TWI419377B - 光電半導體組件 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種光電半導體組件。
本專利申請案主張德國專利申請案10 2009 058 006.9之優先權，在此引用其已揭示的整個內容。
本發明的目的是提供一種光電半導體組件，其中輻射損耗特別小且其輻射發出面特別亮。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該組件具有至少一發出輻射的半導體晶片，該半導體晶片具有輻射發出面。半導體晶片中所產生的電磁輻射之至少一部份經由該輻射發出面而離開該半導體晶片。發出輻射之半導體晶片例如可以是電致發光二極體晶片。電致發光二極體晶片可以是發光二極體晶片或雷射發光二極體晶片，其發出紫外線至紅外線之範圍中的輻射。電致發光二極體晶片較佳是發出可見光或電磁輻射之光譜之紫外線範圍中的光。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該組件具有至少一轉換元件，該轉換元件配置在半導體晶片之後以便在輻射發出面上對該半導體晶片所發出的電磁輻射進行轉換。該至少一轉換元件具有一遠離該輻射發出面之第一表面。又，該至少一轉換元件配置在半導體晶片之後，使該半導體晶片在操作時所產生之電磁輻射之至少一部份到達該轉換元件中。例如，該轉換元件將該半導體晶片所發出之電磁輻射轉換成波長較大的輻射。例如，該至少一轉換元件施加在至少一個半導體晶片之輻射發出面上且可藉由一連接媒體而與該半導體晶片相連接。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，其具有一反射外罩。「反射」此處是指：該外罩可將半導體晶片及/或轉換元件所發出而入射至該外罩上的電磁輻射的至少80%，較佳是大於90%，予以反射。該反射外罩例如可以是一種層，其施加在該半導體晶片和該轉換元件之外表面上。同樣，該外罩可以是一種澆注物質，其例如藉由該半導體晶片和該轉換元件之澆注而形成。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該反射外罩包封著該半導體晶片且至少一部分正鎖定地包封著側面上的轉換元件。例如，該半導體晶片和該轉換元件之側面在垂直方向(即，垂直於或橫向於發出輻射之半導體晶片之磊晶生長之半導體層序列)中延伸。「正鎖定地包封著」是指：該反射外罩包圍著該半導體晶片且一部分包圍著側面上的該轉換元件。換言之，較佳是在該反射外罩和側面之間既未形成間隙且亦未形成中斷。「至少一部分」是指：該反射外罩(例如，澆注物質)以正鎖定的方式包封著該轉換元件的側面只至某一填充高度為止。因此，該半導體晶片本身在其側面上完全由該反射外罩所覆蓋，其中該轉換元件由該反射外罩突出。於是，該轉換元件之側面完全由該反射外罩所覆蓋或至一可預設之高度為止的部份為該反射外罩所覆蓋。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該轉換元件之第一表面未設有外罩。「未設有」是指：該第一表面既未由該反射外罩所覆蓋，且該反射外罩亦未沿著半導體組件之輻射發出路徑而配置在該轉換元件之後。該輻射因此可無阻礙地由該轉換元件發出。最有可能的是：依製造條件而使該反射外罩的剩餘材料定位於第一表面上，然而，該反射外罩最多覆蓋該第一表面之10%，較佳是最多5%。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，其具有至少一發出輻射之半導體晶片，此半導體晶片具有輻射發出面，此半導體晶片中所產生的電磁輻射之至少一部份經由該輻射發出面而離開該半導體晶片。又，一轉換元件配置在該半導體晶片之後以便將該半導體晶片在該輻射發出面上所發出的電磁輻射進行轉換。該轉換元件具有一遠離該輻射發出面之表面。又，該光電半導體組件具有一反射外罩，其中該反射外罩包封著該半導體晶片且至少一部分以正鎖定的方式在側面上包封著該轉換元件，且該轉換元件之第一表面未設有該反射外罩。
此處的光電半導體組件另外涉及以下的認知：主要在半導體組件中所產生之電磁輻射經由該半導體晶片之側面以及配置在該半導體晶片之後的轉換元件之側面而發出時將造成輻射損耗。這將使半導體組件之輻射效率下降，此乃因由側面所發出之電磁輻射的大部份都不能用於實際上及/或技術上之應用中。換言之，這樣會造成輻射效率的下降。「輻射效率」此處是指：分別由該半導體組件所發出之可用的發光能量相對於主要在該半導體晶片中所產生之發光能量之比值。
現在，為了防止上述不期望的輻射損耗且同時使輻射效率提高，則此處的光電半導體組件須另外使用「製備一種反射外罩」的概念。該反射外罩包封著該半導體晶片且至少一部分以正鎖定的方式在側面上包封著該半導體組件之轉換元件，其中該轉換元件之第一表面未設有該反射外罩。
藉由該反射外罩，則該半導體晶片內部中產生的電磁輻射將反射回到該半導體晶片中且例如在該轉換元件之方向中反射，該電磁輻射的一部份經由該半導體晶片的側面而發出。因此，有利的是使該半導體晶片中所產生的電磁輻射之儘可能多的成份在該轉換元件的方向中傳送。
由該半導體晶片中經由輻射發出面而由該半導體晶片發出且隨後入射至該轉換元件中之輻射之至少一部份首先在該轉換元件之內部中例如藉由該轉換元件中所含有的輻射轉換用之粒子而與方向無關地進行輻射轉換且隨後由該轉換元件再發出。「與方向無關」此處是指：該轉換元件中所轉換的電磁輻射在該轉換元件中不存在優先方向下由輻射轉換用之粒子再發出。
在該轉換元件之內部中進行電磁輻射之轉換之後，所轉換的輻射之一部份在該轉換元件之側面的方向中再發出且然後經由該轉換元件之側面而由該轉換元件發出。此輻射成份然後以至少一部份入射至該反射外罩且有一部份由該反射外罩反射回到該轉換元件中。反射回到該轉換元件中之輻射之至少一部份在離開該半導體晶片之方向中傳送且然後由該轉換元件發出，即，亦由該半導體組件發出。若反射回到該轉換元件中的輻射之一部份例如反射回到該半導體晶片之方向中，則此反射過程可重複多次。此反射過程可重複一段期間，直至適當的輻射成份由該轉換元件發出時為止。換言之，由該半導體組件所發出的有用之輻射是由直接的輻射成份(即，未在該反射外罩上事先被反射而是由該半導體組件發出)以及其它的輻射成份(其在該外罩上經由至少一次(返回)反射而離開該半導體組件)所組成且經由第一表面而由該半導體組件發出。
因此，該半導體晶片所產生的輻射之儘可能多的成份是在該轉換元件的方向中傳送且經由該轉換元件的第一表面而由該半導體組件發出。有利的是，藉由此處所述的外罩，則該半導體組件之輻射效率和該第一表面上之亮度都可提高，這樣可使該轉換元件之第一表面例如對外部的觀看者而言顯示成非常明亮。「亮度」是指：由第一表面所發出之發光能量相對於第一表面之面積之比值。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，發出輻射的半導體晶片發出電磁輻射之光譜之在藍色至紫外線範圍中的光。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該反射外罩是由矽酮形成或由矽酮和環氧化物所構成的混合物所形成，其中加入輻射反射用的粒子，其中該輻射反射用的粒子至少由ZrO2
構成或至少含有ZrO2
。發出輻射之半導體晶片若發出藍光或紫外光，則ZrO2
在此種波長範圍中具有特別小的吸收特性。換言之，在此種情況下，更多的電磁輻射成份是由該反射外罩所反射。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該反射外罩是一種澆注物質，其在垂直於側面之方向中的範圍至少一部分不同。換言之，在此種情況下，該反射外罩沿著側面並未具有均勻的厚度。可辨認的是：在此種反射外罩之造形中，此反射外罩將入射至其上的電磁輻射之儘可能多的成份予以反射。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該外罩在側面上未由該轉換材料突出。該外罩在橫向中是與該轉換材料之第一表面齊平。該反射外罩例如完全包封著該轉換元件之側面，這樣可使由該反射外罩反射回到該轉換元件中的輻射成份儘可能多。該半導體晶片中所產生的電磁輻射因此除了該外罩可能具有的吸收效應以外都可離開該半導體組件，這只發生在一些位置，即，電磁輻射只經由第一表面且因此經由該轉換元件而離開。於是，該反射外罩可特別有效地對該半導體晶片所發出的輻射進行轉換。
又，亦可在該轉換元件之第一表面上施加一光學元件，例如透鏡，該光學元件在本身最大的橫向範圍中在側面上由該半導體晶片突出。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該轉換元件以陶瓷材料來形成。該轉換元件可具有一電致發光轉換材料，該電致發光轉換材料埋置於母材(例如，玻璃陶瓷或陶瓷)中。例如，該轉換元件是一種小板。同樣，該轉換元件可完全由陶瓷電致發光轉換材料構成。於是，該轉換元件可以是一種由此種陶瓷電致發光轉換材料所構成的小板。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該轉換元件在垂直方向中所具有的厚度至少是在該半導體晶片之垂直方向中之厚度的二倍。因此，有利的是使該轉換元件之側面佔該轉換元件之整個表面之面積的份量儘可能大。於是，由該反射外罩反射回到該轉換元件中的輻射成份將提高，這樣可使輻射效率和該半導體組件之亮度更大大地提高。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該轉換元件在垂直方向中的厚度是至少50微米至最多500微米。該轉換元件在垂直方向中的厚度較佳是至少50微米至最多150微米。該轉換元件之此種厚度範圍就輻射損耗之減小而言已顯示是特別有利的。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，由該轉換元件所發出之電磁輻射之至少10%是在該轉換元件之側面上發出且由該反射外罩所反射。例如，該轉換元件之側面之總面積若佔該轉換元件之整個表面之30%，則由該半導體晶片所發出之電磁輻射之30%可由該轉換元件發出且藉由該反射外罩而反射回到例如該轉換元件中。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該轉換元件之第一表面至少一部分被結構化。「結構化」是指：在該第一表面上至少一部分存在凸起和凹陷。至少一部分被結構化的表面例如能以預製成的規則式結構來形成，所述規則式結構受控制地安裝於該第一表面中。所述結構能以浮雕式或溝渠式來形成。例如，第一表面以稜錐形來結構化。即，第一表面包括多個稜錐形的凸起。同樣，第一表面藉由至少二個不同的沿著第一表面而交替變化之結構化外形來結構化。例如，其中一結構化外形是稜錐形凸起，且另一結構化外形是圓柱形凸起或一種隨機式的粗糙區。已顯示：此種已結構化的表面可使半導體組件之輻射效率提高。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，在該半導體晶片和該轉換元件之間配置一可透過輻射的黏合層，該黏合層折射率例如介於該半導體晶片之直接與該黏合層相鄰之材料的折射率和該轉換元件之折射率之間。「可透過輻射」是指：該黏合層可使電磁輻射之至少80%，較佳是至少90%透過。例如，該黏合層施加在該半導體晶片之輻射發出面上且與該輻射發出面直接相接觸，且在將該轉換元件施加在該黏合層上之後，該黏合層亦與該轉換元件之第一表面相面對的表面相接觸。換言之，該黏合層將該半導體晶片和該轉換元件互相分開。該黏合層可使該轉換元件不會由該半導體晶片剝離(delamination)。因此，該半導體晶片和該轉換元件經由該黏合層而在機械上互相固定地連接著。主要在該半導體晶片中產生的電磁輻射可經由該輻射發出面而由該半導體晶片經由該黏合層發出且入射至該轉換元件中。有利的是使該黏合層的折射率範圍提供了以下的可能性：防止干擾性的返回反射至該半導體晶片中。這樣可使儘可能多的輻射入射至該轉換元件中。同樣，可透過輻射之該黏合層之折射率可小於該半導體晶片之直接與該黏合層相鄰之材料的折射率。此處，可透過輻射之該黏合層之折射率亦可小於該轉換元件之折射率。例如，可透過輻射之該黏合層之折射率是在1.3至1.7之範圍中，較佳是在1.4至1.56之範圍中。例如，該黏合層以矽酮、環氧化物或此二種材料的混合物來形成。這些材料對該半導體晶片之材料和該轉換元件之材料都顯示出特別佳的黏合性。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該反射外罩完全覆蓋該半導體晶片之側面和該黏合層之側面。有利的是使該半導體晶片中所產生的電磁輻射之儘可能多的成份(其經由該半導體晶片之側面和該黏合層之側面)例如在該轉換元件之方向中經由該反射外罩而反射回至該半導體晶片和該黏合層中。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該半導體晶片以其面對該轉換元件之面來固定在一載體上。此載體可以是載體基板，其與一種生長基板不同。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該載體以其面對該半導體晶片之面而配置在一個組件載體上。此組件載體可以塑料、陶瓷或金屬來形成。此組件載體形成為電路板、或若該組件載體是金屬製成者則亦可形成為載體框(導線架)。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該反射外罩藉由施加噴濺處理而成。同樣，該反射外罩亦可藉由模製(molding)處理、選擇性沈積(例如，電漿噴濺處理)、絲網印刷、濺鍍或飛濺施加而成。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該反射外罩是以矽酮形成或由矽酮和環氧化物構成的混合物所形成，其中施加有輻射反射用之粒子，該粒子由材料TiO2
,BaSO4
,ZnO,Alx
Oy
,ZrO2
中之至少一種構成或含有上述材料中之一種。
依據光電半導體組件的至少一實施形式，該反射外罩在與側面垂直的方向中的範圍大於1000微米。例如，垂直於側面的方向是橫向。
該反射外罩藉由噴濺處理、模製(molding)處理、選擇性沈積、絲網印刷、濺鍍或飛濺施加而成，因此，各特徵涉及具體的特徵，此乃因各施加方法可在光電半導體組件中直接驗證。
以下，此處所述之半導體組件將依據實施例和所屬的圖式來詳述。
各圖式和實施例中相同或作用相同的各組件分別設有相同的參考符號。所示的各元件和各元件之間的比例未必依比例繪出。反之，為了清楚之故各圖式的一些元件已予放大地顯示出。
圖1中，依據切面圖而顯示此處所述的光電半導體組件100之一實施例，其具有載體10、光電半導體晶片3(固定在該載體10之面11上)、黏合層8和一轉換元件4。本實施例中，半導體晶片3是薄膜-發光二極體晶片，其中該載體10是載體基板，其與生長基板不同。例如，該載體10是以鍺或矽來形成。該半導體晶片3例如包括磊晶生長之半導體層序列，該半導體層序列由該生長基板剝除。
在該半導體晶片3之輻射發出面6上安裝該黏合層8。在該黏合層8之與該半導體晶片3相面對的面81上施加該轉換元件4，該轉換元件以陶瓷材料來形成，其中例如施加了輻射轉換用的材料(例如，粒子及/或纖維)。該轉換元件4具有200微米的厚度D2
，其中該半導體晶片3的厚度D1
是100微米。
本實施例中，該黏合層8和該轉換元件4直接相接觸，使該黏合層8和該轉換元件4之間既未形成間隙亦未形成中斷。為了防止該轉換元件4由該半導體晶片剝除，該黏合層8可使該轉換元件4和該半導體晶片3經由該黏合層8而在機械上固定地互相連接著。該黏合層8以矽酮來形成。
一反射外罩5完全覆蓋該半導體晶片3之側面33、該黏合層8之側面88和該載體10之側面111，且一部分覆蓋該轉換元件4之側面44。
目前，該反射外罩5以澆注物質來形成。可辨認的是：對外部的觀看者而言，該半導體晶片3完全由該反射外罩5所覆蓋著，其中該轉換元件4由該反射外罩突出。該反射外罩在與側面垂直的方向(例如，橫向)中之範圍特別是可大於1000微米。
該反射外罩5可以矽酮來形成，其中施加了輻射反射用的材料，例如，粒子及/或纖維。以此種材料形成的反射外罩5特別具有老化穩定性。例如，矽酮具有以下優點：在電磁輻射入射時老化的速率較其它的外罩材料(例如，樹脂)小很多。此外，矽酮所具有的耐溫度性例如較環氧化物者高很多。環氧化物典型上可加熱至最多大約150℃而未受損，但矽酮可加熱至大約200℃。同樣，該反射外罩5以一種混合材料(例如，矽酮和環化物之混合物)來形成。
例如，該輻射反射用的粒子是由材料TiO2
,BaSO4
,ZnO,Alx
Oy
,ZrO2
中之至少一種構成或含有上述材料中之一種。若該光電半導體晶片3發出藍光及/或電磁輻射之紫外線光譜範圍中之電磁輻射，則特別是可使用ZrO2
以作為該輻射反射用之粒子的材料，此乃因在此種波長範圍中ZrO2
具有特別小的吸收性。換言之，在此種情況下，電磁輻射之更多的成份是由該反射外罩5所反射。
該反射外罩5中輻射散射用的粒子之濃度較佳是10至40 Wt.%。此濃度更佳是15至30 Wt.%。例如，該反射外罩5之反射能力是依據該輻射散射用的粒子之濃度而各別地調整。對外部的觀看者而言，該反射外罩5由於反射特性而顯示成白色-色調，此乃因整個入射的彩色光譜較優先地由該反射外罩所反射。該外罩的白色-色調可使由該轉換元件4之第一表面7所發出的電磁輻射和該反射外罩5之間的彩色對比度下降，對外部的觀看者而言整個半導體組件100在整個橫向範圍中將顯示成儘可能均勻的彩色-色調。
入射至該轉換元件4中之輻射20的至少一部份是在該轉換元件4中轉換且然後與方向無關地在該轉換元件4中再發出。本實施例中，由該轉換元件4所發出之電磁輻射之30%是由該轉換元件4之側面44發出。在由該轉換元件4發出之後，電磁輻射的一部份經由該反射外罩5而在第一表面7之方向中(即，離開該半導體晶片3之方向)中反射回到該轉換元件4中。
由該轉換元件4經由第一表面7而發出之輻射20是由反射的輻射成份22和未由該反射外罩5所反射之輻射成份21(其由半導體組件100發出)所構成。
由於本實施例中該反射外罩5同樣完全覆蓋該載體10之側面111，則可使已離開光電半導體組件100之輻射例如再由該載體10之側面111所吸收。
又，該轉換元件4之第一表面7至少一部分被結構化。換言之，該第一表面7至少一部分具有多個射出結構12。由半導體晶片3所產生的電磁輻射經由至少一部分結構化之第一表面7而由半導體組件100發出。可顯示出：此種射出結構12大大地使輻射效率提高。
即，圖1所示的實施例中，該輻射效率一方面藉由此處所述之反射外罩5且另一方面藉由各射出結構12而提高，其中此二種效應可有利地互相增大。
圖2中，該載體10以其面對該半導體晶片3之面而配置在組件載體1000上。目前，該組件載體1000是金屬載體框，其表面上至少一部分施加金層。該反射外罩5完全覆蓋該半導體晶片3之側面33、該黏合層8之側面88和該載體10之側面111，且一部分覆蓋該轉換元件4之側面44。又，該反射外罩5至少一部分覆蓋該組件載體1000之面1111之未由該載體10所覆蓋之位置。
已離開光電半導體組件100之電磁輻射例如若經由該半導體組件100之發射方向中配置在該光電半導體組件100之後的透鏡而轉向回到該組件載體1000之方向中，則儘可能多的輻射成份由該反射外罩5又反射回到一種離開該組件載體1000之方向中。換言之，藉由該反射外罩5，則該組件載體1000之金表面之反射能力將提高。
同樣，在以銀來形成或以銀來塗佈之組件載體1000中顯示一種由該反射外罩5所造成的高反射率。又，該反射外罩5對環境的影響提供保護，這樣例如可防止該組件載體(例如，銀)1000之腐蝕。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
3．．．發出輻射之半導體晶片
4．．．轉換元件
5．．．反射外罩
6．．．輻射發出面
7．．．第一表面
8．．．黏合層
10．．．載體
11．．．載體之面
12．．．射出結構
33、44．．．半導體晶片之側面、該轉換元件之側面
88．．．黏合層之側面
100．．．光電半導體組件
111．．．載體之側面
1000．．．組件載體
1111．．．組件載體之表面
D1
．．．半導體晶片之厚度
D2
．．．轉換元件4之厚度
圖1顯示此處所述之光電半導體組件之一實施例的切面圖。
圖2顯示此處所述之光電半導體組件之另一實施例的切面圖。
10．．．載體
100．．．光電半導體組件
11．．．載體之面
111．．．載體之側面
12．．．射出結構
20．．．輻射
21．．．輻射成份
22．．．輻射成份
3．．．半導體晶片
33．．．半導體晶片之側面
4．．．轉換元件
44．．．轉換元件之側面
5．．．反射外罩
6．．．輻射發出面
7．．．第一表面
8．．．黏合層
81．．．與半導體晶片相面對的面
88．．．黏合層之側面
Claims (14)
- 一種光電半導體組件(100)，具有：-至少一發出輻射之半導體晶片(3)，其具備一輻射發出面(6)，該半導體晶片(3)中所產生的電磁輻射之至少一部份經由該輻射發出面(6)而離開該半導體晶片(3)；-至少一轉換元件(4)，其配置在該半導體晶片(3)之後以將該半導體晶片(3)在該輻射發出面(6)上所發出之電磁輻射進行轉換，且具有一遠離該輻射發出面(6)之第一表面(7)；-一反射外罩(5)，其中-該反射外罩(5)以正鎖定方式包封著該半導體晶片(3)且至少一部分在側面(33，44)上包封著該轉換元件，-該轉換元件(4)之第一表面(7)未設有該反射外罩(5)，-該轉換元件(4)之第一表面(7)至少一部分被結構化，以及-該反射外罩(5)在垂直於側面(33，44)之方向中之範圍大於1000微米。
- 如申請專利範圍第1項之光電半導體組件(100)，其中-該發出輻射之半導體晶片(3)發出電磁輻射之光譜之藍光至紫外線範圍中的光，-該反射外罩(5)是由矽酮形成或由矽酮和環氧化物構成之混合物所形成，其中施加輻射反射用之粒子，該粒子至少由ZrO2 構成或至少含有ZrO2 ，且 -該反射外罩(5)是一澆注物質，其在垂直於側面(33，44)之方向中沿著各側面(33，44)之範圍是至少一部分不同。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該外罩(5)在側面上未由該轉換元件(4)突出。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該轉換元件(4)以陶瓷材料來形成。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該轉換元件(4)在垂直方向中所具有的厚度至少是在該半導體晶片(3)之垂直方向中之厚度之二倍大。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該轉換元件(4)在垂直方向中之厚度是至少50微米至最多500微米。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中由該轉換元件(4)所發出之電磁輻射之至少10%是在該轉換元件(4)之該側面(44)上發出且被該反射外罩(5)反射。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該轉換元件(4)之第一表面(7)至少一部分包含凸起和凹陷。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中在該半導體晶片(3)和該轉換元件(4)之間配置一可透過輻射的黏合層(8)。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其 中該反射外罩(5)完全覆蓋該半導體晶片(3)之側面(33)和該黏合層(8)之側面(88)。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該反射外罩(5)藉由施加噴濺處理而成。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該反射外罩(5)以矽酮形成或以矽酮和環氧化物構成的混合物來形成，其中施加輻射反射用的粒子，該粒子由材料TiO2 ,BaSO4 ,ZnO,Alx Oy ,ZrO2 中之至少一種構成或含有上述材料中之一種。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中在該轉換元件(4)之第一表面(7)上施加透鏡，其中該透鏡在本身最大的橫向範圍中在側面上由該半導體晶片(3)突出。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體組件(100)，其中該反射外罩(5)是一種澆注物質，其在垂直於側面(33，44)之方向中沿著各側面(33，44)之範圍是至少一部分不同。
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