까지의 가시광선을 발광하는 형광체를 도포하여 백색광을 얻거나, 청색으로 발광하는 발광소자 칩 상에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 분포시켜 발광소자 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻을 수 있다.
현재 형광체를 발광소자 칩에 배치시켜 백색광을 구현하는 방법이 보편화되어 있으며, 특히, 청색 발광소자 칩과 황록색 또는 황색 형광체를 이용하여 백색을 구현하는 방법이 가장 많이 사용되고 있다.
도 1 및 도 2는 상술한 바와 같이 백색 발광을 위해 청색 발광소자 칩과 황 색 발광 형광체를 사용한 종래 백색 발광소자를 도시한 것으로, 도 1은 위에서 본 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I의 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 종래 백색 발광소자(100)는, 홈부(145)가 형성된 패키지 기판(120)과, 상기 홈부(145)의 저면에 실장된 발광소자 칩(130) 및 상기 발광소자 칩(130)을 봉지하며, 형광체(160)를 포함하는 봉지재(150)로 구성된다.
상기 패키지 기판(120)은, 두개의 전극패턴(110)이 형성된 하부기판(120)과, 홈부가 형성되어 상기 발광소자 칩(130)을 둘러싸는 상부기판(220a)으로 구성되며, 상기 하부기판(220a) 상에 청색 발광소자 칩(130)이 실장되어 있다.
그리고, 상기 발광소자 칩(130)의 두 전극(미도시)은 각각 전극패턴(110)의 상단에 와이어(170)로 연결될 수 있다.
또한, 상기 홈부(145)에는 상기 발광소자 칩(130)을 봉지하는 봉지재(150)가 충진되어 있다. 상기 봉지재(150)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지와 같은 투명수지로 이루어져 있으며, 상기 청색 발광소자 칩(130)으로부터 발생된 광의 파장을 백색광으로 변환시키기 위한 황색 발광 형광체(160)를 포함하고 있다.
상기한 바와 같이 구성된 백색 발광소자(100)는, 전류 인가시, 상기 청색 발광소자 칩(130)의 청색 발광과, 그 광의 일부를 여기원으로 한 형광체(160)의 황색 발광의 조합으로 인한 백색발광을 구현하게 된다.
일반적으로, 상기 봉지재(150)는 액상 투명수지에 형광체를 혼합된 용액을 구경이 작은 니들(needle)을 통해 토출시켜 홈부를 채운 후, 경화공정을 통해 형성된다.
그러나, 액상 투명수지가 홈내부에 충진되는 동안이나 액상 투명수지가 경화되는 동안 비중이 높은 형광체가 상대적으로 비중이 낮은 투명수지와의 비중 차이로 인하여 하부로 가라앉게 된다.
이와 같이, 형광체의 침전으로 인해 도 1에 도시된 바와 같이, 봉지재(150) 내부의 형광체(160)의 농도가 불균일하게 분포되어 색균일도가 떨어지게 된다. 즉, 발광소자 칩(130)으로부터 발광되는 빛이 일정하지 않아 색 얼룩이 발생하는 등, 색의 재현성에 문제가 생기게 되며, 형광체가 몰딩부 내에서 균일하게 분포되지 않기 때문에 발광소자를 보는 각도마다 방출되는 광의 색이 달라지는 문제점이 있다.
또한, 상기 상부기판(120a)의 홈부(145)에 발광소자 칩(130)을 실장한 후, 발광소자 칩(130)과 전극패턴(110)과의 와이어 본딩을 수행하기 때문에, 상기 홈부(145)의 크기가 일정수준으로 확보되어야 한다. 따라서, 와이어 본딩의 작업성으로 인해, 홈부(145)의 크기를 일정수준 이하로 줄이는데 어려움이 있으며, 이로 인해 패키지의 소형화에 한계가 있다.
또한, 상기 상부기판(120a)에 형성된 홈부(145)는 발광소자 칩(130)의 주변 즉, 좌우, 전후를 완전히 에워싸는 컵모양으로 형성되어 있어서, 상기 발광소자 칩(130)으로부터 방출되는 광의 지향각을 향상시키는 데 한계가 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 발광소자 칩의 양측에 반사면이 제거된 패키지 기판을 통해, 지향각을 향상시키고, 본딩시 작업성을 용이하게 하여, 소자의 소형화를 꾀할 수 있을 뿐만 아니라, 홈이 형성된 봉지재 형성용 틀을 사용하여, 형광체가 포함된 봉지재를 형성함으로써, 형광체의 침전을 줄여, 색 균일도 및 색 재현성을 향상시킬 수 있는 백색 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 두개의 전극패턴이 형성된 하부기판; 상기 하부기판 상에 실장되는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩의 좌우측이 오픈되고, 상기 발광소자 칩의 전후측에 각각 반사면을 갖는 상부기판; 및 상기 발광소자 칩 상부에, 형광체를 포함하는 봉지재를 포함하여 구성된 백색 발광소자를 제공한다.
상기 발광소자 칩은, 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시키는 발광소자 칩 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 상기 형광체는, 황색(yellow), 적색(red) 및 녹색(green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 형광체로 형성되어 있다.
그리고, 상기 봉지재는, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄 수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 반사면은, 사각형, 반원, 타원, 이중 타원 중 어느 한 형태를 갖도록 구성할 수 있으며, 이와 같이 반사면의 형태를 다양하게 하는 것으로, 상기 반사면을 통해 출사되는 광효율을 높이기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 두 전극패턴을 가지며, 상기 전극패턴 상부에 좌우측이 오픈되고, 그 전후측에 일정거리를 두고 이격된 제1 및 제2측벽을 갖는 패키지 기판을 준비하는 단계; 상기 제1 및 제2측벽 사이의 패키지 기판 상에 상기 전극패턴과 연결되는 발광소자 칩을 실장하는 단계; 및 상기 발광소자 칩 상부에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 백색 발광소자의 제조방법을 제공한다.
이때, 상기 발광소자 칩은 와이어 본딩 또는 플립 칩 본딩을 통해 상기 전극패턴과 연결할 수 있다.
그리고, 상기 발광소자 칩 상부에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계는, 홈이 마련된 봉지재 형성용 틀을 준비하는 단계; 상기 홈 내부에 형광체와 투명수지가 혼합된 액상의 혼합 봉지재를 채우는 단계; 상기 발광소자 칩이 상기 혼합 봉지재를 향하도록 한 후, 상기 액상의 혼합 봉지재 안에 상기 발광소자 칩이 잠기도록 상기 패키지 기판을 담그는 단계; 상기 발광소자 칩이 액상의 혼합 봉지재에 잠긴 상태에서 상기 액상의 혼합 봉지재를 경화시키는 단계; 및 상기 패키지 기판으로부터 상기 봉지재 형성용 틀을 분리시키는 단계로 이루어진다.
한편, 상기 양측이 오픈되고, 그 상하측에 제1 및 제2측벽을 갖는 패키지 기 판은 사출 성형에 의해 제작할 수 있으며, 상기 봉지재 형성용 틀은, 세라믹, 금속 또는 실리콘 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
본 발명은, 발광소자 칩의 양측에 반사면이 제거된 패키지 기판을 통해, 지향각을 향상시키고, 소자의 소형화를 꾀할 수 있다.
또한, 본 발명은 홈이 형성된 봉지재 형성용 틀을 사용하여, 형광체가 포함된 봉지재를 형성함으로써, 형광체의 침전을 줄이고, 색 균일도 및 색 재현성을 더욱 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 따른 백색 발광소자 및 그 제조방법에 대해 상세하게 설명하도록 한다.
도 3 및 도 4a ~ 4b는 본 발명에 따른 백색 발광소자를 나타낸 것으로, 도 3은 평면도이고, 도 4a 및 도 4b는 도 3의 II-II' 및 III-III'의 절단면을 각각 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 백색 발광소자(200)는, 패키지 기판(220), 상기 패키지 기판(220)에 실장된 발광소자 칩(230) 및 상기 발광소자 칩(230) 상에 형성된 봉지재(250)를 포함한다.
상기 패키지 기판(220)은, 두 전극패턴(210)을 갖는 하부기판(220a)과, 상기 하부기판(220a) 상부에 마련되어 상기 두 전극패턴(210)을 노출시키는 상부기판(220b)으로 이루어져 있다.
상기 상부기판(220b)은 그 양측(좌우측)이 뚫려 측벽이 전혀 마련되어 있지 않으며, 그 전후측에는 소정간격을 두고 제1 및 제2측벽(240a, 240b)이 각각 형성되어 있다.
상기 제1 및 제2측벽(240a, 240b)은 상부를 향해 경사면을 가지고 있으며, 상기 경사면은 Ag과 같이 반사율이 높은 반사물질의 코팅 혹은 도금을 통해 반사면을 형성하고 있다. 이때, 상기 제1 및 제2측벽(240a, 240b)은 사각형, 반원, 타원, 이중 타원 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
그리고, 상기 제1측벽(240a) 및 제2측벽(240b) 사이에 노출된 하부기판(220a) 상에 발광소자 칩(230)이 실장 되는데, 상기 발광소자 칩(230)은, 와이어(270)를 통해 전극패턴(210)과 전기적으로 연결되어 있다. 이때, 플립 칩 본딩에 의해 전극패턴(210)이 상기 발광소자 칩(230)이 전기적으로 연결된 구조도 가능하다.
상기 발광소자 칩(230)은 서브마운트 기판과 그 상면에 탑재된 발광소자 칩을 포함한 구조일 수 있으며, 상기 발광소자 칩(230)은 수지(Ag epoxy)나 공융접합제(eutectic solder)와 같은 접착수단으로 하부기판(220) 상에 고정되어 있다.
상기 발광소자 칩(230)은 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시키는 발광소자 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 청색 발광소자 단독으로 구성되거나, 청색과 적색 발광소자가 함께 구성될 수도 있다.
그러나, 본 발명은 이러한 예들에 한정되어 있는 것이 아니고, 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시킨다면, 단독 또는 어떠한 조합으로든 구성할 수 있다.
한편, 상기 발광소자 칩(230)의 상부에 형성된 봉지재(250)는 수지에 형광체(260)가 혼합되어 형성된 것으로, 상기 수지는 굴절율 및 광투과율이 높은 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함하고 있으며, 형광체(260)는 황색(yellow), 적색(red) 및 녹색(green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 형광체를 포함하고 있다.
따라서, 상기 형광체(260)는 상기 발광소자 칩(230)으로부터 발생된 광을 변환시켜, 백색광을 구현해야 하기 때문에, 상기 발광소자 칩(230)의 발광파장에 따라 결정된다. 예를 들어, 상기 발광소자 칩(230)이 청색 소자인 경우, 상기 형광체는 황색 발광 형광체를 사용하게 된다.
이와 같이, 청색 발광소자와 황색 발광 형광체를 사용하는 경우, 전류 인가시, 상기 청색 LED 소자의 청색 발광과, 그 광의 일부를 여기원으로 한 형광필름의 황색 발광의 조합으로 인한 백색발광을 구현하게 된다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 백색 발광소자(200)는 발광소자 칩(230)의 양측에 반사면이 마련되어 있지 않기 때문에, 종래에 비해, 좌우측의 지향각을 향상시킬 수 있게 된다. 즉, 종래 패키지 기판은 상부기판(220a)의 측벽이 발광소자 칩(230)의 주변을 완전히 에워싸는 구조로, 상기 발광소자 칩(230)으로부터 발 생된 광은 모두 상기 측벽에 의해 상부로 향하게 되므로, 지향각을 향상시키는 데 한계가 있었다. 여기서, 측벽은 실질적으로 반사면으로 이용되므로, 반사면과 동일한 의미로 이해될 수 있다.
반면에, 본 발명의 백색 발광소자는 상부기판(220a)의 측벽이 발광소자 칩(230)의 전,후측에만 형성되어 있을 뿐, 발광소자 칩(230)의 좌,우측에는 뚫려진 형태로 형성되어 있기 때문에, 종래 좌우측의 측벽에 반사되어 상부로 향하던 광을 좌우측 방향으로 넓게 분산시킬 수 있으므로, 지향각을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 백색 발광소자는, 발광소자 칩(230)의 좌우측이 뚫려 있기 때문에, 와이어 본딩시 작업성을 용이하게 하여, 종래에 비해, 소자의 소형화가 가능해진다. 즉, 종래에는, 발광소자 칩을 패키기 기판의 전극패턴과 연결하는 와이어 본딩의 작업을 용이하게 하기 위해, 상기 발광소자 칩을 에워싸도록 형성된 홈부 영역이 확보되어야 하기 때문에, 소자의 소형화에 한계가 있었다. 그러나, 본 발명에서는 발광소자 칩(230)의 좌우측이 오픈되어 있기 때문에, 본딩 작업의 구애 없이 소자의 사이즈를 줄이는 소형화가 가능하다.
한편, 본 발명에 따른 백색 발광소자는 발광소자 칩의 좌우측에 벽이 없이 뚫린 상태이기 때문에, 종래와 같은 디스펜싱 방식을 통한 봉지재의 형성이 불가능 하다. 즉, 종래에는, 발광소자 칩을 에워싸고 있는 측벽이 홈을 형성하기 때문에, 상기 홈 내부에 수지를 충진하는 디스펜싱 방식을 통해 봉지재를 형성하는 것이 가능하였으나, 본 발명에서는, 발광소자 칩을 둘러싸는 좌우 측벽이 없기 때문에, 새로운 방식을 통해 봉지재를 형성해야 한다.
따라서, 본 발명에서는, 형광체가 혼합된 액상의 투명수지를 담을 수 있는 용기를 마련하고, 상기 용기 안에, 발광소자 칩이 실장된 패키지 기판을 담근 후, 이를 경화시키는 방식을 통해 봉지재를 형성한다.
도 5a ~ 도 5c 및 도 6a ~ 도 6c는 본 발명에 따른 본 발명에 따른 백색 발광소자의 제조공정을 나타낸 공정도로, 도 5a ~ 도 5c는 공정 단면도이고, 도 6a ~ 도 6c는 공정 평면도이다.
먼저, 도 5a 및 도 6a에 도시된 바와 같이, 전극패턴(210)을 갖는 패키지 기판(220)을 준비한다. 이때, 상기 패키지 기판(220)은 사출형성에 의해 형성될 수 있으며, 상기 패키지 기판(220)은 그 상부기판이 죄우측이 오픈되고, 전후측에 상부를 향해 경사면을 갖는 제1 및 제2측벽(240a, 240b)을 갖도록 형성한다.
그리고, 도 5b 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 기판(220) 상에 발광소자 칩(230)을 실장하고, 와이어(270)를 통해 상기 발광소자 칩(230)의 전극(미도시)과 패키지 기판(220)의 전극패턴(210)을 전기적으로 연결한다. 앞서 언급한 바와 같이, 플립 칩 방식을 통해 상기 발광소자 칩(230)을 전극패턴(210)과 연결하는 것도 가능하다.
이어서, 도 5c 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자 칩(230) 상부에 형광체(260)를 포함하는 봉지재(250)를 형성한다.
상기 봉지재(250)는 형광체와 액상의 투명수지가 채워진 용기를 이용하여 형성될 수 있다.
도 7a ~ 도 7c를 통해 본 발명에 따른 봉지재의 형성방법에 대해 상세하게 설명하도록 한다.
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 오목한 홈(275)이 형성된 봉지재 형성용 틀(230)을 준비한 후, 상기 홈(275) 내부에 형광체와 투명수지가 혼합된 혼합 봉지재(250)를 채운다. 상기 봉지재 형성용 틀(230)은 세라믹, 금속 또는 실리콘 등의 재질을 사용할 수 있다.
이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 도 5b 및 도 6b의 공정이 진행된 패키지 기판(220)을 상하방향으로 그 위치를 바꾸어 줌으로써, 패키지 기판(220) 상에 실장된 발광소자 칩(230)이 홈(275)에 채워진 액상의 혼합 봉지재(250)를 향하도록 한 후, 이를 상기 혼합 봉지재(250) 속에 담근다. 이때, 상기 와이어(270), 발광소자 칩(230) 및 전극패턴(210)이 완전히 잠기도록 패키지 기판(220)을 혼합 봉지재(250) 속에 넣는다.
계속해서, 상기 패키지 기판(220)이 상기 봉지재 형성용 틀(230)에 담긴 상태에서, 상기 혼합 봉지재(250)를 경화시킨 후, 도 7c에 도시된 바와 같이, 봉지재 형성용 틀(230)을 분리시키게 되면, 상기 발광소자 칩(230) 상부에 형광체(260)가 균일하게 분포된 봉지재(250)가 형성된다.
상기 액상의 혼합 봉지재(250)가 경화되는 과정에서, 형광체와 투명수지의 비중 차이로 인해, 상기 형광체가 아래방향 즉, 봉지재 형성용 틀에 형성된 홈(275)의 바닥면으로 침전되는 형광체가 존재할 수 있으나, 상기 홈(275)의 바닥에 침전되는 형광체(260)는 소자가 완성된 후, 상기 봉지재(250)의 표면에 일정하게 분포하여, 종래에 비해 색 균일도가 향상된다.
즉, 종래에는 니들을 통해 형광체가 혼합된 액상의 투명수지를 발광소자 칩 상부에 적하하는 디스펜싱 방식을 통해 봉지재를 채우기 때문에, 상기 투명수지 발광소자 칩 상에 완전히 채워지는 시간 동안 및 경화시간 동안에 형광체의 침전이 이루어진다.
그러나, 본 발명에서는, 봉지재 형성용 틀의 홈 내부에 형광체가 혼합된 수지를 채우고, 바로 발광소자 칩을 상기 수지 안에 담근 상태에서, 바로 경화가 이루어지기 때문에, 경화시간 동안 형광체의 침전이 발생한다고 하더라도, 종래 디스펜싱 공정 동안에 이루어지는 형광체의 침전을 막을 수 있기 때문에, 종래에 비해, 균일한 형광체의 분포가 가능하다.
따라서, 종래 백색 발광소자의 구조에 비해 색 균일도 및 색 재현성을 향상시킬 수 있게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명은, 발광소자 칩의 양측의 반사면을 제거하고, 홈이 형성된 봉지재 형성용 틀을 사용하여, 형광체가 포함된 봉지재를 형성하는 것으로, 발광소자 칩의 구조, 실장 방식, 본딩 방식 등에 상관없이, 발광소자 칩의 좌우측이 오픈된 패키지 구조를 가지고 있다면, 모두 본 발명에 포함될 것이다.
이에 따라, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1 및 도 2는 종래의 백색 발광소자를 나타낸 것으로, 도 1은 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'의 절단면도.
도 3 및 도 4a ~ 도 4b는 본 발명에 따른 백색 발광소자를 나타낸 것으로, 도 3은 평면도이고, 도 4a 및 도 4b는 도 3의 II-II' 및 III-III'의 절단면도.
도 5a ~ 도 5c는 본 발명에 따른 백색 발광소자의 공정 단면도.
도 6a ~ 도 6c는 본 발명에 따른 백색 발광소자의 공정 평면도.
도 7a ~ 도 7c는 본 발명에 따른 백색 발광소자의 봉지재의 제조공정을 나타낸 공정 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
210 : 전극패턴 220 : 패키지 기판
220a : 하부기판 220b : 상부기판
230 : 발광소자 칩 240a : 제1측벽
240b : 제2측벽 250 : 봉지재
260 : 형광체 280 : 봉지재 형성용 틀

Claims (11)

  1. 두개의 전극패턴이 형성된 하부기판;
    상기 하부기판 상에 실장되는 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩의 좌우측이 오픈되고, 상기 발광소자 칩의 전후측에 각각 반사면을 갖는 상부기판; 및
    상기 발광소자 칩 상부에, 형광체를 포함하는 봉지재;
    를 포함하여 구성된 백색 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자 칩은, 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시키는 발광소자 칩 중 적어도 하나 이상을 포함하는 하는 것을 특징으로 하는 백색 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 형광체는, 황색(yellow), 적색(red) 및 녹색(green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 형광체로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 봉지재는, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반사면은, 사각형, 반원, 타원, 이중 타원 중 어느 한 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 백색 발광소자.
  6. 두 전극패턴을 가지며, 상기 전극패턴 상부에 좌우측이 오픈되고, 그 전후측에 일정거리를 두고 이격된 제1 및 제2측벽을 갖는 패키지 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 및 제2측벽 사이의 패키지 기판 상에 상기 전극패턴과 연결되는 발광소자 칩을 실장하는 단계; 및
    상기 발광소자 칩 상부에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계;
    를 포함하여 이루어지는 백색 발광소자의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 발광소자 칩은 와이어 본딩을 통해 상기 전극패턴과 연결하는 것을 특징으로 하는 백색 발광소자의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 발광소자 칩은 플립 칩 본딩을 통해 상기 전극패턴과 연결하는 것을 특징으로 하는 백색 발광소자의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 상부에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계는,
    홈이 마련된 봉지재 형성용 틀을 준비하는 단계;
    상기 홈 내부에 형광체와 투명수지가 혼합된 액상의 혼합 봉지재를 채우는 단계;
    상기 발광소자 칩이 상기 혼합 봉지재를 향하도록 한 후, 상기 액상의 혼합 봉지재 안에 상기 발광소자 칩이 잠기도록 상기 패키지 기판을 담그는 단계;
    상기 발광소자 칩이 액상의 혼합 봉지재에 잠긴 상태에서 상기 액상의 혼합 봉지재를 경화시키는 단계; 및
    상기 패키지 기판으로부터 상기 봉지재 형성용 틀을 분리시키는 단계로 이루 어지는 것을 특징으로 하는 백색 발광소자의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 사출 성형에 의해서 형성된 것을 특징으로 하는 백색 발광소자의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 봉지재 형성용 틀은, 세라믹, 금속 또는 실리콘 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광소자의 제조방법.
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US9035325B2 (en) 2009-10-26 2015-05-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9035325B2 (en) 2009-10-26 2015-05-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system
US8405120B2 (en) 2010-02-05 2013-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device
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