JP7295437B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置及びＬＥＤパッケージに関する。
発光素子を封止する透明樹脂の上面に反射又は拡散する部材を設け、発光素子からの光を透明樹脂の側面から外部に照射する発光装置が用いられている。このような発光装置は、横方向に光が広がり易いことから、バックライト用の光源などとして用いることができる（例えば、特許文献１等）。
国際公開２０１２－０９９１４５号 特開２０１６－１７１２２７号公報
しかし、バックライトの用途においては、光を効率よく横方向に広げることが要請されている。
本発明は、薄型化を実現しながら、光を効率よく横方向に広げることができる発光装置を提供することを目的とする。
本発明の実施形態は、以下の構成を含む。
（１）基板、発光素子を含み、前記基板上に配置された、上面に発光面を有する光源、該光源の側方を被覆し、光反射物質を含む樹脂材料によって構成されている被覆部材、前記光源の上に配置された透光性部材、該透光性部材の上に配置された光反射層及び少なくとも前記透光性部材の側面を被覆し、前記光反射層の外縁上の厚みが前記発光素子の光軸の上方における前記光反射層上の厚みよりも厚く、環状のレンズ部を含む透光性被覆部材を備える発光装置。
（２）発光素子を含み、上面に発光面を有する光源、前記光源の上に配置された透光性部材、該透光性部材の上に配置された光反射層を備え、前記光源が、第１リード及び第２リードを含むリードと、前記リードを保持する樹脂部とを有し、前記第１リード、前記第２リード及び前記樹脂部の一部を底面とし、前記樹脂部の一部を側壁とする凹部を有する樹脂パッケージと、前記凹部の底面に載置される発光素子とを有するＬＥＤパッケージ。
本発明によれば、光をより効率よく横方向に広げることができる発光装置を提供することができる。
本発明の一実施形態の発光装置を示す概略斜視図である。 図１ＡのＩ－Ｉ’断面における概略断面図である。 本発明の他の実施形態の発光装置の断面における概略断面図である。 本発明の別の実施形態の発光装置を示す概略断面図である。 図１Ｂの発光装置の一部を拡大した概略断面図である。 図３Ａの発光装置の一部を下面からみた概略図である。 他の実施形態における発光装置の一部を拡大した概略断面図である。 他の実施形態における発光装置の一部を拡大した概略断面図である。 図１Ｂに示す発光装置の一部を拡大した概略断面図である。 他の実施形態の発光装置の一部を拡大した概略断面図である。 さらに別の実施形態の発光装置を示す概略平面図である。 さらに別の実施形態の発光装置を示す概略平面図である。 図１Ｃに示す発光装置の二次元配列を有する集積型発光装置を示す概略断面図である。 図７に示す集積型発光装置のうちの一部を拡大した概略断面図である。 図８に示す集積型発光装置に用いられる光学積層体の１つの一部を拡大した概略平面図である。 本発明の他の実施形態の発光装置に利用される光源を示す概略平面図である。 図１０ＡのＩＩ－ＩＩ’断面における概略断面図である。 図１０Ａの光源を用いた他の実施形態のＬＥＤパッケージを示す概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態の発光装置を示す概略断面図である。
以下に図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさ及び位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがあり、必要に応じて特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、これらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、これらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。例えば、上面視とは、図１ＡのＺ軸方向から見たもの、上とは、Ｚ軸を基準とした方向とすることができる。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。
本発明の一実施形態の発光装置１０は、図１Ａ、１Ｂ、１Ｃに示すように、基板２０、光源３０、被覆部材４０、透光性部材５０、光反射層６０及び透光性被覆部材７０を備える。透光性被覆部材７０は、レンズ部７１を含み、少なくとも透光性部材５０の側面５１を被覆する。また、透光性被覆部材７０は、光反射層６０の外縁上の厚みが、後述する発光素子３１の光軸の上方における光反射層６０上の厚みよりも厚い。これは、透光性被覆部材７０が、光反射層６０の上面の少なくとも一部、つまり、発光素子３１の光軸（図６Ｂ中、Ａ）の上方における光反射層６０上面を露出することを包含する。
このように、上述した特有の形状の透光性被覆部材７０とすることにより、光反射層６０によって、光源からの光をその上方（直上）から出射しにくくし、その一方、透光性部材５０が、光源からの光を内部に伝搬させて、主として透光性部材５０の側面から外部に出射させることができる。これにより効率的に透光性被覆部材７０に導入することができる。その結果、光の横方向の広がりを実現することができる。
また、透光性被覆部材７０が、光反射層の中央部上方において、厚みがゼロであるか、薄膜状に配置されることにより、全体としてレンズ部７１の高さを低減することができるために、光反射層の中央部上方が最も高いレンズ部を有する発光装置に対して、薄型化を図ることができる。
従って、このような発光装置を、例えば、バックライト用の光源として導光板の直下に配置させる場合など、薄型化を実現しつつ、横方向の光の広がりを実現することができる。これにより、発光面の輝度の面内均一性を高めることができる。また、光源の数を低減させることが可能となり、より軽量かつ安価なバックライト等に使用する面発光装置の提供に寄与することができる。
（基板２０）
基板２０は、光源３０を載置するための部材であり、図１Ｂ，１Ｃに示すように、光源３０に電力を供給するための配線２１と、配線２１を配置する基体２２とを備える。また、配線２１の一部を被覆する被覆層２３を任意に備えていてもよい。
基体２２は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂、セラミックス等によって形成することができる。なかでも、低コストと、成型容易性の点から、樹脂を用いてもよい。また、耐熱性及び耐光性に優れた発光装置とするために、セラミックスを基体２２の材料として用いてもよい。セラミックスとしては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系（例えば、ＡｌＮ）、炭化物系（例えば、ＳｉＣ）等が挙げられる。なかでも、アルミナからなる又はアルミナを主成分とするセラミックスが好ましい。
基体２２を構成する材料として樹脂を用いる場合は、ガラス繊維、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。また、基板２０は、金属部材に絶縁部分を形成しているものであってもよい。
配線２１は、光源３０の電極と電気的に接続され、外部からの電流（電力）を供給するための部材であり、正と負の少なくとも２つ以上に離間したパターンを有する。
配線２１は、光源３０の載置面となる、基板２０の少なくとも上面に形成される。配線２１の材料は、基体２２の材料等によって適宜選択することができる。例えば、基体２２の材料としてセラミックスを用いる場合は、配線２１の材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料が挙げられる。例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いることが好ましい。さらに、その上に鍍金、スパッタリング、蒸着などにより、ニッケル、金、銀等の金属材料によって被覆してもよい。
基体２２の材料として樹脂を用いる場合は、配線２１の材料は、加工し易い材料が挙げられる。また、基体２２が射出成型された樹脂によって形成される場合には、配線２１の材料は、打ち抜き加工、エッチング加工、屈曲加工などの加工がし易く、かつ、比較的大きい機械的強度を有する材料が挙げられる。例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、鉄－ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン等の金属板、リードフレーム等が挙げられる。その表面は、さらに金属材料で被覆してもよい。この金属材料としては、例えば、銀又は銀と、銅、金、アルミニウム、ロジウム等との合金の単層又は多層構造が挙げられる。被覆は、鍍金法、スパッタ法、蒸着法等を利用することができる。
被覆層２３は、通常、絶縁材料によって形成されている。被覆層２３は、配線２１上の、光源３０、他材料と電気的に接続する部分以外を被覆することが好ましい。被覆層２３は、発光素子からの光の吸収が少ない材料によって形成することができる。例えば、エポキシ、シリコーン、変性シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート、ポリイミド等が挙げられる。被覆層２３は、配線２１の絶縁を行う目的だけでなく、白色系のフィラーを含有させることにより、光の漏れ及び吸収を防いで、反射により、光取り出し効率を上げることもできる。また、後述するように、透光性被覆部材７０と接する場合（例えば図１Ｂに示す）は、透光性被覆部材７０との密着性等を向上させることができる。
（光源３０）
光源３０は、発光素子３１を含む。光源３０は、基板２０上に配置されている。光源３０が発光素子３１のみによって構成される場合は、発光素子３１の上面３１ｃが光源３０の発光面となる。なお、本願明細書では、図３Ａに示すように、発光素子３１は、基板２０側の面を下面３１ｂ、下面と対向する又は反対側の面を上面３１ｃ、上面３１ｃに隣接する面を側面３１ａと称する。他の部材についてもこれに準じて側面、下面及び上面を称することがある。
図３Ａ、図３Ｂ及び図４等に示すように、光源３０は、発光素子３１の上に波長変換部材３４、８４を含むことが好ましい。また、光源３０は、発光素子３１の側面（図３Ａ中、３１ａ）を被覆する第４透光性部材３５を備えていることが好ましい。
（発光素子３１）
発光素子３１は、半導体積層体３２と、半導体積層体３２の一面に、一対の電極３３ｐ、３３ｎとを備える。発光素子３１は、上面３１ｃ側（光源が発光素子のみによって構成される場合は光源の発光面側）から見た場合、平面形状は、四角形及び六角形等の多角形、円、楕円の種々の形状とすることができる。なかでも、発光素子３１は、平面形状が、図３Ｂに示すように、四角形、特に正方形又はこれに近い形状であることが好ましい。
半導体積層体３２は、発光層を含む半導体層を含む。さらに、サファイア等の透光性基板を備えていてもよい。半導体積層体としては、第１導電型半導体層（例えば、ｎ型半導体層）、発光層（活性層）及び第２導電型半導体層（例えば、ｐ型半導体層）の半導体層を含む。紫外光及び青色光から緑色光の可視光を発光可能な半導体層としては、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、具体的には、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体を用いることができる。赤色を発光可能な半導体層としては、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体を用いることができる。半導体積層体３２の厚みは、例えば、３μｍ～５００μｍとすることができる。
電極３３ｐ、３３ｎは、当該分野で公知の材料及び構成で、任意の厚みで形成することができる。電極３３ｐ、３３ｎは、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ａｇ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、これら電極は、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ-Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ-Ｓｉ-Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈなどの積層膜によって形成することができる。また、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＰｂ等のはんだを用いてもよい。電極３３ｐ、３３ｎは、例えば、１μｍ～３００μｍの範囲の厚みに形成することができ、５μｍ～１００μｍの範囲の厚みが好ましい。電極３３ｐ、３３ｎの平面形状は、任意に設定することができる。
発光素子３１は、基板２０の配線２１に対して、電極３３ｐ、３３ｎが対面するように電気的に接続されている。このような接続のために、発光素子３１は、電極３３ｐ、３３ｎの表面に、外部接続端子として機能する金属層３６が接続されていてもよい。金属層３６は、電極３３ｐ、３３ｎよりも耐腐食性及び耐酸化性に優れたものが好ましい。金属層３６は、例えば、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ等の高融点金属によって形成することができる。金属層３６の厚みは、例えば、１０ｎｍ～５０μｍとすることができる。金属層３６は、発光装置１０の下面において、側面に達する大きさとしてもよく、側面から離間するような大きさとすることが好ましい。金属層は、例えば、後述する被覆部材４０の下面の一部を被覆するように配置することができる。これにより、発光装置の下面において、発光素子の電極よりも大きな面積の外部接続端子として外部に露出させることができる。これによって、基板２０に、半田等の接合部材２４を用いて発光素子３１又は光源３０を基板２０に実装する際に、位置精度よく実装することができる。また、配線２１と発光素子３１又は光源３０との接合強度を向上させることができる。
（波長変換部材３４、８４）
波長変換部材３４、８４は、発光素子３１からの光を吸収し、異なる波長の光に変換する部材であり、蛍光体を含む。波長変換部材３４、８４は、発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）の上に配置される。また、後述する透光性部材５０の下に配置される。波長変換部材３４を配置することにより、透光性部材５０に、発光素子３１からの光と、波長変換部材３４からの光とを入射させることができる。光源３０が発光素子３１と波長変換部材４３、８４とによって構成される場合は、波長変換部材４３、８４の上面が光源３０の発光面３１Ｌとなる。
波長変換部材３４、８４は、発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）の全面を被覆することが好ましい。好ましくは、図３Ａに示すように、波長変換部材３４は、上面視において、その外縁３４ａが、発光素子３１の外縁３１ｇより外側に配置されていることが好ましい。波長変換部材の平面形状は、四角形又は六角形等の多角形、円形、楕円形等とすることができる。波長変換部材３４の平面積は、例えば、発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）の平面積の１００％より大きく、２００％以下であることが好ましく、１１０％～１６０％の範囲であることがより好ましい。波長変換部材３４は、その中心（又は重心）を、発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）の中心（又は重心）と重ね合わせて配置することが好ましい。これにより、発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）の外側に位置する波長変換部材３４の外周部の幅を略一定にでき、色むらの発生を抑制できる。波長変換部材３４は、その上下面が互いに平行な板状であることが好ましい。その側面は、垂直な面、傾斜した面、曲面等のいずれであってもよい。
波長変換部材３４、８４の厚みは、用いる蛍光体の種類、量、目的とする色度等に応じて適宜選択することができる。例えば、波長変換部材３４の厚みは、２０μｍ～２００μｍの範囲とすることができ、１００μｍ～１８０μｍの範囲が好ましい。
波長変換部材３４、８４は、透光性の樹脂材料、ガラス等の母材と、波長変換材料として蛍光体と含んでいてもよいし、蛍光体を含むセラミックス又は蛍光体の単結晶からなるものであってもよい。母材としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。セラミックスとしては、酸化アルミニウム等の透光性材料の焼結させたものが挙げられる。
蛍光体は、当該分野で公知の蛍光体のいずれを用いてもよい。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）；セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）；ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2）；
ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4）；βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）；硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置（例えば、白色系の発光装置）を製造することができる。これら蛍光体は、１種類又は複数用いることができる。複数用いる場合は、混合して単一層としてもよいし、各蛍光体を含有する層を積層してもよい。また、波長変換部材には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
例えば、図４に示すように、波長変換部材８４を複数の積層構造とする場合、拡散層８３としてフィラーを含有する層を、最上層に配置することが好ましい。この場合、蛍光体を含有する層として、異なる蛍光体を含有する第１層８１及び第２層８２としてもよい。例えば、第２層８２には、ＫＳＦ系蛍光体を、第１層８１には、βサイアロン蛍光体を含むものが挙げられる。複数の層に異なる種類の蛍光体を含有させることにより、蛍光体の相互吸収を抑制して波長変換効率を改善し、光出力の高い発光装置とすることができる。波長変換部材８４において、拡散層８３は、例えば、５０μｍ～２００μｍとすることができ、５０μｍ～１００μｍが好ましい。蛍光体を含む層は、蛍光体の種類、含有量等によって適宜調整することができる。例えば、ＫＳＦ系蛍光体を含む第２層８２としては、５０μｍ～５００μｍが挙げられ、７５μｍ～２００μｍが好ましい。βサイアロン蛍光体を含む第１層８１としては、１０μｍ～１００μｍが挙げられ、２０μｍ～８０μｍが好ましい。
波長変換部材３４、８４は、直接又は何かの部材を介して、発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）上に配置させることができる。直接的に配置する、つまり、波長変換部材３４を発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）に接触させる場合は、例えば、常温で接合する直接接合法等を利用して配置することができる。
何かの部材を介して配置する場合は、透光性の接着剤を用いることができる。このような透光性の接着剤は、例えば、波長変換部材３４と発光素子３１との間に加え、第４透光性部材３５として、波長変換部材３４の上面と反対側に位置する下面の全面と、発光素子３１の側面３１ａの一部又は全部を被覆してもよい。このように、第４透光性部材３５で発光素子３１の側面３１ａを被覆ことにより、発光素子３１の側面３１ａから出射される光を効率的に波長変換部材３４、さらには透光性部材５０に導光させることができる。また、波長変換部材３４は、発光素子３１の側面にあってもよい。この場合は、光源の側面は波長変換部材の側面となる。
第４透光性部材３５が発光素子３１の側面３１ａを被覆する場合は、第４透光性部材３５は、発光面側において最も厚く、電極側に近づくにつれて薄く配置されることが好ましい。そのような厚みの傾斜は、直線的でもよいし、内側に凹む曲線等とすることができる。例えば、第４透光性部材３５の発光面側の厚みは、波長変換部材３４の下面の外縁から発光素子３１の発光面（上面３１ｃ）の外縁３１ｇまでの長さに相当するものとすることができる。これにより、発光素子３１の側面３１ａから出射された光は、第４透光性部材３５内に入射した後、第４透光性部材３５の外側面によって上方向（発光素子３１の発光面方向）に反射され、透光性部材５０内に入射される。このような第４透光性部材３５を備えることで、発光素子３１からの光を、効率よく透光性部材５０に入射させることができる。
第４透光性部材３５は、透光性の樹脂材料を用いることができる。例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂材料が好ましい。第４透光性部材３５は、発光素子からの光に対する透過率が７０％以上であることが挙げられ、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
第４透光性部材３５は、特に、発光素子３１の側面３１ａの５０％以上を被覆することが好ましい。
第４透光性部材３５は、図３Ｂに示すように、発光面側の外形を略円形とすることが好ましい。このような形状とすることにより、発光素子３１の側面３１ａから出射する光を効率的に波長変換部材３４に導くことができる。このような形状の第４透光性部材３５は、平板状の後述する透光性部材５０の上に、第４透光性部材３５の液状材料をポッティング等することにより形成することができる。
（被覆部材４０）
被覆部材４０は、光源３０の側方を被覆する部材である。また、被覆部材４０は、光反射物質を含む樹脂材料によって構成されている。
光源３０が発光素子３１のみによって構成されている場合は、被覆部材４０は、発光素子３１の側面３１ａを被覆し、発光素子３１の下面３１ｂの一部を被覆することが好ましい。また、被覆部材４０は、発光素子３１の一対の電極３３ｐ、３３ｎのそれぞれの少なくとも一部（下面、半導体積層体に対して反対側の面）が露出するように、発光素子３１の下面３１ｂを被覆することが好ましい。
光源３０が発光素子３１と、波長変換部材３４及び第４透光性部材３５を含む場合、被覆部材４０は、発光素子３１の側面を直接又は何かの部材を介して被覆されていることが好ましい。また、被覆部材４０は、任意に第４透光性部材３５を被覆することが好ましい。また、発光素子３１の側面の一部が第４透光性部材３５で被覆されていない場合は、被覆されていない発光素子３１の側面を被覆することが好ましい。また、被覆部材４０は、波長変換部材３４の側面の一部又は全部及び下面の一部を被覆することが好ましく、波長変換部材３４の側面の全部及び下面の一部を被覆することがより好ましい。特に、被覆部材４０は、発光素子３１の側面３１ａと、第４透光性部材３５と、波長変換部材３４の側面の全部および下面の一部と接触して被覆することがより好ましい。
被覆部材４０の上面は、光源３０が発光素子３１のみによって構成されている場合は、発光素子３１の上面３１ｃと面一であることが好ましい。また、光源３０が発光素子３１と波長変換部材３４とを含む場合には、波長変換部材３４の上面（発光面３１Ｌ）と面一であることが好ましい。ただしこれらの場合でも、若干の高低差、例えば、波長変換部材３４の厚みの１％～２０％程度の高低差とすることができる。
上述したように、電極３３ｐ、３３ｎに金属層３６が接続されている場合には、被覆部材４０は、金属層３６を被覆しないように、換言すれば金属層３６が基板との間に配置されるように、配置されることが好ましい。
被覆部材４０の最大厚みは、発光素子３１と、波長変換部材３４との合計厚みと同等の厚みであることが好ましい。厚みは、例えば、２００μｍ～１００００μｍの範囲が挙げられ、３００μｍ～６００μｍの範囲が好ましい。
被覆部材４０は、発光素子３１からの光に対する反射率が７０％以上であることが挙げられ、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
被覆部材４０を構成する樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂材料が挙げられる。光反射性物質としては、例えば、白色物質、具体的には、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等が挙げられる。樹脂材料中に含有する光反射性部材は、被覆部材４０の厚み、発光素子の大きさ等を考慮して適宜調整することができる。
（透光性部材５０）
透光性部材５０は、光源３０の上に配置される部材であり、後述する光反射層６０とともに、発光装置１０の配光特性を制御するために用いられる。透光性部材５０は、特に、光源の発光面３１Ｌから出射された光を横方向に伝播させることができる。
透光性部材５０は、光源３０が発光素子３１のみによって構成されている場合は、発光素子の上面に、光源３０が波長変換部材３４を含む場合には、波長変換部材３４の上面に、直接又は何かの部材を介して載置することができる。直接的に配置する、つまり、透光性部材５０を、波長変換部材３４又は発光素子３１の上面に接触させる場合は、例えば、常温で接合する直接接合法等を利用して配置することができる。
間接的に配置する場合は、透光性の接着剤を用いることができる。このような透光性の接着剤は、例えば、第４透光性部材で例示したものと同様のものを用いることができる。
透光性部材５０は、例えば、その上下面が平行な板状の部材であることが好ましいが、一部又は全部が平行ではない面を有していてもよい。例えば、その上面又は下面に若干の高低差が存在してもよい。高低差としては、透光性部材５０の厚みの１％～１０％程度の高低差は許容される。また、透光性部材５０は、上面又は下面が他方に対して、１０度以下の傾きがあってもよい。透光性部材５０の厚みは、例えば、発光素子の大きさ、波長変換部材の大きさ及び厚み、発光装置の大きさ等によって適宜調整することができる。例えば、透光性部材５０は、光源の発光面の最大幅（波長変換部材３４を有する場合は、波長変換部材３４の最大幅）の１０％～８０％の厚み、好ましくは２０％～６０％の厚みとすることができる。透光性部材５０の厚みは、具体的には、２００μｍ～２０００μｍが挙げられ、３００μｍ～１０００μｍが好ましく、３５０μｍ～６００μｍがより好ましい。別の観点から、透光性部材５０の厚みは、発光装置１０の厚みの２０％～８０％程度とすることができる。
透光性部材５０の厚みをこのような厚みに設定することにより、発光装置１０の側方に出射される光をより遠くまで出射させることができる。透光性部材５０の側面から出射される光は、主に光源の発光面３１Ｌから透光性部材５０の側面に直接向かう直接光と、後述する光反射層６０に当たり、反射や散乱をした光や、光源の側方に位置する被覆部材の上面で反射や散乱をした光が透光性部材５０の側面にあたって出射する間接光とに分けられる。このうち直接光の成分が、より光を発光装置の側方（横方向）に取りだすことができるとともに、上方にも向けても取り出すことができる。つまり発光装置を断面で見たときの斜め上に向けて取り出すことができる。これにより、バットウィング型の配光特性を容易に得られるとともに、透光性部材の厚みを発光面３１Ｌ（波長変換部材）の最大幅に対して調整すれば、直接光と間接光との割合が変わるので、種々のバットウィング型の配光特性を容易に得ることも可能となる。なお、本実施形態でいう横方向とは、主として真横（水平）方向を意味するが、真横（水平）方向のみを言うものではなく、斜め下方向、斜め上方向も含むものである。
透光性部材５０は、厚みが全面にわたって一定であることが好ましい。
透光性部材５０の側面は、上面又は下面に対して垂直であることが好ましい。ただし上面又は下面に対して、１０度以下の傾きがあってもよいし、曲面であってもよいし、両者が組み合わせられていてもよい。
透光性部材５０の平面積は、例えば、発光素子３１の発光面の平面積の１００％～１０００％であることが好ましく、３００％～７００％の範囲であることがより好ましい。また、透光性部材５０の平面積は、例えば、波長変換部材３４の平面積の１００％～５００％であることが好ましく、１５０％～４５０％の範囲であることがより好ましい。透光性部材５０は、その中心（又は重心）を、発光素子３１の上面の中心（又は重心）及び／又は波長変換部材３４の上面の中心（又は重心）、つまり光源の発光面の中心（又は重心）と重ね合わせて配置することが好ましい。なお、透光性部材５０の平面積は、発光素子３１の発光面及び／又は波長変換部材３４の平面積よりも大きいほど、発光面からの観察により、色ムラを低減することができる。
透光性部材５０は、発光素子３１又は波長変換部材３４の上面と直接又は何かの部材を介して接触することに加え、被覆部材４０の上面に直接又は何かの部材を介して接触していることが好ましい。また、透光性部材は、発光素子３１又は波長変換部材の上面から被覆部材４０の上面にわたって配置されていることが好ましい。別の観点から、透光性部材は、発光素子３１または波長変換部材と被覆部材とが一体となって１つの上面をなし、その上面に配置されていることが好ましい。また、透光性部材５０の側面５１は、被覆部材４０の側面と面一であることが好ましい。ここでの面一とは、例えば、透光性部材５０の厚みの１％～１０％程度の凹凸は許容される。これにより、光源３０からの光を効率的に透光性部材５０内に導入し、後述する光反射層６０によって効率よく反射させて、側面５１から外部に光を取り出しやすくすることができる。
透光性部材５０は、光源３０からの光に対する透過率が７０％以上であることが挙げられ、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
透光性部材５０は、透光性の樹脂材料、ガラス等を用いることができる。例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂が挙げられる。なかでも、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好ましい。透光性部材５０は、後述の蛍光体を実質的に含まないことが好ましい。拡散材等は含まないことが好ましい。ただし含んでいてもよい。透光性部材５０が樹脂材料又はガラスのみからなる場合には、透光性部材５０の内部で光が散乱することを抑制し、後述する光反射層６０の下面及び被覆部材４０の上面によって反射された光を、効率よく透光性部材５０の側面５１から外部に出射することができる。
（光反射層６０）
光反射層６０は、透光性部材５０の上に配置される部材である。光反射層６０は、透光性部材５０の上面の全面を被覆していることが好ましい。光反射層６０は、直接又はなにか別の部材を介して、透光性部材５０の上面に接触して配置されていることが好ましい。光反射層６０は、光源３０からの光を、発光面である透光性部材５０の側面５１に向けて反射させることができる。
光反射層６０は、光源３０からの光に対する反射率が５０％以上であることが挙げられ、７０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。光反射層６０は、光源３０からの光の透過率が５０％以下、４０％以下又は３０％以下になる厚みとすることが好ましい。また、光反射層６０は、光源３０からの光の透過率が０％より大きいことが好ましく、１０％以上又は１５％以上であることがより好ましい。これにより、透光性部材から出射する光と、光反射層から一部透過した光を混在させることで、光源の上方から面で見た場合の輝度均一性を向上させることができる。
光反射層６０は、例えば、光反射性物質を含有する樹脂材料、金属材料、誘電体多層膜を用いた無機材料等によって形成することができる。なかでも、光反射層６０は、白色であるものが好ましく、光反射物質を含む樹脂材料によって形成することがより好ましい。
光反射性物質及び樹脂材料としては、被覆部材４０で例示したもののなかから選択することができる。金属材料は、光反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、例えば、銀、アルミニウム、ロジウム、金、銅等及びそれらの合金の１以上が挙げられる。誘電体多層膜は、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ等を用いたものが挙げられる。
光反射層６０は、光源３０の発光面に対して平行な上下面を有する、つまり、均一な厚みを有することが好ましいが、その上面又は下面に凹凸を有していてもよいし、発光面側に対して凸状としてもよい。これにより、光源３０からの光を、発光装置１０の横方向に光を反射し易くすることができる。光反射層６０の上面又は下面の凹凸は、例えば、光反射層６０の厚み（最大厚み）の１％～２０％程度とすることができる。
光反射層６０が厚みの異なる層である場合は、最も厚みが薄い部分において、光源３０からの光の透過率が５０％以下となる厚みとすることが好ましい。
光反射層６０として、光反射物質を含む樹脂材料等を用いる場合は、光反射物質の組成及び含有量等によって光の透過率が変化する。そのため、用いる材料に応じて、厚み等を適宜調整することが好ましい。例えば、光反射層６０が、光反射物質を含む樹脂材料で構成され、均一な厚みを有する場合、その厚みは、１００μｍ～５００μｍの範囲が挙げられ、１００μｍ～３００μｍの範囲であることが好ましい。
（透光性被覆部材７０）
透光性被覆部材７０は、レンズ部７１を含む。ここでのレンズ部とは、光を屈折させて発散又は集束させる部位であり、光源及び基板側に対向する面とは反対側の表面を指す。レンズ部７１は、通常、球面又は曲面によって構成され、環状又は中央部分が凹んだ環状様に光源３０を取り囲む。これにより、発光装置１０は、上面視において発光装置１０を中心として３６０度方向に発光面を備えることができる。
透光性被覆部材７０は、レンズ部７１に加えて、その一部であって、発光素子３１の光軸の上方において、平面又は平面に近い面を有していてもよい。ここでの平面に近い面とは、平面の表面に凹凸を有するものが挙げられる。凹凸は、例えば、発光素子３１の光軸の上方における光反射層６０上に配置された透光性被覆部材７０の最大厚みの１％～２０％程度とすることができる。
透光性被覆部材７０は、少なくとも透光性部材５０の側面５１の一部又は全部を被覆することが好ましい。また、透光性被覆部材７０は、光反射層６０の側面の一部又は全部を被覆してもよいし、光反射層６０の上面の一部又は全部を被覆してもよいし、被覆部材４０の一部又は全部を被覆してもよい。なかでも、図１Ｂに示すように、透光性被覆部材７０は、透光性部材５０の側面５１の全部、光反射層６０の側面の全部、被覆部材４０の側面の一部を被覆することが好ましい。この場合、透光性被覆部材７０は、環状構造として、図１や図５Ａに示すように、その内側の縁、つまり内縁７６が、光反射層６０の外縁６１と一致してもよいし、図１Ｂ及び５Ｂに示すように、その内側の縁、つまり内縁７５が、光反射層６０の上面の外周領域６２を被覆していてもよい。言い換えると、透光性被覆部材７０は、光反射層６０の少なくとも外縁６１を被覆し、光反射層６０の上面の一部を露出する。ここで、光反射層６０の上面の一部は、発光素子３１の光軸の上方における光反射層６０の上面を含むことが好ましい。
ここで、光反射層６０を白色の反射物質含有樹脂で形成し、このような透光性被覆部材を設けることにより、光源を上方から見たときの輝度均一性をさらに向上させることができる。例えば、バックライト等の使用において、発光装置の上方に拡散シート等を配置して用いる場合に、光反射層６０において、拡散シート等によって反射した光を散乱することができ、均一で色ムラのない光を得ることができる。詳説すると、透光性被覆部材の内部において、透光性部材の側面から光を出射する構造とする本実施形態においては、光反射層から一部透過して上方に出る光の割合が少なくなることから、光源の上方から面で見た場合に、発光素子の光軸上が他と比べて暗くなるおそれがある。特に光源の上方に拡散シート等を設けた面発光装置とした場合には、その拡散シートの発光面を上方から見た場合、発光素子の光軸上が暗く、暗点に見える恐れがある。これに対して本実施形態によれば、その暗点を軽減でき、発光装置または面発光装置として、上面から見たときの輝度均一性を向上させることができる。これは、透光性被覆部材７０が、光反射層６０の上面の一部を露出するか上面の全部を露出する場合（厚みがゼロの場合）において、特に輝度均一性を向上させることができる。
透光性被覆部材７０が光反射層６０の上面を被覆し、一部を露出する場合、露出する面積は、光反射層６０の上面の面積の１００％でもよく、５０％以上が挙げられ、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。言い換えると、外周領域６２の幅（つまり、図５Ｂ中、光反射層６０の外縁６１から透光性被覆部材７０の内縁７５の距離）は、光反射層６０の最大幅の５％～９０％が挙げられる。また、図５Ｃまたは、透光性被覆部材７０が、光反射層６０の上面の少なくとも一部、つまり、発光素子３１の光軸の上方における光反射層６０上面を露出することを示す図５Ｂに示すように、透光性被覆部材７０が光反射層６０の上面を被覆する場合、光反射層６０の外縁６１上の厚みＴ１が、光反射層６０の上面の厚みＴ２、Ｔ３よりも厚いことが好ましく、特に、発光素子の光軸Ａの上方における光反射層６０上の厚みＴ３よりも厚いことがより好ましい。
なお、図５Ａに示すように、透光性被覆部材７０の内縁７６が、光反射層６０の外縁６１と一致する場合においても、透光性被覆部材７０の光反射層６０の外縁６１上の厚みＴ４は、光反射層６０の上面の厚み（ゼロ）よりも厚くなる。
例えば、透光性被覆部材７０のＺ方向の最大厚み（図１Ｂ中、Ｔｘ）は、３００μｍ～５０００μｍの範囲が挙げられ、８００μｍ～２５００μｍの範囲が好ましい。
透光性被覆部材７０の基板２０上での最大幅（図１Ｂ中、ＷＸ）は、光源３０の大きさ、輝度等によって適宜調整することができるが、例えば、１ｍｍ～１０ｍｍの範囲が挙げられ、２ｍｍ～８ｍｍの範囲が好ましい。
透光性被覆部材７０は、例えば、図１Ｂに示すように、透光性部材５０の側面を被覆する第２透光性部材７２と、第２透光性部材７２を被覆し、レンズ部７１を構成する第３透光性部材７３とを含んでいてもよい。また、透光性被覆部材７０は、図２に示すように、第２透光部材と第３透光部材とを一体として同じ材料で形成した第５透光性部材７４によって構成されていてもよい。
例えば、透光性被覆部材７０を構成する第２透光性部材７２、第３透光性部材７３及び第５透光性部材７４としては、発光素子からの光に対する透過率が７０％以上であることが挙げられ、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
第２透光性部材７２、第３透光性部材７３及び第５透光性部材７４は、透光性部材５０で例示した材料と同様のものを用いて形成することができる。特に、第２透光性部材７２としては、透光性部材５０で例示した材料のなかから、屈折率が、第３透光性部材７３を構成する材料よりも小さいものを選択することが好ましい。このような材料を選択することにより、光を上向きに屈折させることができ、光源からの光をより有効に利用することが可能となる。また、第２透光性部材７２を用いることにより、透光性被覆部材７０におけるレンズ部７１内に気泡が発生することを防止することができる。特に、ポッティングを行なう場合に、ボイドの噛みこみを防止することができる。なお、透光性被覆部材７０は、その形状を調節するために、上述した材料にフィラーを含有させて、粘度を調整することが好ましい。なかでも、第３透光性部材７３の粘度及びチキソ性は、第２透光性部材７２の粘度及びチキソ性よりも高いことが好ましい。
第２透光性部材７２は、異なる厚みであることが好ましい。ただし全体に亘って均一な厚みであってもよい。例えば、第２透光性部材７２は、透光性部材５０側で最も厚膜であり、直線状に漸減し、透光性部材５０から最も遠い部分で最も薄膜となる形状が挙げられる。このような傾斜によって、透光性部材５０から出射される光をより上方かつより側方に広げることができる。
透光性被覆部材７０は、例えば、当該分野で公知の方法で形成することができる。なかでも、ポッティングによって形成することが好ましい。被覆部材４０、透光性部材５０及び光反射層６０を備えた光源３０に対して、例えば、透光性被覆部材を構成する材料を吐出するノズルを、材料を吐出させながら、光源を中心に円を描くように移動させる方法、材料を吐出する複数のノズル、例えば、４つ、６つ又は８つ等を、光源の周りに配置し、各ノズルから適量の材料を吐出させ、隣接するノズルから吐出された材料同士を繋げる方法等が挙げられる。このような方法によって、透光性被覆部材７０を、意図する形状に容易に形成することができる。
（光反射性部材４１）
発光装置１０は、基板２０と、被覆部材４０と、透光性被覆部材７０との間に、さらに光反射性部材４１を備えることが好ましい。基板２０のうち、発光素子３１の周辺に光を吸収する材料が配置されていたとしても、光反射性部材４１を備えることにより、光を吸収する材料を被覆することができ、光源からの光の吸収を効率的に防止することができる。
光反射性部材４１は、基体２２、配線２１、被覆層２３、接合部材２４等のいずれの上に配置されていてもよく、全ての上に配置されていることが好ましい。また、発光素子３１の直下の基板２０上にも配置されていることが好ましい。光反射性部材４１は、基板２０上において、均一な厚みであってもよいし、異なる厚みでもよい。例えば、光反射性部材４１は、光源の近傍において最も膜厚であり、直線状に漸減し、光源から最も遠い部分で最も薄膜となる形状が挙げられる。このような傾斜によって、透光性部材５０から出射される光をより上方かつより側方に反射させることができる。これにより、横方向に広く、明るい光を出射する発光装置を提供することができる。
このように光反射性部材４１を配置する場合、透光性被覆部材７０は一部が光反射性部材４１の上に配置されることとなり、他の一部が基板２０の被覆層２３上に配置されることとなる（例えば図１Ｂ）。ただし、図１Ｃに示すように、透光性被覆部材７０は、全部が光反射性部材４１の上に配置されていてもよい。この場合、光反射性部材４１が基板２０の被覆層２３の上面にまで配置されることになる。これによって、透光性被覆部材７０を適所に、適切な形状で配置することが容易となる。なお、図１Ｃは、図１Ｂと同様に、他の実施形態において、図１Ａのように発光装置を斜視で見たときのＩ－Ｉ’断面を見たときの模式断面図である。
また、光反射性部材４１の粘度及びチキソ性は、第２透光性部材７２の粘度及びチキソ性よりも低いことが好ましい。これによって、上述した傾斜を容易に実現することができる。
上述した発光装置１０は、基板上に複数配置した発光装置とすることができる。この場合、図６Ａに示すように、基板２０上に、一列に複数の発光装置１０を配置してもよいし、図６Ｂに示すように、基板２０上に、マトリクス状に複数の発光装置１０を配置してもよい。複数の発光装置１０のピッチは、同じであることが好ましい。ただし異なっていてもよい。発光装置１０のピッチは、発光装置の大きさ、輝度等によって適宜調整することができる。例えば、発光装置１０のピッチ（図６Ａ中、Ｐ）は、５ｍｍ～１００ｍｍの範囲が挙げられ、１５ｍｍ～５０ｍｍの範囲が好ましい。
図７は、図１Ｂまたは図１Ｃに示す発光装置１０の二次元配列を有する集積型発光装置の例を示す。図７に示す集積型発光装置２００は、それぞれが図１Ｃに示す構造と同様の構造を有する１６個の単位の配列を含んでおり、これらの単位は、図のＸＹ面内に４行４列の行列状に配置されている。図示するように、複数の傾斜面１７４ｓを含む第２反射部材１７０を有する。複数の傾斜面１７４ｓは、図のＸ方向またはＹ方向に延び、各発光装置１０は、複数の傾斜面１７４ｓのうち４つの傾斜面によって取り囲まれている。
集積型発光装置２００は、４行４列に配列された複数の発光領域を含む面発光光源であり、例えば、液晶表示装置のバックライトとして有用である。図７に示すように各発光装置１０を複数の傾斜面１７４ｓで取り囲む構成によれば、各発光領域における輝度ムラ、さらには、発光領域の群の単位での輝度ムラを抑制し得る。
図８は、集積型発光装置２００のうちの１つの発光装置１０を示す断面図である。集積型発光装置２００は、２次元に配置された複数の発光装置１０を備える。発光装置１０は、光学積層体１８０を備えている。光学積層体１８０は、例えば、ハーフミラー１８１と、拡散板１８２と、少なくとも１つのプリズムシート１８３とを含む。図８に示す例では、光学積層体１８０はプリズムシート１８４と、偏向シート１８５とをさらに含む。光学積層体１８０は、発光装置１０が支持された基板２０側に位置していることが好ましく、プリズムシート１８３は出射面側に位置していることが好ましい。拡散板１８２は、ハーフミラー１８１とプリズムシート１８３と間に位置していることが好ましい。
ハーフミラー１８１は、基板２０側から入射する光の一部を透過させ、一部を基板２０側へ反射する。図９は、ハーフミラー１８１の模式的な平面図を示す。ハーフミラー１８１は、主面に設けられた複数の穴１８１ｈ、１８１ｇを含む。本実施形態では、穴１８１ｈ、１８１ｇは一方の主面から他方の主面に達する物理的な貫通穴であり、穴１８１ｈ、１８１ｇの領域では、ハーフミラー１８１は実質的に光を反射せず、透過させる。このため、穴１８１ｈ、１８１ｇの大きさ、数、および位置によって、ハーフミラー１８１の光透過特性および反射特性に２次元の分布を設けることができ、基板側から入射する光を、輝度むらおよび色むらを抑制して、拡散板１８２へ出射させることができる。ハーフミラー１８１を透光性基板と、基板に支持された誘電体多層膜とによって構成する場合には、基板には穴を設けず、穴１８１ｈ、１８１ｇの領域に誘電体多層膜を設けないことによって、同様の光学特性を実現してもよい。
図９に示す例では、穴１８１ｈは穴１８１ｇよりも大きく、発光装置１０の四方を囲む壁部１７４（第２の光反射部材１７０のうち、傾斜面１７４ｓを含む部分）の上方に配置されている。穴１８１ｇは、発光装置１０の中心に対して同心円状に配置されている。また、穴１８１ｇは、壁部１７４が囲む四角形の領域の角にも配置されている。壁部１７４の上方に、大きい直径の穴１８１ｈを配置することによって、壁部１７４の境界において、隣接する発光素子の区画へ光を漏れさせ、壁部１７４による区画の境界において見切りを低下させている。
拡散板１８２は、ハーフミラー１８１を透過した光の進行方向を拡散させ、輝度むらおよび色むらを低減させる。プリズムシート１８３、１８４は、入射する光の進行方向を屈折に変え正面方向に出射させる。プリズムシート１８３、１８４は、互いにプリズムが直交するように配置することによって、より正面方向に光を向けて出射させ、正面方向における輝度を高める。偏向シート１８５は、例えば、入射する光のうちＳ波反射し、Ｐ波を透過させることによって、出射する光の偏向方向を揃え、発光装置１０から出射する光の特定の偏波面での輝度を高める。特に、液晶パネルのバックライトとして集積型発光装置２００を用いる場合に有効である。
本発明の別の実施形態の発光装置に用いられる光源９０は、図１０Ａ及び１０Ｂに示すように、発光素子３１と、リード９３及び樹脂部９４を含む樹脂パッケージ９５とを備える光源としてもよい。この光源９０は、リード９３と発光素子３１とを接続するワイヤ９６ａ等を含んでいてもよい。
樹脂部９４はリード９３を保持する。リード９３は、第１リード９１及び第２リード９２を含む。樹脂パッケージ９５は、第１リード９１、第２リード９２及び樹脂部９４の一部を底面９４ｂとし、樹脂部９４の一部を側壁とする凹部９４ａを有する。樹脂部９４の側壁の上面には、有底の開口があり、カソードマーク９４ｃとして用いることができる。なお、このカソードマーク９４ｃはアノードマークとして用いることもできる。
樹脂部９４の凹部９４ａの形状は特に限定されないが、例えば、上面視で、底面９４ｂが四角形、特に、正方形のものが挙げられる。
発光素子３１は、凹部９４ａの底面９４ｂに配置されている。図１０Ａ及び１０Ｂでは、凹部の底面に２つの発光素子が配置されているが、発光素子の数は、１つでもよいし、複数でもよい。発光素子３１の平面形状は特に限定されないが、例えば、長方形であるものが挙げられる。図１０Ａ及び１０Ｂでは、２つの発光素子３１はいずれも、第１リード９１と第２リード９２とに跨るように配置されている。２つの発光素子は直列に接続されている。具体的には、第１リード９１と１つの発光素子３１ｘとがワイヤ９６ａで接続されており、１つの発光素子３１ｘと他の発光素子３１ｙとがワイヤ９６ｂで接続されており、他の発光素子３１ｙと第２リード９２とがワイヤ９６ｃで接続されている。ワイヤは、例えば、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム等の金属又はこれらの１種以上を含む合金のワイヤを用いることができる。特に、金及び銀の双方を含むワイヤを用いると有益である。ワイヤが、金及び銀の双方を含むワイヤである場合、銀の含有比率を、例えば１５％以上２０％以下、４５％以上５５％以下、７０％以上９０％以下又は９５％以上９９％以下の範囲とすることができる。
凹部９４ａ内には、封止部材９８が配置されており、封止部材９８の上面が光源の発光面９８Ｌとなる。封止部材９８は、波長変換材料が含まれていてもよい。また封止部材９８と発光素子３１との間に波長変換材料の層が配置されていてもよい。
図１１に示すように、上述した光源９０を、基板２０上に配置し、光源９０の上に透光性部材５０を配置し、透光性部材５０の上に光反射層６０を配置することにより、ＬＥＤパッケージ９９を構成することができる。
光源９０の上に配置されている透光性部材５０は、発光面９８Ｌと樹脂部９４の側壁の上面とに接している。樹脂部９４におけるカソードマーク９４ｃ内に透光性部材５０が配置していてもよい。この場合、カソードマーク９４ｃは、樹脂部９４に対して、透光性部材５０のアンカー効果を発揮させることができる。よって、光源９０と透光性部材５０との密着を強固なものとすることができる。
透光性部材５０の厚みは、具体的には、２００μｍ以上２０００μｍ以下が挙げられ、３００μｍ以上１０００μｍ以下が好ましく、３５０μｍ以上６００μｍ以下がより好ましい。また、上面視、封止部材９８の上面と樹脂部９４の側壁の上面とを足した面積に対する封止部材９８の上面の面積の割合は、０．２５以上０．５以下であることが好ましい。
本発明におけるさらに他の形態の発光装置１１は、図１２に示すように、配線２１、配線２１を配置する基体２２及び被覆層２３を含む基板２０上に光源９０を含むＬＥＤパッケージ９９を載置し、ＬＥＤパッケージ９９の上に、環状のレンズ部７１を含む透光性被覆部材７０を配置したものとすることができる。
透光性被覆部材７０は、透光性部材５０の側面を被覆する第２透光性部材７２と、第２透光性部材７２を被覆し、レンズ部７１を構成する第３透光性部材７３とを含んでいてもよい。レンズ部７１は、上述したように、少なくとも透光性部材５０の側面を被覆し、光反射層６０の外縁上の厚みが発光素子３１の光軸の上方における光反射層６０上の厚みよりも厚い。
１０、１１ 発光装置
２０ 基板
２１ 配線
２２ 基体
２３ 被覆層
２４ 接合部材
３０ 光源
３１、３１ｘ、３１ｙ 発光素子
３１Ｌ 発光面
３１ａ 側面
３１ｂ 下面
３１ｃ 上面
３１ｇ 外縁
３２ 半導体積層体
３３ｎ 電極
３３ｐ 電極
３４ 波長変換部材
３４ａ 外縁
３５ 第４透光性部材
３６ 金属層
４０ 被覆部材
４１ 光反射性部材
５０ 透光性部材
５１ 側面
６０ 光反射層
６１ 外縁
６２ 外周領域
７０ 透光性被覆部材
７１ レンズ部
７２ 第２透光性部材
７３ 第３透光性部材
７４ 第５透光性部材
７５、７６ 内縁
８１ 第１層
８２ 第２層
８３ 拡散層
８４ 波長変換部材
９０ ：光源
９１ ：第１リード
９２ ：第２リード
９３ ：リード
９４ ：樹脂部
９４ａ ：凹部
９４ｂ ：底面
９４ｃ ：カソードマーク
９５ ：樹脂パッケージ
９６ａ ：ワイヤ
９６ｂ ：ワイヤ
９６ｃ ：ワイヤ
９８ ：封止部材
９８Ｌ ：発光面
９９ ：ＬＥＤパッケージ
Ａ 光軸
１７４ 壁部
１７４ｓ 傾斜面
１７０ 第２反射部材
１８０ 光学積層体
１８１ ハーフミラー
１８１ｈ、１８１ｇ 穴
１８２ 拡散板
１８３、１８４ プリズムシート
１８５ 偏向シート
２００ 集積型発光装置

Claims (11)

  1. 基板、
    発光素子を含み、前記基板上に配置された、上面に発光面を有する光源、
    該光源の側方を被覆し、光反射物質を含む樹脂材料によって構成されている被覆部材、
    前記光源の上に配置された透光性部材、
    該透光性部材の上に配置された光反射層及び
    少なくとも、前記光反射層の少なくとも外縁と、前記透光性部材の側面とを被覆し、前記発光素子の光軸の上方における前記光反射層を露出する、環状のレンズ部を含む透光性被覆部材を備える発光装置。
  2. 前記光源は、前記発光素子の上に波長変換部材を備える請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記波長変換部材は、上面視において、外縁が前記発光素子の外縁より外側に配置されている請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記透光性被覆部材において、前記光反射層を露出する面積が、前記光反射層の５０％以上１００％以下である請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記透光性被覆部材は、前記透光性部材の側面を被覆する第２透光性部材と、該第２透光性部材を被覆し、レンズ部を構成する第３透光性部材とを含む請求項１～４のいずれか１つに記載の発光装置。
  6. 前記光反射層は、前記光反射物質を含む樹脂材料によって構成されている請求項１～５のいずれか１つに記載の発光装置。
  7. 前記発光素子の側面に接する第４透光性部材をさらに備え、
    前記被覆部材は、前記発光素子の前記側面と、前記第４透光性部材とを被覆する請求項１に記載の発光装置。
  8. 前記発光素子の側面と、前記波長変換部材の下面とに接する第４透光性部材をさらに備え、
    前記被覆部材は、前記発光素子の前記側面と、前記第４透光性部材と、前記波長変換部材の側面とを被覆する請求項２または３に記載の発光装置。
  9. 前記透光性部材は、前記光源の前記発光面の最大幅の１０％～８０％の厚みを有する請求項１～８のいずれか１つに記載の発光装置。
  10. 前記基板と、前記被覆部材と、前記透光性被覆部材との間に、さらに光反射性部材を備える請求項１～９のいずれか１つに記載の発光装置。
  11. 前記基板上に、複数の発光装置が配置されてなる請求項１～１０のいずれか１つに記載の発光装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110231736B (zh) * 2019-05-29 2020-10-16 惠州市华星光电技术有限公司 背光结构和显示面板
JP7328568B2 (ja) 2021-06-30 2023-08-17 日亜化学工業株式会社 光源、光源装置及び光源の製造方法
CN113888994B (zh) * 2021-12-06 2022-03-15 华引芯（武汉）科技有限公司 发光器件及显示装置
CN116779744A (zh) * 2023-06-30 2023-09-19 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种芯片级led封装元件

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188421A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Alps Electric Co Ltd 発光装置
JP2010165979A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール
JP2010541154A (ja) 2007-09-27 2010-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 薄型側面発光ｌｅｄを用いた薄型バックライト
JP2011138815A (ja) 2009-12-25 2011-07-14 Nichia Corp 発光装置
JP2012216785A (ja) 2011-03-31 2012-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法
JP2013258175A (ja) 2012-06-11 2013-12-26 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
US20160109096A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and lighting device having the same
JP2016171227A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2018107279A (ja) 2016-12-26 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
JP2018125438A (ja) 2017-02-01 2018-08-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2019009429A (ja) 2017-06-28 2019-01-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019145739A (ja) 2018-02-23 2019-08-29 株式会社朝日ラバー 光拡散膜付ｌｅｄ発光装置、光拡散膜形成用インク及びｌｅｄ発光装置用光拡散シート
JP2019153785A (ja) 2018-02-28 2019-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2019197764A (ja) 2018-05-08 2019-11-14 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237217A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光装置及び面発光装置
US7293908B2 (en) * 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
EP2335295B1 (en) * 2008-09-25 2021-01-20 Lumileds LLC Coated light emitting device and method of coating thereof
KR101028304B1 (ko) 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
TWI557933B (zh) 2010-03-30 2016-11-11 Dainippon Printing Co Ltd A manufacturing method of a wire frame or a substrate for a light emitting diode, a semiconductor device, and a wire frame or a substrate for a light emitting diode
KR20120054483A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
WO2012099145A1 (ja) 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JP5588368B2 (ja) * 2011-01-24 2014-09-10 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
KR101335921B1 (ko) * 2011-10-06 2013-12-03 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법
JP2013115088A (ja) 2011-11-25 2013-06-10 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2015118951A (ja) 2012-04-10 2015-06-25 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102012215514A1 (de) 2012-08-31 2014-03-06 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls und LED-Modul
CN106252489A (zh) * 2013-05-13 2016-12-21 新世纪光电股份有限公司 发光二极管封装结构
JP6318495B2 (ja) 2013-08-07 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6759556B2 (ja) 2015-10-30 2020-09-23 日亜化学工業株式会社 照明装置
JP6524904B2 (ja) 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6631318B2 (ja) 2016-02-29 2020-01-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
EP3396725B1 (en) * 2017-04-25 2021-01-13 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
CN109148674B (zh) 2017-06-28 2023-05-16 日亚化学工业株式会社 发光装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188421A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Alps Electric Co Ltd 発光装置
JP2010541154A (ja) 2007-09-27 2010-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 薄型側面発光ｌｅｄを用いた薄型バックライト
JP2010165979A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール
JP2011138815A (ja) 2009-12-25 2011-07-14 Nichia Corp 発光装置
JP2012216785A (ja) 2011-03-31 2012-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法
JP2013258175A (ja) 2012-06-11 2013-12-26 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
US20160109096A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and lighting device having the same
JP2016171227A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2018107279A (ja) 2016-12-26 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
JP2018125438A (ja) 2017-02-01 2018-08-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2019009429A (ja) 2017-06-28 2019-01-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019145739A (ja) 2018-02-23 2019-08-29 株式会社朝日ラバー 光拡散膜付ｌｅｄ発光装置、光拡散膜形成用インク及びｌｅｄ発光装置用光拡散シート
JP2019153785A (ja) 2018-02-28 2019-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2019197764A (ja) 2018-05-08 2019-11-14 日亜化学工業株式会社 発光装置

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CN112885943A (zh) 2021-06-01
US11489097B2 (en) 2022-11-01
US20210167263A1 (en) 2021-06-03
JP2022007896A (ja) 2022-01-13
EP4270500A3 (en) 2024-01-24
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