JP3137072U - パッケージ構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】第一リードと、第二リードと、カプセル部と、発光素子と、静電放電(ESD)保護素子とを含むパッケージ構造を提供する。
【解決手段】前記第二リードは、前記第一リードのそばに配置され、前記第一リードと前記第二リードの一部は、カプセル部によってパッケージ化される。前記カプセル部は第一空洞部と第二空洞部を備える。前記第一リードと前記第二リードの一部は、前記第一空洞部によって露出されており、前記第一リードと前記第二リードの他の部分は前記第二空洞部によって露出されている。前記発光素子は、前記第一空洞部内に配置され、前記第一リードと前記第二リードとに電気的に接続されている。前記ESD保護素子は前記第二空洞部内に配置され、前記第一リードと前記第二リードとに電気的に接続されている。
【選択図】図2A

Description

この発明は、概してパッケージ構造に関し、特に発光素子のパッケージ構造に関する。
従来の電球と比較して、発光ダイオード(LED)は小型で経済的、長寿命、低消費電力、水銀がない(非汚染)、などの特徴がある。輝度効率の進歩によって、蛍光灯および白熱電球の使用は、いくつかの分野では徐々にLEDに取り替えられている。例えば、LEDは、スキャナの高速光源や、液晶ディスプレー(LCD)のバックライト源、計器板の照明、交通標識および一般的な照明装置で採用されている。
上述の利点にもかかわらず、LEDは、異常電圧や静電放電(ESD)によって、しばしば破損される。慣例的には、LEDが異常電圧やESDによって破損されるのを防ぐために、LEDとツェナーダイオードとが、並列に接続される。
図1Aは、従来のLEDのパッケージ構造を描いた断面図であり、図1Bは、図1AのLEDパッケージ構造の上面図である。図1Aと図1Bを参照すると、従来のLEDパッケージ構造100は、第一リード110と、第二リード120と、カプセル部130と、LEDチップ140と、ツェナーダイオード150とを含む。第一リード110は第二リード120のそばに配置され、第一リード110と第二リード120の一部は、カプセル部130によってパッケージングされている。カプセル部130は、第一リード110と第二リード120の一部を露出させるために空洞部132を備える。
LEDチップ140は空洞部132の中で第一リード110上に配置される。LEDチップ140のカソードはワイヤー162を介して第一リード110と電気的に接続され、LEDチップ140のアノードはワイヤー164を介して第二リード120と電気的に接続される。ツェナーダイオード150は空洞部132の中で第二リード120上に配置される。ツェナーダイオード150のカソードは第二リード120と直接電気的に接続され、ツェナーダイオード150のアノードはワイヤー166を介して第一リード110と電気的に接続される。
従来技術によれば、ツェナーダイオード150の配置によってLEDチップ140がESDによって破損されるのを防いでいる。しかしながら、ツェナーダイオード150が、LEDチップ140が放射した光の一部を防ぎ、それによりLEDパッケージ構造100の発光効率が低下していた。
本発明は発光効率が優れた点に特徴があるパッケージ構造に関する。
本発明は、第一リードと、第二リードと、カプセル部と、発光素子と、静電放電(ESD)保護素子とを含むパッケージ構造を提供する。第二リードは、第一リードのそばに配置され、第一リードと第二リードの一部は、カプセル部によってパッケージングされる。カプセル部は第一空洞部と第二空洞部を備える。ここで、第一リードと第二リードの一部は、第一空洞部によって露出されており、第一リードと第二リードの他の部分は第二空洞部によって露出されている。発光素子は、第一空洞部内に配置され、第一リードと第二リードとに電気的に接続されている。ESD保護素子は第二空洞部内に配置され、第一リードと第二リードとに電気的に接続されている。
上述のパッケージ構造によれば、発光素子は、例えば第一リード上に配置され、ESD保護素子は、例えば第二リード上に配置される。
上述のパッケージ構造は、さらに2つのワイヤーを含み、第一接触パッドと第二接触パッドとが発光素子の上部に配置される。ここで、上記ワイヤーは第一接触パッドと第一リードとの間、および第二接触パッドと第二リードとの間に接続される。
上述のパッケージ構造はさらにワイヤーを含み、第三接触パッドと第四接触パッドとがESD保護素子の底部と上部とにそれぞれ配置される。ここで、第三接触パッドは、第二リードと接触し、第四接触パッドと第一リードとの間に前記ワイヤーが接続される。
上述のパッケージ構造によれば、ESD素子は、例えばダイオードである。
上述のパッケージ構造によれば、上記ダイオードは、例えばツェナーダイオード、或いはLEDである。
上述のパッケージ構造によれば、前記発光素子は、LEDチップでもよい。
上述のパッケージ構造はさらに、例えば前記第一空洞部を封入する化合物を含む。
上述のパッケージ構造はさらに、例えば前記第二空洞部を封入する化合物を含む。
上述のパッケージ構造によれば、前記カプセル部は、例えば第三空洞部を含む。
上述のパッケージ構造によれば、前記発光素子のアノードとカソードは、それぞれ前記第二リードと前記第一リードとに電気的に接続される。それとは逆に、前記ESD保護素子のアノードとカソードは、それぞれ前記第一リードと前記第二リードとに電気的に接続される。
本発明においては、発光素子とESD保護素子とがそれぞれ異なる空洞部に配置され、その結果、ESD保護素子が、発光素子が放射した光を遮断するのを防ぐことができる。従って、本発明のパッケージ構造は、従来のパッケージ構造と比較して望ましい発光効率を達成することができる。
上述した本発明の他の目的、特徴、利点をより理解できるように、以下、図面を参照しながら、好ましい実施形態について詳細に述べる。
図2Aは、本発明の一実施形態に係るパッケージ構造を示す断面概略図であり、図2Bは、図2Aのパッケージ構造を示す上面図である。図2A、2Bを参照すると、本実施形態のパッケージ構造200は、第一リード210と、第二リード220と、カプセル部230と、発光素子240と、静電放電(ESD)保護素子250とを含む。第二リード220は、第一リード210のそばに配置され、第一リード210と第二リード220の一部は、カプセル部230によってパッケージング(パッケージ化)されている。カプセル部230は第一空洞部232と第二空洞部234を備える。ここで、第一リード210と第二リード220の一部は、第一空洞部232によって露出されており、第一リード210と第二リード220の他の部分は第二空洞部234によって露出されている。さらに、発光素子240は、第一空洞部232内に配置され、第一リード210と第二リード220とに電気的に接続されている。ESD保護素子250は第二空洞部234内に配置され、第一リー210ドと第二リード220とに電気的に接続されている。
上記パッケージ構造200においては、第一リード210と第二リード220の材料は、例えば金属である。そして、パッケージ材230を形成する方法は、射出成形や押し抜きを含む。発光素子240は、例えば第一空洞部232内で第一リード210上に配置され、ESD保護素子250は、例えば第二空洞部234内で第二リード220上に配置される。さらに、第一接触パッド242と第二接触パッド244が発光素子240の上部に配置される。ここで、第一接触パッド242は、例えば第一接触パッド242と第一リード210間に接続されたワイヤー262を介して第一リード210と電気的に接続される。第二接触パッド244は、例えば第二接触パッド242と第二リード220間に接続されたワイヤー264を介して第二リード220と電気的に接続される。一方、第三接触パッド(図示せず)と第四接触パッド252がESD保護素子250の底部と上部とにそれぞれ配置される。ここで、第三接触パッドは第二リード220に直接接続されており、第四接触パッド252は、例えば第四接触パッド252と第一リード210間に接続されたワイヤー266を介して第一リード210と電気的に接続されている。
発光素子240の第一接触パッド242と第二接触パッド244は、例えばそれぞれカソードとアノードである。ESD保護素子250の第三接触パッドと第四接触パッド252は、例えばそれぞれカソードとアノードである。換言すれば、発光素子240のカソードとアノードは、第一リード210と第二リード220とにそれぞれ電気的に接続される。また、ESD保護素子250のカソードとアノードは、第二リード220と第一リード210とにそれぞれ電気的に接続される。さらに、ワイヤー262、264,266は、例えば金ワイヤー、アルミニウムワイヤー、或いは他の適切な金属ワイヤーである。発光素子240は、例えばLEDチップであり、ESD保護素子250は、ツェナーダイオードあるいはLEDのようなダイオードを含むが、それらに限定されない。
本実施形態によれば、発光素子240とESD保護素子250はそれぞれ異なる空洞部に置かれているので、ESD保護素子250が、発光素子240が発光した光を遮断するのを防ぐことができる。従って、本実施形態のパッケージ構造は従来のパッケージ構造と比較して望ましい発光効率を達成することができる。
本実施形態によれば、第一接触パッド242と第二接触パッド244は、共に発光素子240の上部に配置されているが、本発明によれば、それら二つの接触パッドは、それぞれ発光素子240の上部と底部に配置することもできる。また、本実施形態のパッケージ構造200は、表面実装型デバイス(SMD)のLEDパッケージ構造、あるいは平面型(top view)LEDパッケージ構造でもよい。
図3は、本発明の他の実施形態に係るパッケージ構造を示す断面概略図である。図3を参照すると、本実施形態のパッケージ構造200’は、上記パッケージ構造200と類似している。異なる点は、このパッケージ構造200’は、さらに第一空洞部232を封入する(密封する、カプセル化する)化合物270aと第二空洞部234を封入する(密封する、カプセル化する)化合物270bをさらに含む点にある。化合物270aと270bは、発光素子240とESD保護素子250をシールドするために使用される。さらに、化合物270aは、例えば透明化合物で、その上部の形状は凸形、凹形、或いは望ましい放射パターンに基づいた他の形状である。
図4は、本発明のさらに他の実施形態に係るパッケージ構造を示す断面概略図である。図4を参照すると、本実施形態のパッケージ構造200’’は、上記パッケージ構造200と類似している。異なる点は、このパッケージ構造200’’は、さらに他の素子を配置することのできる第三空洞部236を含む点にある。さらに、本発明は空洞部の数にいかなる制限をも設けていない。
要約すれば、本発明のパッケージ構造によれば、発光素子とESD素子が同じ空洞部ではなく異なる空洞部にそれぞれ配置されているので、ESD保護素子が発光素子によって放射された光を遮断しない。従って、本発明のパッケージ構造は、従来のパッケージ構造と比較して望ましい発光効率を達成することができる。
本発明を特定の実施形態について述べたが、同じ分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の精神から離れることなしに、ここで述べた実施形態に変形を加えることができることは明らかである。従って、本発明の範囲は、上述の細かな記述ではなく、添付の請求項によって規定されるべきである。
従来のLEDパッケージ構造を描いた断面図である。 図1AのLEDパッケージ構造を描いた上面図である。 本発明の一実施形態に係るパッケージ構造を描いた断面概略図である。 図2Aのパッケージ構造を描いた上面図である。 本発明の他の実施形態に係るパッケージ構造を描いた断面概略図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るパッケージ構造を描いた断面概略図である。

Claims (11)

  1. 第一リードと、
    前記第一リードのそばに配置された第二リードと、
    前記第一リードと第二リードの一部をカプセル化し、第一空洞部と第二空洞部とを備え、前記第一空洞部が前記第一リードと第二リードの一部を露出させ、前記第二空洞部が前記第一リードと第二リードの他の部分を露出させるカプセル部と、
    前記第一空洞部内に配置され、前記第一リードと第二リードとに電気的に接続された発光素子と、
    前記第二空洞部内に配置され、前記第一リードと第二リードとに電気的に接続された静電放電(ESD)保護素子とを含むことを特徴とするパッケージ構造。
  2. 請求項1に記載のパッケージ構造において、前記発光素子は前記第一リード上に配置され、前記ESD保護素子は前記第二リード上に配置される。
  3. 請求項2に記載のパッケージ構造において、
    さらに2つのワイヤーと、前記発光素子の上部に配置された第一接触パッドおよび第二接触パッドとを備え、
    前記ワイヤーは、前記第一接触パッドと前記第一リードとの間、および前記第二接触パッドと前記第二リードとの間に接続される。
  4. 請求項2に記載のパッケージ構造において、
    さらにワイヤーを含み、第三接触パッドと第四接触パッドがそれぞれ前記ESD保護素子の底部と上部とに配置され、前記第三接触パッドは前記第二リードと接触し、前記ワイヤーは前記第四接触パッドと前記第一リードとの間に接続される。
  5. 請求項1に記載のパッケージ構造において、
    前記ESD保護素子はダイオードである。
  6. 請求項5に記載のパッケージ構造において、
    前記ダイオードはツェナーダイオード、或いはLEDである。
  7. 請求項1に記載のパッケージ構造において、
    前記発光素子はLEDチップである。
  8. 請求項1に記載のパッケージ構造において、
    さらに、前記第一空洞部を封入する化合物を備える。
  9. 請求項1に記載のパッケージ構造において、
    さらに、前記第二空洞部を封入する化合物を備える。
  10. 請求項1に記載のパッケージ構造において、
    前記カプセル部は、さらに第三空洞部を備える。
  11. 請求項1に記載のパッケージ構造において、
    前記発光素子のアノードとカソードは、それぞれ前記第二リードと前記第一リードとに電気的に接続され、前記ESD保護素子のアノードとカソードは、それぞれ前記第一リードと前記第二リードとに電気的に接続される。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011141781A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック電工株式会社 Ledモジュール
JP2013522877A (ja) * 2010-03-10 2013-06-13 マイクロン テクノロジー, インク. 自己整合特徴を有する発光ダイオードのウェハレベルパッケージ
JP2013138204A (ja) * 2011-12-27 2013-07-11 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオードの製造方法

Families Citing this family (144)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
DE102010001791A1 (de) 2009-02-16 2010-09-30 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Baueinheit
TWI380433B (en) * 2009-02-25 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
TWI411142B (zh) 2009-06-23 2013-10-01 Delta Electronics Inc 發光裝置及其封裝方法
KR101121151B1 (ko) 2010-03-19 2012-03-20 주식회사 대원이노스트 Led 모듈 및 그 제조 방법
US8525213B2 (en) 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US20130043502A1 (en) * 2010-05-31 2013-02-21 Panasonic Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
KR101172177B1 (ko) 2010-08-09 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN102376855B (zh) 2010-08-09 2015-08-19 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明系统
KR101163901B1 (ko) 2010-08-09 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2012074423A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Panasonic Electric Works Sunx Co Ltd Ledモジュール
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
KR101871501B1 (ko) * 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
CN102903803B (zh) * 2011-07-29 2015-03-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
CN104976526A (zh) * 2014-04-03 2015-10-14 弘凯光电(深圳)有限公司 Led发光装置及具有该led发光装置的灯具
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
DE202016008796U1 (de) * 2015-07-16 2019-10-24 Lg Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtungseinheit
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
WO2018233839A1 (en) * 2017-06-22 2018-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC COMPONENT
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
JP2002029844A (ja) 2000-07-17 2002-01-29 Tokai Carbon Co Ltd 気相成長装置用部材
DE10041686A1 (de) * 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
JP2002029868A (ja) 2000-11-24 2002-01-29 Sanshin Press:Kk 高温の熱による各種焼結体の表面加工方法
KR100638876B1 (ko) * 2005-07-22 2006-10-27 삼성전기주식회사 보호 소자의 배치 구성을 개선한 측면형 발광 다이오드

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013522877A (ja) * 2010-03-10 2013-06-13 マイクロン テクノロジー, インク. 自己整合特徴を有する発光ダイオードのウェハレベルパッケージ
WO2011141781A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック電工株式会社 Ledモジュール
JP2013138204A (ja) * 2011-12-27 2013-07-11 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオードの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWM318795U (en) 2007-09-11
US20080142831A1 (en) 2008-06-19
US7714349B2 (en) 2010-05-11

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