JP2015181181A - 電子装置および電子装置の製造方法 - Google Patents

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ベマール トーマス
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イェレビチ スィモン
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Abstract

【課題】スイッチオフ状態において、均一な視覚的外観を有する電子装置を提供すること
【解決手段】・担体と、・当該担体上の少なくとも１つの接続面と、・少なくとも、前記接続面上にコンタクト材料を用いて固定されている、少なくとも１つの電子デバイスと、・前記担体上の前記接続面を包囲しているカバー面と、・被覆材料によって覆われている、少なくとも１つの被覆領域とを有しており、前記被覆材料は、前記カバー面と前記被覆領域との間の光学的なコントラストが最小化されるように構成されている、ことを特徴とする電子装置
【選択図】図１

Description

本発明は、電子装置および電子装置の製造方法に関する。
電子装置は、スイッチオフ状態において、不均一な視覚的外観を有している。電子装置は、オプトエレクトロニクスデバイスとオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイスとを有しており、それらのコンタクト材料および表面は、異なる色印象と輝度印象を与えてしまう。
本発明の課題は、スイッチオフ状態において、均一な視覚的外観を有する電子装置を提供することである。
上述の課題は、電子装置であって、
・担体と、
・当該担体上の少なくとも１つの接続面と、
・少なくとも、前記接続面上にコンタクト材料を用いて固定されている、少なくとも１つの電子デバイスと、
・前記担体上の前記接続面を包囲しているカバー面と、
・被覆材料によって覆われている、少なくとも１つの被覆領域とを有しており、
前記被覆材料は、前記カバー面と前記被覆領域との間の光学的なコントラストが最小化されるように構成されている、
ことを特徴とする電子装置によって解決される。
オプトエレクトロニクスデバイスを備えた電子装置の一部の断面図 ワイヤー接触接続を有するオプトエレクトロニクスデバイスを備えた電子装置の一部の平面図 ワイヤー接触接続を有するオプトエレクトロニクスデバイスを備えた電子装置の一部の平面図 フリップチップ接触接続を有するオプトエレクトロニクスデバイスを備えた電子装置の一部の平面図 フリップチップ接触接続を有するオプトエレクトロニクスデバイスを備えた電子装置の一部の平面図 オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイスを備えた電子装置の一部の断面図 オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイスを備えた電子装置の一部の断面図 オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス、殊に受動的なデバイスを備えた電子装置の一部の断面図 オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス、殊に受動的なデバイスを備えた電子装置の一部の平面図 オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス、殊に受動的なデバイスを備えた電子装置の一部の平面図 オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス、殊に受動的なデバイスを備えた電子装置の一部の断面図 オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス、殊に受動的なデバイスを備えた電子装置の一部の平面図 オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス、殊に受動的なデバイスを備えた電子装置の一部の平面図
この電子装置の発展形態および有利な構成は、従属請求項に記載されている。
実施例
種々の実施形態は、オプトエレクトロニクスデバイスと、オプトエレクロニクスデバイスでないデバイスとを備えた電子装置を有している。スイッチオフ状態において、視覚的外観は均一である。
オプトエレクトロニクスデバイスのスイッチオン状態において、吸収損失は低減されている。
電子装置は、少なくとも１つの接続面を備えた担体を有している。少なくとも１つの電子デバイスは、この接続面上にコンタクト材料を用いて固定されている。カバー面が、この担体上に配置されており、接続面を包囲している。電子装置は、少なくとも１つの被覆領域を有している。この被覆領域は被覆材料によって覆われている。この被覆材料は次のように構成されている。すなわち、カバー面と被覆領域との間の光学的なコントラストが最小化されるように構成されている。
有利な実施形態では、接続面は電気的な、有利には金属製のコンタクト面である。
択一的または付加的に、接続面は殊に非金属製の、接着面である。これは、サファイア上で成長されるオプトエレクトロニクスデバイスの場合に使用される。
光学的なコントラストは、色コントラストに関する。択一的または付加的に、光学的なコントラストは輝度コントラストにも関する。光学的なコントラストは一方では、カバー面と被覆材料とが類似の、有利には等しい反射率を有していることによって最小化される。他方では光学的なコントラストは、カバー面と被覆材料とが類似の、有利には等しい色を有していることによって最小化される。
色の差、ひいては色のコントラストは、色間隔ΔＥによって示される。「同じ色」に対する同義語として、用語「同じ色刺激値」が使用される。色間隔ΔＥ＜２は、人間の眼にはほとんど感じられない。これに対して、ΔＥ＞５〜１０の色間隔は別の色として認識される。カバー面の色および被覆材料の色は有利には、ΔＥ＜５、特に有利にはΔＥ＜３の色間隔を有している。
カバー面に対する被覆材料の輝度印象の類似性は、反射度合いの差において表される。被覆前に、例えば金によって覆われたボンディングパッドは、約５５％の反射度を有している。カバー面の材料は、約９５％の反射度を有している。これによって規定された４０％の差は、ノイズとなる初期状態として規定される。被覆材料の反射率に対するカバー面の反射率の差は、有利には２０％よりも少なく、特に有利には１０％よりも少ない。カバー面と被覆材料の反射率の差が低減されると、均一な輝度印象が得られる。
コントラスト最小化の他に、被覆材料による電子デバイスの部分的または完全な被覆によって、電子デバイスの腐食防止が実現される。
拡散性プラスチックから成るレンズの使用またはレンズ表面の粗面化または拡散樹脂によるレンズ表面のコーティングに対して、被覆材料の使用が有利である。
有利な実施形態では、コンタクト材料ははんだまたは接着剤を有している。これは有利である。なぜなら、これによって電子デバイスが機械的および／または導電性に、接続面と接続可能だからである。
有利な実施形態では、電子デバイスは、オプトエレクトロニクスデバイスであり、殊にＬＥＤである。オプトエレクトロニクスデバイスは、ＩＩＩ−Ｖ−化合物半導体材料、殊に窒化化合物半導体材料、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）上で成長されている。オプトエレクトロニクスデバイスは、少なくとも１つのアクティブゾーンを有している。これは電磁ビームを放射する。このアクティブゾーンは、ｐｎ接合部、ダブルヘテロ構造、多重井戸構造（ＭＱＷ）、単一量子井戸構造（ＳＱＷ）であり得る。量子井戸構造は、量子箱（三次元）、量子線（二次元）および量子点（一次元）を意味する。
有利な実施形態では、電子デバイスはオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイスである。オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイスとしては、ＥＳＤ半導体チップおよび／またはマイクロチップ、例えばメモリまたはコントローラが使用される。択一的または付加的に、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイスとして、抵抗、コイルまたはコンデンサが使用される。
有利な実施形態ではオプトエレクトロニクスデバイスは、ワイヤー接触半導体チップである。択一的または付加的に、オプトエレクトロニクスデバイスはフリップチップとして構成される。フリップチップの形態のオプトエレクトロニクスデバイスを伴う実施形態は、従って有利である。なぜなら、ボンディングワイヤーによるシャドーイングが無く、オプトエレクトロニクスデバイス上のボンディングパッドによってアクティブ面が失われることがないからである。
有利な実施形態では、被覆材料によって被覆されている領域は、オプトエレクトロニクスデバイスではないデバイスの、担体とは反対側の面を含んでいる。
有利な実施形態では、被覆領域は電子デバイスの側面を含んでいる。
有利な実施形態では、被覆領域は、電気デバイスによって覆われていない、接続面の領域を含んでいる。
有利な実施形態では、被覆領域は、電気デバイスによって覆われていない、コンタクト材料の領域を含んでいる。
有利な実施形態では、ボンディングワイヤーは、被覆材料によって覆われる。
有利な実施形態では、固定ユニット、殊にねじは、被覆材料によって覆われる。
有利な実施形態では、オプトエレクトロニクスデバイスではないデバイスは完全に、カバー材料によって覆われる。オプトエレクトロニクスデバイスではないデバイスの完全な被覆は特に有利である。なぜなら、これによって被覆されたデバイスとカバー面との間のコントラストが最小化され、有利には無くなるからである。
被覆領域は有利である。なぜなら、被覆によって、電子装置の視覚的な外観がスイッチオフ状態において均一化されるからである。さらに有利には、電子装置の反射性が悪い表面での光吸収が低減される。
有利な実施形態では、カバー面は、セラミック、有利には白色の材料を有している。これに対して択一的または付加的に、カバー面はラミネート加工されたエポキシ樹脂を有する。これに対して択一的または付加的に、カバー面ははんだストップラックを有している。
有利な実施形態では、被覆材料は色が付けられたシリコーンを有している。これに対して択一的または付加的に、被覆材料は、色が付けられたエポキシ樹脂、殊にはんだストップラックを有している。これに対して択一的または付加的に、被覆材料は熱可塑性樹脂を有している。
有利な実施形態では、被覆材料は色素、殊にチタン二酸化物（ＴｉＯ２）粒子によって色付けされている。
有利な実施形態では、チタン二酸化物粒子は、被覆材料内に、７０重量％までの割合で、有利には約２５重量％で設けられている。
有利な実施形態では、カバー面は、７０％よりも大きい反射率を有する高反射性である。択一的またはこれに対して付加的に、被覆材料は７０％よりも大きい反射率を有する高反射性である。
種々の実施形態は、電子装置の製造方法を有している。有利な実施形態では、カバー面は平らに、かつ構造化されて担体上に被着されている。ここでは少なくとも１つの接続面が空白にされている。次に、少なくとも１つの電子デバイスが接続面上に取り付けられる。次に、接続面上の少なくとも部分的に露出されている領域が被覆される。
択一的または付加的に、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイスでは、電子デバイスの、担体とは反対側の面が被覆材料によって覆われる。
有利な実施形態では、被覆は、被覆材料によって、配分または調量によって行われる。
有利な実施形態では被覆は、被覆材料によって、噴射で行われる。
本発明によるソリューションの種々の実施例を以下で、図面に基づいてより詳細に説明する。
同一の、同様の、または同じ作用を有する素子には、図において同じ参照番号が付与されている。図示された素子間の図および大きさの比は縮尺通りではなく、むしろ、個々の素子は、見やすくするためおよび分かりやすくするために過度に誇張して示されている。
図１は、電子装置１の部分図を示している。担体２上には、接続面６が配置されている。オプトエレクトロニクスデバイス３ａは、接続面６上に、コンタクト材料４を用いて固定されている。カバー面５は、担体２上で接続面６を包囲している。被覆領域１５は、被覆材料１０によって覆われている。カバー面５と被覆領域１５との間の光学的なコンタクトが最小化されるように、被覆材料１０は設置されている。
接続面６は、電気的なコンタクト面である得る。択一的に、接続面６が、殊に非金属製の接着面であってもよい。
光学的なコントラストは、色コントラストおよび／または輝度コントラストである。
コンタクト材料４は、はんだまたは接着剤であってよい。オプトエレクトロニクスデバイス３ａは、ＬＥＤであり得る。
被覆領域１５は、オプトレクトロニクスデバイス３ａの側面７、オプトエレクトロニクス３ａによって被覆されていない、接続面６の領域および、オプトエレクトロニクスデバイス３ａによって被覆されていない、コンタクト材料４の領域を含んでいる。担体２に反している、オプトエレクトロニクスデバイス３ａの面８は、被覆材料１０を有していない。アクティブゾーン内で形成された電磁ビーム２１は、有利には、担体２に反する面８を通じて放射される。
カバー面５は、セラミック、有利には白色の材料であり得る。択一的またはこれに対して付加的に、カバー面５が、ラミネート加工されたエポキシ樹脂であってよい。択一的またはこれに対して付加的に、カバー面５ははんだストップラックまたは熱可塑性樹脂（premold Package）を有することができる。
被覆材料１０は、色が付けられたシリコーンであり得る。これに対して択一的または付加的に、被覆材料１０が、色が付けられたエポキシ樹脂、殊に、はんだストップラックであってよい。これに対して択一的または付加的に、被覆材料１０は熱可塑性樹脂を有することができる。
被覆材料１０は、色素１１、殊にチタン二酸化物（ＴｉＯ２）粒子によって色が付けられる。チタン二酸化物粒子は、被覆材料内に、約７０重量％までの割合、有利には約２５重量％の割合で、設けられている。
カバー面５および／または被覆材料（１０）は高反射性であり得る。この場合にそれぞれ反射率は７０％よりも高い。
図２ａは、被覆材料１０を被着する前の、電子装置の平面図を示している。オプトエレクトロニクスデバイス３ａは、コンタクト材料４によって、接続面６上に固定されている。オプトエレクトロニクスデバイス３ａは、ワイヤー接触接続されている半導体チップとして実現されている。この接触接続は、ボンディングパッド２０を介して、オプトエレクトロニクスデバイス３ａ上で、ボンディングワイヤー１４を用いて行われる。
観察者は、オプトエレクトロニクスデバイス３ａを中心として、全ての面で、コンタクト材料４を識別することができる。オプトエレクトロニクス３ａのボンディングパッド２０上でも、コンタクト材料４が識別可能である。露出されているコンタクト材料４を有する領域と、カバー面５との間で、直接的に、接続面６が識別される。コンタクト材料４と接続面６は、カバー面５と比べて暗く色づけされており、カバー面５から、色および輝度に関して格段に際だって見えてしまう。この暗い色づけは、オプトエレクトロニクスデバイス３ａを備えた電子装置１の観察者にとっては、スイッチオフ状態において、美的に障害となる。さらに、オプトエレクトロニクス３ａを備えた電子装置１のこの暗い領域は、スイッチオン状態において、不所望な吸収損失を生じさせる。これら両方の問題を解決するために、ないしは低減させるために、露出している接続領域６および露出しているコンタクト材料４を有する領域１５上に、被覆材料１０が被着される。この結果は図２ｂに示されている。
図２ｂは、被覆材料１０を被着した後の電子装置の平面図を示している。領域１５は完全に、被覆材料１０によって覆われている。被覆材料１０内の色素１１および被覆材料１０自体によって、被覆領域１５とカバー面５との間のコントラストが、消える。従って、被覆領域１５とカバー面５との間の境界は、破線で示されている。担体２とは反対側の、オプトエレクトロニクスデバイス３ａの領域８は、被覆材料１０を有していない。
図示されていない実施例では、ボンディングワイヤー１４も被覆材料１０によって覆われている。
図３ａは電子装置を示しており、ここでは、オプトエレクトロニクスデバイスはフリップチップとして構成されている。この装置は、図２ａに示されている装置と等しいが、図３ａには、図２ａに示されているボンディングパッド２０およびボンディングワイヤー１４が無い。これは、オプトエレクトロニクスデバイス３ａの接触接続が完全に、オプトエレクトロニクスデバイス３ａの背面を介して行われることによって実現される。
図３ｂは電子装置を示しており、ここではオプトエレクトロニクスデバイス３ａはフリップチップとして構成されており、オプトエレクトロニクスデバイス３ａとカバー面５との間の露出領域が覆われている。被覆領域１６は、被覆材料１０によって次のように覆われている。すなわち、発光可能な半導体チップ３ａとカバー面５との間に、カバー面５に対して極めて僅かなコントラストを有している領域が存在するように、覆われている。
図４は、電子装置を示しており、ここでは電子デバイスはオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂ、殊にＥＳＤ半導体チップおよび／またはマイクロチップ、例えばメモリまたはコントローラである。オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂは、電磁ビームを放射しない、またはセンシングしないので、担体２の反対側の、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂの面８は被覆材料１０によって覆われる。既に図１に示されているように、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂの場合にも、側面７および露出しているコンタクト材料４と露出されている接続面６を有する領域は、被覆材料１０によって覆われる。被覆領域１７は、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂの完全な被覆の場合には、均一な色印象を生じさせ、側面７および、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂの、担体２に反している面８での吸収損失を最小化させる。
図５は、電子装置を示しており、ここでは、オプトエレクトロニクスデバイス３ａとオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂとが直接的に、相互に隣接して、担体２上に配置されている。被覆領域１５は、オプトエレクトロニクスデバイス３ａおよび被覆領域１７において、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂの完全な被覆時には図１および図４と同じである。電子デバイス３ａおよび３ｂが、注封材料１３によって鋳込まれる。注封材料１３内には、散乱中心１２が入れられている。オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂおよび被覆領域１５の完全な被覆１７は、オプトエレクトロニクスデバイス３ａでの、不所望な吸収損失を低減させる。オプトエレクトロニクスデバイス３ａから放射された電磁ビーム２１は、この散乱中心で散乱され、殊に反射される。反射されたビームの大部分は、被覆領域１５および１７およびカバー面５に入射する。被覆材料１０およびカバー面５は、高反射性に構成されている。大規模で、反射された電磁ビームは、依然として、担体２に反している、オプトエレクトロニクスデバイス３ａの面８によって吸収される。
図６ａは、断面図で、電子装置の一部を示している。ここで電子デバイスは、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｃである。殊に、このオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｃは受動的なデバイスであり得る。受動的なデバイスとしては、殊に抵抗、コンデンサまたはコイルが設けられる。ここではこれは、ＳＭＤ構造を有するデバイスである。ここでは、カバー材料１０によって被覆されている領域１８は、受動的なデバイス３ｃによって覆われていない、接続面６の領域と、受動的なデバイス３ｃによって覆われていない、コンタクト材料４の領域とを含んでいる。受動的なデバイス３ｃのＳＭＤはんだ接続面２２と接続面６との間で、コンタクト材料４は電気的かつ機械的な接続を形成する。カバー面５は、これまでの図面のように、接続面６を包囲する。担体２と反対側の、受動的なデバイス３ｃの面８ａは覆われていないままである。
図６ｂは、被覆材料１０による露出領域の被覆前の、図６ａに示された電子装置の一部の平面図を示している。２つの接続面６上に受動的なデバイス３ｃを固定することによって、コンタクト材料４が、はんだ接続面２２の境界を越えて広がる。光学的な印象は極めて不均一である。
図６ｃは、図６ｂに示されている装置を示している。ここで図６ｃでは、接続面６およびコンタクト材料４上の露出領域が、被覆材料１０によって覆われている。被覆領域１８が存在する。上述の実施例において既に示されているように、露出領域の部分的な被覆によって、受動的なデバイス３ｃの場合にも、光学的なコントラストが低減される。担体２とは反対側の、受動的なデバイス３ｃの面８ａと、はんだ接続面２２は、図６ｃの実施例において、被覆材料によって覆われていない。
図７ａは、断面図において、電子装置の一部を示している。ここではこの電子デバイスは、図６ａに示されているように、受動的なデバイス３ｃである。はんだ付け面２２に直接的に接しているコンタクト材料４は、受動的なデバイス３ｃと接続面６との間の電気的および機械的なコンタクトを形成する。有利には、この機能のために、はんだがコンタクト材料４として使用される。さらに、コンタクト材料４は純粋に機械的なコンタクトを、担体２の方を向いている、受動的なデバイス３ｃの面８ｂと、担体との間に形成する。有利にはこの機能のために、接着剤がコンタクト材料４として使用される。被覆材料１０は受動的なデバイス３ｃ全体と、コンタクト材料４によって覆われている、接続面６の領域と、接続面６の露出領域とを覆う。被覆材料１０は、カバー面５と同一平面を成す。この結果、受動的なデバイス３ｃの完全な被覆時に、被覆領域１９が生じる。
図７ｂは、被覆材料１０によって露出領域が被覆される前の、図７ａに示されている電子装置の一部の平面図を示している。受動的なデバイス３ｃを２つの接続面６上に固定することによって、コンタクト材料４が、はんだ付け面２２の境界を超えて広がる。２つのはんだ付け面２２の間には、担体２と、担体２の方を向いている、受動的なデバイス３ｃの面８ｂとの間に（これに関しては図７ａを参照；図７ｂでは見えない）付加的なコンタクト材料４が設けられている。この付加的なコンタクト材料４は、側方で、受動的なデバイス３ｃの下から超えている。接続面６とコンタクト材料４の露出領域によって、光学的な印象は極めて不均一になり、オプトエレクトロニクスデバイスとの組み合わせた際に吸収損失が生じてしまう。
図７ｃは、平面図で、図７ａに示されている電子装置の一部を示している。すなわちこれは、被覆材料１０によって露出領域が被覆された後のものである。受動的なデバイス３ｃの完全な被覆時には、被覆領域１９が生じる。カバー面５と被覆領域１９との間のコントラストは最小化され、有利には、コントラストが識別されなくなる。光学的な印象は極めて均一になる。これを暗に示すために、被覆領域１９の下方に位置する、受動的なデバイス３ｃの構造体は破線で示されている。
電子装置を、基になるアイディアを分かりやすくするために、幾つかの実施例に基づいて説明した。この実施例はここで、特定の特徴の組み合わせに制限されない。幾つかの特徴および構成は、特別な実施例または個々の実施例に関連してのみ説明されているが、これをそれぞれ別の実施例の別の特徴と組み合わせることができる。同様に、一般的な技術的な教示が実現されるならば、幾つかの実施例において、個々に示されている特徴または特別な構成を省く、または付加することができる。
１ 電子装置、 ２ 担体、 ３ａ、３ｂ、３ｃ 電子デバイス、 ３ａ オプトエレクトロニクスデバイス、 ３ｂ、３ｃ オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス、 ４ コンタクト材料、 ５ カバー面、 ６ 接続面、 ７ 電子デバイス３ａ、３ｂの側面、 ８ 担体２とは反対側の、電子デバイス３ａ、３ｂの面、 ８ａ 担体２とは反対側の、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｃの面、 ８ｂ 担体２の方を向いている、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｃの面、 １０ 被覆材料、 １１ 色素、 １２ 注封材料１３内の散乱中心、 １３ 注封材料、 １４ ボンディングワイヤー、 １５ オプトエレクトロニクスデバイス３ａの被覆領域、ワイヤー接触接続、 １６ オプトエレクトロニクスデバイス３ａの被覆領域、フリップチップ、 １７ オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂが完全に覆われている場合の被覆領域、 １８ オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｃが部分的に覆われている場合の被覆領域、 １９ オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｃが完全に覆われている場合の被覆領域、 ２０ オプトエレクトロニクスデバイス３ａ上のボンディングパッド、 ２１ オプトエレクトロニクスデバイス３ａによって放射される電磁ビーム、 ２２ オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｃのはんだ接続面（ＳＭＤ−接触接続）
光学的なコントラストは、色コントラストに関する。択一的または付加的に、光学的なコントラストは明るさコントラストにも関する。光学的なコントラストは一方では、カバー面と被覆材料とが類似の、有利には等しい反射率を有していることによって最小化される。他方では光学的なコントラストは、カバー面と被覆材料とが類似の、有利には等しい色を有していることによって最小化される。
光学的なコントラストは、色コントラストおよび／または明るさコントラストである。
図５は、電子装置を示しており、ここでは、オプトエレクトロニクスデバイス３ａとオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂとが直接的に、相互に隣接して、担体２上に配置されている。被覆領域１５は、オプトエレクトロニクスデバイス３ａおよび被覆領域１７において、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂの完全な被覆時には図１および図４と同じである。電子デバイス３ａおよび３ｂが、注封材料１３によって注封される。注封材料１３内には、散乱中心１２が入れられている。オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス３ｂおよび被覆領域１５の完全な被覆１７は、オプトエレクトロニクスデバイス３ａでの、不所望な吸収損失を低減させる。オプトエレクトロニクスデバイス３ａから放射された電磁ビーム２１は、この散乱中心で散乱され、殊に反射される。反射されたビームの大部分は、被覆領域１５および１７およびカバー面５に入射する。被覆材料１０およびカバー面５は、高反射性に構成されている。大規模で、反射された電磁ビームは、依然として、担体２に反している、オプトエレクトロニクスデバイス３ａの面８によって吸収される。

Claims (15)

  1. 電子装置（１）であって、
    ・担体（２）と、
    ・当該担体（２）上の少なくとも１つの接続面（６）と、
    ・少なくとも、前記接続面（６）上にコンタクト材料（４）を用いて固定されている、少なくとも１つの電子デバイス（３ａ、３ｂ、３ｃ）と、
    ・前記担体（２）上の前記接続面（６）を包囲しているカバー面（５）と、
    ・被覆材料（１０）によって覆われている、少なくとも１つの被覆領域（１５、１６、１７、１８、１９）とを有しており、
    前記被覆材料（１０）は、前記カバー面（５）と前記被覆領域（１５、１６、１７、１８、１９）との間の光学的なコントラストが最小化されるように構成されている、
    ことを特徴とする電子装置。
  2. 前記接続面（６）は、電気的なコンタクト面および／または接着面を含んでいる、請求項１記載の電子装置。
  3. 前記光学的なコントラストは、色コントラストおよび／または輝度コントラストである、請求項１または２記載の電子装置。
  4. 前記コンタクト材料（４）は、はんだおよび／または接着剤を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の電子装置。
  5. 前記電子デバイスは、オプトエレクトロニクスデバイス（３ａ）、殊にＬＥＤを含んでいる、請求項１から４までのいずれか１項記載の電子装置。
  6. 前記電子デバイスは、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス（３ｂ、３ｃ）であり、殊に、ＥＳＤ半導体チップおよび／または受動的なデバイスを含んでいる、請求項１から５までのいずれか１項記載の電子装置。
  7. 前記被覆領域（１７、１９）は、前記オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス（３ｂ、３ｃ）の、前記担体（２）と反対側の面（８、８ａ）を含んでいる、請求項６記載の電子装置。
  8. 前記被覆領域（１５、１６、１７）は、前記電子デバイス（３ａ、３ｂ）の側面（７）を含んでいる、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子装置。
  9. 前記被覆領域（１５、１６、１７、１８、１９）は、前記電気デバイス（３ａ、３ｂ、３ｃ）によって覆われていない、前記接続面（６）の領域を含んでいる、請求項１から８までのいずれか１項記載の電子装置。
  10. 前記被覆領域（１５、１６、１７、１８、１９）は、前記電気デバイス（３ａ、３ｂ、３ｃ）によって覆われていない、前記コンタクト材料（４）の領域を含んでいる、請求項１から９までのいずれか１項記載の電子装置。
  11. 前記カバー面（５）は、セラミック、有利には白色材料および／またはラミネート加工されたエポキシ樹脂および／またははんだストップラックを有している、請求項１から１０までのいずれか１項記載の電子装置。
  12. 前記被覆材料（１０）は色が付けられているシリコーン、および／または少なくとも１つの色が付けられているエポキシ樹脂、殊にはんだストップラック、および／または熱可塑性樹脂を含んでいる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の電子装置。
  13. 前記被覆材料（１０）は色素（１１）によって、殊にチタン二酸化物（ＴｉＯ２）粒子によって色が付けられている、請求項１２記載の電子装置。
  14. 前記チタン二酸化物粒子は、前記被覆材料（１０）内に、７０重量％までの割合、有利には約２５重量％で設けられている、請求項１３記載の電子装置。
  15. 前記カバー面（５）および／または前記被覆材料（１０）は、それぞれ７０％よりも高い反射率を有する高反射性である、請求項１から１４までのいずれか１項記載の電子装置。
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