JP2012212809A - 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のＬＥＤチップからなる半導体発光装置において、全体を覆うように蛍光材を塗布するとＬＥＤチップから離れた部分にも蛍光材が塗布されることになり、その蛍光材が無駄となっていた。
【解決手段】ＬＥＤチップを列状に配置し、列に沿って高濃度の波長変換材料を塗布する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体発光素子上に波長変換材料を含有した樹脂が設けられた半導体発光装置およびその製造方法に関する。

ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｅｄＤｉｏｄｅ、発光ダイオード）は、小型で鮮やかな色の発光を効率よく行う半導体発光素子である。半導体発光素子であるため球切れの心配も無く、また初期駆動特性に優れ、振動や点灯の繰り返しに強いという特徴がある。そのため近年は各種光源として幅広く利用されている。また、ＬＥＤは、発光層の半導体材料や形成条件などを最適化することにより、紫外から赤外に至るまでの様々な波長の中で比較的任意の波長の光を発光させることが可能である。

さらに、波長変換用の物質（波長変換材料：これには蛍光体、蛍光物質などが該当する。）をＬＥＤと組み合わせ、ＬＥＤが発光した光を波長変換材料により波長変換して外部に取り出す発光装置とすることによって、ＬＥＤが発光する光の波長とは異なる波長の光を発光を行う発光装置を作成することも可能である。この場合、ＬＥＤの発光により得られる色と、波長変換材料より得られる色とを混色することで、視認上の色度を、ＬＥＤからの光の色および波長変換材料からの光の色、どちらとも異なる色に変化させることも可能である。

この技術の応用として、青色もしくは紫色で発光するＬＥＤと、ＬＥＤからの光を励起光として吸収して蛍光作用や燐光作用などにより黄色近傍の波長の光を放射する波長変換材料とを同一パッケージの中に収め、ＬＥＤからの光の色と波長変換材料からの光の色とを混色させた白色光を出射する白色発光装置も知られている。その際に、半導体発光素子の近傍に波長変換材料を偏在させることで配光特性が良くなることが知られている。（例えば特許文献１に記載の発光装置。）
一方で、単一の半導体発光素子から得られる光量は比較的小さいため、多数の半導体発光素子を同一パッケージに収めて、全体としての光量を増大させる手法も広く知られている。ＬＥＤと波長変換材料からなる白色発光装置において多数の半導体発光素子を同一パッケージに収める場合、多数の半導体発光素子に対してまとめて波長変換材料が分散された樹脂を塗布する手法が知られている。（例えば特許文献２に記載の照明装置。）

特開２００７−２２７７９１号公報 特開２００８−２７７５６１号公報

特許文献１には、発光素子に蛍光物質（波長変換材料）の入った透光性樹脂（封止樹脂）をポッティングした後、蛍光物質を発光素子に近い部分に偏在させるまで沈降させる、発光装置の製造方法が開示されている。しかしながら、この製造方法には以下のような問題点があった。

まず、蛍光物質を発光素子に近い部分に偏在させるまでに時間を要し、特に透光性樹脂の粘度が高い場合は、蛍光物質が沈降するまでに何時間も必要となる場合がある。このような場合、生産に時間を要するため、生産性が低下していた。

また、従来のように低濃度、低粘度の樹脂を用いて連続してポッティングを行う場合、初めにポッティングを行った封止樹脂と最後にポッティングを行った封止樹脂とでは樹脂中の蛍光物質の沈降度合いに差が生じ、結果として個々のＬＥＤの色度ばらつきにつながっていた。

また、上述した個々ＬＥＤの色度ばらつきを低減させるために、全てのＬＥＤの封止樹脂において、一定に蛍光物質が沈降するまで時間放置すると、全てのＬＥＤに色度ばらつきが生じないレベルまで蛍光物質を沈降するのに数時間を要し、やはり生産性が低下していた。

さらに、蛍光物質を低濃度に含有した樹脂を塗布する場合、所定の蛍光物質の量を得るためには蛍光物質が沈降する方向、すなわち発光素子に垂直な方向で樹脂の量を増やす必要がある。しかし、発光素子の水平方向（側面方向）にも樹脂は流れるため、発光素子に垂直な方向で樹脂の量を増やすと、発光素子から水平方向に離れた個所まで樹脂が流れ広がることになり、発光素子の大きさに比べて多量の樹脂が必要となっていた。さらにこの場合、発光素子から離れた個所にある蛍光物質は蛍光発光への寄与が小さく、無駄となっていた。このような樹脂の流れを制御しようと思うと、撥液層や形状効果による樹脂流れ防止の構成が別途必要となり、生産性を低下させていた。特に特許文献２に開示されている発光装置において、特許文献１に記載の蛍光物質の偏在方法を用いると、蛍光発光に寄与しない蛍光物質の量が非常に多くなり、発光装置が高価になるという問題があった。

本発明の目的は、高い輝度で安価な半導体発光装置を提供することにある。また、本発明の目的は、高い輝度の半導体発光装置を生産性高く短時間で安価に製造可能とする半導体発光装置の製造方法を提供することにある。

そこで本発明の半導体発光装置は、導電パターンが設けられた基板と、前記基板上に実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように設けられ、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料が略均一分散して含有された第１の封止樹脂と、からなる半導体発光装置であって、前記半導体発光素子が２個以上からなる直線列が２行以上配置されており、前記半導体発光素子同士の直線列方向の間における前記波長変換材料の濃度は、前記半導体発光素子同士の行方向の間における前記波長変換材料の濃度よりも高くなっていることを特徴とする。

この構成によれば、半導体発光素子から出た光は半導体発光素子の近傍に高濃度で配置された波長変換材料に当り、一部が波長変換された光となるが、その後、半導体発光素子から出た光も波長変換された光もともに他の波長変換材料にぶつかって吸収されること無く外部に出ていく。このため、半導体発光装置の輝度が高くなる。また、半導体発光素子の行方向の間においては波長変換材料の量を減らすことができ、半導体発光装置のコストを低く抑えることができる。また、半導体発光素子の直線列方向に連続して第１の封止樹脂を塗布することにより形成できるため、半導体発光素子個別に塗布するよりも安価に作成することができる。また、第１の封止樹脂を覆う第２の封止樹脂が無いため、第２の樹脂と空気との界面での反射が無くなり、さらに輝度が高くなる。

また、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子と導電パターンとを接続するワイヤが、行方向に配置されていることを特徴とする。

この構成によれば、行方向ではワイヤが存在するために半導体発光素子同士の間隔を広くする必要があるが、直線列方向にはワイヤが存在しないために半導体発光素子同士の間隔を狭くすることが可能である。そのため、半導体発光装置の直線列方向の間の波長変換材料の量をさらに減らすことが可能となる。また、半導体発光素子の直線列方向に連続して第１の封止樹脂を塗布する際にも、半導体発光素子１個あたりの塗布距離を短くすることができ、安価な作成が可能となる。

また、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子同士の直線列方向の間の距離が、半導体発光素子同士の行方向の間の距離よりも短いことを特徴とする。

この構成によれば、半導体発光装置の直線列方向の間の波長変換材料の量をさらに減らすことが可能となる。また、半導体発光素子の直線列方向に連続して第１の封止樹脂を塗布する際にも、半導体発光素子１個あたりの塗布距離を短くすることができ、安価な作成が可能となる。

また、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子の直線列の並び方向と、前記半導体発光素子の直線列方向とが成す角度が、９０ｄｅｇとは異なる角度であることを特徴とする。

この構成によれば、半導体発光素子の並びの自由度が高くなり、またワイヤの配置が容易になる。

また、本発明の半導体発光装置は、第１の封止樹脂を覆うようにさらに第２の封止樹脂が設けられており、第２の封止樹脂は、第１の封止樹脂が塗布された後かつ硬化前に塗布され、前記第１の封止樹脂と同時に硬化されたものであることを特徴とする。

この構成によれば、第１の封止樹脂と第２の封止樹脂とを同時に硬化するため、２種類の樹脂を設けた構成でありながら硬化工程が１つで済み、短時間での製造が可能となる。

また、本発明の半導体発光装置の製造方法においては、導電パターンが設けられた基板に、２個以上の直線列を２行以上で半導体発光素子を実装する工程と、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料を分散含有した封止樹脂を前記直線列に沿って塗布する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、からなる。

この製造方法であれば、波長変換材料を高濃度に含有した樹脂を半導体発光素子の近傍のみに設けることが可能であり、波長変換材料の沈降までの時間を待つ必要が無く、製造時間を短縮できる。また、半導体発光素子の近傍のみに樹脂を設けるため、樹脂の塗布量を少なくすることができ、波長変換材料の使用量を減らすことが可能となる。また、波長変換材料の濃度が高いため、塗布樹脂の粘度が高くなり、樹脂流れ防止に特別な工夫をせずとも波長変換材料を半導体発光素子の近傍のみ設けることが可能となる。

また、塗布樹脂の粘度が高いために波長変換材料の沈降が遅く、さらに沈降を待たずに硬化を行えることから、複数の半導体発光素子に順に封止樹脂を塗布した場合において半導体発光素子の間で色度のばらつきが小さくなる。

本発明の半導体発光装置によれば、高い輝度で安価な半導体発光装置の提供が可能となる。また、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、高い輝度の半導体発光装置を生産性高く短時間で安価に製造可能となる。

第１の実施形態における半導体発光装置である。 第１の実施形態における半導体発光装置の断面図である。 第１の実施形態における半導体発光装置から封止樹脂を除去した状態の図である。 第２の実施形態における半導体発光装置である。 第２の実施形態における半導体発光装置から封止樹脂を除去した状態の図である。 第３の実施形態における半導体発光装置から封止樹脂を除去した状態の図である。 第４の実施形態における半導体発光装置である。 第４の実施形態における半導体発光装置の断面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態における半導体発光装置１を示した図である。また図２（ａ）は図１に示す半導体発光装置１のＡＡ断面を示す図であり、図２（ｂ）は図１に示す半導体発光装置のＢＢ断面を示す図である。また、図３は図１に示す半導体発光装置１の、封止樹脂を除去した状態を示す図である。図１および図３において、ＡＡ直線方向が直線列方向であり、ＢＢ直線方向が行方向である。

図３に示されるように半導体発光装置１は、図示しない導電パターンが形成された基板２に９個の半導体発光素子３が実装された構造となっている。より詳しくは、３個の半導体発光素子３が直線列方向（ＡＡ直線方向）に直列に配置された上で、その直線列が３行平行（ＢＢ直線方向）に配置されている。そして、半導体発光素子と導電パターンとは金のワイヤ４（金ワイヤ）により接続されている。なお、半導体発光素子３は４６０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ青色発光の半導体発光素子である。

図１に示されるように、半導体発光素子３の直線列方向（ＡＡ直線方向）には波長変換材料を含有した封止樹脂５が連続して配置されている。一方、半導体発光素子３の行方向（ＢＢ直線方向）では封止樹脂５は連続して配置されておらず、半導体発光素子３の直線列がある箇所にのみ存在する。また、封止樹脂５の上には別の封止樹脂は形成されていない。なお、波長変換材料はＣｅで付活されるイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ）であり、封止樹脂５はシリコーン樹脂である。

半導体発光素子３の直線列方向（ＡＡ直線方向）には封止樹脂５が連続して配置されているため、直線列方向における半導体発光素子３同士の間の箇所には多くの波長変換材料がある。一方、半導体発光素子３の行方向（ＢＢ直線方向）では封止樹脂５は連続して配置されていないため、行方向における半導体発光素子３同士の間の箇所には波長変換材料が少ない。すなわち、半導体発光素子同士の直線列方向の間における波長変換材料の濃度が、半導体発光素子同士の行方向の間における前記波長変換材料の濃度よりも高くなっている。この結果、封止樹脂を全面に配置するよりも波長変換材料の使用量を少なくすることができ、半導体発光装置を安価に得ることが可能となる。また、直線列方向の封止樹脂を連続的に、あるいは一括で形成配置することが可能となるため、半導体発光装置を安価に作成することが可能となる。

この時、半導体発光素子３の直線列方向の間隔は、前記直線列の行方向の間隔よりも狭い方が望ましい。そうすることにより、直線列方向の樹脂の配置量が少なくて済み、さらには封止樹脂に含有される波長変換材料の量が少なくて済むため、より安価に半導体発光装置を得ることが可能となる。

また、半導体発光素子３と導電パターンとの接続を行うワイヤ４は、行方向に配置されていることが望ましい。ワイヤが配置される方向ではワイヤが配置される領域を必要とするため、半導体発光素子の間隔を狭くすることが困難である。ワイヤの配置方向を行方向とすることにより、半導体発光素子を直線列方向では狭くすることが容易となる。その結果、直線列方向の樹脂の配置量、および封止樹脂に含有される波長変換材料の量が少なくて済むため、安価に半導体発光装置を得ることが可能となる。

本実施形態の半導体発光装置１では、半導体発光素子３の近傍にのみ封止樹脂５が存在している。すなわち半導体発光素子３の近傍にのみ波長変換材料が存在する。そのため、高輝度な半導体発光装置を得ることができる。

また、本実施形態の半導体発光装置１では、波長変換材料を含有した封止樹脂５の上には別の封止樹脂は形成されていない。そのため、封止樹脂５から出射された光はなんら損失されることが無く半導体発光装置１から出射されるため、さらに高輝度を達成することが可能となる。

次に、本発明の半導体発光装置の製造方法を示す。まず、予め導電パターンが形成された基板２に、半導体発光素子３を実装する。この時、半導体発光素子３が３個を直線列になるように形成する。また、前記直線列が３行となるように形成する。なお、実装において半導体発光素子と導電パターンとの接続が行われるが、これは金ワイヤを用いたワイヤボンディングによって行う。

この時、半導体発光素子３の直線列方向の間隔よりも、前記直線列の行方向の間隔の方が広い方が望ましい。そうすることにより、後に記載する封止樹脂の塗布において、塗布に必要な封止樹脂の量（さらには封止樹脂に含有される波長変換材料の量）を減らすことが可能となり、安価な製造が可能となる。

また、半導体発光素子３と導電パターンとの接続を行うワイヤ４は、行方向に配置されていることが望ましい。ワイヤが配置される方向ではワイヤが配置される領域を必要とするため、半導体発光素子の間隔を狭くすることが困難である。ワイヤの配置方向を行方向とすることにより、半導体発光素子を直線列方向では狭くすることが容易となる。また、硬化前の封止樹脂は液状であるため濡れ広がろうとするが、ワイヤに付着するとワイヤに封止樹脂が引っ張られるため、ワイヤの無い箇所には広がりにくくなる。このため、行方向へはワイヤが存在する位置までで封止樹脂の広がりを抑えやすくなる。

続いて波長変換材料を含有した封止樹脂５を、半導体発光素子３を覆うように塗布により配置する。この時、波長変換材料の量は５０ｗｔ％以上あるいは２０ｖｏｌ％以上とする。波長変換材料の濃度を高くすることで封止樹脂の粘度が高くなり、塗布後の広がりを防止することが容易となる。その結果、封止樹脂の濡れ広がりを防止する特別な手法（例えば撥液材料の塗布や、形状効果を発揮させるための形状工夫など）が不要となり、半導体はこう装置を安価に作成することが可能となる。また、封止樹脂の量を減らすことが可能となり、安価な製造が可能となる。さらに、封止樹脂の量を減らすことで波長変換材料が半導体発光素子の近傍に配置されるようになるため、波長変換材料が沈降して半導体発光素子の近傍に集まるまでの時間が不要となり、半導体発光装置の作成に要する時間を短くすることができる。

封止樹脂５は半導体発光素子３の配置されている直線列方向に連続して塗布を行う。塗布はディスペンス法、ポッティング法、インクジェット法などにより行うことができるが、直線列方向に連続して塗布することで直線列方向の複数の半導体発光素子３にまとめて塗布することが可能となり、安価な製造が可能となる。さらに行方向に複数の塗布部を設けることも可能であり、その場合は複数行の直線列方向で同時に封止樹脂の塗布が可能となり、さらに高速に塗布することも可能となる。

一方で行方向には連続した塗布を行わない。これにより、行方向の半導体発光素子の間の部分に塗布することが無くなり、不要な封止樹脂塗布が無くなり、安価な製造が可能となる。

また、前に記載したように直線列方向の半導体発光素子の間隔を、直線列の行方向の間隔よりも狭くすることで、より少ない封止樹脂で塗布が可能となり、安価な製造が可能となる。

封止樹脂５を塗布後、封止樹脂を硬化させることで半導体発光装置が完成する。

なお、本実施形態では、半導体発光素子として発光層に発光ピーク波長が約４６０ｎｍのＩｎＧａＮ半導体を有する窒化物半導体素子を用いたが、これに限られるものでは無く、必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。

また、本実施形態では、波長変換材料として、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ）を用いたが、これに限られるものでは無く、半導体発光素子から放射された光を吸収励起して異なる波長の光を発するものであれば何でも用いることが可能である。また、透光性樹脂としてシリコーン樹脂を用いたがこれに限られるものでは無く、エポキシ樹脂、変成シリコーン樹脂などを用いることも可能である。これらは必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。

また、本実施形態では直線列方向に３個、行方向に３行の形態を示したが、直線列方向の半導体発光素子の数および行方向の直線列の数はこれに限るものでは無く、直線列方向の半導体発光素子の数が２個以上および行方向の直線列の数が２個以上の形態において、必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。

また、導電パターンは基板の半導体発光素子実装面に形成されていても良いし、半導体発光素子実装面と反対側の面、あるいは基板の内部に形成されていても良い。さらにはそれらの複合であっても良い。

また、本実施形態において半導体発光素子と導電パターンとの接続が金ワイヤによるワイヤボンディングの形態を示したが、これは金ワイヤに限られるものでは無く、ワイヤの材料は適宜決められるものである。あるいはワイヤボンディングに限られるものでも無く、フリップチップ接続で導電性接着剤や半田によって接続される形態でも構わない。
＜第２の実施形態＞
図４は、本発明の第２の実施形態における半導体発光装置１を示した図である。また、図５は図４に示す半導体発光装置１の、封止樹脂を除去した状態を示す図である。図４および図５において、ＡＡ直線方向が直線列方向であり、ＢＢ直線方向が行方向である。

図５に示されるように半導体発光装置１は、図示しない導電パターンが形成された基板２に８個の半導体発光素子３が実装された構造となっている。より詳しくは、３個の半導体発光素子３が直線列方向（ＡＡ直線方向）に直列配置されている直線列２行と、前記２行の直線列の間に配置された、２個の半導体発光素子３が直線列方向（ＡＡ直線方向）に直列配置された直線列１行との、３行の直線列で構成されている。そして、直線列方向の複数の半導体発光素子は互いにワイヤ４により接続されており、直線列の端部の半導体発光素子と導電パターンとがワイヤ４により接続されている。

第２の実施形態における半導体発光装置において、封止樹脂が配置されている箇所は第１の実施形態における半導体発光装置のそれとほぼ同じである。すなわち、封止樹脂５は半導体発光素子３の直線列方向（ＡＡ直線方向）に連続して配置され、半導体発光素子３の行方向（ＢＢ直線方向）には連続して配置されておらず、半導体発光素子３の直線列がある箇所にのみ存在する。

このため、第１の実施の形態と同様に、封止樹脂を全面に配置するよりも波長変換材料の使用量を少なくすることができ、半導体発光装置を安価に得ることが可能となる。また、直線列方向の封止樹脂を連続的に、あるいは一括で形成配置することが可能となるため、半導体発光装置を安価に作成することが可能となる。

さらに本実施形態においては、ワイヤ４の配置方向は半導体発光素子３が直列配置される方向と等しい。このため、封止樹脂によりワイヤが十分に覆われることになり、ワイヤの保護が容易となる。また、硬化前の封止樹脂は液状であるため濡れ広がろうとするが、ワイヤに付着するとワイヤに封止樹脂が引っ張られるため、ワイヤの無い箇所には広がりにくくなる。このため、硬化前の封止樹脂は直線列方向にのみ濡れ広がるようになり、行方向への封止樹脂の広がりが抑えられる。

さらに本実施形態においては、ワイヤ４が直線列方向で隣接する半導体発光素子３同士を直接接続しているため、直線列方向で半導体発光素子３の間の距離を小さくすることが可能となる。これにより、封止樹脂の直線列方向の塗布量をさらに少なくすることができ、半導体発光装置を安価に作成することが可能となる。

なお、本実施形態では半導体発光素子が３個直列に並んだ列が２行と、半導体発光素子が２個直列に並んだ列が１行とからなる形態を示したが、これに限られるものでは無い。１行の直線列を構成する半導体発光素子の数、および直線列の行数は、必要とする半導体発光装置の仕様により適宜定められるものである。

また、本実施形態では半導体発光素子と導電パターンとの接続位置が直線列方向の端部のみの形態を示したが、接続位置はこれに限られるものでは無い。必要に応じて直線列の途中で半導体発光素子と導電パターンとが接続されていて問題は無い。
＜第３の実施形態＞
図６は、第３の実施形態における半導体発光装置１の、封止樹脂を除去した状態を示す図である。図６においても図３と同様、ＡＡ直線方向が直線列方向であり、ＢＢ直線方向が行方向である。

図６に示すように、本実施形態においても半導体発光素子３は図示しない導電パターンが形成された基板２に実装されている。複数の半導体発光素子３が直線列方向に直列に配置されており、直線列が３行平行に配置されている点も同じである。しかしながら、半導体発光素子３の直線列は、直線列と直交する方向（行と平行な方向＝ＢＢ直線方向）には並んでおらず、ＣＣ直線方向に並んでいる。すなわち、半導体発光素子３の直線列の並び方向（ＣＣ直線方向）と、半導体発光素子３の直線列方向（ＡＡ直線方向）とが成す角度は９０ｄｅｇとは異なる角度となっている。

これにより、封止樹脂５の配置および塗布については第１の実施形態と同じ特徴を得ながら、半導体発光素子３の配置については第１の実施形態とは異なる配置をすることが可能となる。その結果、配光特性を第１の実施形態から変化させることが可能となる。またワイヤの方向をＢＢ直線方向にすることで、半導体発光素子の直線列の並び方向（ＢＢ方向）で隣接する半導体発光素子同士ではワイヤの干渉を生じにくくなるため、半導体発光素子の配置の自由度がさらに高くすることが可能となる。
＜第４の実施形態＞
図７は、第４の実施形態における半導体発光装置１を示した図である。また図８（ａ）は図７に示す半導体発光装置１のＡＡ断面を示す図であり、図８（ｂ）は図７に示す半導体発光装置のＢＢ断面を示す図である。

第４の実施形態における半導体発光装置１は、第１の実施形態における半導体発光装置１の第１の封止樹脂５を、透明な第２の封止樹脂６でさらに覆った構成となっている。第２の封止樹脂としては第１の封止樹脂５と同じ樹脂を用いても良いし、別の樹脂を用いても構わない。別の樹脂としては、エポキシ樹脂、変成シリコーン樹脂などを用いることが可能である。第２の封止樹脂６は第１の封止樹脂５を保護する役割（例えば紫外線の吸収する機能、ワイヤの露出を防ぐ機能など）を果たしている。これにより、安価で高輝度な半導体発光装置の耐久性を増すことが可能となる。

第４の実施形態における半導体発光装置１の製造方法では、基板２に半導体発光素子３を実装し、第１の封止樹脂５を塗布するまでは、第１の実施形態と同じである。第１の封止樹脂５を塗布した後に、第１の封止樹脂５の硬化を行わずに第２の封止樹脂６を塗布する。塗布範囲は第１の封止樹脂５が全て覆われる範囲が適切である。また、塗布方法は第１の封止樹脂５と同じでも良いし、異なる方法でも良い。

第２の封止樹脂６の塗布後、封止樹脂の硬化を行う。第１の封止樹脂５には高濃度に波長変換材料が含有されており、粘度が高くなっているため、第１の封止樹脂５と第２の封止樹脂６との混ざりあいはほとんど生じない。また、第１の封止樹脂５には高濃度に波長変換材料が含有されているため、波長変換材料が沈降するまでの時間を待つ必要が無い。そのため、第１の封止樹脂５の塗布後に硬化工程を経ずに第２の封止樹脂６の塗布を行い、同時に硬化する。第１の封止樹脂５と第２の封止樹脂６とを同時に硬化することにより、２種類の樹脂を用いながら硬化が１回でするため、短時間での製造が可能となる。

なお、本実施形態では３列の半導体発光素子列全てを覆う形態で説明したがこれに限られるものでは無い。半導体発光素子列１列ごとに覆う形態でも構わないし、数列ずつを覆う形態でも構わない。

１ 半導体発光装置
２ 基板
３ 半導体発光素子
４ ワイヤ
５ 封止樹脂（第１の封止樹脂）
６ 第２の封止樹脂

Claims (6)

1. 導電パターンが設けられた基板と、前記基板上に実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように設けられ、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料が略均一分散して含有された第１の封止樹脂と、からなる半導体発光装置であって、
   前記半導体発光素子が２個以上からなる直線列が２行以上配置されており、
   前記半導体発光素子同士の直線列方向の間における前記波長変換材料の濃度は、
   前記半導体発光素子同士の行方向の間における前記波長変換材料の濃度よりも高いことを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記半導体発光素子と前記導電パターンとを接続するワイヤが、行方向に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記半導体発光素子同士の直線列方向の間の距離は、前記半導体発光素子同士の行方向の間の距離よりも短いことを特徴とする、請求項１あるいは２に記載の半導体発光装置。
4. 前記半導体発光素子の直線列の並び方向と、前記半導体発光素子の直線列方向とが成す角度が、９０ｄｅｇとは異なる角度であることを特徴とする、請求項１から３に記載の半導体発光装置。
5. 前記第１の封止樹脂を覆うようにさらに第２の封止樹脂が設けられており、
   前記第２の封止樹脂は、前記第１の封止樹脂が塗布された後かつ硬化前に塗布され、前記第１の封止樹脂と同時に硬化されたものであることを特徴とする、請求項１から４に記載の半導体発光装置。
6. 導電パターンが設けられた基板に、２個以上の直線列を２行以上で半導体発光素子を実装する工程と、前記半導体発光素子から発生する光の波長を他の波長に変換する波長変換材料を分散含有した封止樹脂を前記直線列に沿って塗布する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、からなる半導体発光装置の製造方法。