RU2011116169A - Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него - Google Patents

Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него Download PDF

Info

Publication number
RU2011116169A
RU2011116169A RU2011116169/28A RU2011116169A RU2011116169A RU 2011116169 A RU2011116169 A RU 2011116169A RU 2011116169/28 A RU2011116169/28 A RU 2011116169/28A RU 2011116169 A RU2011116169 A RU 2011116169A RU 2011116169 A RU2011116169 A RU 2011116169A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light emitting
coating layer
emitting device
coating composition
peripheral
Prior art date
Application number
RU2011116169/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2503092C2 (ru
Inventor
Хендрик Й. Б. Ягт (NL)
Хендрик Й. Б. ЯГТ
Кристиан КЛЕЙНЕН (NL)
Кристиан КЛЕЙНЕН
Алдегонда Л. ВЕЙЕРС (NL)
Алдегонда Л. ВЕЙЕРС
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2011116169A publication Critical patent/RU2011116169A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2503092C2 publication Critical patent/RU2503092C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Светоизлучающее устройство (1), содержащее светоизлучающий диод (2), размещенный на монтажной подложке (3), причем упомянутое устройство имеет боковую периферийную поверхность (6) и верхнюю поверхность (8) и оптически активный слой покрытия (7), причем упомянутый слой покрытия (7): ! - покрывает по меньшей мере часть упомянутой периферийной поверхности (6), !- простирается от монтажной подложки (3) до упомянутой верхней поверхности (8) и по существу не покрывает верхнюю поверхность (8), ! при этом по меньшей мере часть упомянутой боковой периферийной поверхности была предварительно обработана, чтобы она стала одной из полярной и аполярной, и при этом композиция покрытия, которая была использована для образования по меньшей мере части упомянутого слоя покрытия, является одной из полярной и аполярной. ! 2. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее оптический компонент (4), размещенный на упомянутом светоизлучающем диоде, выбранный из группы люминофорного тела, светопропускающего тела и отражающего тела и их комбинаций. ! 3. Светоизлучающее устройство по п.2, при этом упомянутое отражающее тело размещено так, что свет будет выходить через по меньшей мере часть боковой периферийной поверхности. ! 4. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее оптический компонент, размещенный на упомянутом светоизлучающем устройстве. ! 5. Светоизлучающее устройство по п.1, при этом упомянутый слой покрытия является твердым. ! 6. Светоизлучающее устройство по п.1, при этом упомянутая по меньшей мере часть упомянутой боковой периферийной поверхности покрыта более чем одним слоем покрытия. ! 7. Массив светоизлучаю

Claims (15)

1. Светоизлучающее устройство (1), содержащее светоизлучающий диод (2), размещенный на монтажной подложке (3), причем упомянутое устройство имеет боковую периферийную поверхность (6) и верхнюю поверхность (8) и оптически активный слой покрытия (7), причем упомянутый слой покрытия (7):
- покрывает по меньшей мере часть упомянутой периферийной поверхности (6),
- простирается от монтажной подложки (3) до упомянутой верхней поверхности (8) и по существу не покрывает верхнюю поверхность (8),
при этом по меньшей мере часть упомянутой боковой периферийной поверхности была предварительно обработана, чтобы она стала одной из полярной и аполярной, и при этом композиция покрытия, которая была использована для образования по меньшей мере части упомянутого слоя покрытия, является одной из полярной и аполярной.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее оптический компонент (4), размещенный на упомянутом светоизлучающем диоде, выбранный из группы люминофорного тела, светопропускающего тела и отражающего тела и их комбинаций.
3. Светоизлучающее устройство по п.2, при этом упомянутое отражающее тело размещено так, что свет будет выходить через по меньшей мере часть боковой периферийной поверхности.
4. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее оптический компонент, размещенный на упомянутом светоизлучающем устройстве.
5. Светоизлучающее устройство по п.1, при этом упомянутый слой покрытия является твердым.
6. Светоизлучающее устройство по п.1, при этом упомянутая по меньшей мере часть упомянутой боковой периферийной поверхности покрыта более чем одним слоем покрытия.
7. Массив светоизлучающих устройств по любому из предыдущих пунктов.
8. Массив светоизлучающих устройств по п.7, при этом упомянутые светоизлучающие устройства выполнены совместно использующими упомянутый слой покрытия.
9. Способ нанесения слоя покрытия на по меньшей мере часть боковой периферийной поверхности (6) светоизлучающего устройства (1), содержащего светоизлучающий диод, причем упомянутый способ содержит:
размещение оптически активного слоя покрытия (7) на по меньшей мере части упомянутой периферийной поверхности (6), причем упомянутый слой покрытия (7) простирается от монтажной подложки (3) до упомянутой верхней поверхности (8) и по существу не покрывает верхнюю поверхность (8), и
предварительную обработку по меньшей мере части упомянутой боковой периферийной поверхности, чтобы она стала одной из полярной и аполярной, и использование одной из полярной и аполярной композиции покрытия для образования по меньшей мере части упомянутого слоя покрытия.
10. Способ по п.9, дополнительно содержащий следующие стадии:
- нанесение первой жидкой композиции покрытия на упомянутую монтажную подложку (3),
- обеспечение возможности упомянутой первой композиции покрытия покрыть по меньшей мере часть первой боковой периферийной поверхности (6) упомянутого светоизлучающего устройства (1), и
- отверждение упомянутой первой композиции покрытия с получением первого твердого слоя покрытия (7) на упомянутой по меньшей мере части упомянутой первой боковой периферийной поверхности (6).
11. Способ по п.10, при этом упомянутой первой композиции покрытия обеспечивают возможность покрыть по меньшей мере часть первой боковой периферийной поверхности (6) под действием капиллярной силы.
12. Способ по п.9, при этом упомянутую композицию покрытия наносят способом, выбранным из группы дозирования иглой, дозирования соплом, печати и распыления.
13. Способ по п.10, при этом упомянутая жидкая композиция покрытия при отверждении образует твердый слой покрытия, выбранный из группы отражательного, диффузного, спектрально фильтрующего, люминесцентного и светоблокирующего слоев покрытия и их комбинаций.
14. Способ по п.10, при этом упомянутая композиция покрытия содержит золь-гель-производный материал или силиконовую смолу.
15. Способ по п.10, дополнительно содержащий следующие стадии:
- нанесение по меньшей мере второй жидкой композиции покрытия на упомянутую монтажную подложку,
- обеспечение возможности упомянутой второй композиции покрытия покрыть по меньшей мере часть второй боковой периферийной поверхности упомянутого светоизлучающего устройства, и
- отверждение упомянутой второй композиции покрытия с получением второго твердого слоя покрытия на упомянутой по меньшей мере части упомянутой второй боковой периферийной поверхности.
RU2011116169/28A 2008-09-25 2009-09-21 Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него RU2503092C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08165066 2008-09-25
EP08165066.5 2008-09-25
PCT/IB2009/054128 WO2010035206A1 (en) 2008-09-25 2009-09-21 Coated light emitting device and method for coating thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011116169A true RU2011116169A (ru) 2012-10-27
RU2503092C2 RU2503092C2 (ru) 2013-12-27

Family

ID=41478493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011116169/28A RU2503092C2 (ru) 2008-09-25 2009-09-21 Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8957428B2 (ru)
EP (1) EP2335295B1 (ru)
JP (1) JP5779097B2 (ru)
KR (1) KR101639793B1 (ru)
CN (1) CN102165611B (ru)
RU (1) RU2503092C2 (ru)
TW (1) TWI512317B (ru)
WO (1) WO2010035206A1 (ru)

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150295154A1 (en) * 2005-02-03 2015-10-15 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US8097894B2 (en) * 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
DE102009058006B4 (de) 2009-12-11 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010015068A1 (de) 2010-04-15 2011-10-20 Paul Voinea Lichtleitsystem
CN102844895B (zh) 2010-04-16 2016-03-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明设备
DE102010028407B4 (de) * 2010-04-30 2021-01-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN102971584A (zh) * 2010-05-20 2013-03-13 光处方革新有限公司 具有半透明球面漫射器和覆盖其上的远端荧光粉的led灯泡
DE102010029368A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010021791A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds
DE102010023955A1 (de) 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102010032836A1 (de) * 2010-07-30 2012-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle
DE102010033963A1 (de) * 2010-08-11 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102010046254A1 (de) * 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102010063760B4 (de) 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012169189A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
EP2500623A1 (en) 2011-03-18 2012-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for providing a reflective coating to a substrate for a light-emitting device
JP5962102B2 (ja) * 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2013016652A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Grote Industries, Llc Lighting device utilizing light active sheet material with integrated light emitting diode, disposed in seam and/or in low profile application
JP6100778B2 (ja) 2011-08-16 2017-03-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． スロット内に形成される反射壁部を備えるｌｅｄ混合チャンバ
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
IN2014CN04572A (ru) 2011-12-07 2015-09-18 Koninkl Philips Nv
CN103503182A (zh) 2012-01-23 2014-01-08 松下电器产业株式会社 氮化物半导体发光装置
DE102012101102A1 (de) * 2012-02-10 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
WO2013118072A2 (en) 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
EP2823517B1 (en) * 2012-03-06 2016-04-27 Koninklijke Philips N.V. Lighting module and method of manufacturing a lighting module
JP2013197309A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 発光装置
WO2013144834A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with wavelength converting side coat
US9198251B2 (en) 2012-07-18 2015-11-24 Koninklijke Philips N.V. Tunable correlated color temperature LED-based white light source with mixing chamber and remote phosphor exit window
CN104471730B (zh) * 2012-07-20 2018-04-17 皇家飞利浦有限公司 发光器件和创建发光器件的方法
DE102012212963B4 (de) 2012-07-24 2022-09-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP6107024B2 (ja) * 2012-09-26 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102012217521A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR102137682B1 (ko) * 2012-11-07 2020-07-27 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 발광 다이오드
US9543478B2 (en) * 2012-11-07 2017-01-10 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device including a filter and a protective layer
JP5634647B1 (ja) * 2012-12-03 2014-12-03 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
CN103887410B (zh) * 2012-12-21 2017-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
AT513917B1 (de) * 2013-02-05 2014-11-15 Zizala Lichtsysteme Gmbh Leuchteinheit für einen Scheinwerfer sowie Scheinwerfer
DE102013204291A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP6680670B2 (ja) * 2013-04-11 2020-04-15 ルミレッズ ホールディング ベーフェー トップエミッション型半導体発光デバイス
KR102180388B1 (ko) 2013-07-08 2020-11-19 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 반도체 발광 디바이스
EP3025380B1 (en) * 2013-07-22 2019-12-25 Lumileds Holding B.V. Flip-chip side emitting led
EP3036777B1 (en) * 2013-08-20 2020-03-11 Lumileds Holding B.V. Shaped phosphor to reduce repeated reflections
EP2854186A1 (en) * 2013-09-26 2015-04-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source module, fabrication method therefor, and backlight unit including the same
DE102013022642B3 (de) 2013-11-14 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102013112549B4 (de) 2013-11-14 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
CN104659162A (zh) * 2013-11-18 2015-05-27 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP6299176B2 (ja) * 2013-11-22 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
CN113658943A (zh) * 2013-12-13 2021-11-16 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP6331389B2 (ja) * 2013-12-27 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3092664B1 (en) * 2014-01-09 2019-08-14 Lumileds Holding B.V. Light emitting device with reflective sidewall
DE102014102293A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN106104821A (zh) * 2014-04-07 2016-11-09 晶体公司 紫外发光装置及方法
JP6349904B2 (ja) * 2014-04-18 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP6398323B2 (ja) 2014-05-25 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP6323176B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6582382B2 (ja) 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6940784B2 (ja) * 2014-09-26 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6447018B2 (ja) * 2014-10-31 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
FR3028672B1 (fr) 2014-11-18 2018-01-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
KR102288384B1 (ko) * 2014-11-18 2021-08-11 서울반도체 주식회사 발광 장치
CN111509111A (zh) * 2014-11-18 2020-08-07 首尔半导体株式会社 发光装置及包括该发光装置的车灯
KR102306802B1 (ko) * 2014-11-18 2021-09-30 서울반도체 주식회사 발광 장치
DE102015102785A1 (de) * 2015-02-26 2016-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung
DE102015106367B4 (de) * 2015-04-24 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lumineszenzdiodenanordnung
WO2017023502A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting device with reflective side coating
US10763404B2 (en) 2015-10-05 2020-09-01 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same
TWI677114B (zh) * 2015-10-05 2019-11-11 行家光電股份有限公司 具導角反射結構的發光裝置
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
JP7266961B2 (ja) 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
CN107039572B (zh) * 2016-02-03 2019-05-10 行家光电股份有限公司 具非对称性光形的发光装置及其制造方法
US10230030B2 (en) * 2016-01-28 2019-03-12 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
KR102407777B1 (ko) * 2016-02-04 2022-06-10 에피스타 코포레이션 발광소자 및 그의 제조방법
JP6874288B2 (ja) * 2016-06-30 2021-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
US10641437B2 (en) * 2016-06-30 2020-05-05 Nichia Corporation LED module
JP2018028647A (ja) * 2016-08-20 2018-02-22 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、およびプロジェクター
CN107946441A (zh) * 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
JP6800702B2 (ja) * 2016-11-08 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、および、その製造方法
US10971663B2 (en) 2016-11-08 2021-04-06 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102659370B1 (ko) * 2016-11-25 2024-04-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
CN110100500B (zh) 2016-12-20 2022-04-08 昕诺飞控股有限公司 具有电可调节偏振状态的多模式偏振射灯
US10902770B2 (en) * 2016-12-22 2021-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
DE102017104479B4 (de) * 2017-03-03 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
TWI610469B (zh) * 2017-05-26 2018-01-01 Huang xiu zhang 覆晶式發光二極體及其製造方法
US10749076B2 (en) * 2017-06-29 2020-08-18 Epistar Corporation Light-emitting device
JP7005967B2 (ja) * 2017-07-03 2022-01-24 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄモジュール
KR102452484B1 (ko) * 2017-08-11 2022-10-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈
JP6928244B2 (ja) * 2017-08-22 2021-09-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7284366B2 (ja) * 2017-08-29 2023-05-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6575576B2 (ja) * 2017-10-12 2019-09-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11296262B2 (en) * 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
KR20190084807A (ko) * 2018-01-09 2019-07-17 서울바이오시스 주식회사 발광 장치
TW201939768A (zh) * 2018-03-16 2019-10-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體
CN108807303B (zh) * 2018-05-17 2020-07-24 江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司 一种单面出光的晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法
DE102018128896A1 (de) * 2018-11-16 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip mit einem inneren Kontaktelement und zwei äusseren Kontaktelementen und Halbleiterbauelement
US11217734B2 (en) * 2018-12-27 2022-01-04 Lumileds Llc Patterned lumiramic for improved PCLED stability
US11594665B2 (en) 2019-08-02 2023-02-28 Nichia Corporation Light-emitting unit and surface-emission light source
US11302849B2 (en) 2019-10-25 2022-04-12 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
US11411043B2 (en) 2019-10-25 2022-08-09 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
CN116210082A (zh) * 2019-10-25 2023-06-02 亮锐有限责任公司 用于led应用的侧涂层材料中的着色和散射颗粒
JP7295437B2 (ja) * 2019-11-29 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11189757B2 (en) * 2019-12-12 2021-11-30 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles
US20220285594A1 (en) * 2019-12-12 2022-09-08 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles
CN113823723A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
JP7189451B2 (ja) * 2020-06-30 2022-12-14 日亜化学工業株式会社 発光モジュール、液晶表示装置
JPWO2023054199A1 (ru) * 2021-09-28 2023-04-06
USD996377S1 (en) 2022-02-17 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
US20230260972A1 (en) * 2022-02-17 2023-08-17 Creeled, Inc. Arrangements of multiple-chip light-emitting diode packages
USD996378S1 (en) 2022-03-09 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
JP2023139780A (ja) * 2022-03-22 2023-10-04 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4962985A (en) * 1989-10-02 1990-10-16 At&T Bell Laboratories Protective coatings for optical devices comprising Langmuir-Blodgett films
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JPH11320962A (ja) * 1998-05-19 1999-11-24 Canon Inc Ｌｅｄ露光ヘッド
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
JP4822482B2 (ja) 2001-05-23 2011-11-24 シチズン電子株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US20030141563A1 (en) * 2002-01-28 2003-07-31 Bily Wang Light emitting diode package with fluorescent cover
AU2003270052B2 (en) * 2002-08-30 2009-02-19 Gelcore Llc Phosphor-coated LED with improved efficiency
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7737623B2 (en) * 2004-06-30 2010-06-15 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device, lighting system, backlight unit for display device, and display device
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
RU2303833C2 (ru) * 2005-07-26 2007-07-27 Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. Осветительное устройство
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
WO2007037339A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba 白色発光装置とその製造方法、およびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
JP2009512130A (ja) 2005-10-05 2009-03-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 吸収フィルタを有する蛍光変換型エレクトロルミネッセント装置
CN101461047B (zh) * 2006-06-07 2011-06-15 松下电器产业株式会社 半导体元件及其制造方法以及电子器件及其制造方法
JP2009540595A (ja) * 2006-06-14 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明デバイス
RU2321103C1 (ru) * 2006-12-21 2008-03-27 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Светоизлучающий полупроводниковый модуль
JP2008218511A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US8097894B2 (en) 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating

Also Published As

Publication number Publication date
RU2503092C2 (ru) 2013-12-27
WO2010035206A1 (en) 2010-04-01
KR101639793B1 (ko) 2016-07-15
JP2012503876A (ja) 2012-02-09
CN102165611A (zh) 2011-08-24
US8957428B2 (en) 2015-02-17
KR20110070989A (ko) 2011-06-27
US20110175117A1 (en) 2011-07-21
CN102165611B (zh) 2014-04-23
TW201020582A (en) 2010-06-01
EP2335295B1 (en) 2021-01-20
EP2335295A1 (en) 2011-06-22
JP5779097B2 (ja) 2015-09-16
TWI512317B (zh) 2015-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011116169A (ru) Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него
KR101019765B1 (ko) 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법
RU2013146546A (ru) Способ обеспечения отражающего покрытия для подложки для светоизлучающего устройства
WO2020076603A8 (en) Bonding of a light emitting diode to a substrate
US8058088B2 (en) Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
CN109860157A (zh) 半导体结构、发光装置及其制造方法
US8648370B2 (en) Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
JP2009076749A5 (ru)
CN113130461A (zh) 发光二极管灯板、其防护封装方法、背光模组及显示装置
TWI712823B (zh) 光學結構與印刷微發光二極體之隨機陣列之自對準
RU2010137317A (ru) Оптический элемент и способ его изготовления
WO2014203793A1 (ja) 発光装置、その製造のための封止フィルム積層体、および発光装置の製造方法
CN103681983B (zh) 一种发光元件上涂覆荧光粉层的方法及喷气装置
JP2013138132A (ja) 発光装置の製造方法
JP4315162B2 (ja) 発光装置の製造方法
KR101641205B1 (ko) 발광각도 조절이 가능한 형광필름이 구비된 led 조명 모듈 제조 방법
JP2014120571A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
CN104930375A (zh) 量子管发光装置、背光模组及液晶显示器
US20130234184A1 (en) Light emitting diode package and method of manufacturing the same
KR20100098661A (ko) 광전 소자의 제조 방법 및 광전 소자
US20120313120A1 (en) Method For Depositing A Phosphor Layer On LEDs, And Apparatus Made Thereby
KR101424311B1 (ko) 발광 다이오드칩의 제조 방법 및 발광 다이오드칩
JP2012212809A (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
CN103503181B (zh) 光电子半导体器件
KR101038883B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150922

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20170404

PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner