CN104716245A - 发光装置及其制作方法 - Google Patents

发光装置及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104716245A
CN104716245A CN201310684294.XA CN201310684294A CN104716245A CN 104716245 A CN104716245 A CN 104716245A CN 201310684294 A CN201310684294 A CN 201310684294A CN 104716245 A CN104716245 A CN 104716245A
Authority
CN
China
Prior art keywords
luminescence unit
light
emitting device
adhesion coating
supporting construction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310684294.XA
Other languages
English (en)
Inventor
张瑞贤
廖本瑜
韩政男
谢明勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Priority to CN201310684294.XA priority Critical patent/CN104716245A/zh
Priority to CN202110799194.6A priority patent/CN113658943A/zh
Priority to US14/567,318 priority patent/US9917075B2/en
Publication of CN104716245A publication Critical patent/CN104716245A/zh
Priority to US15/881,401 priority patent/US10756067B2/en
Priority to US17/002,672 priority patent/US11107797B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10113—Lamp
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1461—Applying or finishing the circuit pattern after another process, e.g. after filling of vias with conductive paste, after making printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305—Affixing by adhesive

Abstract

本发明公开一种发光装置及其制作方法，发光装置包含一包含一表面的第一支撑结构，与多个位于表面上的发光单元、每一发光单元具有一侧壁、一底端与位于底端的一第一电极垫及一第二电极垫，以及一位于第一支撑结构上的第一粘着层，其中第一粘着层围绕侧壁且未直接接触底端。其中，第一支撑结构还包含多个孔洞位于对应第一电极垫与第二电极垫的位置。

Description

发光装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种发光装置，尤其是涉及一种包含具有孔洞的支撑结构的发光装置。
背景技术
从白炽灯以来，发光二极管(Light-emitting diode；LED)因为兼具节能、绿色环保、寿命长、体积小等诸多优点而在各种照明应用上逐渐取代传统照明灯具，也因此衍伸出各种不同的发光装置，分别包含单个芯片(chip)或者多个芯片作为发光源。
以多个芯片作为发光源的相关技术中，有利用蓝光芯片与红光芯片作为光源搭配荧光粉以混合出白光的白光发光二极管(White Light-emitting Diode;WLED)，在这样的结构下不论荧光粉是附着在芯片上(local)或者远离芯片(remote)，由于发光装置内部空间狭小，各个芯片发出的光以及荧光粉受激发出的光会再次经过荧光粉，使得发光装置发出的光波长偏离原先预期的波长范围。抑或是发光装置内相近的光源，同样受限于发光装置内空间狭小的因素，造成光源之间彼此干扰而影响了原先的光场设计。为了解决这个问题，无论是增加发光装置内部空间、改变芯片放置位置或在发光装置内增加导光装置(light guide)，对于成本或者发光装置的大小都有一定的影响。
除此之外，多芯片发光装置另一个常见的问题是制造流程往往过于复杂。如前所述，为了在狭小的空间内要放置多个芯片，需要同时考虑芯片配置带来的散热、光场影响以及电控设计等问题。因此如何改善多个芯片作为发光装置时，空间狭小与复杂制造流程所带来的光场变动与成本问题成为一个重要的课题。
发明内容
为达上述目的，本发明提出一发光装置，包含：一包含一表面的第一支撑结构、多个位于表面之上的发光单元，并且每一发光单元具有一侧壁、一底端与位于底端的一第一电极垫及一第二电极垫、及一位于第一支撑结构之上的第一粘着层，并且第一粘着层围绕侧壁且未直接接触底端。其中，第一支撑结构还包含多个孔洞位于对应第一电极垫与第二电极垫的位置。
本发明提出一形成发光装置的方法，包含：提供一包含第一表面与第二表面的基板、形成多个连接第一表面与第二表面的孔洞、形成一第一粘着层于第二表面之上、形成一电路结构于第一表面之上、形成多个发光单元于第二表面之上，其中每一发光单元包含一底端与形成于底端上的一第一电极垫及一第二电极垫、以及形成一第二粘着层于多个发光单元之上。其中，第一电极垫与第二电极垫的位置对应多个孔洞。
附图说明
图式用以促进对本发明的理解，是本说明书的一部分。图式的实施例配合实施方式的说明以解释本发明的原理。
图1是本发明的实施例的剖视图。
图2a-图2b是本发明的实施例的剖视图。
图3a-图3d是本发明的实施例的制作流程。
图4a-图4d是本发明的实施例的制作流程。
符号说明
发光装置:100
第一支撑结构:10
第二支撑结构:18
第一表面:12
第二表面:14
孔洞:16
第一发光单元:2
第二发光单元:4
电极垫:280、282、480、482
导电结构:20、22、40、42
侧壁:24、44
底端:26、46
第一粘着层60
第一粘着层62
区域:I、II、III
反射层:82、84
具体实施方式
图1是依据本发明的第一实施例的剖视图，发光装置100包含一第一支撑结构10，其中第一支撑结构10具有第一表面12、第二表面14以及多个从第一表面12延伸到第二表面14的孔洞16。在第一表面12上则具有第一发光单元2与第二发光单元4，其中第一发光单元2包含了两个电极垫280与282位于底端26各自与导电结构20与22连接，其中导电结构20与22经由孔洞16由第一表面12延伸到第二表面14。同样地，第二发光单元4也包含了两个电极垫480与482位于底端46各自与导电结构40与42连接，导电结构40与42也经由孔洞16由第一表面12延伸到第二表面14。并且，第一发光单元2与第二发光单元4可以发出具有相同、相异或相近主波长的非同调性光。本实施例中，第一支撑结构10上的多个孔洞16与第一支撑结构10上的发光单元其电极垫位置对应。第一发光单元2与第二发光单元4各自具有一侧壁24与44，并且侧壁24与44被第一粘着层60所覆盖，但第一粘着层60并未覆盖第一发光单元2的底端26或是第二发光单元4的底端46，而是覆盖侧壁22与24以及第一发光单元2与第二发光单元4相对于底端24、46的另一侧，同时第一粘着层60并未接触到电极垫280、282、480、482。而多个孔洞16内除了具有导电结构20、22、40、42之外，还可以在导电结构与第一支撑结构10之间具有中间层(未绘示于图中)，以增加导电结构与第一支撑结构之间的附着力。其中，导电结构用以与外部控制电路电连结，因此在一实施例中第一发光单元2与第二发光单元4可以由外部控制电路分开控制发光的状态。在一实施例中，第一发光单元2与第二发光单元4的最近距离，也就是两个相邻的发光单元各自的侧壁24与44之间的最短距离，约为10mm以下，例如1mm、3mm或7mm；而在另一实施例中，第一发光单元2与第二发光单元4的最近距离约为1mm以下，例如0.5mm、0.3mm或0.1mm，可以依据应用的目的不同改变距离。
参考图2a-图2b，发光装置102可以大致区分出三个区域。如第2a所示，在这个实施例中，第一发光单元2位于区域I之上以及第二发光单元4位于区域II之上，而位于两个区域之间的区域III上则不被发光单元所覆盖。在侧壁24与第一粘着层60之间存在有第一反射层82，并且在侧壁44与第一粘着层60之间存在有第二反射层84。在这个实施例中，第一粘着层60、第一反射层82与第二反射层84在区域III不相连。在别的实施例中，第一反射层82与第二反射层84于区域III相连，且第一粘着层60从区域I与区域II经过区域III相连。或者在某些实施例中，第一反射层82与第二反射层84在区域III内相连，但是两个区域内的第一粘着层60并不相连，使部分的第一反射层82与部分的第二反射层84并未被第一粘着层60所覆盖。在别的实施例中，区域III内第一反射层82与第二反射层84不相连，但是两个区域内的第一粘着层60在区域III的范围内相连，亦即发光装置102中，存在一部分区域中第一粘着层60与第一支撑结构10的第一表面12直接接触，并且没有第一反射层82或第二反射层84位于粘着层与支撑结构的第一表面12之间。第一反射层82与第二反射层84分别改变第一发光单元2与第二发光单元4的光行进路线，使得两个发光单元所发出的光不会互相影响。参考图2b，在这个实施例中，发光装置104仅区域I内的第一发光单元2被第一粘着层60所覆盖，第一粘着层60没有同时覆盖区域I、II与III。也可以是仅有第二发光单元4被第一粘着层60所覆盖，亦即第一粘着层60仅覆盖区域II。并且第一反射层82与第二反射层84也可以选择性地相连，并在相连的部分依然不被第一粘着层60所覆盖。在图2a的实施例中，两个发光单元发出的光线受到反射层82、84的影响，使得光线经过第一粘着层60朝远离第一支撑结构10的方向行进；图2b的实施例中，光线同样往远离第一支撑结构10的方向前进，但仅有第一发光单元2发出的光线会经过第一粘着层60。在其他实施例中，如果第一支撑结构10相对于第一发光单元2或第二发光单元4所发出的光线为透明，光线也会往第一支撑结构10的方向前进。
在其他实施例中，发光装置100、102与104被第一粘着层60所覆盖，而第一粘着层60可以包含有波长转换材料，通过波长转换材料改变发光单元所发出的光，达到混光的效果。此外，可以选择性的加入增亮剂，例如二氧化钛(TiO2)，以增加发光装置的出光量。第一粘着层60所覆盖的范围，即波长转换材料所在的范围，可以覆盖第一支撑结构10的整个第一表面12如图1所示；或者是覆盖于第一发光单元2与第二发光单元4之上，并延伸到第一反射层82与第二反射层84之上，但并不覆盖整个第一表面12，亦即至少有一个区域不被第一粘着层60所覆盖如图2a所示；抑或是第一粘着层60仅覆盖第一发光单元2并延伸到第一反射层82之上，但第二发光单元4并不被第一粘着层60所覆盖，如图2b所示。在其他实施例中，粘着层所包含的波长转换材料可以相同或者相异，亦即所包含的波长转换材料，例如荧光粉，随着所覆盖的发光单元不同而有不同。以图2a为例，位于第一发光单元2之上的第一粘着层60包含第一荧光粉，而位于第二发光单元4之上的第二粘着层60则包含第二荧光粉，使得发光装置102中具有两种荧光粉可受激发发出相同、相异或相近颜色的光。例如第一发光单元2为蓝光芯片，而第二发光单元4为UV光芯片，并在第一发光单元2上覆盖的第一粘着层60含有吸收蓝光以发出红光的荧光粉，而第二发光单元4上覆盖的第一粘着层60则包含有吸收UV光以发出红光的荧光粉，使发光装置102发出白光。以图2b为例，仅有第一发光单元2与第二发光单元4其中之一被第一粘着层60所覆盖，亦即仅有一个发光单元用来激发荧光粉；例如第一发光单元2为蓝光芯片并覆盖有发出红光的荧光粉，而第二发光单元4则可以为了光学特性，例如热态时的色温稳定或光强度，而选择使用红光芯片，使发光装置104可以发出白光。在其他实施例中，还可以在第一支撑结构10上设置有多个发光单元，并且这多个发光单元包含一第一群组与一第二群组，其中第一群组所包含的发光单元被包含着第一波长转换材料的第一粘着层所覆盖，而第二群组所包含的发光单元则可以选择性地被第一波长转换材料所覆盖。更具体地说，可以在第一支撑结构60上形成多个蓝光芯片作为发光单元，其中第一群组的蓝光芯片被红光荧光粉(第一波长转换材料)所覆盖，第二群组的蓝光芯片被绿光荧光粉(第二波长转换材料)所覆盖，此时第一群组与第二群组所发出的光便可以混出白光。或者还有其他不属于第一群组与第二群组的蓝光芯片不被荧光粉所覆盖而可以独立提供蓝光，因此发光装置上可以独立地提供红光、蓝光、绿光，或是混合成的白光，并且通过个别调整红光、蓝光及绿光而提供更大的色域范围。相对的，在其他实施例中覆盖在发光单元上的也可以是不含荧光粉的粘着层，例如多个发光单元中包含有蓝光芯片与红光芯片，也同样能混光为白光。
图3a-图3d是依据本发明的实施例的制作流程，首先提供第一支撑结构10与第二粘着层62，接着形成多个孔洞16贯穿第一支撑结构10的第一表面12与第二表面14以及第二粘着层62，如图3a所示。完成孔洞16后，接着如图3b所示填入金属等导电材料以形成导电结构20、22、40与42。而在其他实施例中，还可以先在孔洞16内侧通过镀膜的方式覆盖一层填充材料(未绘示于图中)，例如树脂，由此让孔洞16内壁更为平整，后续填入金属时可以得到较佳的致密性；当第一支撑结构10为导电材料时，便选择绝缘性质的填充材料，而当第一支撑结构10为绝缘材料时，则可以选择导电性或者绝缘性的填充材料。导电结构20、22、40与42不仅填入孔洞16内，还在第二表面14上延伸以电连结后续要设置的发光单元与外部电路(未绘示于图中)。参考图3c，形成第二支撑结构18于第二粘着层62之上，接着移除部分第二支撑结构18以利放置第一发光单元2与第二发光单元4，使得发光单元通过第二粘着层62与第一支撑结构10与第二支撑结构18相结合。导电结构20、22、40、42分别与位于第一发光单元2底端26的电极垫280、282以及位于第二发光单元4底端46的电极垫480、482电性连结。在其他实施例中，第一发光单元2与第二发光单元4不具有电极垫，此时导电结构电连接到第一发光单元2与第二发光单元4位于底端26与46的导电区域，并通过导电结构与位于第二表面14的电路结构(未绘示于图中)电性连结，以控制多个发光单元分别或者同时发出具有相同、相异或相近主波长的非同调性光。参考图3d，接着在第一发光单元2与第二发光单元4上覆盖第一粘着层60以形成发光装置200，其中第一粘着层60还填入第二支撑结构18与发光单元之间的空隙内，使第一粘着层60分别覆盖第一发光单元2的侧壁24与第二发光单元4的侧壁44。在本实施例中，第二支撑结构18的材料可以与第一支撑结构10的材料相同或者相异，并且第二支撑结构18可以避免第一发光单元2的光与第二发光单元4的光相互干扰，而得到较好的光场分布。如果第一粘着层60包含波长转换材料(例如荧光粉)，第二支撑结构18可以使荧光粉被第一发光单元2发出的光所激发出的光线不被位于侧壁44的荧光粉吸收，也不被发光单元4所吸收，因而可以避免降低发光效率。
图4a-图4d是依据本发明一实施例的制作流程，首先提供第一支撑结构10与第二粘着层62，接着形成多个孔洞16贯穿第一支撑结构10，孔洞16穿过第一表面12与第二表面14后，接着贯穿第二粘着层62，如图4a所示。其中第二粘着层62并未覆盖整个第一表面12，而是仅覆盖第一表面12的部分区域，因此贯穿第二粘着层62的孔洞16也仅位在有覆盖第二粘着层62的区域。接着如图4b所示，填入金属等导电材料以形成导电结构20、22、40与42；而在其他实施例中，还可以先在孔洞16内侧通过镀膜的方式覆盖一层填充材料(未绘示于图中)，例如树脂，由此让孔洞16内壁更为平整，后续填入金属时可以得到较佳的致密性。导电结构20、22、40与42不仅填入孔洞16内，还在第二表面14上延伸以电连结发光单元与外部电路。参考图4c，两个发光单元分别通过位于各自的底端26、46与第一支撑结构10之间的第二粘着层62与第一支撑结构10结合，并且各自位于两个发光单元与第一支撑结构10之间的第二粘着层62彼此之间不相连。接着在第一发光单元2的侧壁24覆盖反射层82，以及在第二发光单元4的侧壁44覆盖反射层84，并且两个反射层彼此之间不直接接触。而导电结构20、22、40、42分别与位于底端26的电极垫280、282以及而位于底端46的电极垫480、482电性连结，并且发光单元的电极垫的所在位置对应多个孔洞所在的位置。在其他实施例中，第一发光单元2与第二发光单元4不具有电极垫，此时导电结构则电连接到第一发光单元2与第二发光单元4位于底端26与46的导电区域，并通过导电结构与位于第二表面14的电路结构(未绘示于图中)电性连结，由此控制多个发光单元分别或者同时发出具有相同、相异或相近主波长的非同调性光。参考图4d，接着在第一发光单元2与第二发光单元4上覆盖第一粘着层60以形成发光装置300，并且第一发光单元2上的第一粘着层60与第二发光单元4上的第一粘着层60彼此不相连。在本实施例中，附着于各发光单元的第一粘着层以及反射层彼此之间不相连；而在别的实施例中，则可以选择性地让附着于各发光单元上的第一粘着层与反射层同时或各自与附着于其他发光单元的第一粘着层与反射层相连。因此，在一实施例中，第一发光单元2与第二发光单元4的反射层彼此相连结，但是第一粘着层则不相连，但在别的实施例中，第一发光单元2与第二发光单元4的反射层与粘着层则都彼此相连结。别的实施例中，第一支撑结构上有多个发光单元，部分多个发光单元之间的第一粘着层与反射层彼此不相连，另一部分多个发光单元之间的第一粘着层与反射层仅有其中一层相连结。发光装置上多个发光单元上的第一粘着层与反射层，可以全部同时相连或同时分开，或是仅有其中一层相连或分开，也可以是部分发光单元上的第一粘着层与反射层相连，而部分发光单元上的第一粘着层与反射层分开。在本实施例中，反射层可以避免第一发光单元2的光与第二发光单元4的光相互干扰，而可以得到较好的光场分布。而在第一粘着层60包含波长转换材料(例如荧光粉)时，可以避免荧光粉被一发光单元发出的光线所激发出的光被位于另外一个发光单元上的荧光粉所吸收，或是被另外一个发光单元彼此吸收所发出的光，而造成发光效率降低的情况。
参考图3d中的发光装置200与图4d中的发光装置300，通过结合图3a-3d与图4a-4d中关于制作方法的各项特征以完成不同的发光装置。例如图3c中所示，在结合第二支撑结构18与第一支撑结构10之后，先在发光单元与第二支撑结构18之间形成反射层，接着再如图3d中的步骤覆盖第一粘着层60并将第一粘着层60填入第二支撑结构18之间的空隙，在这实施例中第一粘着层60可以是介于发光单元与反射层之间，或是介于反射层与第二支撑结构18之间。或例如图4c中所示，发光单元与反射层可以先设置于第二支撑结构18的空隙内之后，再与第一支撑结构10连结，此时第二粘着层62依然覆盖第一表面12的部分区域上。除此之外还可以在发光装置上覆盖一光学元件，例如具有反射材料的光学元件，以改变光场分布。
在上述的实施例中，第一支撑结构10与第二支撑结构18的厚度可以是60μm，或是介于100-200μm之间，视孔洞16的制造方式、密度以及所需要的支撑强度而调整。穿过第一支撑结构10的孔洞16的制造方式可以通过物理或化学的方式，例如用物理性的钻孔、激光或者干蚀刻等方式移除部分支撑结构以形成贯通的孔洞16，或是用化学性的湿蚀刻以达到同样的效果。本发明实施例中的支撑结构可以是有机材质，例如酚醛树酯、玻璃纤维、环氧树脂、聚酰亚胺或双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(BT)，或者是无机材质，例如铝或者陶瓷材料。在本实施例中，还可以选择玻璃转化温度(Tg)大于200℃的材料，避免于孔洞内填入填充材料或形成导电结构时的高温造成第一支撑结构脆化而损坏，像是玻璃转化温度介于255℃到330℃之间的双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(BT)；或是具有高耐热性，例如可在150℃的温度进行制作工艺而不变形或损坏的材料，或选择在160、200或230℃等更高的温度下可以进行制造流程的材料。还可以选择具有抗湿性以及低介电常数的材料作为支撑结构，使发光装置更不容易受到外在环境影响，而增加耐用程度。实施例中的粘着层可以用涂布、点胶或射出成膜的方式覆盖在支撑结构表面上的部分或全部范围。
上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟于此项技术的人士均可在不违背本发明的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。因此本发明的权利保护范围如上述的权利要求所列。

Claims (10)

1.一发光装置，包含：
第一支撑结构，包含一表面；
多个发光单元，位于该表面之上，并且每一该发光单元具有一侧壁、一底端与位于该底端的一第一电极垫及一第二电极垫；及
第一粘着层，位于该第一支撑结构之上并围绕该侧壁；
其中，该第一支撑结构还包含多个孔洞，位于对应该第一电极垫与该第二电极垫的位置。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个发光单元包含第一群组与第二群组，并且该第一粘着层还包含有包含一第一波长转换材料的第一部分覆盖该第一群组。
3.如权利要求2所述的发光装置，其中该第一粘着层还包含有包含一第二波长转换材料的第二部分覆盖该第二群组并且不覆盖该第一群组。
4.如权利要求1所述的发光装置，还包含一第二支撑结构，位于该第一粘着层之间。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中该表面包含一第一区域，被该多个发光单元覆盖；与第二区域，未被该多个发光单元覆盖。
6.如权利要求1所述的发光装置，还包含第二粘着层，位于该底端与该支撑结构之间。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中该孔洞从该第一支撑结构的该表面延伸至相对于该表面的另一表面。
8.如权利要求7所述的发光装置，还包含多个导电结构位于该多个孔洞内。
9.如权利要求8所述的发光装置，还包含电路结构，形成于该另一表面，其中该电路结构经由该多个导电结构电连接该多个发光单元。
10.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个发光单元发出多个具有相异主波长的非同调性光。
CN201310684294.XA 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法 Pending CN104716245A (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310684294.XA CN104716245A (zh) 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法
CN202110799194.6A CN113658943A (zh) 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法
US14/567,318 US9917075B2 (en) 2013-12-13 2014-12-11 Light-emitting device and the method of manufacturing the same
US15/881,401 US10756067B2 (en) 2013-12-13 2018-01-26 Light-emitting device and the method of manufacturing the same
US17/002,672 US11107797B2 (en) 2013-12-13 2020-08-25 Light-emitting device and the method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310684294.XA CN104716245A (zh) 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110799194.6A Division CN113658943A (zh) 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104716245A true CN104716245A (zh) 2015-06-17

Family

ID=53370210

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310684294.XA Pending CN104716245A (zh) 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法
CN202110799194.6A Pending CN113658943A (zh) 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110799194.6A Pending CN113658943A (zh) 2013-12-13 2013-12-13 发光装置及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (3) US9917075B2 (zh)
CN (2) CN104716245A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511578A (zh) * 2018-04-19 2018-09-07 庄明磊 一种led照明面板
CN110260182A (zh) * 2015-07-23 2019-09-20 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN112614923A (zh) * 2020-12-17 2021-04-06 重庆工程职业技术学院 一种白光led芯片封装结构及其制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7004921B2 (ja) 2019-04-26 2022-01-21 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237462A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
CN101872823A (zh) * 2010-06-07 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法
CN102024805A (zh) * 2009-09-09 2011-04-20 松下电工株式会社 照明装置
CN102208401A (zh) * 2007-12-18 2011-10-05 亿广科技(上海)有限公司 发光二极管光条
CN102610597A (zh) * 2011-01-18 2012-07-25 矽品精密工业股份有限公司 具有发光元件的封装件及其制法
US8258620B2 (en) * 2007-08-10 2012-09-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device, method of manufacturing the circuit device, device mounting board and semiconductor module
WO2013011628A1 (ja) * 2011-07-19 2013-01-24 パナソニック株式会社 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP4496774B2 (ja) * 2003-12-22 2010-07-07 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4679183B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
US8143777B2 (en) * 2007-08-23 2012-03-27 Stanley Electric Co., Ltd. LED lighting unit with LEDs and phosphor materials
WO2010035206A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Coated light emitting device and method for coating thereof
JP5146356B2 (ja) * 2009-02-24 2013-02-20 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US8080436B2 (en) * 2009-07-30 2011-12-20 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
KR101644149B1 (ko) * 2009-12-31 2016-08-10 서울반도체 주식회사 멀티 칩 엘이디 패키지 및 그 제조방법
US8616732B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illumination device
US8491140B2 (en) * 2010-11-05 2013-07-23 Cree, Inc. Lighting device with multiple emitters and remote lumiphor
US8455895B2 (en) * 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US20120261689A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Bernd Karl Appelt Semiconductor device packages and related methods
US20130056773A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Wen Kun Yang Led package and method of the same
WO2013118072A2 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
WO2013118076A1 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Low cost encapsulated light-emitting device
US9269873B2 (en) * 2012-03-13 2016-02-23 Citizen Holdings Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
US8765500B2 (en) * 2012-08-24 2014-07-01 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for fabricating phosphor-coated LED dies
US9324926B2 (en) * 2012-11-07 2016-04-26 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
EP2927970B1 (en) * 2012-12-03 2017-08-30 Citizen Watch Co., Ltd. Led module
KR101958418B1 (ko) * 2013-02-22 2019-03-14 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
EP2984685B1 (en) * 2013-04-11 2018-12-19 Lumileds Holding B.V. Fabrication method for top emitting semiconductor light emitting devices
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
JP6276557B2 (ja) * 2013-10-25 2018-02-07 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237462A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
US8258620B2 (en) * 2007-08-10 2012-09-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device, method of manufacturing the circuit device, device mounting board and semiconductor module
CN102208401A (zh) * 2007-12-18 2011-10-05 亿广科技(上海)有限公司 发光二极管光条
CN102024805A (zh) * 2009-09-09 2011-04-20 松下电工株式会社 照明装置
CN101872823A (zh) * 2010-06-07 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法
CN102610597A (zh) * 2011-01-18 2012-07-25 矽品精密工业股份有限公司 具有发光元件的封装件及其制法
WO2013011628A1 (ja) * 2011-07-19 2013-01-24 パナソニック株式会社 発光装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110260182A (zh) * 2015-07-23 2019-09-20 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN110260182B (zh) * 2015-07-23 2022-12-02 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN108511578A (zh) * 2018-04-19 2018-09-07 庄明磊 一种led照明面板
CN112614923A (zh) * 2020-12-17 2021-04-06 重庆工程职业技术学院 一种白光led芯片封装结构及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150173132A1 (en) 2015-06-18
US20180190626A1 (en) 2018-07-05
US20210043610A1 (en) 2021-02-11
US10756067B2 (en) 2020-08-25
US9917075B2 (en) 2018-03-13
CN113658943A (zh) 2021-11-16
US11107797B2 (en) 2021-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103855142B (zh) 发光装置及照明装置
US11107797B2 (en) Light-emitting device and the method of manufacturing the same
CN102483203A (zh) 荧光灯形发光元件灯以及照明器具
CN103335226A (zh) 一种全方向出光的led球泡灯
WO2013088619A1 (ja) 発光モジュールおよびこれを用いた照明用光源、照明装置
CN103080632A (zh) 灯泡形灯及照明装置
KR20120128962A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TW201205771A (en) Light-emitting diode
CN103843466B (zh) 具有反射表面区域的半导体发光装置
CN104183686A (zh) 发光二极管器件及其制作方法
JP2009164567A (ja) 発光装置
CN103249250A (zh) 电路板及其制造方法和包括该电路板的照明装置
JP2011151248A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
US9863585B2 (en) Light source assembly and method for producing the same
US9780264B2 (en) Light-emitting element and the manufacturing method of the same
CN103423617A (zh) 发光二极管模块
CN203757410U (zh) 灯泡形灯及照明装置
CN202216200U (zh) 陶瓷封装的大功率led灯
CN203010228U (zh) 发光装置
RU160075U1 (ru) Светодиодный излучатель
CN203147325U (zh) 光源装置
CN204829330U (zh) 照明用光源及照明装置
CN104733587B (zh) 一种系统级封装的led器件
JP2010238971A (ja) 発光体および照明器具
KR101085537B1 (ko) 발광다이오드 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150617