JP5779097B2 - コーティングされた発光デバイス及び発光デバイスをコーティングする方法 - Google Patents

コーティングされた発光デバイス及び発光デバイスをコーティングする方法 Download PDF

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Description

本発明は、サブマウント(下側取付体)上に配置された発光ダイオードを有する発光デバイスであって、横方向周面と、上面と、光学的に活性なコーティング層とを有するような発光デバイスに関する。発光デバイスに斯かるコーティング層を被着する方法も開示される。
発光ダイオード(LED)を含む高出力発光デバイスが、今日、益々多くの照明用途に使用されている。通常、高出力LEDを作製するための2つの物質系が使用されている。
InGaNは、効率的な青色LEDを製造するために使用される。
AlInGaPは、効率的な赤色及び琥珀色LEDを製造するために使用される。
両物質系は、これら物質の組成が、放出波長を青から緑に及び赤から緑にずらすために変更される場合に重大な効率の損失を被る。
光の経路に、蛍光及び/又は発光物質等の波長変換物質を適用することにより、放出される波長を、多数の固有の波長に適合させることができる。波長変換物質は典型的に当該発光ダイオードにより放出される光の少なくとも一部を吸収する一方、より高い波長を持つ光を放出する(赤方偏移)ので、青色及び/又は紫外線発光ダイオードが、斯様な発光ダイオード(又は波長が変換される発光ダイオード)における光源として特に適している。
InGaN系は、例えば燐光物質等の斯様な波長変換物質又は光学部品と組み合わされて、高エネルギで短波長の青色光の一部を低エネルギの一層長い波長に変換することができる。この様にして、青色LEDを該LED上の適切な蛍光体と組み合わせることにより、白色LEDを製造することができるか(典型的には、YAG:Ce蛍光体を用いて)、又は青色LEDを適切な蛍光物質を用いて緑色、黄色、琥珀色又は赤色LEDに変換することができる。この色変換には効率の損失(主に、ストークスシフト損失)が伴うが、青色LEDの高開始効率は、琥珀色及び赤色への完全な変換さえも、熱的効率問題を被る直接発光AlInGaP系に対する魅力的な代替案とさせる。
特開2002-353507は、放出された光を他の色に変化させる蛍光物質が安定化される発光体を開示している。これは、LED内のスロットを、樹脂の総量を安定化させるダイ接着剤として、蛍光体を含む樹脂により充填することにより達成される。
従来のLED蛍光体技術は、LED上の樹脂に埋め込まれた蛍光体顔料(pigments)又は粉粒を使用している。しかしながら、これは、後方散乱損失及び加工変動につながる。新しい技術は、"ルミラミック(Lumiramic)"技術と呼ばれるセラミック蛍光体技術を利用する(ルミラミック変換器は米国特許出願公開第2005/0269582号に記載されている)。この技術は、典型的には1x1mm平方であるLEDの幾何学形状に合致するように、良好に定まった厚さ及び幾何学形状を持つ高度に光学的且つ熱的に安定したセラミック蛍光体小板(ceramic phosphor platelets)を製造するのを可能にする。これらのセラミック蛍光体における多孔性を制御することにより、角度に伴う経路長の差を、充分に乱混/分散させ、当該LEDへの後方散乱による幾らかの光を犠牲にしながら、角度にわたりかなり均一な色性能を得ることができる。
ルミラミック技術を使用することにより、青色光の一層高い波長への部分的変換により白色LEDを作製することができる(例えばYAG:Ce蛍光体を用いて)。また、青色LED光を完全に吸収すると共に、該青色LED光を緑色、琥珀色及び赤色の特性に合致するカラースペクトルに効率的に変換するよう試みることにより、緑色、琥珀色及び赤色LEDを作製することもできる。
しかしながら、この小板蛍光体技術は、LEDの寸法に比較して無視できない厚さの蛍光体本体を必要とする。該蛍光体本体は、白色LEDの場合、典型的には、1x1mmの寸法で120μmのオーダの厚さを有する。この結果、この方形の体積の4つの横方向の面、又は側面からの光の放出が大幅に寄与する。
更に、当該LED自体も無視できない光の抽出を伴う側面を有している。該LEDのチップは"フリップチップ"型のものとすることができ、その場合、両リードは当該チップの同じ側に配置される。この設計は、当該デバイスの発光面上への波長変換体の配設を容易にする。"フリップチップ"LED技術においては、LEDは、該LED上に基板又は透光体が取り付けられる。この基板(典型的にはサファイヤ)が取り除かれない場合、典型的には100μmの該サファイヤ基板も、大きな側面寄与を生じる。この問題を解決するために、上記基板はリフトオフ工程で除去することができる。それでも、量子ウェル並びにアノード、カソード及び反射器からなるInGaNのLED積層体は、10μmのオーダの厚さを有すると共に、高屈折率の材料からなり得、結果として、大幅に導波的で無視できない側面発光を生じる。
LEDとルミラミック蛍光体とを接続する接着層は、側面厚を増加させ、典型的には10μmの厚さを有する。
接着材料の例は、例えばシリコーン樹脂を含む。
発光デバイスの横方向(エッジ)面から放出される光に関わる問題点は以下の通りである。
エッジ面からの青色光等の変換されていない光の漏れが、LEDのエッジ及び接着剤のエッジから生じる。部分変換ルミラミックの場合、この結果、青色光が過剰となると共に、法線方向に対して大きな角度で存在する青色光の光束が大幅に変化し、従って角度にわたる色の均一性及び一貫性が低下する。特に、接着剤の厚さ等の層厚の変動及び製造工程で生じるような蛍光体の配置の不正確さは、側面からの青色光の漏れの変動となる。全変換ルミラミックの場合、青色光の漏れは、緑色、琥珀色及び赤色LEDの色純度を大幅に減少させる。加えて、この光の漏れは、当該青色光の一部が所望の色に変換されないことになるので、効率を低下させる。
側部から放出される光と上面から放出される光との間の経路長の差による、蛍光体の上面からの変換スペクトルと比較してスペクトルが相違する当該蛍光体の横エッジを介しての波長変換。これは、特に全変換蛍光体の場合に望ましくない。というのは、蛍光体の側部を介しての不完全な変換は、当該LEDの色純度を低下させるからである。
通常は当該LEDのダイに隣接して配置されるサブマウントに戻るように部分的に下方に向けられる、側面からの光束の放出。一般的に、間違った側に放出される斯様な光及び上方向ではあるが法線方向に対して大きな角度で放出される光は、当該光源と組み合わされるコリメータ光学素子、レンズ等の光学系においては、効果的に捕捉することが困難であり、従ってシステム効率を低下させそうである。同様に、上記の下方に向けられた光束は、サブマウントと作用し合い、典型的には、部分的に吸収され、部分的に反射され、通常、上記サブマントの表面との相互作用により色が影響を受ける。該サブマウントから散乱又は反射された光も、当該LEDの光源面積を増加させて、漂遊光を生じさせるが、これは、自動車用フロント照明又は投影LEDシステム等のエタンデュ(光の広がり)が厳しい用途にとり望ましくない。
活性なLED表面面積と比較して増加されたエタンデュ。これは、当該LEDの表面面積と比較した場合の、蛍光体表面の表面面積の増加に起因する。蛍光体の側部は、該蛍光体の上側表面積が当該LEDと同様のものであっても、光源面積の増加に寄与する。このことは、自動車用前方照明、カメラ若しくはビデオのフラッシュモジュール又は投影LEDシステム等のエタンデュの厳しい用途では特に重要である。
結論として、種々の実施例の発光デバイスは全て、ルミラミック及び/又は接着層及び/又はLEDダイの側縁に関係する不都合の影響を受ける。これら不都合は、側面発光と上面発光との間の望ましくないスペクトル差による色の変化又は限られた色純度に主に関係するものである。更に、応用例において効果的に使用することが困難であるような、部分的に(大凡半分だけ)下方及び側方に向けられた側面からの波長変換光束放射が存在するであろう。加えて、エタンデュも活性LED表面面積と比較して増加され得、これは、投影LEDシステム、自動車用ヘッドライト又はスポットライト等のエタンデュの厳しい用途においては不利である。
発光デバイスをコーティングする方法は、米国特許出願公開第2005/0062140号に開示されており、該方法は光変換粒子を持つ材料をLEDデバイス上に塗布するためにモールドを使用する。しかしながら、この方法は特有のコーティング装置を必要とすると共に、面倒且つ高価である。
このように、発光デバイスの横方向エッジを介しての光の放出による望ましくない色の変化又は純度及び効率の損失を受けない、又は活性LED表面面積と比較して増加されたエタンデュを持つ発光デバイス及び斯様な発光デバイスを製造する方法に対する需要が存在する。
本発明の目的は、これらの問題を少なくとも部分的に克服すると共に、発光デバイスの横方向の面を介しての光の散乱による効率の損失を受けない発光デバイス及び斯様な発光デバイスを製造する方法を提供することにある。
従って、第1の態様によれば、本発明はサブマウント3上に配置された発光ダイオード2を有する発光デバイス1を提供する。該デバイスは、横方向周面(lateral circumference surface)6及び上面8、並びに光学的に活性なコーティング層7を有する。該コーティング層7は、
− 前記周面6の少なくとも一部に沿って覆い、
− 前記サブマウント3から前記上面8まで延在し、
− 実質的に前記上面8は覆わない。
当該発光デバイスの上記横方向周面の少なくとも一部が、上記サブマウントから上記上面まで光学的に活性なコーティング層により覆われるが、実質的に上記上面を含まない場合、上記横方向周面から逃れる光を制御することができる。このようにして、当該光を例えば上記上面において増加させることができる。
本発明の実施例において、上記の光学的に活性なコーティング層は、反射性の、拡散性の、スペクトル的にフィルタする、発光性の、及び光を阻止するコーティング層、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される。
このような光学的に活性なコーティング層が、上記横方向周面を被覆するために使用された場合、該コーティング層は、選択に従って、反射的に、拡散的に、スペクトル的にフィルタするように、発光的に、又は光を阻止するようになるであろう。
本発明の実施例において、当該デバイスは、蛍光体、透光体及び反射体並びにこれらの組み合わせからなる群から選択された、上記発光ダイオード上に配設された光学部品4を更に有する。本発明の実施例において、上記反射体は、前記横方向周面の少なくとも一部を介して光が逃れるように配設される。
本発明の実施例は、当該発光デバイス上に配設された光学部品を更に有する。
本発明の実施例において、前記コーティング層は固体(solid)である。前記横方向周面は、2以上のコーティング層により被覆することもできる。
本発明の実施例において、本発明による発光デバイスはアレイに配列することができる。
横方向周面上にコーティング層を有する本発明による発光デバイスをアレイに配列することにより、例えば光学的クロストークを個々の発光デバイス間で回避することができる。このように、これら発光デバイスを個々にアドレス指定することができる。
該発光デバイスのアレイは、コーティング層を共有するように構成することもできる。
第2態様によれば、本発明は、発光ダイオードを有する発光デバイス1の横方向周面6の少なくとも一部上にコーティング層を被着する方法を提供する。該方法は、
光学的に活性なコーティング層7を、上記周面6の少なくとも一部上に設けるステップであって、該コーティング層7が前記サブマウント3から前記上面8まで延在するが、該上面8を実質的に覆わないようなステップ、
を有する。
発明者は、当該発光デバイスの横方向周面(即ち、横方向エッジ)を被覆するために本発明の方法を用いることにより、高速且つ簡単なコーティング方法を達成することができることを理解した。該デバイスのコーティングは、更に、横方向周面をコーティングするために毛管力(capillary force)を用いることにより達成することができる。横方向周面上に形成される該固体コーティング層及び該コーティングの調整された光学特性により、当該発光デバイスの横方向エッジを逃れる光の特性は制御することができる。
本発明の実施例において、当該方法は、
− サブマウント3上に第1液体コーティング組成物を塗布するステップと、
− 該第1コーティング組成物が発光デバイス1の第1横方向周面6の少なくとも一部を覆うようにするステップと、
− 第1コーティング組成物を固化させて、第1横方向周面6の前記少なくとも一部上に第1固体コーティング層7を得るステップと、
を更に有する。
本発明の実施例において、上記コーティング組成物は、毛管力により第1横方向周面6の少なくとも一部を覆うようにさせられる。
本発明の実施例において、上記コーティング組成物は、針による供給(投与:dispense)による、ノズルによる供給による、印刷による及び噴霧によるものを含む群から選択された方法により塗布される。
これらの塗布方法が使用された場合、正確な量のコーティング組成物を達成することができる。このように、使用されるコーティング組成物の量を制御することにより、コーティング層の量を制御することが可能となる。
本発明の実施例において、上記コーティング組成物は、固化すると、反射性の、拡散性の、スペクトル的にフィルタする、発光性の及び光を阻止するコーティング層、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択された固体コーティング層を形成する。
このような固体コーティング層が形成された場合、当該発光デバイスの横方向周面からの光の漏れを制御することができる。このように、異なる目的に対して、上記コーティング組成物は、反射性の、拡散性の、スペクトル的にフィルタする、発光性の又は光を阻止する層を形成するように選択することができる。
上記コーティング組成物は、ゾル・ゲル由来材料又はシリコーン樹脂を有することができる。
本発明の実施例において、前記横方向周面は、有極のコーティング組成物が使用される場合、有極となるように前処理することができる。代わりに、該横方向周面は無極となるように処理することができ、無極の又は有極のコーティング組成物を使用することができる。
前記サブマウント及び横方向周面が斯様に前処理された場合、有極コーティング組成物は上記サブマウントを覆うのを毛細力により容易化されるであろう。上記サブマウント及び横方向周面の一部のみを有極となるように処理することにより、上記横方向周面の幾つかの部分のみをコーティングすることが可能となる。結果として、上記横方向周面の上記コーティング層がない部分を得ることも可能になる。同様にして、無極コーティング組成物を、有極又は無極になるように前処理された表面上で使用して、当該横方向周面の選択された部分をコーティングすることが可能である。
本発明の実施例において、当該方法は、
− 上記サブマウント上に少なくとも第2の液体コーティング組成物を塗布するステップと、
− 該第2コーティング組成物が、当該発光デバイスの第2横方向周面の少なくとも一部を覆うようにさせるステップと、
− 上記第2コーティング組成物を固化して、上記第2横方向周面の少なくとも一部上に第2の固体コーティング層を得るステップと、
を更に有する。
前記第1コーティング組成物は、一実施例においては、上記第2コーティング組成物とは異なるものとすることができる。
第1及び第2コーティング層に異なる材料を使用することにより、反射性の、拡散性の、スペクトル的にフィルタする、発光性の及び光を阻止するような光学的機能を持つ異なる固体コーティング層を達成することが可能となる。このように、同一の横方向周面を、同一の又は異なる光学的機能を持つ2以上のコーティング層によりコーティングすることができる。
前記第1横方向周面は、他の実施例では、前記第2横方向周面とは相違することができる。
異なる横方向周面が異なる固体コーティング層によりコーティングされた場合、当該横方向周面の部分は異なる光学的機能を持つ。
尚、本発明は請求項の全ての可能性のある組み合わせに関するものであることに更に注意されたい。
上記及び他の実施例は、詳細な説明で更に説明する。
本発明の上記及び他の態様を、本発明の現在のところ好ましい実施例を示す添付図面を参照して一層詳細に説明する。一例として、図面は反射性コーティング層を示している。しかしながら、該コーティング層は、発光性の、有色の、散乱性の及び吸収性のものとすることもできる。また、図面は必ずしも実寸ではない。
図1は、ルミラミック蛍光体を有する本発明の上部発光型発光デバイスの一実施例の断面を概略示し、横方向周面は反射性コーティング層により被覆されている。 図2は、傾斜されたルミラミック蛍光体を有する本発明の上部発光型発光デバイスの他の実施例の断面を概略示し、横方向周面は反射性コーティング層により被覆されている。 図3は、ルミラミック蛍光体を有する本発明の上部発光型発光デバイスの他の実施例の断面を概略示し、横方向周面は2つのコーティング層により被覆されている。 図4は、基板を有する本発明の上部発光型発光デバイスの他の実施例の断面を概略示し、横方向周面は反射性コーティング層により被覆されている。 図5は、本発明の側面発光型発光デバイスの一実施例の断面を概略示し、横方向周面の一部が反射性コーティング層により被覆されている。 図6は、基板及び蛍光体を有する本発明の側面発光型発光デバイスの一実施例の断面を概略示し、横方向周面の一部が反射性コーティング層により被覆されている。 図7は、本発明の発光デバイスのアレイの一実施例の断面を概略示し、横方向周面の一部が反射性コーティング層により被覆されている。 図8aは、発光デバイスの横方向周面をコーティングする方法の斜視図を概略示す。 図8bも、発光デバイスの横方向周面をコーティングする方法の斜視図を概略示す。 図8cも、発光デバイスの横方向周面をコーティングする方法の斜視図を概略示す。 図9は、本発明の発光デバイスの一実施例の斜視図を示し、横方向周面の一部が反射性コーティング層により被覆されている。
以下、本発明による発光デバイスの実施例を更に詳細に説明する。
本発明のデバイスの一実施例が、図1に図示されている。
この実施例において、フリップチップ型LED2を有する発光デバイス1は、サブマウント(下側取付体)3上に配置されている。該LED2上には、この実施例では蛍光体4a(即ち、ルミラミック)である光学部品4が、LED2により放出された光を受光するように配置されている。接着層5が、蛍光体4aとLED2とを接続するために使用されている。当該発光デバイス1の側面、即ち横方向周面、6上に配設されているものは、反射的機能を有するコーティング層7であり、かくして、上記光は該発光デバイス1の側面6を介しては実質的に逃れることはない。代わりに、上記光は反射されて、最終的に蛍光体4aの上面8を介して出射する。
ここで使用される場合、側面、横方向エッジ、横方向側部及び横方向周面は、全て、当該発光ダイオードの周りの側面領域を指すが、上面領域は含まない。
光線の組Iにおいて、pn接合において発生された青色光は、上記接着層へ伝達されて側部コーティングに入射し、その結果、当該接着部、前記蛍光体及び前記LEDに向かう拡散的後方散乱を生じる。
光線の組IIにおいて、青色光は当該蛍光体内では変換されず、該蛍光体へと反射して戻される。該反射された光の一部は前記上面を介して取り出される。
光線の組IIIにおいて、発生された光は、高屈折率のInGaN材料内で導波されてエッジに入射し、該エッジにおいて側部コーティングにより後方に反射される。該後方散乱過程における角度的再分配が、導波による光の取り込みを克服する助けとなる。従って、上記光の一部はLEDから上記接着部及び蛍光体層へと取り出される。
光線の組IVにおいて、青色光は上記蛍光体内で吸収され、例えば赤色光へと変換される。該赤色光は、側面に衝突するような方向に進行し、後方散乱されると共に一部は前記上面を介して取り出される。これらの光線の組は、相互に類似した実施例では同様であるので、全ての実施例が、これら光線の組に対する固有の参照を含むとは限らない。
実施例1の多くの変形例を考えることができる。例えば、全変換型又は部分変換型の蛍光体上面発光器を使用することができる。全変換の場合、上記蛍光体は青色光を吸収し、該青色光を、大きな割合で、一層長い波長を持つ他の色に変換する。これが生じる量は、ルミラミックの厚さと、当該蛍光体における発光中心の濃度及び吸収係数とに依存する。略全ての青色光を緑色、琥珀色又は赤色等の一層長い波長に変換するために、蛍光体内で充分に長い経路長を達成するための努力がなされる。上記側部コーティングにより、角度にわたる色性能は非常に良好である。即ち、大きな角度における青色光の漏れは存在しない。
本発明のデバイスの他の実施例が、図2に図示されている。
この実施例は、LEDに対してオーバーハングを持つように、蛍光体4aの側面が傾斜されている点を除き、実施例1と類似している。右及び左の側面には反射性コーティングが存在するが、異なる角度を有している。
上記の場合、蛍光体の寸法はLEDの寸法より大きい。LEDと蛍光体との間の接着層は、実質的にLED領域又は一層大きな蛍光体領域の何れかを覆うことができる。接着領域が蛍光体領域より小さい場合、上記オーバーハング領域のみがコーティングにより満たされて、蛍光体の横方向側部を覆っていない接着部及び/又はLEDの側面発光を阻止するようにすることができる。代わりに、上記オーバーハング領域及び蛍光体の側部の両方を覆うことができる。更に、上記オーバーハングは、傾斜された又は方形等の異なる形状を有することができる。
蛍光体はLED面積に対して寸法を小さくすることもでき、さもなければ、蛍光体の配置が、LED領域を完全に覆わずに、特定の方向のオーバーハング又は傾斜の両方を示し得る。側部のコーティングは、LEDの直接的に発光する部分を覆い且つ遮蔽する手段を提供する。寸法の小さいルミラミックは、製造の際に一層良好な接着及び配置精度を有することができる。
接着領域はLED領域及び蛍光体領域を超えて広がることができ、接着材料の一部はLED及び蛍光体の横方向側部の一部を覆うことができる。
当該コーティングは、前記サブマウントから前記上面まで延在する限り、側面の一部のみ又は全表面上に延在することができる。ルミラミックのみをコーティングし、又はLEDをコーティングすることができる。このことは、上記サブマウント及び発光デバイスの側面の濡れ特性を調整することにより達成される。
他の実施例においては、サブマウントとの電気的接触がなされる当該LEDの下側をコーティングすることもできる。電極のパターニングにより、幾らかの光は、電極又はミラー間の間隙を介して漏れるであろう。この光はLEDの後部へ導波し得、そこで吸収されそうである。反射性の側部コーティングが用いられる場合、この光は再利用されるべく当該LEDに向かって後方散乱される。
反射性コーティング層が使用された場合、該層はサブマウントの反射性を増加させるように該サブマウントの周囲にも広がり得、これにより、当該LEDに戻るように向けられる如何なる光の光損失も低減する。
他の実施例において、当該発光デバイスはドーム状とすることができる。
本発明のデバイスの更に他の実施例が図3に示されている。
この実施例は、実施例1に類似しているが、2つのコーティング層7a及び7bを有している。第1コーティング層7bは透明であり、第2コーティング層7aは反射性である。他の組み合わせの機能及び層数も同様に可能である。しかしながら、このようなコーティングの組み合わせによる利益は、不完全に存在する充填不足領域又は前記接着層の一部を充填する機会であり得る。例えば、接着工程における変動の結果、ダイとLEDとの間の間隙を完全に覆わないような不完全な接着層が生じ得る。これは、先ず透明層により充填され、次いで、例えば反射性の層により覆うことができる。それ以外として、上記反射性の層が上記間隙を充填し、結果として、光損失となり得る光束の一部を遮蔽する。コーティング層の他の組み合わせも、勿論、可能である。
本発明のデバイスの他の実施例が、図4に示されている。
この実施例において、フリップチップ型LED2を有する発光デバイス1が、サブマウント3上に配設されている。LED2上には、基板4bが存在する。発光デバイス1の側面6上に配置されているものは、反射機能を有するコーティング層7であり、かくして、光は実質的に当該発光デバイスの側面6を介して逃れることはない。代わりに、光は反射され、最終的に基板4bの上面8を介して出射する。図4には、3つの光線の経路が示されている。光線経路Iは、当該LED中をエッジまで導波し、コーティングにより反射される光を示す。光線経路IIは、当該サファイヤ基板を介し、側部において反射する光の経路を示す。光線経路IIIは、側部と作用し合わない直接的な放出光線経路を示す。
従って、種々の反射性の、吸収する、有色の、拡散性の及び発光性のコーティング層、並びにコーティング層の組み合わせが、上記側面上に存在し得る。上記面の一部のみがコーティングされることも可能である。サファイヤ等の基板を伴うLED及び蛍光体の組み合わせも可能である。
拡散性コーティング層においては、入射光は該入射光の光経路からの僅かなズレで主に透過される(入射光のうちの僅かな量は複数の散乱事象を受けて、更に反射され得る)。この拡散性は、角度依存性効果を乱混させる助けとなる。即ち、異なる位置及び角度の光は混合される。好ましくは、上記側部コーティングは、10〜100μm等の限られた光学的厚さを有するが、これは厳格に必要というものではない。その場合、上記散乱事象の結果として光源面積が著しく拡大されることはなく、その場合において、散乱中心は光線に対する新たな点光源と見なすことができる。
他の実施例において、側部コーティングは、青色光を吸収し、黄色又は琥珀色又は赤色光を透過するように有色である。該側部コーティングにより、大きな角度における青色光の漏れは抑圧される一方、変換された光は依然として透過される。青色光の吸収の結果、反射性側部コーティングと比較して効率は低くなる。しかしながら、変換された光は、当該pcLEDから及び当該側部からも容易に取り出すことができるので、一層効率的に使用される。
他の実施例において、考慮される波長に対して吸収性の側部コーティングが考えられ、これは、通常は、該コーティングが可視光に対して吸収性である、即ち該コーティングは黒であることを意味する。この構成は、効率という明らかな理由により余り好ましくない。しかしながら、側部からの光の漏れは効率的に抑圧されるものの、これは青色光及び変換された光の両方に対して成り立つ(黒のコーティングがIRにおいて透明であるとして、変換された光が赤外内にない限り)。
他の実施例において、当該発光デバイスは発光性側部コーティングを有し、その場合において、青色光は(部分的に)吸収され、一層大きな波長に変換されて再放出される。該側部コーティングは、ルミラミック蛍光体材料(例えば、部分変換白色に対するYAG:Ce)と類似した蛍光体粒子を含むことができる。該側部コーティングは、ルミラミック材料とは異なる蛍光体粒子を含むこともできる。例えばルミラミック蛍光体からの白色光放出を一層暖色、即ち暖白色構成、にするための赤色蛍光体を含む側部コーティングである。
本発明の発光デバイスの他の実施例が、図5に示されている。
この実施例において、フリップチップ型LED2を有する側面発光型発光デバイス1が、サブマウント3上に配設されている。LED2上には、ルミラミック発光体4aが配置されている。該発光体上に配置されているものは、光を反射する反射体4cである。側面6のコーティングは、1以上の側部からの光の透過を防止し、この光を反射して再利用し、該光をコーティングされていない側部へ透過させる。方形のルミラミックの場合、1つの側面のみ、又は2つの表面又は3つの表面又は斯かる表面の各々の一部をコーティングすることができる。例えば、当該ルミラミックの角部も、該角部領域から光を放出するように開放されたままとすることができる。側部反射性コーティング及び上部反射性コーティングは、高度散乱反射性コーティング層等の単一の層を形成することができる。
1x1mmの構成で、蛍光体の厚さが250μmであり、コーティングされていない側面発光部のルーメン効率(lumen efficacy)が100%である一実施例において、ルーメン効率は、第1側面コーティングLEDが95%であり、第2側面コーティングLEDが78%であり、第3側面コーティングLEDが56%であった。従って、該LEDでは光の一部が失われるが、残りの光束は、より小さな面積を介して特定の側へ強制される。従って、側面の輝度は増加する。このことは、例えば、光源を導光板の側部に配置するために光を薄い導光体に効果的に導入しなければならないようなバックライト応用例又は導光照明器具設計においては重要である。
本発明のデバイスの更に他の実施例が、図6に図示されている。
実施例5に類似した側面発光型発光デバイスの該実施例において、基板はLED上で蛍光体の下に存在する。コーティング層は、LED及び基板上にだけ存在し、蛍光体上には存在しない。
代替例として、反射体を上記基板上に直に配置することができる。コーティングは当該基板の側面上に存在することができ、反射性側部コーティングを用いることによりLED基板から青色光の大きな漏れはない。上記蛍光体は、LED基板領域を超えて延在する(過大寸法にする)ことができる。
しかしながら、側面発光型発光デバイスは、拡散性又は発光性コーティング層のような他のタイプのコーティング層を有することもできる。拡散性コーティングを用いることにより、側面発光の角度的及びスペクトル的分布に影響を与える、例えば斯かる分布を一層均一にすることができる。
青色光を吸収し、変換された光(例えば、琥珀色)を透過するような側部コーティングを使用することにより、全変換側面発光器を高色純度で作製することができる。
2つの側部で調合することにより、異なる側面で異なる光学的機能を実現することができる。例えば、反射性コーティングを第1、第2及び第3側面に追加し、青色を吸収し、変換された光を放出する有色コーティングを他の側部に追加することができる。
このようにして、他の実施例では、当該LEDの少なくとも1つの側部上に反射性側部コーティングが被着され、他の側部には有色側部コーティングが被着される。これは、1つ、2つ又は3つの発光側面を備える高色純度側面発光全変換LEDを製造するために使用することができる。
蛍光体がコーティングされたLED、即ちpcLEDは、例えば、スポットライト、フラッシュLEDモジュール、プロジェクション表示器及び自動車用ヘッドライト等の高輝度又はエタンデュが制限された用途において特に有効である。
これら用途の幾つか(例えば、調整可能なスポット又は曲がる方向に差し込む自動車ヘッドライト)の場合、LEDは個々にアドレス指定可能とし、個別のLEDをユーザ/状況による要求によりオン/オフ又は調光することができる必要がある。
個々にアドレス指定可能なアレイにおけるLEDアレイにとっての問題の1つは、1つのLEDのポンプ光が、当該アレイにおける隣接するLEDの蛍光体に容易に到達し得る点にある。これは、例えば、ランプに誤った出力スペクトルを生じさせ得、又はヘッドライトにおいてオフ状態であるべきLEDをオンさせ得る。
本発明のデバイスの更に他の実施例が、図7に図示されている。
この実施例において、種々の色を持つ発光デバイスのアレイがコーティングされている。R=赤色、G=緑色及びW=白色を得るためにルミラミック蛍光体が使用される一方、当該発光デバイスから青色光を得るためにサファイヤ基板Bが使用される。反射性コーティングが、各発光デバイスの周囲及び間の側面上に配設され、かくして、これら発光デバイスはコーティング層を共有さえもしている。
上記アレイは、1次元的又は2次元的とすることができる。LEDの間の間隙は、透明、拡散性又は有色又は発光性の層等の、異なる機能の層により部分的に充填され又は充填することもできる。各LEDは、直列に配置された場合のように同時に駆動することができるか、又は、これらLEDは独立に駆動することができる。また、アレイは同一の色を有することもできると共に、コーティングは各デバイスの側面上にのみ配置することができ、コーティングはデバイスの間で共有されない。アレイは、各々が個々の側部コーティングを有するLEDからなることもでき、その場合、それらのコーティング層は共有しない。
特に、赤色全変換ルミラミック、緑色全変換ルミラミック、基板を備えた青色LED、及びオプションとして部分変換白色ルミラミックを有するLEDアレイが考えられる。一般的に、種々の蛍光体及び/又は基板の厚さは変化し得る。側部コーティングは、このような高さの差を調整することができる。反射性コーティングは、LEDの間の光学的クロストークを抑圧し、かくして、LEDを個別にアドレス指定することができる場合に広範囲の高純度の色を持つLEDアレイを製造するようにする。この構成は、極めて大きな色混合の窓を持つ光源、即ち、カラーダイアグラムにおいて広がるカラーレンジ内で非常に純粋な色から、これら色の如何なる混合までもの光源を生成する。これは、例えばスポットライト又は一般の照明光源のための色制御可能なLED光源にとり重要である。
光学的混合が小さな距離で必要とされる場合、LEDの間の側部コーティングを透明又は拡散的とすることができるが、この場合、LEDの間の光学的クロストークが性能に影響を与えるであろう。例えば、赤色LEDのみがオンの場合、このLEDから発生される青色光は隣接する緑色蛍光体を励起して幾らかの緑色も同様に生成し得る。
このクロストークを防止する一方、それでも混合能力を最大にするために、有色の又は発光性有色素コーティングをLEDの間に塗布することができ、該コーティングは或るLEDから次のLEDへ進行する青色光を吸収する。発光性コーティングの場合、この青色光は再び他の色に変換されるであろう。
他の実施例において、2x2アレイのような正方形のアレイを使用することができる。代替的に、1x4アレイに代えて、交互のRGBW、GBWR、BWRG、WRGB色(R=赤色、G=緑色、B=青色及びW=白色)を備える4x4アレイ等の一層大きなアレイも同様にして作製することができる。
更に他の実施例では、単一のLED上に蛍光体アレイを適用すると共に側部コーティングを使用することにより、該LEDを、カラーダイアグラムにおける赤色、緑色及び青色位置に対応してx,y色調整された高色純度領域に副分割することができる。これらの有色領域からの発光は、当該LEDまでの距離に依存して混合する。利点は、LCDバックライト又はプロジェクション表示器等の用途例におけるRGBカラーフィルタアレイに結合することができると共に整合した白色LEDを得るために、純粋なRGBカラーから色を作成することができる点にある。(YAG:Ce部分変換ルミラミックは、混合された純粋色から構築されてはいない白色LEDであり、従って、カラーフィルタとの組み合わせには余り適していない)。蛍光体の間の領域は、光の混合を促進するために拡散性に又は透明にすることができる。外側のコーティングは、好ましくは、反射性として、LEDの側部におけるカラーシャドウを最少化する。
他の実施例においては、側面発光ルミラミックLEDのアレイがコーティングされる。側部コーティングを持つ個々の全変換側面発光器を互いに隣り合わせで配置する代わりに、隣接するLEDを、側部コーティングを共有するように配置することができる。この場合、側部コーティングは隣接するLEDの間の境界コーティングと見なすことができ、これらLEDを一緒に密に配置することができる。反射性側部コーティングを用いることにより、LEDの間のクロストークが抑圧されて、高純度の個々の色から、これら色の如何なる混合までにもわたり得るような放射を伴うLEDアレイを達成することができる。
個々の色は必要とされず、最適な色混合が必要とされる場合、LEDの間のコーティングは透明、拡散的、有色又は発光性とすることができる。最初の2つのオプションの場合、青色光及び変換された光の両方が隣接するLEDに導波し得る。後者の2つのオプションの場合、青色光は(少なくとも部分的に)吸収され、変換された光は隣接するピクセルへと導波し、これらピクセルと混合することができるであろう。
他の実施例においては、反射性側部コーティングがルミラミック蛍光体上に配置され、該蛍光体表面上にはワイヤ格子偏光構造を伴う。この場合、偏光構造を備えない当該蛍光体の側部は、偏光されていない光を漏らさないように遮蔽される。
結論として、本発明は、典型的に蛍光体変換を使用するようなLED構成に適用することができる。しかしながら、該側部コーティング技術は、通常の有色(非蛍光体変換)LEDに対しても適用することができる。斯かるLEDは、フラッシュライト、自動車用フロント若しくはリアライト、バックライト、又はスポットライト等の一般照明に用途を有する。
本発明は、例えば自動車の前方照明のためのLEDアレイに、又はプロジェクション照明目的のRGB LEDアレイに、又は一般照明用色調整可能な(スポット)ランプに使用するための、斯様なLEDのアレイにも適用することができる。
本出願において使用される場合、ここでは"LED"と略称される"発光ダイオード"なる用語は、当業者により知られた如何なるタイプの発光ダイオード又はレーザ放出ダイオードを指し、これらに限られるものではないが、無機LED、小有機分子LED(smOLED)及び高分子LED(polyLED)を含む。
本発明において使用するLEDは、紫外領域から可視領域を経て赤外領域までの如何なる色の光も放出することができる。しかしながら、波長変換物質は、通常、光を赤方シフトにより変換するので、紫外/青色領域で発光するLEDを使用することが、しばしば、望ましい。何故なら、このような光は実質的に如何なる他の色にも変換することができるからである。
LEDチップは好ましくは"フリップチップ"型のものとし、その場合、両リード線は当該チップの同一の側に配置される。この設計は、当該デバイスの発光面上への波長変換体の配設を容易にする。しかしながら、他のタイプのLEDを本発明に使用することも考えられる。
本発明で使用するための波長変換物質は、変換されていない光により励起されると共に緩和に際して光を放出するような、好ましくは、蛍光性及び/又は燐光性物質である。前記光学部品は、典型的には、例えばルミラミック蛍光体等のセラミック蛍光体のような、蛍光体材料である。
全変換LEDは、全ての電気的に発生された光が所望の光に変換されるLEDである一方、部分変換LEDは、電気的に発生された光の一部のみが他の色に変換されるLEDを指す。
本発明の他の態様は、本発明による発光デバイスを製造する方法に関するものである。
以下においては、発光デバイスの側面にコーティングを被着させる方法を詳細に説明する。
発光デバイス1は、サブマウント3上に配置された発光ダイオード(LED)2を有する。このサブマウント3上には、液体コーティング組成物が加えられる。該コーティング組成物は所定の量で供給することができ、かくして、毛管力が該コーティング組成物を移送して当該発光デバイスの側面を覆うことができる。この量は、通常は、1つの液滴であるか又は多様な液滴である。しかしながら、所望のコーティングの厚さに応じて、この量はもっと多いものとすることもできる。1x1mmの面積のLEDデバイス当たりの該液体の体積は、0.01マイクロリットルと100マイクロリットルとの間、好ましくは0.1マイクロリットルと10マイクロリットルとの間、更に好ましくは0.5マイクロリットルと5マイクロリットルとの間とすることができる。固体体積は、通常、当該コーティングの硬化及び/又は溶媒の除去の間における収縮により一層小さくなる。
図8a〜cには、発光デバイスの側面のコーティングに関する概要図が示されている。ここで、図8aは、当該LEDチップの隣に液滴が置かれたのを示している。図8bにおいて、毛管力により、上記液滴は当該デバイスの側面を覆い始める。図8cは、全側面のコーティングが達成されたことを示している。
前記コーティング組成物は前記サブマウント上における、当該発光デバイスの側面に隣接する又は該側面と接触する位置に置かれ、かくして、該コーティング組成物は毛管力により上記側面を覆う。該コーティング組成物は、例えば、当該発光デバイスの側面から0〜2mmに、又は該側面から0.5〜1mmに投与することができる。
コーティング組成物が斯様にして供給されると、毛管力が、当該発光デバイスの側面のコーティングを一層高速に促進する。
必要とされる特定の量のコーティング組成物を特定の位置に加えるために、投与器(ディスペンサ)を使用することができる。このディスペンサは注射器又は針又はノズルシステムとすることができる。当該コーティングを被着させる最も簡単な方法は、該コーティング組成物の液滴を、通常は投与時間及び圧力を調整することにより所望の液滴体積を投与するためのコントローラと共に注射器、針又はノズルを使用して供給することによるものである。
しかしながら、上記の加える処理は、スクリーン印刷又はインクジェットノズル又は噴霧ノズルを使用すること等により、当該コーティング組成物を印刷する又は噴霧することにより達成することもできる。
当該コーティングは、側面をコーティングするために毛管力を使用することにより促進され得る。斯かるコーティングは、典型的には、自己濡れ現象により約1又は2秒で生じる。
当該コーティングは、液体コーティング組成物を前記サブマウント上において当該発光デバイスの周囲にプロットし、該液体を該プロットされた領域に接触するように強制することにより達成することもできる。この場合、ノズル又は針が、制御され且つプログラム可能な態様で移動する一方、この移動の間において投与を制御する。この構成は、当該コーティング流体が、コーティングされるべきデバイス上で劣った濡れ特性しか有さず、特定の側部のみしかコーティングする方法がない場合に有利である。上記の劣った濡れ特性は自己濡れ現象を妨げるが、上記投与のプロット処理は、当該流体が広がるように強制する。欠点は、必要とされる一層厳格な投与精度及び付加的な処理時間である。
プロット処理及び自己濡れの組み合わせも、例えば短い距離により隔てられ且つ直線に配置された複数のLEDデバイスに隣接して直線状にノズルを移動させると共に、該ノズルが直線状に移動している間に投与することにより実現することができる。投与された液体は、当該LEDデバイスのエッジと作用し合って、該デバイスの周において自己濡れ現象を生じる。
前記コーティング組成物は、メチルトリメトキシシラン等のアルキルアルコキシシランのようなゾル・ゲル・モノマ又はシリコーン樹脂を含むことができる液体組成物である。該ゾル・ゲル・モノマは、水及び/又はアルコールを含むことが可能な液体内で(部分的に)加水分解され及び重合され得る。従って、このタイプの流体は、典型的には、親水性(有極性:polar)である。斯かる流体は、該流体の粘性を調整するために、種々の量の溶媒又は複数の溶媒を含むことができる。シリコーン樹脂は、典型的には、硬化されていない状態では流体であり、そのまま使用することができ、又はオプションとして当該流体の粘性を調整するために溶媒が添加される。シリコーン樹脂は、種々の供給者から、多くの化学組成で及び材料特性で存在する。硬化の後、粘性は材料特性と同様に変化し得、弾性ゲルから硬いシリコーンコーティングまでにわたるものとなる。シリコーン樹脂のタイプに依存して、上記のような溶媒の一例はキシレンであり得る。このようなシリコーン流体は、必ずしもではないが、典型的には無極性である。
当該流体が有極性又は無極性である程度は、使用される溶媒のタイプ及び量等の正確な流体の組成による影響であり得る。
本発明に使用されるコーティング組成物は、固化すると、散乱性、吸収性、発光性、拡散性又は反射性のコーティング層、即ち光学的に活性なコーティング層を形成するようなコーティング組成物である。このような目的のために使用することが可能な多くの組成物の例が存在する。
本発明における"固体"なる表現によれば、当該コーティング層はアモルファスとすることができることも分かる。
典型的に、散乱性、吸収性、発光性、拡散性又は反射性の粒子は、好ましくは低粘性を有する組成物内に分散される。
例えば、金属酸化物、反射性、拡散性若しくは発光性金属薄片、及び/又は吸収性の染料若しくは顔料等の散乱性粒子を、当該コーティング組成物内に分散させることができる。
例えば、サブマイクロメートルの直径を持つようなTiO粒子を、無機散乱性粒子として使用することができる。5〜60v%の粒子等の適切な充填量を用いることにより、低損失の散乱反射性コーティングを、例えば5ミクロンを超える厚さで実現することができる。
当該コーティング組成物は、前記側面上に固体コーティング層を得るために固化される。固化は、例えば溶媒を除去するために当該コーティングを空気乾燥する、及び/又は典型的には上昇された温度で当該コーティングを硬化させる等の如何なる固化作用によっても生じる。ゾル・ゲル・モノマの固化のための一例として、当該コーティングは、該コーティングから殆どの溶媒(水及びメタノール等の)を蒸発させるために約10分間乾燥させることができる。次いで、該コーティングは90℃で20分にわたり更に乾燥され、その後、該ゾル・ゲルは、200℃で1時間の硬化処理により硬化されて脆いメチル珪酸塩網状組織を形成する。
該コーティング層の典型的な厚さは、10〜500μmである。
このように、当該コーティング組成物は、固化した場合に、得られる固体組成物が下記のような光学的機能又は斯様な機能の組み合わせを有するように選択される。
通常はTiO、ZrO及びAl等の金属酸化物粒子のような散乱性顔料を用いることによる反射機能。1つの余り好ましくない代替例は、金属薄片若しくは粒子又は孔隙(pores)を用いることによるものである。このような機能を持つコーティング組成物により前記横方向エッジをコーティングすることにより、当該側部コーティングを介しての光の透過は小さくなり、光の殆ど(例えば、95%)は反射されるであろう。
この機能の選択は、背景技術の説明で述べた課題1〜4を解決する。欠点は、反射された側部光のうちの少量が当該LEDにより再吸収され失われ得ることである。それでも、前記上面の輝度は増加され、例えば、10〜15%の法線方向での典型的な輝度利得が、120ミクロン厚の蛍光体を持つ側部コーティングされた1x1mmLEDダイに対して実現された。
TiO、ZrO、Al及びSiO等の金属酸化物粒子のような散乱性顔料を用いることによる拡散機能。これは、側部コーティングを介して(部分的な)光の透過を可能にし、その場合において、前方散乱及び後方散乱の量は、当該顔料の体積濃度及び粒径並びにコーティング厚により制御することができる。
この機能は、前述した課題1及び2は部分的に解決するが、課題3及び4は解決しない。利点は、前記反射機能と比較して一般的に損失的なLEDに向かって余り光が戻されない点である。
有色顔料を用いた有色の又はスペクトル的なフィルタ機能。典型的には、有色層は前記青色LED光を吸収し、変換された光を当該蛍光体から透過させる。この構成は、特に全変換ルミラミックの場合、課題1を解決するが、課題2、3及び4は解決しない。
部分変換の場合、青色光の吸収は、過剰に青色光を吸収することにより角度にわたる色のズレの危険性を生じる。青色光の漏れを部分的に吸収するため等の、吸収特性の精密な調整が、この問題を克服するために必要とされる。
利点は、前記反射機能と比較して、全光束が増加する点である。
入射光束スペクトルを吸収する顔料を使用することによる吸収機能。この機能は、殆どの問題を解決するが、重大な光束の損失につながると共に、前記上面の輝度を増加させることがなく、従って、余り好ましくない。吸収は、吸収性顔料又は染料の特性、濃度及び層厚に依存して、完全となるか又は部分的のみとなり得る。
前記蛍光体と同一の又は異なる発光スペクトルを付与する発光性顔料/粒子を使用することによる発光機能。前記側部を介しての青色光の漏れは吸収され、より大きな波長に変換される。この機能は、特に全変換蛍光体に関して課題1を解決するが、課題2、3及び4は解決しない。この機能は、光源面積も僅かに増加させる。利点は、前記反射機能と比較して、全光束の増加が期待されることである。
このように、本発明の実施例に関して、所望の機能に依存して、異なる機能を持つ異なるコーティング層の組み合わせを考えることができるか、又は拡散機能を発光機能と組み合わせる等のように、同一のコーティングにおいて異なる機能を組み合わせることもできる。
前記サブマウント及び側面は、有極性(又は親水性)となるように前処理することができ、前記コーティング組成物を有極性(又は親水性)とすることができる。この場合、該親水性(有極性)コーティング組成物は、毛管力により、前処理されたサブマウント及び側面を覆うのが促進される。前記サブマウント及び側面の一部のみを親水性となるように処理することにより、図9に示されるように、当該側面の幾つかの部分のみをコーティングすることが可能となる。同様に、有極性(又は親水性)の表面上において、殆どのシリコーンのような無極性の(又は疎水性の)コーティング組成物を使用することにより、限られた流体の広がりを達成することができるか、又は無極性(又は疎水性)表面上での良好な広がり達成することができる。結果として、前記サブマウント及び側面の一部を無極性(又は疎水性)となるように処理することも可能であり、かくして、有極性(又は親水性)コーティング組成物を使用することにより、前記側面の一部にコーティング層がないようにする。明らかなことに、当該デバイスのサブマウント及び横方向側面の表面濡れ条件は、同一ではなく、サブマウント又は側面の何れにおける好ましい広がりを実現することもできる。また、前記横方向側面は、通常、LED材料、接着剤材料、LED基板又は蛍光体等の複数の部品からなる。これらの種々の材料のうちの優先的な濡れが生じ得る。例えば、上記蛍光体がコーティング流体に対して劣った濡れ条件を有している場合、該蛍光体の側部の限られた被覆のみが実現されるか又は被覆が実現されないかとなる一方、例えば上記接着剤及びLEDダイは被覆され得る。
前記側面の一部のみをコーティングする他の方法は、LED表面上の濡れ条件(例えば、LEDデバイスの酸素プラズマ又はUVオゾン処理を調整することによる)及び被着される量を調整することにより、及び/又は当該コーティング組成物の粘性を増加若しくは調整することにより、又は一層速い蒸発速度を有する溶媒を添加することにより達成される。
基本的に、当該コーティング組成物は、ブレードコーティング、スピンコーティング、スプレイコーティング、浸漬コーティング又はカーテンコーティング等の、当該ルミラミックの上部も覆うような技術を用いて被着することができる。特に反射性コーティングが塗布される場合、ディウェッティング(はじき:dewetting)層を当該ルミラミック表面の上部に配置する必要がある。充分なディウェッティングが存在すれば、疎水性コーティング組成物の場合、ディウェッティング上面を覆うのはエネルギ的に好ましくないので、該コーティングは側部に流れるようになり、該上部には層を残さないか又は薄い層を残すのみとなる。上部における該反射性コーティングの充分に薄い層は、依然として部分的に透過的であり、許容され得る。上記のディウェッティング層は、例えば当該蛍光体のフルオロシラン上面処理の疎水性シラン単層等の、疎水性コーティング層からなり得る。拡散性の、発光性の、有色のコーティング組成物に対しては、上面の被覆は許容され得る。拡散性の上面コーティングは、光の分布を再分布させて、より均一な、角度にわたる色を達成する助けとなり得る。発光性の又は有色の上面コーティングは、全変換蛍光体応用例の場合に、上面からの青色光の漏れを低減する助けとなり得る。
このことは、当該コーティング組成物が大量に加えられる場合に、特に重要である。前記ディウェッティング層は、固体、液体又はゲルとすることができる。該ディウェッティング層は、体積層とすることができるが、ルミラミックの上面に被着された単層(例えば、気相から上記蛍光体表面と反応された炭化水素シラン又はフルオロシラン)とするもともできる。
しかしながら、特に反射性コーティングの調合の場合、上面への流出が防止されるような方法が好ましい。
上記コーティングの粘性は、該コーティングが毛管力により当該発光デバイスの周りに容易に広がるほど充分に低いように選択することができる。このように、該粘性は1mPasと100mPasとの間とすることができる。
また、当該流体の粘性は、該流体及び/又は当該デバイスを加熱することにより低下させることができる。
該粘性を制御することにより、当該コーティング組成物によりコーティングされる領域を制御することも可能である。例えば、より低い粘性が使用されるなら、当該コーティング組成物は一層容易に広がり、コーティングは一層速く生じる。一方、より高い粘性が使用される場合、当該コーティング組成物は余り容易には広がらず、前記側面の一部のみをコーティングすることが可能となる。
前記側面上で良好な濡れが達成される場合、固体コーティング層の接触角は0〜45度とすることができる。本コーティング方法により小さな接触角が達成される場合、前記側面をコーティングするのに少量の材料のみしか必要とされず、好ましい。
加えて、このことは、光源が大幅に拡大されることがなく、当該側部コーティングの厚さを(従って、光学特性を)依然として合理的に制御することができ、当該側部コーティングの硬化処理において一般的に生じる収縮応力により該側部コーティング及びLEDデバイスに対しては一層少ない応力しか生じないという利点を有する。到達され得る鋭い輪郭は、当該側部コーティングに入射する光を導波する危険性が少ない。
従って、前記側面又は特定の側面上で劣った濡れを示すようなコーティング組成物を使用する側部コーティングの余り好まれない実施例が考察される。結果として、当該側面における接触角は大きくなるであろう(例えば、45度と90度との間、又は90度を超えさえもする)。当該側面の表面被覆は、投与される量により完全ではなくなり得る。被着される量を調整することにより、コーティングされる領域又は層は制御することができる。例えば、LEDと接着層のみが被覆される一方、ルミラミック蛍光体の相当の部分は被覆されない。そのようであるので、光の漏れ経路1及び2は抑圧され得るが、経路3は依然として漏れる。利点は、より多くの光をLEDから抽出することができ、接着剤の厚さの変動による側部の光の漏れの変動が抑圧される点にある。角度にわたる色の性能は、依然として実用上充分であり得る。全被覆のためには、大量の材料が必要とされる。また、有色の、僅かに拡散性の又は発光性の層の場合、この側部コーティング内での導波の高い危険性が生じ、斯かる導波は実質的な光の抽出なしに光を広げてしまい、これは極めて望ましくない。
本発明の他の実施例において、前記サブマウント上には第2の液体コーティング組成物が塗布され、かくして、該コーティング組成物は当該発光デバイスの第2の側面の少なくとも一部を覆う。該第2のコーティング組成物は固化されて、上記第2の側面の少なくとも一部上に第2の固体コーティング層を得る。同様に、互いに重ねて複数のコーティング層を堆積することもできる。
当該発光デバイスが異なるコーティング組成物により第1及び第2コーティング層をコーティングされた場合、反射性、拡散性、スペクトル的にフィルタする、発光性及び光を阻止する光学的機能を持つ異なる固体コーティング層を達成することができる。このようにして、同一の側面を、同一の又は異なる光学的機能を持つ2以上のコーティング層によりコーティングすることができる。
従って、上記側面の異なる部分は異なる光学的機能を有し得る。
当該デバイスの側面上に配設されるコーティングは、これら側面の極近傍にあり、一般的に接触する。しかしながら、収縮応力、不十分な接着、熱応力により、当該側部コーティングの上記側面(の一部)及び前記サブマウント(の一部)との物理的接触は破壊され得る。結果として、斯かる接触が破壊された場所には、通常は小さな間隙が存在し得る。これは、必ずしも、当該側部コーティングの機能を阻害することはない。
以上、本発明を特定の例示的実施例を参照して説明したが、当業者によれば多くの異なる代替例、変形例等が明らかとなるであろう。従って、説明された実施例は、添付請求項に記載された本発明の範囲を限定しようとするものではない。

Claims (15)

  1. サブマウント上に配設された発光ダイオードを有する発光デバイスであり、該発光デバイスは横方向周面及び上面を有すると共に、光学的コーティング層を有し、該コーティング層が、
    − 前記周面の少なくとも一部を覆い、
    − 前記サブマウントから前記上面まで延在し、
    − 前記上面を実質的に覆わない、
    発光デバイスであって、前記横方向周面の少なくとも一部が、親水性及び疎水性のうちの一方となるよう前処理されており、前記コーティング層の少なくとも一部を形成するために使用されているコーティング組成物が、親水性及び疎水性のうちの一方である、
    発光デバイス。
  2. 前記発光ダイオード上に配設されると共に、蛍光体、透光体及び反射体並びにこれらの組み合わせからなる群から選択された光学部品を更に有する請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記反射体が、光が前記横方向周面の少なくとも一部を介して逃れるように配置される請求項2に記載の発光デバイス。
  4. 当該発光デバイス上に配設された光学部品を更に有する請求項1ないし3の何れか一項に記載の発光デバイス。
  5. 前記コーティング層が固体である請求項1ないし4の何れか一項に記載の発光デバイス。
  6. 前記横方向周面の前記少なくとも一部が、2以上のコーティング層によりコーティングされる請求項1ないし5の何れか一項に記載の発光デバイス。
  7. 請求項1ないし6の何れか一項に記載の発光デバイスのアレイ。
  8. 請求項7に記載の発光デバイスのアレイにおいて、これら発光デバイスが前記コーティング層を共有するように配置された発光デバイスのアレイ。
  9. 発光ダイオードを有する発光デバイスの横方向周面の一部にコーティング層を被着する方法であって、該方法が、
    前記周面の少なくとも一部に光学的コーティング層を配設するステップであって、前記コーティング層がサブマウントから上面まで延在するが、前記上面は実質的に覆わないようなステップと、
    前記横方向周面の少なくとも一部を、親水性及び疎水性のうちの一方となるよう前処理し、前記コーティング層の少なくとも一部を形成するために親水性コーティング組成物及び疎水性コーティング組成物のうちの一方を使用するステップと、
    を有する方法。
  10. 前記サブマウントに第1の液体コーティング組成物を塗布するステップと、
    前記第1のコーティング組成物が前記発光デバイスの第1の横方向周面の少なくとも一部を覆うステップと、
    前記第1のコーティング組成物を固化して、前記第1の横方向周面の前記少なくとも一部上に第1の固体コーティング層を得るステップと、
    を有する請求項9に記載の方法。
  11. 前記コーティング組成物が毛管力により第1の横方向周面の少なくとも一部を覆う請求項10に記載の方法。
  12. 前記コーティング組成物が針による投与方法、ノズルによる投与方法、印刷による方法及び噴霧による方法からなる群から選択された方法により供給される請求項9ないし11の何れか一項に記載の方法。
  13. 前記液体コーティング組成物が、固化すると、反射性の、拡散性の、スペクトル的にフィルタする、蛍光性の及び光を阻止するコーティング層、並びにこれら層の組み合わせからなる群から選択された固体コーティング層を形成する請求項10ないし12の何れか一項に記載の方法。
  14. 前記コーティング組成物が、ゾル・ゲル由来物質又はシリコーン樹脂を有する請求項10ないし13の何れか一項に記載の方法。
  15. 前記サブマウントに少なくとも第2の液体コーティング組成物を塗布するステップと、
    前記第2のコーティング組成物が前記発光デバイスの第2の横方向周面の少なくとも一部を覆うステップと、
    前記第2のコーティング組成物を固化して、前記第2の横方向周面の前記少なくとも一部上に第2の固体コーティング層を得るステップと、
    を有する請求項10ないし14の何れか一項に記載の方法。
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Families Citing this family (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150295154A1 (en) * 2005-02-03 2015-10-15 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US8097894B2 (en) * 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
DE102009058006B4 (de) 2009-12-11 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010015068A1 (de) 2010-04-15 2011-10-20 Paul Voinea Lichtleitsystem
WO2011128826A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device
DE102010028407B4 (de) * 2010-04-30 2021-01-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN102971584A (zh) * 2010-05-20 2013-03-13 光处方革新有限公司 具有半透明球面漫射器和覆盖其上的远端荧光粉的led灯泡
DE102010029368A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010021791A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds
DE102010023955A1 (de) * 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102010032836A1 (de) * 2010-07-30 2012-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle
DE102010033963A1 (de) * 2010-08-11 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102010046254A1 (de) * 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102010063760B4 (de) * 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012169189A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
EP2500623A1 (en) 2011-03-18 2012-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for providing a reflective coating to a substrate for a light-emitting device
JP5962102B2 (ja) * 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
EP2737472A4 (en) 2011-07-27 2016-01-20 Grote Ind Llc APPARATUS LIGHTING SYSTEM USING LIGHT ACTIVE SHEET MATERIAL WITH INTEGRATED LIGHT EMITTING DIODE, WINDOW WITH LIGHTING APPARATUS, TRANSPORT MEDIUM WITH LIGHTING APPARATUS, AND METHOD FOR PROVIDING LIGHTING APPARATUS
KR101945532B1 (ko) 2011-08-16 2019-02-07 루미리즈 홀딩 비.브이. 슬롯에 형성된 반사 벽을 갖는 led 혼합 챔버
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
CN103988326A (zh) 2011-12-07 2014-08-13 皇家飞利浦有限公司 光束整形发光模块
WO2013111542A1 (ja) 2012-01-23 2013-08-01 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
DE102012101102A1 (de) 2012-02-10 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
US9257617B2 (en) 2012-02-10 2016-02-09 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
JP6559424B2 (ja) 2012-03-06 2019-08-14 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 照明モジュール及び照明モジュールを製造する方法
JP2013197309A (ja) 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 発光装置
WO2013144834A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with wavelength converting side coat
CN104472014B (zh) 2012-07-18 2016-12-07 皇家飞利浦有限公司 具有混合室和远程磷光体出射窗的可调谐相关色温的基于led的白色光源
EP2875532B1 (en) * 2012-07-20 2019-02-27 Lumileds Holding B.V. Led with ceramic green phosphor and protected red phosphor layer
DE102012212963B4 (de) 2012-07-24 2022-09-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP6107024B2 (ja) * 2012-09-26 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102012217521A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP6535598B2 (ja) * 2012-11-07 2019-06-26 ルミレッズ ホールディング ベーフェー フィルタ及び保護層を含む発光デバイス
EP2917938B1 (en) * 2012-11-07 2020-05-06 Lumileds Holding B.V. Wavelength converted light emitting device
JP5634647B1 (ja) * 2012-12-03 2014-12-03 シチズンホールディングス株式会社 Ledモジュール
CN103887410B (zh) * 2012-12-21 2017-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
AT513917B1 (de) * 2013-02-05 2014-11-15 Zizala Lichtsysteme Gmbh Leuchteinheit für einen Scheinwerfer sowie Scheinwerfer
DE102013204291A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
EP2984685B1 (en) * 2013-04-11 2018-12-19 Lumileds Holding B.V. Fabrication method for top emitting semiconductor light emitting devices
US9761768B2 (en) * 2013-07-08 2017-09-12 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
EP3025380B1 (en) * 2013-07-22 2019-12-25 Lumileds Holding B.V. Flip-chip side emitting led
CN105453282B (zh) 2013-08-20 2020-12-15 亮锐控股有限公司 减少重复反射的成形磷光体
EP2854186A1 (en) * 2013-09-26 2015-04-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source module, fabrication method therefor, and backlight unit including the same
DE102013022642B3 (de) 2013-11-14 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102013112549B4 (de) 2013-11-14 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
TWI663749B (zh) * 2013-11-18 2019-06-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
JP6299176B2 (ja) * 2013-11-22 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
CN104716245A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP6331389B2 (ja) * 2013-12-27 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6749240B2 (ja) * 2014-01-09 2020-09-02 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 反射側壁を有する発光デバイス
DE102014102293A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP3130011A4 (en) * 2014-04-07 2018-02-28 Crystal Is, Inc. Ultraviolet light-emitting devices and methods
JP6349904B2 (ja) * 2014-04-18 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP6398323B2 (ja) * 2014-05-25 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP6323176B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6582382B2 (ja) 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6940784B2 (ja) * 2014-09-26 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6447018B2 (ja) * 2014-10-31 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN107210344B (zh) 2014-11-18 2020-05-15 首尔半导体株式会社 发光装置及包括该发光装置的车辆用照明灯
KR102306802B1 (ko) * 2014-11-18 2021-09-30 서울반도체 주식회사 발광 장치
FR3028672B1 (fr) * 2014-11-18 2018-01-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
KR102288384B1 (ko) * 2014-11-18 2021-08-11 서울반도체 주식회사 발광 장치
DE102015102785A1 (de) * 2015-02-26 2016-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung
DE102015106367B4 (de) * 2015-04-24 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lumineszenzdiodenanordnung
US11127887B2 (en) * 2015-08-03 2021-09-21 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device with reflective side coating
US10763404B2 (en) * 2015-10-05 2020-09-01 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same
TWI677114B (zh) * 2015-10-05 2019-11-11 行家光電股份有限公司 具導角反射結構的發光裝置
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
JP7266961B2 (ja) * 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
EP3200248B1 (en) * 2016-01-28 2020-09-30 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
CN107039572B (zh) * 2016-02-03 2019-05-10 行家光电股份有限公司 具非对称性光形的发光装置及其制造方法
JP7080010B2 (ja) * 2016-02-04 2022-06-03 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光素子及びその製造方法
JP6874288B2 (ja) * 2016-06-30 2021-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
US10641437B2 (en) * 2016-06-30 2020-05-05 Nichia Corporation LED module
JP2018028647A (ja) * 2016-08-20 2018-02-22 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、およびプロジェクター
CN107946441A (zh) 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
US10971663B2 (en) 2016-11-08 2021-04-06 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP6800702B2 (ja) * 2016-11-08 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、および、その製造方法
KR102659370B1 (ko) * 2016-11-25 2024-04-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
EP3560295B1 (en) 2016-12-20 2020-08-26 Signify Holding B.V. Multi-mode polarized spot with electrically adjustable polarization state
CN114695425A (zh) * 2016-12-22 2022-07-01 夏普株式会社 显示装置及制造方法
DE102017104479B4 (de) * 2017-03-03 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
TWI610469B (zh) * 2017-05-26 2018-01-01 Huang xiu zhang 覆晶式發光二極體及其製造方法
US10749076B2 (en) * 2017-06-29 2020-08-18 Epistar Corporation Light-emitting device
JP7005967B2 (ja) * 2017-07-03 2022-01-24 大日本印刷株式会社 Ledモジュール
KR102452484B1 (ko) * 2017-08-11 2022-10-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈
JP6928244B2 (ja) * 2017-08-22 2021-09-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7284366B2 (ja) * 2017-08-29 2023-05-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6575576B2 (ja) * 2017-10-12 2019-09-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11296262B2 (en) * 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
KR20190084807A (ko) * 2018-01-09 2019-07-17 서울바이오시스 주식회사 발광 장치
TW201939768A (zh) * 2018-03-16 2019-10-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體
CN108807303B (zh) * 2018-05-17 2020-07-24 江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司 一种单面出光的晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法
DE102018128896A1 (de) * 2018-11-16 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip mit einem inneren Kontaktelement und zwei äusseren Kontaktelementen und Halbleiterbauelement
US11217734B2 (en) * 2018-12-27 2022-01-04 Lumileds Llc Patterned lumiramic for improved PCLED stability
CN112310056B (zh) * 2019-08-02 2024-06-18 日亚化学工业株式会社 发光装置和面发光光源
US11411043B2 (en) 2019-10-25 2022-08-09 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
US11302849B2 (en) 2019-10-25 2022-04-12 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
CN116210082B (zh) * 2019-10-25 2024-06-25 亮锐有限责任公司 用于led应用的侧涂层材料中的着色和散射颗粒
JP7295437B2 (ja) * 2019-11-29 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11189757B2 (en) * 2019-12-12 2021-11-30 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles
US20220285594A1 (en) * 2019-12-12 2022-09-08 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles
CN113823723A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
JP7189451B2 (ja) * 2020-06-30 2022-12-14 日亜化学工業株式会社 発光モジュール、液晶表示装置
CN114664994A (zh) * 2020-12-22 2022-06-24 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构
WO2023054199A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 京セラ株式会社 発光装置及び照明装置
US20230260972A1 (en) * 2022-02-17 2023-08-17 Creeled, Inc. Arrangements of multiple-chip light-emitting diode packages
USD996377S1 (en) 2022-02-17 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
USD996378S1 (en) 2022-03-09 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
JP2023139780A (ja) * 2022-03-22 2023-10-04 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4962985A (en) * 1989-10-02 1990-10-16 At&T Bell Laboratories Protective coatings for optical devices comprising Langmuir-Blodgett films
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Led光源及びその製造方法
JPH11320962A (ja) * 1998-05-19 1999-11-24 Canon Inc Led露光ヘッド
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
JP4822482B2 (ja) 2001-05-23 2011-11-24 シチズン電子株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
CN1323441C (zh) * 2001-10-12 2007-06-27 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
US20030141563A1 (en) * 2002-01-28 2003-07-31 Bily Wang Light emitting diode package with fluorescent cover
ATE448571T1 (de) * 2002-08-30 2009-11-15 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7737623B2 (en) 2004-06-30 2010-06-15 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device, lighting system, backlight unit for display device, and display device
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
RU2303833C2 (ru) * 2005-07-26 2007-07-27 Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. Осветительное устройство
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
WO2007037339A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba 白色発光装置とその製造方法、およびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
JP2009512130A (ja) 2005-10-05 2009-03-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 吸収フィルタを有する蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置
JP4316669B2 (ja) * 2006-06-07 2009-08-19 パナソニック株式会社 半導体素子の製造方法および電子デバイスの製造方法
CN101467270B (zh) 2006-06-14 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光装置
RU2321103C1 (ru) * 2006-12-21 2008-03-27 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Светоизлучающий полупроводниковый модуль
JP2008218511A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US8097894B2 (en) 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating

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