CN102165611A - 有涂层的发光器件及其涂覆方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光器件(1)领域，发光器件(1)包括设置在基座(3)上的发光二极管(2)，所述器件具有侧向外围表面(6)和顶部表面(8)以及光学活性涂层(7)，所述涂层(7)：沿至少部分的所述外围表面(6)覆盖，从所述基座(3)延伸至所述顶部表面(8)，并且基本上不覆盖所述顶部表面(8)。还揭示了制作所述器件的方法。

Description

有涂层的发光器件及其涂覆方法
技术领域
本发明涉及一种发光器件，该发光器件包括设置在基座上的发光二极管，所述器件具有侧向外围表面、顶部表面和光学活性涂层。还揭示了一种用于在发光器件上施加这类涂层的方法。
背景技术
如今在数量越来越多的照明应用中使用包含发光二极管(LED)的大功率发光器件。一般而言，使用两种用于制作大功率LED的材料系统。
使用InGaN来生产高效蓝色LED。
使用AlInGaP来生产高效红色LED和琥珀色LED。
当改变两种材料系统的材料成分以将发射波长从蓝色向绿色迁移和从红色向绿色迁移时，这两种材料系统的效率会严重降低。
通过在光路中应用波长转换材料，例如荧光材料和/或发光材料，可将发射的波长适配为许多特定的波长。在这类发光二极管(或波长转换发光二极管)中蓝色和/或紫外光发射LED特别适合作为光源，因为波长转换材料通常吸收由所述二极管发射的至少部分的光并发射具有更大波长(红移)的光。
可将InGaN系统与这类波长转换材料或光学组分(例如荧光物质材料)相结合，以将部分的高能量小波长蓝光转换成较低能量较大波长的光。以这种方式，通过将蓝色LED与LED上的适当荧光物质体相结合，可产生白色LED(通常使用YAG:Ce荧光体)，或使用合适的荧光物质材料可将蓝色LED转换成绿色、黄色、琥珀色或红色LED。这种颜色转换伴随有效率损失(主要是斯托克斯频移损失(Stokes shift loss))，但是蓝色LED的高初始效率使得即使是向琥珀色和红色的完全转换亦成为针对受热效率问题困扰的直接发射AlInGaP系统的有吸引力的备选。
JP 2002353507揭示了一种发光体，其中稳定将发射的光改变成另一种颜色的荧光物质。这通过以含有荧光物质的树脂填充LED内的狭缝来实现，所述含荧光物质的树脂作为管芯粘合剂用以稳定树脂的总量。
传统的LED荧光物质技术在LED的顶部上使用嵌入树脂内的荧光物质颜料或粉粒。然而这导致背散射损失和工艺变化。一种新的技术利用了称为“陶瓷照明材料(Lumiramic)”技术的陶瓷荧光物质技术(在US2005/0269582中描述了Lumiramic转换体)。这种技术使得光学稳定和热稳定的陶瓷荧光物质薄片的生产成为可能，所述陶瓷荧光物质薄片具有明确的厚度和几何形状以匹配LED的几何形状，所述LED的几何形状通常是1×1mm的正方形。通过控制这些陶瓷荧光物质体或荧光物质中的孔隙度，随角度的路径长度差异可被充分地混杂/分散，从而在牺牲一些朝向LED背散射的光的情况下提供全角度的相当均匀的颜色性能。
通过使用Lumiramic技术，可通过蓝光至较高波长的部分转换而制作出白色LED(例如使用YAG:Ce荧光体)。此外，可通过尝试完全吸收蓝色LED光并将其高效地转换成匹配绿色、琥珀色或红色特性的颜色光谱而制作出绿色、琥珀色和红色LED。
然而，这种薄片荧光物质技术要求厚度相比LED尺寸不可忽略的荧光体。对于尺寸为1×1mm的白色LED而言，所述荧光体通常具有约120μm的厚度。这导致对从方形体的四个横向面或四个侧面发射出的光的显著贡献。
此外，LED本身具有侧表面，该侧表面具有不可忽略的光汲取。LED管芯可以是两根导线置于所述管芯相同侧上的倒装片类型。这种设计便于波长转换体在器件的发光表面上的布置。在“倒装”LED技术中，LED与基底或其上的光透射体安装在一起。当这种基底(通常是蓝宝石)未被移除时，通常具有100μm厚度的这种蓝宝石基底也具有显著的侧表面贡献。为了解决这个问题，可在剥离(lift off)工艺中移除所述基底。尽管如此，由量子阱、正极、负极和反射器构成的InGaN LED堆叠可具有约10μm的厚度并且由高反射率材料构成，从而导致可观的波导和不可忽略的侧向发射。
连接LED与Lumiramic荧光物质的粘合层增加了所述侧表面厚度，并且所述粘合层通常具有10μm的厚度。
粘合材料的例子例如包括硅树脂。
与从发光器件的侧向(边缘)表面发射的光相关的不利之处如下：
从源于LED边缘和所述粘合层边缘的边缘表面泄露出诸如蓝光之类的未转换光。对于部分转换Lumiramic而言，这可导致过量蓝光和存在于相对于法线方向的大角度上的蓝光通量的显著变化，因而降低全角度颜色均匀性和一致性。特别是层厚(例如粘合层厚度)变化以及加工过程中出现的荧光物质布置的不准确性使得从所述侧面泄露出的蓝光产生变化。对于完全转换Lumiramic而言，蓝光泄露大幅度降低了绿色、琥珀色或红色LED的颜色纯度。此外，因为部分的蓝光未转换成期望颜色，所以这种光泄露降低了效率。
通过所述荧光物质侧向边缘的波长转换与通过所述荧光物质的顶部表面的波长转换相比，两者在光谱上是不同的，因为从侧部发射出的光所通过的路径长度不同于从顶部表面发射出的光所通过的路径长度。这对于完全转换荧光物质而言是特别不被期望的，因为通过荧光物质侧部的不完全转换降低了LED的颜色纯度。
从侧部表面射出的、部分地(大约一半)朝向下方的光通量发射光返回至通常靠近LED管芯的基座。一般而言，在与光源结合的光学系统(例如准直光学器件、镜片等)中难于有效地捕获朝向错误侧发射的这类光以及射向顶部方向但是与法线方向成较大角度的光，因此有可能降低系统效率。类似地，向下的光通量与所述基座相互作用，并且该向下的光通量通常部分地被吸收，部分地被反射，并且经常因与所述基座表面的相互作用而影响颜色。从所述基座散射或反射的光还扩大LED源区域，并导致对于严格要求扩展度(etendue)的应用而言是不期望的漫射光，所述严格要求扩展度的应用例如为汽车前照灯或投射LED系统。
相比于活性LED表面区域，扩展度增加。这是由所述荧光物质表面相比于LED的表面区域的表面区域增加所导致的。即使荧光物质顶部表面区域与LED类似，荧光物质侧部仍促使源区域增加。这在诸如汽车前照灯、摄像机或视频闪光模块或投射LED系统之类的对扩展度有严格要求的应用中特别重要。
综上所述，发光器件的各种实施方式均受到与Lumiramic和/或粘合层和/或LED管芯的侧边缘相关的弊端的影响。这些弊端主要相关于因侧部发射和顶部发射之间不期望的光谱差异所导致的颜色变化或有限的颜色纯度。此外，还有在应用中难于有效使用的、从侧部表面部分地朝下(大约一半)和侧向发射的波长转换光通量发射光。此外，相比于活性LED表面区域，扩展度还可增加，这在诸如投射LED系统、汽车前灯或聚光灯之类对扩展度要求严格的应用中是个弊端。
一种涂覆发光器件的方法已在US 2005/0062140中揭示，该方法使用模具，该模具用于在LED器件上施加具有光转换颗粒的材料。然而，这种方法涉及特定的涂覆装置，并且这种方法费力且昂贵。
因此，需要这样一种发光器件和一种制造这种发光器件的方法：所述发光器件不因通过所述发光器件侧边的光发射或相比活性LED表面区域具有增加的扩展度而受不期望的颜色变化或纯度以及效率损失的影响。
发明内容
本发明的一个目标是至少部分地克服这些问题，并提供一种发光器件和一种制作这类发光器件的方法，所述发光器件不因通过所述发光器件侧向表面的光散射而受效率损失的影响。
因此，依据第一方面，本发明提供发光器件1，该发光器件1包括设置在基座3上的发光二极管2。所述器件具有侧向外围表面6和顶部表面8以及光学活性涂层7。所述活性涂层7：
沿所述外围表面6的至少一部分覆盖，
从基座3延伸至所述顶部表面8，并且
基本不覆盖顶部表面8。
当所述发光器件的至少部分的侧向外围表面由光学活性涂层从所述基座覆盖至所述顶部表面(但是基本上不包括所述顶部表面)时，可控制从侧向表面出射的光。举例而言，以这种方式，在顶部表面上的光可增加。
在本发明的一些实施方式中，所述光学活性涂层选自下列构成的组：反射涂层、漫射涂层、光谱过滤涂层、发光涂层或遮光涂层以及它们的组合。
当这类光学活性涂层用于涂覆所述侧向外围表面时，依据选择，所述涂层将变成反射涂层、漫射涂层、光谱过滤涂层、发光涂层或遮光涂层。
在本发明的一些实施方式中，所述器件还包括设置在发光二极管上的光学组件4、所述光学组件4选自下列构成的组：荧光物质体、光透射体、反射体和它们的组合。在本发明的一种实施方式中，所述反射体设置成使得光通过至少部分的所述侧向外围表面出射。
在本发明的一些实施方式中，还包括设置在所述发光器件上的光学组件。
在本发明的一些实施方式中，所述涂层是固体。所述侧向外围表面还可涂覆有多于一层的涂层。
在本发明的一些实施方式中，依据本发明的发光器件可设置成阵列。
通过将依据本发明的、在所述侧向外围表面上具有涂层的发光器件设置成阵列，举例而言，可避免单个发光器件之间的光学串扰。因此，可单个地处理各发光器件。
发光器件阵列还可设置成共享涂层。
依据第二方面，本发明提供一种用于在包括发光二极管的发光器件1的至少部分的侧向外围表面6上施加涂层的方法。所述方法包括：
在至少部分的外围表面6上设置光学活性涂层7，该活性涂层7从基座3延伸至顶部表面8，并且基本上不覆盖顶部表面8。
本发明已实现通过使用本发明的、用以涂覆发光器件的侧向外围表面或侧向边缘的方法来实现快速和简单的涂覆方法。通过使用毛细作用力涂覆所述侧向外围表面可进一步实现对所述器件的涂覆。由于在所述侧向外围表面上形成的这种固体涂层以及这种涂层的经调节的光学性能，从所述发光器件侧向边缘出射的光性能得以控制。
在本发明的一些实施方式中，所述方法还包括如下步骤：
在基座3上施加第一液体涂覆合成物，
让所述第一涂覆合成物覆盖发光器件1的至少部分的第一侧向外围表面6，以及
固化所述第一涂覆合成物以获取所述至少部分的第一侧向外围表面6上的第一固体涂层7。
在本发明的一些实施方式中，借助毛细作用力使所述涂覆合成物覆盖至少部分的第一侧向外围表面6。
在本发明的一些实施方式中，通过使用选自下列构成的组中的方法来涂覆所述涂覆合成物：通过针状物分配、通过喷嘴分配、通过印刷和通过喷洒。
当使用这些涂覆方法时，可获得精确量的涂覆合成物。因此，通过控制使用的涂覆合成物的量来控制涂层的量是可能的。
在本发明的一些实施方式中，所述液体涂覆合成物在固化之后形成选自下列构成的组的固体涂层：反射涂层、漫射涂层、光谱过滤涂层、发光涂层、遮光涂层以及它们的组合。
当形成这类固体涂层时，可控制来自所述发光器件的侧向外围表面的光泄露。因此，根据不同目的，可选择涂覆合成物来形成反射层、漫射层、光谱过滤层、发光层或遮光层。
所述涂覆合成物可包括溶胶-凝胶衍生材料或硅树脂。
在本发明的一些实施方式中，当使用极性涂覆合成物时，可将所述侧向外围表面预处理成极性。备选地，可将所述侧向外围表面处理成非极性，并且可使用非极性或极性涂覆合成物。
当以这种方式预处理所述基座和所述侧向外围表面时，毛细作用力将促进极性涂覆合成物覆盖所述基座。通过仅处理部分的基座和侧向外围表面使其变得具有极性，仅涂覆侧向外围表面的某些部分是可能的。因此，获得侧向外围表面的没有涂层的部分也是可能的。类似地，为了涂覆选定部分的侧向外围表面，可在已预处理为极性或非极性的表面上使用非极性涂覆合成物。
在本发明的一些实施方式中，所述方法还包括如下步骤：
在所述基底上施加至少第二液体涂覆合成物；
让所述第二涂覆合成物覆盖所述发光器件的至少部分的第二侧向外围表面，以及
固化所述第二涂覆合成物以获得在至少部分的第二侧向外围表面上的第二固体涂层。
在一种实施方式中，所述第一涂覆合成物不同于所述第二涂覆合成物。
由于在所述第一涂层和所述第二涂层中使用了不同的材料，所以实现具有反射光学功能、漫射光学功能、光谱过滤光学功能、发光光学功能和遮光光学功能的不同固体涂层是可能的。因此，相同侧向外围表面可涂覆有多于一层的涂层，所述多于一层的涂层具有相同或不同光学功能。
在另一种实施方式中，所述第一侧向外围表面可以与所述第二侧向外围表面不同。
当不同的侧向外围表面涂覆有不同固体涂层时，部分的侧向外围表面获得不同的光学功能。
还应注意，本发明涉及权利要求的所有可能组合。
将进一步在具体描述中描述这些实施方式和其他一些实施方式。
附图说明
现针对显示本发明的当前优选实施方式的所附附图来详细描述本发明的这方面和其他一些方面。例如，附图显示反射涂层。然而，所述涂层也可以是发光涂层、有色涂层、散射涂层和吸收涂层。所述附图并不必然与尺度相对应。
图1示意性示出了本发明的顶部发射发光器件的一种实施方式的横截面，该发光器件具有Lumiramic荧光物质体，其中侧向外围表面涂覆有反射涂层。
图2示意性地示出了本发明的顶部发射发光器件的另一种实施方式的横截面，该发光器件具有成角度的Lumiramic荧光物质体，其中侧向外围表面涂覆有反射涂层。
图3示意性地示出了本发明的顶部发射发光器件的又一种实施方式的横截面，该发光器件具有Lumiramic荧光物质体，其中侧向外围表面涂覆有两层涂层。
图4示意性地示出了本发明的顶部发射发光器件的另一种实施方式的横截面，该发光器件具有基座，其中侧向外围表面涂覆有反射涂层。
图5示意性地示出了本发明的侧部发射发光器件的一种实施方式的截面图，其中部分的侧向外围表面涂覆有反射涂层。
图6示意性地示出了本发明的侧部发射发光器件的一种实施方式的截面图，该发光器件具有基座和荧光物质体，其中部分的侧向外围表面涂覆有反射涂层。
图7示意性地示出了本发明的发光器件阵列的一种实施方式的截面图，其中部分的侧向外围表面涂覆有反射涂层。
图8a至图8c示意性地示出了用于涂覆发光器件的侧向外围表面的方法的透视图。
图9示意性地示出了本发明的发光器件的一种实施方式的透视图，其中部分的侧向外围表面涂覆有反射涂层。
具体实施方式
在下文中详细描述依据本发明的发光器件的一种实施方式。
于是，在图1中示出了本发明的器件的一种实施方式。
因此，在这种实施方式中，包括倒装管芯LED 2的发光器件1设置在基座3上。在LED 2上设置光学组件4以接收由LED 2发射的光，在这种实施方式中光学组件4是荧光物质体4a，也即Lumiramic。使用粘合层5以连接荧光物质体4a和LED 2。在发光器件1的侧向表面或侧向外围表面6上设置具有反射功能的涂层7，使得光基本上不通过发光器件1的侧向表面6出射。相反地，光被反射，从而最终通过荧光物质体4a的顶部表面8射出。
如在本文中所使用地，侧向表面、侧向边缘、侧向侧以及侧向外围表面均指围绕所述发光二极管的侧向表面区域，但是不包括顶部表面区域。
在光线组I中，在pn结处产生的蓝光发射至所述粘合层，并入射在侧部涂层上，导致朝向粘合层、荧光物质或LED的漫射性后向散射。
在光线组II中，蓝光未在荧光物质中转换并反射回所述荧光物质。部分的反射光穿过顶部表面射出。
在光线组III中，产生的光在高折射率InGaN材料(n＝2.7)中波导传播，并入射在其被侧部涂层反射回来的边缘处。后向散射过程中的角度再分布有助于克服波导对光的俘获。因此，部分的光被从LED向粘合层和荧光物质层汲取。
在光线组VI中，蓝光在荧光物质中被吸收并被转换成红光(举例而言)。该红光在某个方向传播以到达侧部表面，并且该红光后向散射并部分地通过顶部表面而被汲取。因为在彼此相似的实施方式中，所述光线组是相似的，所以并非所有的实施方式都包含对所述光线组的具体标记。
可领悟出实施方式1的许多变化形式。举例而言，可使用完全转换或部分转换荧光物质顶部发射体。对于完全转换而言，荧光物质吸收蓝光并在很大程度上将其转换成具有较大波长的另一颜色。转换的量取决于Lumiramic的厚度和存在于荧光物质中发光中心的浓度和吸收系数。力求在荧光物质中实现足够大的路径长度，从而将几乎所有的蓝光转换成较大波长的光，例如绿光、琥珀色的光或红光。归因于侧部涂层，全角度颜色性能非常好，也即没有以较大角度泄露的蓝光。
图2示出了本发明的器件的另一实施方式。
这种实施方式类似于实施方式1，除了荧光物质体4a的侧部面是成角度的，从而具有相对于LED的悬突部。在右侧部面和左侧部面上存在反射涂层，但具有不同角度。
在该情形下，荧光物质尺寸大于LED尺寸。位于LED和荧光物质之间的粘合层可基本上覆盖LED区域，或者覆盖更大的荧光物质区域。如果粘合区域小于荧光物质区域，那么仅所述悬突部区域可填补有涂层，从而阻断LED和/或粘合层的侧部发射，所述涂层并不覆盖所述荧光物质的侧向侧。备选地，可覆盖所述悬突部区域和所述荧光物质的侧部。此外，所述悬突部可具有不同的形状，例如成角的形状或方形。
荧光物质相对于LED区域也可以是尺寸不足的，或者荧光物质的放置可能是不精确的，从而无法完全覆盖LED区域但能显示两个悬突部或以特定方向倾斜。侧部涂层提供了覆盖和遮蔽LED的直接发射部分的方式。尺寸不足的Lumiramic在生产过程中可具有更好的粘合和布置精确性。
粘合区域可扩展超过LED区域和荧光物质区域，并且部分的粘合材料可覆盖LED和荧光物质的部分侧向侧。
所述涂层可仅在部分的侧向表面上延伸，或在整个表面上延伸，只要所述涂层从所述基座延伸至顶部表面，但不包括所述顶部表面。仅涂覆Lumiramic或仅涂覆LED是可能的。这通过调节所述基座和所述发光器件的侧向表面的润湿特性来实现。
在另一种实施方式中，在LED下方的做出与基座的电接触之处进行涂覆也是可能的。由于电极图案，一些光将通过电极和反射镜之间的间隙而泄露。这种光可在LED的背部波导传播，所述光在LED的背部很有可能被吸收。如果使用反射侧部涂层，则这种光向后朝向LED散射以被重用。
当使用反射涂层时，涂层还可散布在基座周围上以增加基座的反射率，并从而降低任何被导回LED的光的光损失。
在另一种实施方式中，所述发光器件可以是穹顶状。
图3示出了本发明的器件的又一实施方式。
这个实施方式类似于实施方式1，但是这个实施方式具有两层涂层7a和7b。第一涂层7b是透明的，而第二涂层7a是反射的。其他功能组合以及其他数量的层也是可行的。然而，这种涂层组合带来的优势可能是填充不完整地存在的部分粘合层或未充满区域的机会。举例而言，粘合工艺中的变化可导致形成未完全覆盖管芯和LED之间间隙的不完整粘合层。这可首先填充以透明层并随后以反射层(举例而言)来覆盖。否则所述反射层将填充所述缝隙并导致遮蔽部分的光通量，而这将导致光损失。当然，其他的涂层组合也是可能的。
在图4中示出了本发明的器件的另一种实施方式。
因此，在这种实施方式中，在基座3上设置有包括倒装管芯LED 2的发光器件1。在LED 2上仍存在基底4b。在发光器件1的侧向表面6上设置有具有反射功能的涂层7，使得光基本上不通过所述发光器件的侧向表面6出射。相反地，光被反射从而通过基底4b的顶部表面8最终射出。在图4中，显示了3条光线路径。光线路径I表示光在LED中波导传播至边缘并被涂层反射回来。光线路径II显示了通过蓝宝石基底的光路，在蓝宝石基底侧部具有反射。光线路径III显示了直接发射且不与侧部相交的光学路径。
因此，在侧向表面上可存在有不同的反射涂层、吸收涂层、有色涂层、漫射涂层、发光涂层以及涂层组合。仅涂覆部分的表面也是可能的。LED与诸如蓝宝石之类的基底以及荧光物质体的组合也是可能的。
在漫射涂层中，入射光主要以稍微偏离其光路的方式传播(微量入射光可历经多重散射事件但仍被反射)。这种漫射有助于扰乱基于角度的颜色效果，也即，混合不同位置和角度的光。优选地，侧部涂层具有有限的光学厚度，例如10μm至100μm，但这不是严格必须的。在那种情形下，光源区域并未作为散射事件的结果而被显著放大，其中散射中心可被认为光线的新点光源。
在另一种实施方式中，侧部涂层是有色的从而吸收蓝光并透射黄光、琥珀色光或红光。因为侧部涂层，大角度泄露的蓝光被抑制，而转换的光仍被透射。相比于反射性的侧部涂层，蓝光吸收将导致较低的效率。然而，转换后的光将被更有效地使用，因为它可容易地还从侧部从pcLED汲取。
在又一种实施方式中，构思针对所考虑的波长的吸收侧部涂层，这通常意味着涂层吸收可见光，也即所述涂层是黑色的。显然因为效率的原因，这种情形并非首选。然而，从侧部泄露的光得以有效抑制，但是这适于蓝光和转换后的光(除非转换后的光在红外区，而黑色涂层在红外区中是透明的)。
在另一种实施方式中，所述发光器件具有发光侧部涂层，其中蓝光被(部分地)吸收并被转换成较大波长的光并被再发射。侧部涂层可包含与Lumiramic荧光物质材料(例如用于部分转换白色的YAG:Ce)类似的荧光物质颗粒。所述侧部涂层还可包含不同于Lumiramic材料的荧光物质颗粒(例如含红色荧光物质的侧部涂层)以使来自Lumiramic荧光物质的白色光发射在颜色上更暖，例如暖白配置。
在图5中示出了本发明的器件的又一种实施方式。
因此，在这种实施方式中，侧部发射的发光器件1设置在基座3上，该发光器件1包括倒装管芯LED 2。Lumiramic荧光物质体4a设置在LED 2上。反射体4c设置在所述荧光物质体上对光进行反射。侧向表面6的涂层阻止来自一个或更多侧部的光透射并反射和再利用这种光以将其透射至未涂覆的侧部。对于方形Lumiramic而言，可以仅涂覆一个侧部表面、或者仅涂覆两个表面、或者仅涂覆三个表面或者仅涂覆每个表面的一部分。举例而言，Lumiramic的一个角部可保持开放以从该角部区域射出光。侧部反射涂层和顶部反射涂层可形成一个单个层，例如高散射的反射性涂层。
在一个1×1mm配置的、荧光物质厚度为250μm的、未涂覆侧部发射体的流明功效是100％的实施方式中，第一侧部表面涂覆的LED的流明功效是95％，第二侧部表面涂覆的LED的流明功效是78％；并且第三侧部表面涂覆的LED的流明功效是56％。因此，部分的光损失在LED中，但剩余的通量被迫通过较小的区域并到达特定的侧部。因而侧部表面的亮度增加。举例而言，这在背光应用或光导照明设计中是重要的，在这类设计中光应有效地耦合至薄光导中以将光源置于光导片的侧部处。
在图6中示出了本发明的器件的另一种实施方式。
在侧部发射的发光器件的这种实施方式中，类似于实施方式5，在LED上仍有位于荧光物质体下方的基底。所述涂层仅存在于LED和基底上，而不存在于荧光物质体上。
备选地，反射体可直接设置于基底上。涂层可位于基底的侧向表面上，通过使用反射性侧部涂层，没有来自LED基底侧部的显著蓝光泄露。荧光物质还可延伸越过LED基底区域(成为过大尺寸的)。
然而，侧部发射的发光器件还可具有其他种类的涂层，例如漫射性涂层或发光涂层。通过使用漫射性涂层，可以影响侧部发射的角度分布和光谱分布，例如使其更均匀。
通过使用吸收蓝光并透射转换后的光(例如琥珀色光)的侧部涂层，可做出具有高颜色纯度的完全转换侧部发射体。
通过在两个侧部分配，在不同的侧部表面可实现不同的光学功能，例如可在所述第一、第二或第三侧部表面上添加反射性涂层，而在其他侧部上添加吸收蓝光并发射转换后的光的有色涂层。
由此，在另一种实施方式中，在LED的至少一个侧部上沉积反射性侧部涂层，而在其他侧部上沉积有色侧部涂层。这可被用于制作高颜色纯度的侧部发射的、完全转换LED，该LED具有一个、两个或三个侧部发射表面。
例如，涂覆有荧光物质的LED、pcLED在高亮度或扩展度受限的应用中特别有用，所述高亮度或扩展度受限的应用例如有聚光灯、LED闪光模块、投影显示器或汽车前灯。
对于一些这类应用(例如轮流照射的可调节聚光灯或汽车前灯)而言，LED需要是可单个寻址的，使得每个单独的LED能被打开或关闭，或根据用户/情况需要来调光。
可单个寻址阵列中的LED阵列的问题之一是一个LED的泵浦光能够容易地到达所述阵列中相邻LED的荧光物质。举例而言，这可导致灯给出错误的输出光谱或是前灯中本应处于关闭状态的LED被打开。
在图7中示出了本发明的器件的又一种实施方式。
在这种实施方式中，涂覆具有变化颜色的发光器件阵列。使用Lumiramic荧光物质以获得红光(R＝红光)、绿光(G＝绿光)和白光(W＝白光)，而使用蓝宝石基底B以获得来自发光器件的蓝光。在发光器件周围或发光器件之间的侧向表面上设置反射涂层，使得发光器件共享涂层。
阵列可以是一维的或是二维的。可通过毛细作用力或通过点滴来用反射性涂层填充LED之间的间隙。还可以使用具有不同功能的层来部分填充或填充LED之间的间隙，所述具有不同功能的层例如有透明层、漫射层、有色层或发光层。可同时驱动所述LED(例如当LED串联设置时)，或者可单独驱动LED。所述阵列还可具有相同颜色，并且所述涂层可仅设置在所述器件的侧向表面上，使得所述涂层不在器件之间共享。所述阵列还可由这样的LED组成：每个所述LED具有其单独的侧部涂层，在此情形下，所述LED不共享它们的涂层。
具体而言，构思了具有红色完全转换Lumiramic、绿色完全转换Lumiramic的LED阵列，还构思了具有基底和可选的部分转换白色Lumiramic的蓝色LED。一般而言，各种荧光物质和/或基底的厚度可变化。侧部涂层可适应这类高度差异。反射涂层将抑制LED之间的光学串扰，从而制作当LED可单独寻址时的、具有大范围高纯度颜色的LED阵列。这制作出具有极大混色窗口的光源，也即色图中从非常纯的颜色至跨色区内这些颜色的任意混合。这对于例如聚光灯或一般照明光源之类的颜色可控的LED光源而言是重要的。
当要求在小距离内光学混合时，LED之间的侧部涂层可以做成透明的或漫射的，但是在这种情形下，LED之间的光学串扰将影响性能。举例而言，当仅有红色LED点亮时，由这个LED生成的蓝光也能激励相邻的绿色荧光物质从而也产生一些绿光。
为了在仍使混合能力最大化的同时防止这种串扰，可在LED之间涂覆用以吸收从一个LED行进至下一个LED的蓝光的有色或发光颜料涂层。在发光涂层的情形中，这种蓝光将再次转换成另一种颜色。
在另一种实施方式中，可使用正方形阵列，例如2×2阵列。备选地，可类比做出较大阵列来取代1×4阵列，例如具有交替的RGBW、GBWR、BWRG、WRGB(R＝红色、G＝绿色、B＝蓝色、W＝白色)颜色的4×4阵列。
在又一种实施方式中，通过在单个LED上施加荧光物质阵列和使用侧部涂层，可再细分LED为多个高颜色纯度区域，该多个高颜色纯度区域具有对应于色图中红色、绿色和蓝色位置的x、y色坐标。来自这些有色区域的发射光将基于距LED的距离来混合。优势是可从纯的RGB颜色中制得颜色，从而获得这样的白色LED：其在诸如LCD背光或投影显示器之类的应用中可以与RGB颜色过滤器阵列结合并与之相匹配。(YAG:Ce部分转换Lumiramic是不由混合纯色建立起来的白色LED，因此较不适合与颜色过滤器结合使用)。荧光物质之间的区域可做成透明的或漫射的以促进光混合。外侧涂层优选地是反射性的，从而最小化LED侧部处的颜色阴影。
在另一种实施方式中，涂覆侧部发射的Lumiramic LED阵列。替代于彼此相邻地放置具有侧部涂层的单个完全转换侧部发射体，可将相邻的LED放置成共享侧部涂层。在这种情形下，侧部涂层可被认为是相邻LED之间的界面涂层，并且LED可被放置得更为靠近。通过使用反射性侧部涂层，LED之间的串扰得以抑制，从而获得了具有这样的发射光的LED阵列：该发射光的范围可从高纯度单色到这些颜色的任意混合色。
在无需单色而是需要最佳的颜色混合的情形中，LED之间的涂层可做成透明的、漫射的、有色的或是发光的。在前两个选项中，蓝光和转换后的光均可波导传播至相邻的LED。在后两个选项中，蓝光将(至少部分地)被吸收并且转换后的光能够波导传播至相邻像素并与相邻像素混合。
在又一种实施方式中，通过荧光物质表面上的线栅极化结构，在Lumiramic荧光物质上设置反射性侧部涂层。在这种情形下，不具有极化结构的荧光物质侧部将阻止非偏振光的泄露。
总而言之，本发明可应用于典型地使用荧光物质转换的LED配置。然而，侧部涂层技术还可应用于常规有色(非荧光物质转换)LED。LED可应用于闪光灯、汽车前灯或后灯、背光或者诸如聚光灯之类的一般照明。
本发明还可应用于这类LED的阵列，举例而言，在用于汽车前灯照明的LED阵列中、在用于投影照明用途的RGB LED阵列中、或在一般照明颜色可调(聚光)灯中使用。
在本申请中所使用的术语“发光二极管”(本文缩写为“LED”)指本领域技术人员已知的任何种类的发光二极管或激光发射二极管，其包括但不限于：基于无机材料的LED、基于小有机分子的LED(smOLED)和基于聚合物的LED(polyLED)。
本发明中使用的LED可发射任何颜色的光，从紫外区域遍及可见光区域直至红外区域。然而，由于波长转换材料通常通过红移来对光进行转换，经常期望使用在紫外/蓝光区域中发光的LED，因为这样的光可被转换成基本上任何其他颜色。
LED管芯优选地是两根导线均位于管芯的相同侧的“倒装”类型。这种设计有利于波长转换体在所述器件的发光表面上的布置。然而，也构思出用于在本发明中使用的其他种类的LED管芯。
用于在本发明中使用的波长转换材料优选地是由未转换的光激励并在驰豫时发光的荧光和/或荧光性材料。光学组分通常是荧光材料，例如诸如Lumiramic荧光物质之类的陶瓷荧光物质。
完全转换LED是所有的电致生成的光完全转换成期望颜色的LED，而部分转换LED是指仅有部分的电致生成的光转换成另一颜色的LED。
本发明的另一方面涉及依据本发明的发光器件的一种制造方法。
在下文中，将更详细地描述在发光器件的侧向表面上涂覆涂层的方法。
发光器件1包括设置在基座3上的发光二极管(LED)2。在这个基座3上添加液体涂覆合成物。可以以预定量施加所述涂覆合成物，从而使毛细作用力可传送所述液体涂覆合成物以覆盖所述发光器件的侧向表面。这个量通常是一滴或许多滴。然而，基于所需涂层的厚度，这个量还可以更大。每个1×1mm面积的LED器件上的这种液体体积可以在0.01和100微升之间，优选地在0.1和10微升之间，且更为优选地在0.5和5微升之间。因为在涂层固化和/或溶剂清除期间的收缩，所以固体体积通常更小。
在图8a至图8c中，显示了发光器件的侧向表面的涂层的示意图。因此，图8a示出了置于LED管芯旁的一滴液体。在图8b中，该滴液体通过毛细作用力开始涂覆所述器件的侧向表面。图8c示出了已得到的整个侧向表面的涂层。
将涂覆合成物置于基座上的靠近发光器件侧向表面或与发光器件侧向表面接触的位置，使得所述涂覆合成物通过毛细作用力覆盖所述侧向表面。举例而言，可将所述涂覆合成物置于距所述发光器件的侧向表面0至2mm处，或距所述表面0.5至1mm处。
当以这种方式涂覆涂覆合成物时，毛细作用力将更快速地促进所述发光器件的侧向边缘的涂覆。
为了添加需要添加至指定位置的指定量的涂覆合成物，可使用分配器。这种分配器可以是注射器或针状物或喷嘴系统。沉积涂层的最简便方法是通过使用具有控制器的注射器、针状物或喷嘴逐滴涂覆涂覆合成物，从而分配期望的液滴体积，而液滴体积的分配通常通过调节分配时间和压力来实现。
然而，还可通过印刷或喷洒涂覆合成物来实现添加，例如通过使用丝网印刷或是喷墨喷嘴或喷洒喷嘴。
通过使用毛细作用力可促使涂层涂覆在侧向表面上。通过自润湿(self-wetting)在约1或2秒钟内即可发生涂覆。
还可通过在基座上绕发光器件点滴液体涂覆合成物并迫使流体接触被点滴的区域来获得涂层。在这种情形下，以受控和可编程的方式平移所述喷嘴或针状物，同时在这种移动期间控制分配。如果涂层液在待涂覆的器件材料上具有差的润湿性，那么这是一个优势，并且它提供了仅涂覆特定侧部的方式。差的润湿性防止自润湿，但是分配点滴迫使流体分散。不利之处是所需的较为关键的放置准确性和额外的加工时间。
还可实现点滴和自润湿的组合，例如通过按靠近多个LED器件的直线来移动喷嘴并在按直线移动喷嘴的同时进行分配，所述多个LED器件相隔很短的距离并被放置在一条直线上。分配的流体与LED器件的边缘相互作用并在其周围自润湿。
涂覆合成物是可包含溶胶-凝胶单体的液体合成物，所述溶胶-凝胶单体例如烷基烷氧基硅烷，例如甲基三甲氧基硅烷或硅树脂。所述溶胶-凝胶单体可以是在液体中(部分)水解的或聚合的、可包含水和/或乙醇的流体。因此这种流体通常是亲水性的(极性)。它可包含各种量的溶剂或多种溶剂从而调节流体的粘度。硅树脂通常是未固化形式的流体，并且可被如此使用，或者可选地添加溶剂以调节流体粘度。硅树脂存在来自各个供应商的许多化学成分和材料性质。粘度以及材料特性在固化后可有所变化，从弹性凝胶至硬硅胶涂层。基于硅树脂的种类，这种溶剂的一个例子可以是二甲苯。这类硅胶流体通常是非极性的，但这不是必须的。
所述流体的极性或非极性的程度可受确切的流体合成物影响，例如使用的溶剂的种类和量。
在本发明中使用的涂覆合成物是在固化后形成散射、吸收、发光、漫射或反射涂层(也即光学活性涂层)的涂覆合成物。有许多合成物例子可用于这个目的。
就本发明中的“固体”而言，还可以理解涂层可以是无定形的。
通常，散射、吸收、发光、漫射或反射颗粒分散于合成物中，所述合成物优选地具有低粘度。
举例而言，在涂覆合成物中可分散有诸如金属氧化物之类的散射颗粒，反射、漫射或发光金属小片和/或吸收染料或颜料。
举例而言，例如具有亚微米直径的TiO2颗粒可被用作无机散射颗粒。通过利用适当装填，例如颗粒占5v％至60v％，可获得厚度超过5微米(举例而言)的低损耗散射性反射涂层。
固化涂覆合成物以获得在侧向表面上的固体涂层。可通过任何的固化步骤来进行固化，例如通过风干涂层以去除溶剂，和/或通常通过以高温来固化涂层。举例而言，针对溶胶-凝胶单体的固化，可将涂层干燥约10分钟从而从涂层中蒸发多数溶剂(例如水和甲醇)。然后在90℃下进一步干燥涂层达20分钟，并随后通过在200℃下固化一小时来固化溶胶凝胶，从而形成脆性的甲基硅网络。
涂层的典型厚度是10μm至500μm。
因此，选取涂覆合成物使得在固化之后所获得的固体合成物具有下列光学功能或这些功能的组合：
反射功能，通常通过使用散射颜料获得，所述散射颜料例如是像TiO2、ZrO2和Al2O3之类的金属氧化物颗粒。一种较不优选的备选方式是通过使用金属小片或颗粒或细孔。通过使用具有这种功能的涂覆合成物来涂覆所述侧向边缘，透射通过侧部涂层的光是小部分的，而大部分(例如95％)的光将被反射。
这种功能的选择解决了背景技术部分中所述的问题1至问题4。一个缺点是少量的侧部反射光可能被LED再吸收并因此损失掉。但是顶部表面的亮度仍然得到增加，例如，在侧部涂覆的、具有120微米厚荧光物质的、1×1mm LED管芯上通常可获得在法线方向上的10至15％的亮度增益。
散射功能，通过使用散射颜料获得，所述散射颜料例如是像TiO2、ZrO2、Al2O3和SiO2之类的金属氧化物颗粒。这允许(部分的)光透射通过侧部涂层，其中可根据颜料的体积浓度和颗粒大小以及涂层厚度来控制前向散射和后向散射的量。
这种功能部分地解决了上述问题1和2，而没有解决问题3和4。有益效果是相比于反射功能，向回射向有损LED的光较少。
有色过滤或光谱过滤功能，通过使用有色颜料获得。通常有色层将吸收蓝色LED光并透射来自荧光物质的转换后的光。这解决了问题1，特别是对于完全转换Lumiramic而言，但是这没有解决问题2、3和4。
对于部分转换而言，因吸收过多蓝光，蓝光吸收有随角度颜色频移的风险。需要对吸收特性进行微调(例如部分地吸收蓝色泄露光)以克服这个问题。
有益之处是相比于反射功能而言总的光通量增加。
吸收功能，通过使用吸收入射光通量光谱的颜料获得。这解决了多数问题，但是导致严重的光通量损失并且不会增加顶部表面的亮度，因而是较不优选的。基于吸收颜料或染料性质、浓度和层厚，吸收度可以是完全的或仅是部分的。
发光功能，通过使用发光颜料/颗粒获得，该发光颜料/颗粒提供与荧光物质相同或不同的光谱。通过侧部泄露的蓝光将被吸收并被转换成较大波长的光。这将解决问题1，尤其是对于完全转换荧光物质而言，但是不解决问题2、3和4。它还稍微增加了光源面积。有益之处是相比于反射功能，预计增加的总光通量。
因此，对于本发明的实施方式而言，根据期望的功能可以考虑使用具有不同功能的不同涂层组合，或可在同一涂层中结合不同的功能(例如将散射功能与发光功能结合)。
基座和侧向表面可被预处理成极性(或亲水性)，并且涂覆合成物可以是极性(或亲水性)。随后通过毛细作用力促使亲水性(极性)涂覆合成物覆盖经处理的基座和侧向表面。通过将部分的基座和侧向表面处理成亲水性，如图9所示，仅涂覆部分的侧向表面是可能的。类似地，通过使用非极性(或疏水性)涂覆合成物，例如多数硅胶，在极性(亲水性)表面上可获得受限的流体分散，或在非极性(疏水性)表面上可获得良好的分散。因此，还有可能将部分的基座和侧向表面处理成非极性(疏水性)，从而通过使用极性(或亲水性)涂覆合成物，部分的侧向表面将没有涂层。显然，所述器件的基座和侧向表面的表面润湿条件可能是不相同的，并且在基座或在侧向表面上可实现优选的分散。此外，所述侧向表面通常由多个组分构成，例如LED材料、粘合材料、LED基底或荧光物质。可能出现这些各种材料的优选润湿。举例而言，如果荧光物质针对涂层流体的润湿条件差，那么荧光物质没有或仅有有限的侧向覆盖，而粘合层和LED管芯可被覆盖。
仅涂覆部分的侧向表面的另一种方式是通过调节LED表面上的润湿条件(例如通过调节对LED器件所进行的氧等离子体或紫外臭氧处理)、沉积的量，和/或通过增加或调节涂覆合成物的粘度，或通过添加具有较快蒸发速度的溶剂来实现。
总体而言，可使用也覆盖Lumiramic顶部的技术来沉积涂覆合成物，所述技术例如为刮板涂覆、旋转涂覆、喷洒涂覆、浸泡涂覆或幕式涂覆。特别是在应用反射涂层的情形中，在Lumiramic表面的顶部上应设置去润湿层。如果充分去润湿，那么涂层将趋于流至侧部，因为在疏水涂覆合成物的情形中，从能量上而言不利于覆盖去润湿顶部表面，所以在顶部上没有层留下或是仅留下薄层。顶部上充分薄的反射体涂层仍将部分为透射性并可被保留。去润湿层可由疏水涂层构成，例如对荧光物质进行的氟硅烷顶部表面处理的疏水硅烷单分子层。顶部表面可覆盖有漫射、发光、有色涂覆合成物。漫射顶部涂层可有助于对光分布进行再分布，从而获得更均匀的全角度颜色。发光顶部涂层或有色顶部涂层可有助于在完全转换荧光物质应用中减少从顶部表面泄露出来的蓝光。
如果大量添加涂覆合成物，那么这尤其重要。去润湿层可以是固体、液体或凝胶。它不但可以是体积层(volume layer)，还可以是沉积在Lumiramic顶部表面上的单分子层(例如，已与荧光物质表面反应的气相的烃硅烷或氟硅烷)。
然而，优选避免顶部溢出的方法，特别是对反射涂层配方而言。
可选择合成物的粘度使得合成物的粘度足够低，从而容易地通过毛细作用力绕所述发光器件扩散。因此，所述粘度可在1mPas和100mPas之间。
此外，通过加热流体和/或加热器件可降低流体的粘度。
通过控制粘度，还可能控制涂覆合成物涂覆的面积。例如，如果使用较低粘度，那么涂覆合成物将更容易地扩散，并且涂层将更快出现。另一方面，如果使用较高粘度，那么涂覆合成物将倾向于较不容易地扩散，并且仅涂覆部分的侧向表面变得可能。
当在侧部表面上获得良好的润湿性时，固体涂层的接触角可能在0°和45°之间。当根据本涂覆方法获得低接触角时，只需一点材料即可涂覆侧向表面，而这是优选的。
除此之外，这还具有如下优势：光源不显著增大，仍能合理控制侧部涂层厚度(因此控制光学性质)，以及由于在侧部涂层固化过程中一般出现的收缩应力导致施加至侧部涂层和LED器件的应力降低。可达到的尖锐轮廓几乎不具有波导传播进入侧部涂层的光的风险。
因此，构思出使用在侧部表面或特定侧部表面上使用显示出差的润湿性的涂覆合成物的侧部涂覆的较不优选的实施方式。其结果是，侧部表面具有大接触角(例如45°和90°之间，甚至超过90°)。基于分配的量，侧部表面的表面覆盖可能不是完整的。通过调节沉积的量，可控制涂覆的区域或层。例如，可以仅覆盖LED和粘合层，而不覆盖大部分的Lumiramic荧光物质。如此，光泄露路径1和2可被抑制，而路径3仍泄露通过。优势是从LED可汲取更多的光并且由粘合层厚度变化导致的侧部光泄露的变化被抑制。全角度颜色性能仍可足够用于实际使用。对于完全覆盖而言，需要大量材料。此外，对于有色、低漫射或发光层而言，在这种侧部涂层中出现波导传播的高风险，这种风险将扩散光而基本不汲取光，而这将是非常不期望的。
在本发明的另一种实施方式中，在基座上涂覆第二液体涂覆合成物，使其覆盖所述发光器件的至少部分的第二侧向表面。所述第二涂覆合成物固化以获得在所述至少部分的第二侧向表面上的固体涂层。类似地，可将多个涂层沉积在彼此顶部。
当发光器件在第一涂层和第二涂层中涂覆有不同的涂覆合成物时，获得具有反射、漫射、光谱过滤、发光和遮光光学功能的不同固体涂层是可能的。因此，同一侧向表面可涂覆有一层以上的具有相同或不同光学功能的涂层。
因此，不同部分的侧向表面可具有不同光学功能。
设置在所述器件侧向表面上的涂层紧靠所述侧向表面，一般而言两者接触。然而，由于收缩应力、不足的粘附力、热应力，侧部涂层与(部分的)侧部表面以及(部分的)基座的物理接触可能受损。其结果是，在接触受损处存在有小缝隙。这并不必然妨碍侧部涂层的功能。
尽管针对本发明具体示例实施方式已描述了本发明，但是对于本领域技术人员而言，许多不同的更改、修改等是显然的。因此，所描述的实施方式无意于限制由所附权利要求书限定的本发明的范围。

Claims (20)

1.一种发光器件(1)，包括设置在基座(3)上的发光二极管(2)，该器件具有侧向外围表面(6)和顶部表面(8)以及光学活性涂层(7)，所述涂层(7)：
沿至少部分的所述外围表面(6)覆盖，
从所述基座(3)延伸至所述顶部表面(8)，并且
基本上不覆盖所述顶部表面(8)。
2.根据权利要求1的发光器件，其中所述光学活性涂层选自下列构成的组：反射涂层、漫射涂层、光谱过滤涂层、发光涂层、遮光涂层以及它们的组合。
3.根据权利要求1或2的发光器件，还包括设置在所述发光二极管上的光学组件(4)，所述光学组件(4)选自下列构成的组：荧光物质体、光透射体、和反射体以及它们的组合。
4.根据权利要求3的发光器件，其中所述反射体设置成使光通过至少部分的所述侧向外围表面射出。
5.根据前述权利要求中任一项的发光器件，还包括设置在所述发光器件上的光学组件。
6.根据前述权利要求中任一项的发光器件，其中所述涂层是固体。
7.根据前述权利要求中任一项的发光器件，其中所述至少部分的所述侧向外围表面涂覆有一层以上的涂层。
8.一种根据前述权利要求中任一项的发光器件的阵列。
9.根据权利要求8的发光器件的阵列，其中所述发光器件设置成共享所述涂层。
10.一种用于在包括发光二极管的发光器件(1)的至少部分的侧向外围表面(6)上涂覆涂层的方法，该方法包括：
在至少部分的所述外围表面(6)上设置光学活性涂层(7)，所述涂层(7)从基座(3)延伸至所述顶部表面(8)，并且基本不覆盖所述顶部表面(8)。
11.根据权利要求10的方法，还包括如下步骤：
在所述基座(3)上施加第一液体涂覆合成物，
让所述第一涂覆合成物覆盖所述发光器件(1)的至少部分的第一侧向外围表面(6)，以及
固化所述第一涂覆合成物以获得在所述至少部分的所述第一侧向外围表面(6)上的第一固体涂层(7)。
12.根据权利要求11的方法，其中通过毛细作用力让所述涂覆合成物覆盖至少部分的第一侧向外围表面(6)。
13.根据权利要求10至12中任一项的方法，其中通过选自下列构成的组中的方法来施加所述涂覆合成物：通过针状物分配、喷嘴分配、通过印刷和通过喷洒。
14.根据权利要求11至13中任一项的方法，其中所述液体涂覆合成物在固化后形成选自下列构成的组中的固体涂层：反射涂层、漫射涂层、光谱过滤涂层、发光涂层、遮光涂层以及它们的组合。
15.根据权利要求11至14中任一项的方法，其中所述涂覆合成物包括溶胶-凝胶衍生材料或硅树脂。
16.根据权利要求11至15中任一项的方法，还包括将所述侧向外围表面预处理为极性，并使用极性涂覆合成物。
17.根据权利要求11至16中任一项的方法，还包括将所述侧向外围表面预处理为非极性，并使用非极性或极性涂覆合成物。
18.根据权利要求11至17中任一项的方法，还包括如下步骤：
在所述基座上施加至少第二液体涂覆合成物，
让所述第二涂覆合成物覆盖所述发光器件的至少部分的第二侧向外围表面，以及
固化所述第二涂覆合成物以获得在所述至少部分的所述第二侧向外围表面上的第二固体涂层。
19.根据权利要求18的方法，其中所述第一涂覆合成物不同于所述第二涂覆合成物。
20.根据权利要求18或权利要求19的方法，其中所述第一侧向外围表面不同于所述第二侧向外围表面。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104160522A (zh) * 2012-03-06 2014-11-19 皇家飞利浦有限公司 发光模块和制造发光模块的方法
CN104685625A (zh) * 2012-09-27 2015-06-03 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件
CN105453282A (zh) * 2013-08-20 2016-03-30 皇家飞利浦有限公司 减少重复反射的成形磷光体
CN106560933A (zh) * 2015-10-05 2017-04-12 行家光电股份有限公司 具导角反射结构的发光装置及其制造方法
CN108807303A (zh) * 2018-05-17 2018-11-13 江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司 一种单面出光的晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法
CN109585620A (zh) * 2013-11-18 2019-04-05 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN110277477A (zh) * 2018-03-16 2019-09-24 联京光电股份有限公司 光电封装体
CN111033767A (zh) * 2017-08-11 2020-04-17 三星电子株式会社 发光器件封装和发光器件封装模块
CN111509110A (zh) * 2014-11-18 2020-08-07 首尔半导体株式会社 发光装置
US10763404B2 (en) 2015-10-05 2020-09-01 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same
CN111628062A (zh) * 2013-04-11 2020-09-04 亮锐控股有限公司 顶发射式半导体发光器件
CN112310056A (zh) * 2019-08-02 2021-02-02 日亚化学工业株式会社 发光装置和面发光光源
CN116210082A (zh) * 2019-10-25 2023-06-02 亮锐有限责任公司 用于led应用的侧涂层材料中的着色和散射颗粒

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150295154A1 (en) * 2005-02-03 2015-10-15 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US8097894B2 (en) * 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
DE102009058006B4 (de) * 2009-12-11 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010015068A1 (de) 2010-04-15 2011-10-20 Paul Voinea Lichtleitsystem
CN102844895B (zh) 2010-04-16 2016-03-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明设备
DE102010028407B4 (de) 2010-04-30 2021-01-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US8896198B2 (en) * 2010-05-20 2014-11-25 Light Prescriptions Innovators, Llc LED light bulb with translucent spherical diffuser and remote phosphor thereupon
DE102010021791A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds
DE102010029368A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010023955A1 (de) * 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102010032836A1 (de) * 2010-07-30 2012-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle
DE102010033963A1 (de) * 2010-08-11 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102010046254A1 (de) 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102010063760B4 (de) * 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012169189A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
EP2500623A1 (en) 2011-03-18 2012-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for providing a reflective coating to a substrate for a light-emitting device
JP5962102B2 (ja) * 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CA2840244C (en) * 2011-07-27 2018-04-03 Grote Industries, Llc System for lighting apparatus utilizing light active sheet material with integrated light emitting diode, window with lighting apparatus, conveyance with lighting apparatus, and method of providing lighting apparatus
JP6100778B2 (ja) 2011-08-16 2017-03-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． スロット内に形成される反射壁部を備えるｌｅｄ混合チャンバ
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
CN103988326A (zh) 2011-12-07 2014-08-13 皇家飞利浦有限公司 光束整形发光模块
WO2013111542A1 (ja) 2012-01-23 2013-08-01 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
US9257617B2 (en) 2012-02-10 2016-02-09 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
DE102012101102A1 (de) * 2012-02-10 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
JP2013197309A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 発光装置
US10043952B2 (en) 2012-03-30 2018-08-07 Lumileds Llc Light emitting device with wavelength converting side coat
RU2015105357A (ru) 2012-07-18 2016-09-10 Конинклейке Филипс Н.В. Источник белого света на основе сид с настраиваемой коррелированной цветовой температурой со смесительной камерой и окном выхода с удаленным люминофором
WO2014013406A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 Koninklijke Philips N.V. Led with ceramic green phosphor and protected red phosphor layer
DE102012212963B4 (de) * 2012-07-24 2022-09-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP6107024B2 (ja) * 2012-09-26 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
EP2917937B1 (en) * 2012-11-07 2016-11-16 Koninklijke Philips N.V. Method for manufacturing a light emitting device including a filter and a protective layer
EP2917938B1 (en) * 2012-11-07 2020-05-06 Lumileds Holding B.V. Wavelength converted light emitting device
JP5634647B1 (ja) * 2012-12-03 2014-12-03 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
CN103887410B (zh) * 2012-12-21 2017-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
AT513917B1 (de) * 2013-02-05 2014-11-15 Zizala Lichtsysteme Gmbh Leuchteinheit für einen Scheinwerfer sowie Scheinwerfer
DE102013204291A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR102180388B1 (ko) * 2013-07-08 2020-11-19 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 반도체 발광 디바이스
KR102172934B1 (ko) * 2013-07-22 2020-11-03 루미리즈 홀딩 비.브이. 플립-칩 측면 방출 led
EP2854186A1 (en) * 2013-09-26 2015-04-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source module, fabrication method therefor, and backlight unit including the same
DE102013112549B4 (de) 2013-11-14 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102013022642B3 (de) 2013-11-14 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP6299176B2 (ja) * 2013-11-22 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
CN104716245A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
JP6331389B2 (ja) * 2013-12-27 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2015104648A1 (en) * 2014-01-09 2015-07-16 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with reflective sidewall
DE102014102293A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2017510997A (ja) * 2014-04-07 2017-04-13 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 紫外線発光デバイスおよび方法
JP6349904B2 (ja) * 2014-04-18 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP6398323B2 (ja) 2014-05-25 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP6323176B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6940784B2 (ja) * 2014-09-26 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6582382B2 (ja) 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6447018B2 (ja) * 2014-10-31 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR102288384B1 (ko) * 2014-11-18 2021-08-11 서울반도체 주식회사 발광 장치
FR3028672B1 (fr) * 2014-11-18 2018-01-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
KR102306802B1 (ko) * 2014-11-18 2021-09-30 서울반도체 주식회사 발광 장치
DE102015102785A1 (de) * 2015-02-26 2016-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung
DE102015106367B4 (de) * 2015-04-24 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lumineszenzdiodenanordnung
EP3332429B1 (en) * 2015-08-03 2023-10-18 Lumileds LLC Semiconductor light emitting device with reflective side coating
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
JP7266961B2 (ja) * 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
CN107039572B (zh) * 2016-02-03 2019-05-10 行家光电股份有限公司 具非对称性光形的发光装置及其制造方法
US10230030B2 (en) * 2016-01-28 2019-03-12 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
DE102017102112A1 (de) * 2016-02-04 2017-08-10 Epistar Corporation Lichtemittierendes Element und sein Herstellungsverfahren
US10641437B2 (en) * 2016-06-30 2020-05-05 Nichia Corporation LED module
JP6874288B2 (ja) * 2016-06-30 2021-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
JP2018028647A (ja) * 2016-08-20 2018-02-22 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、およびプロジェクター
CN107946441A (zh) * 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
JP6800702B2 (ja) * 2016-11-08 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、および、その製造方法
US10971663B2 (en) 2016-11-08 2021-04-06 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102659370B1 (ko) * 2016-11-25 2024-04-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
US10728968B2 (en) 2016-12-20 2020-07-28 Signify Holding B.V. Multi-mode polarized spot with electrically adjustable polarization state
JP6740374B2 (ja) * 2016-12-22 2020-08-12 シャープ株式会社 表示装置および製造方法
DE102017104479B4 (de) * 2017-03-03 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
TWI610469B (zh) * 2017-05-26 2018-01-01 Huang xiu zhang 覆晶式發光二極體及其製造方法
US10749076B2 (en) * 2017-06-29 2020-08-18 Epistar Corporation Light-emitting device
JP7005967B2 (ja) * 2017-07-03 2022-01-24 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6928244B2 (ja) * 2017-08-22 2021-09-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7284366B2 (ja) * 2017-08-29 2023-05-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6575576B2 (ja) * 2017-10-12 2019-09-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11296262B2 (en) * 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
KR20190084807A (ko) * 2018-01-09 2019-07-17 서울바이오시스 주식회사 발광 장치
DE102018128896A1 (de) * 2018-11-16 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip mit einem inneren Kontaktelement und zwei äusseren Kontaktelementen und Halbleiterbauelement
US11217734B2 (en) * 2018-12-27 2022-01-04 Lumileds Llc Patterned lumiramic for improved PCLED stability
US11411043B2 (en) * 2019-10-25 2022-08-09 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
US11302849B2 (en) 2019-10-25 2022-04-12 Lumileds Llc Pigmented and scattering particles in side coating materials for LED applications
JP7295437B2 (ja) * 2019-11-29 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20220285594A1 (en) * 2019-12-12 2022-09-08 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles
US11189757B2 (en) * 2019-12-12 2021-11-30 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles
CN113823723A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
JP7189451B2 (ja) * 2020-06-30 2022-12-14 日亜化学工業株式会社 発光モジュール、液晶表示装置
WO2023054199A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 京セラ株式会社 発光装置及び照明装置
US20230260972A1 (en) * 2022-02-17 2023-08-17 Creeled, Inc. Arrangements of multiple-chip light-emitting diode packages
USD996377S1 (en) 2022-02-17 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
USD996378S1 (en) 2022-03-09 2023-08-22 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
JP2023139780A (ja) * 2022-03-22 2023-10-04 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4962985A (en) * 1989-10-02 1990-10-16 At&T Bell Laboratories Protective coatings for optical devices comprising Langmuir-Blodgett films
US20030141563A1 (en) * 2002-01-28 2003-07-31 Bily Wang Light emitting diode package with fluorescent cover
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
US20070120135A1 (en) * 2002-08-30 2007-05-31 Soules Thomas F Coated led with improved efficiency
US20080218072A1 (en) * 2007-02-28 2008-09-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JPH11320962A (ja) * 1998-05-19 1999-11-24 Canon Inc Ｌｅｄ露光ヘッド
US6373188B1 (en) 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
JP4822482B2 (ja) 2001-05-23 2011-11-24 シチズン電子株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7737623B2 (en) * 2004-06-30 2010-06-15 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device, lighting system, backlight unit for display device, and display device
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
RU2303833C2 (ru) * 2005-07-26 2007-07-27 Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. Осветительное устройство
WO2007037339A1 (ja) 2005-09-29 2007-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba 白色発光装置とその製造方法、およびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
WO2007039849A1 (en) 2005-10-05 2007-04-12 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Phosphor-converted electroluminescent device with absorbing filter
CN101461047B (zh) * 2006-06-07 2011-06-15 松下电器产业株式会社 半导体元件及其制造方法以及电子器件及其制造方法
KR20090023688A (ko) 2006-06-14 2009-03-05 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명 장치 및 그 제조 방법
RU2321103C1 (ru) * 2006-12-21 2008-03-27 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Светоизлучающий полупроводниковый модуль
US8097894B2 (en) 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4962985A (en) * 1989-10-02 1990-10-16 At&T Bell Laboratories Protective coatings for optical devices comprising Langmuir-Blodgett films
US20030141563A1 (en) * 2002-01-28 2003-07-31 Bily Wang Light emitting diode package with fluorescent cover
US20070120135A1 (en) * 2002-08-30 2007-05-31 Soules Thomas F Coated led with improved efficiency
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
US20080218072A1 (en) * 2007-02-28 2008-09-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104160522A (zh) * 2012-03-06 2014-11-19 皇家飞利浦有限公司 发光模块和制造发光模块的方法
CN104160522B (zh) * 2012-03-06 2017-12-22 飞利浦灯具控股公司 发光模块和制造发光模块的方法
CN104685625B (zh) * 2012-09-27 2017-07-28 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件
CN104685625A (zh) * 2012-09-27 2015-06-03 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件
CN111628062A (zh) * 2013-04-11 2020-09-04 亮锐控股有限公司 顶发射式半导体发光器件
US11171266B2 (en) 2013-08-20 2021-11-09 Lumileds Llc Shaped phosphor to reduce repeated reflections
CN105453282A (zh) * 2013-08-20 2016-03-30 皇家飞利浦有限公司 减少重复反射的成形磷光体
CN109585620B (zh) * 2013-11-18 2022-07-01 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN109585620A (zh) * 2013-11-18 2019-04-05 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN111509110A (zh) * 2014-11-18 2020-08-07 首尔半导体株式会社 发光装置
US10763404B2 (en) 2015-10-05 2020-09-01 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beveled reflector and manufacturing method of the same
CN106560933A (zh) * 2015-10-05 2017-04-12 行家光电股份有限公司 具导角反射结构的发光装置及其制造方法
CN111033767A (zh) * 2017-08-11 2020-04-17 三星电子株式会社 发光器件封装和发光器件封装模块
CN111033767B (zh) * 2017-08-11 2023-08-29 三星电子株式会社 发光器件封装和发光器件封装模块
CN110277477A (zh) * 2018-03-16 2019-09-24 联京光电股份有限公司 光电封装体
CN108807303A (zh) * 2018-05-17 2018-11-13 江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司 一种单面出光的晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法
CN112310056A (zh) * 2019-08-02 2021-02-02 日亚化学工业株式会社 发光装置和面发光光源
US11901498B2 (en) 2019-08-02 2024-02-13 Nichia Corporation Light-emitting unit and surface-emission light source
CN116210082A (zh) * 2019-10-25 2023-06-02 亮锐有限责任公司 用于led应用的侧涂层材料中的着色和散射颗粒

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