CN112310056A - 发光装置和面发光光源 - Google Patents

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平出纪明
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Abstract

本发明提供一种能够抑制亮度不均且薄型化的发光装置。发光装置(200)具备:配线基板(10),配置于配线基板上且与配线基板的配线层电连接的多个发光元件(20),配置于配线基板上且覆盖多个发光元件的各自的侧面的光反射部件(30),各自位于多个发光元件中对应的发光元件所具有的射出面的上方的多个波长转换层(40),配置于多个波长转换层上的多个光反射层(50),以及,配置于光反射部件上且覆盖多个波长转换层和多个光反射层的至少侧面的透光性保护层(60)。保护层的上表面具有第1凹部,该第1凹部在俯视下的多个光反射层的区域以外包含至少一个凹面。

Description

发光装置和面发光光源
技术领域
本公开涉及发光装置和面发光光源。
背景技术
下述的专利文献1和2公开了具有发光元件的侧面被光反射部件覆盖的结构的发光装置。通过将发光元件的侧面用光反射部件覆盖,抑制来自发光元件的侧面的光,其结果,能够提高发光亮度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-175759号公报
专利文献2:日本特开2002-335020号公报
发明内容
作为液晶显示装置等显示装置用直下式背光灯,提出有二维排列多个发光元件的发光装置。对于这样的发光装置,要求改善光的提取效率以及进一步的薄型化等。
本公开的发光装置在非限定性例示的实施方式中,具备配线基板、配置于上述配线基板上且与上述配线基板的配线层电连接的多个发光元件、配置于上述配线基板上且覆盖上述多个发光元件的各自的侧面的光反射部件、各自位于上述多个发光元件中所对应的发光元件所具有的射出面的上方的多个波长转换层、配置于多个波长转换层上的多个光反射层、配置于上述光反射部件上且覆盖上述多个波长转换层和上述多个光反射层中的至少侧面的透光性保护层,并且,上述保护层的上表面具有第1凹部,该第1凹部在俯视下的上述多个光反射层的区域以外包含至少一个凹面。
根据本公开的例示的实施方式,提供抑制从光源射出的光的亮度不均且能够实现薄型化和/或小型化的新型发光装置。
附图说明
图1是示意地表示本公开的一个实施方式的发光装置200的结构的一个例子的剖视图。
图2是示意地表示图1所示的发光装置200的结构的另一个例子的剖视图。
图3是表示本实施方式的发光装置200的例示性外观的示意性顶视图。
图4是将被图3所示的虚线的矩形围起的4×4个段的区域放大而进行示意性表示的图。
图5是对图4所示的段区域的配线图案的布局例进行说明的图。
图6是示意性地表示本公开的另一个实施方式的发光装置200A的结构的一个例子的剖视图。
图7是示意性地表示图6所示的发光装置200A的结构的又一个例子的剖视图。
图8是表示图6和图7中示出的凸部30w的剖面形状的例子的示意性剖视图。
图9是表示图6和图7中示出的凸部30w的剖面形状的例子的示意性剖视图。
图10是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200B的结构的一个例子的剖视图。
图11是示意性地表示图10所示的发光装置200B的结构的又一个例子的剖视图。
图12是表示作为分隔结构DV的槽60g的配置的一个例子的示意性顶视图。
图13是表示作为分隔结构DV的槽60g的配置的另一个例子的示意性顶视图。
图14是表示图10和图11中示出的槽60g的剖面形状的例子的示意性剖视图。
图15是表示图10和图11中示出的槽60g的剖面形状的另一个例子的示意性剖视图。
图16是表示图10和图11中示出的槽60g的剖面形状的又一个例子的示意性剖视图。
图17是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200C的结构的一个例子的剖视图。
图18是示意性地表示图17所示的发光装置200C的结构的又一个例子的剖视图。
图19是表示可设置于槽60g的内部的分隔部件的形状的又一个例子的示意性剖视图。
图20是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200D的结构的一个例子的剖视图。
图21是示意性地表示图20所示的发光装置200D的结构的又一个例子的剖视图。
图22是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200E的结构的一个例子的剖视图。
图23是示意性地表示图22中示出的发光装置200E的结构的又一个例子的剖视图。
图24是示意性地表示本公开的又一个实施方式的面发光光源300的结构的一个例子的剖视图。
图25是示意性地表示图24中示出的面发光光源300的结构的又一个例子的剖视图。
图26是例示本实施方式的面发光光源300的剖面结构中的光源部100的边缘的部分的剖视图。
图27是对发光装置200的例示的制造方法中包含的各制造工序进行说明的工序剖面图。
图28是对发光装置200的例示的制造方法中包含的各制造工序进行说明的工序剖面图。
图29是对发光装置200的例示的制造方法中包含的各制造工序进行说明的工序剖面图。
图30是对面发光光源300的例示的制造方法中包含的制造工序进行说明的工序剖面图。
图31是对发光装置的制造方法的变形例中包含的各制造工序进行说明工序剖面图。
图32是对发光装置的制造方法的变形例中包含的各制造工序进行说明的工序剖面图。
图33是对发光装置的制造方法的变形例中包含的各制造工序进行说明的工序剖面图。
图34是对具有由图31~图33所示的制造工序得到的发光装置200S的面发光光源300S的例示的制造工序进行说明的工序剖面图。
符号说明
10:配线基板
10a,20a,30a,60a,70a:上表面
10b,20b,71b:下表面
11:绝缘层
12a:第1导体配线层
12b:第2导体配线层
13:导通孔
15a,15b:连接盘
20:发光元件
20c:侧面
21a:正极
21c:负极
25:电路元件
30,30A,30S :光反射部件
30w:凸部
31:(第2)凹部
31c,61c:凹面
40:波长转换层
45:粘接层
50,50D:光反射层
50a:上表面
60,60B:保护层
61:(第1)凹部
65,65f:分隔部件
70:透光层叠体
70s:分界线
71:扩散板
72,73:棱镜阵列层
80,81:胶带
90:框
100,100A,100B,100D,100S:光源部
200,200A~200E,200S:发光装置
300,300S:面发光光源
DV:分隔结构
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下的实施方式是例示,本公开的发光装置不限于以下的实施方式。例如,以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、步骤及其步骤的顺序等终究是一个例子,只要技术上不产生矛盾,就可以进行各种改变。以下说明的各实施方式终究是例示,技术上不产生矛盾就可以进行各种组合。
附图表示的构成要素的尺寸、形状等,有时为了容易理解而进行夸张,存在不能反映实际的发光装置和面发光光源的尺寸、形状以及构成要素间的大小关系的情况。另外,为了避免附图过于复杂,有时省略一部分要素的图示。
以下的说明中,将具有实质上相同的功能的构成要素以相同的参照符号表示,有时省略说明。以下的说明中,有时使用表示特定的方向或者位置的用语(例如,“上”、“下”、“右”、“左”以及包含这些用语的其它用语)。然而,这些用语只不过是为了容易理解所参照的附图中的相对的方向或者位置而使用的。如果参照的附图中的“上”,“下”等用语所代表的相对的方向或者位置的关系是相同的,则在本公开以外的附图、实际的制品,制造装置等中,可以不是与参照的附图相同的配置。本公开中“平行”只要没有说明,就包括2个直线、边、面等在0°~±5°左右的范围的情况。另外,本公开中“垂直”或者“正交”只要没有说明,就包括2个直线、边、面等在90°~±5°左右的范围的情况。
[1.发光装置200的结构]
图1是表示本公开的一个实施方式的发光装置200的结构的一个例子的剖视图。图2是表示发光装置200的结构的又一个例子的剖视图。图3是本实施方式的发光装置200的例示性顶视图。图1和图2所示的示意性剖面相当于图3所示的A-A’线剖面的一部分。这些图中记载了相互正交的x轴、y轴和z轴。本公开的附图中示出的x轴、y轴和z轴各自表示的方向在全部附图之间是共同的。
发光装置200具有配线基板10和安装于配线基板10上的光源部100。图1和图2中例示的构成中,光源部100具有多个发光元件20、覆盖各发光元件20的至少侧面的光反射部件30、多个波长转换层40、多个光反射层50和保护层60。发光装置200的整体厚度(z方向的高度)例如为0.60mm左右。如图3所例示,光源部100的俯视形状的典型例为矩形。光源部100的x方向的长度Lx1和y方向的长度Ly1例如为52.0mm左右。
多个发光元件20可以一维或者二维地排列在配线基板10的上表面10a。在本实施方式中,多个发光元件20沿相互正交的2个方向(这里为x方向和y方向)二维地排列。图3所示的例子中,沿x方向排列有26个发光元件20,并且,沿y方向排列有26个发光元件20。即,光源部100具有676个发光元件20。该例子中,x方向的排列间距px与y方向的排列间距py相等。这里,发光元件的阵列间距是邻接的2个发光元件的与射出面垂直的光轴L间的距离(例如参照图1)。排列间距px、py可以分别设定为0.5mm~10.0mm。本实施方式中,排列间距px和py分别为2.0mm左右。
如图1和图2示意性所示,多个发光元件20配置在光源部100内。图3中例示的构成中,光源部100包含各具有一个发光元件20的676个区域。以下,为了便于说明,有时将具有1个发光元件的单位称为段或者单位区域。以下,对各构成要素进行详细说明。
(配线基板10)
配线基板10具有上表面10a和下表面10b。在配线基板10的上表面10a侧配置并支承有多个发光元件20。配线基板10具有各自具有配线图案的多个导体配线层(或者金属层)和绝缘层11。在本实施方式中,配线基板10具有层叠第1导体配线层12a和第2导体配线层12b而成的结构。第1导体配线层12a和第2导体配线层12b经由设置于绝缘层11内的导通孔13进行电连接。绝缘层11的一部分覆盖配线基板10的上表面10a中的安装有发光元件20的区域以外的区域。应予说明,对导体配线层所具有的配线图案,之后详细说明。
配线基板10的典型例是可用卷对卷方式制造的柔性印刷电路基板(FPC)。在本实施方式中,作为安装光源部100的配线基板10,例示FPC。FPC具有膜状的绝缘体(树脂)和例如由铜形成的导体配线层。作为构成FPC的绝缘体的树脂材料,可以举出酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、BT树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。通过使用FPC作为配线基板10,能够使发光装置轻型化、薄型化。
例如,配线基板10的x方向的长度Lx2为55.0mm左右,y方向的长度Ly2为60.0mm左右。可以适当地选择配线基板10的厚度(图中的z方向的高度),其厚度(图中的z方向的高度)可以为0.170mm左右。
从耐热性和耐光性优异的观点考虑,作为配线基板10的材料,可以选择陶瓷。该情况下,配线基板10为刚性基板。刚性基板可以是可弯曲的薄型的基板。作为陶瓷,例如,可举出氧化铝、莫来石、镁橄榄石、玻璃陶瓷、氮化物系(例如,AlN)、碳化物系(例如,SiC)等。
另外,配线基板10的绝缘体可以由玻璃纤维强化树脂(玻璃环氧树脂)等复合材料形成。即,上述的树脂材料中可以混合玻璃纤维、SiO2、TiO2、Al2O3等无机填料。由此,能够提高配线基板10的机械强度。另外,能够降低热膨胀系数,提高光反射率。
图1和图2中例示的构成的各自中,第1导体配线层12a设置于配线基板10的上表面10a侧。多个发光元件20各自具有的正极(阳极)21a和负极(阴极)21c与第1导体配线层12a电连接。另一方面,第2导体配线层12b设置于配线基板10的下表面10b侧。第2导体配线层12b具有用于从外部的控制电路(未图示)经由配线基板10的连接器C(参照图3)向多个发光元件20供给电力的配线图案。导体配线层的材料可以根据配线基板10的绝缘体所使用的材料、制造方法等适当地选择。例如,使用环氧树脂作为配线基板10的绝缘体的材料时,导体配线层的材料优选选择容易加工的材料。例如,通过镀覆、溅射、蒸镀、基于加压的粘贴形成铜、镍等金属层,通过光刻等而将金属层加工为规定的配线图案,从而得到配线基板10的导体配线层。或者,可以通过印刷得到导体配线层。通过在配线图案上涂布阻焊剂,配线图案的表面的氧化得到抑制。
使用陶瓷作为配线基板10的绝缘体的材料时,作为导体配线层的材料,可以使用能够与陶瓷同时煅烧的高熔点金属。例如,可以由钨、钼等高熔点金属形成导体配线层。导体配线层可以具有多层结构。例如,导体配线层可以具有由上述的方法形成的高熔点金属的图案,以及,通过镀覆、溅射、蒸镀等形成在该图案上的镍、金、银等其他金属的金属层。
参照图4和图5对可设置于配线基板10的配线图案的例子进行详细说明。
图4是对包含由图3中示出的虚线的矩形围起的4×4个段的区域(以下,有时简称为“段区域”。)放大表示的。图5表示段区域的配线图案的布局例。
二维排列的676个发光元件20与设置于第1导体配线层12a的配线图案电连接。设置于第1导体配线层12a的配线图案经由导通孔13与设置于第2导体配线层12b的配线图案电连接。设置于第2导体配线层12b的配线图案与连接器C电连接。利用这样的电连接关系,能够从外部的控制电路(不图示)经由配线基板10的连接器C向多个发光元件20供给电力。
图5表示阳极侧和阴极侧的连接盘15a、15b的形状例,该连接盘15a、15b用于将各段的发光元件20所具有的正极21a、负极21c安装于设置于第1导体配线层12a的配线图案上。图4和图5所示的例子中,第1导体配线层12a各自包含在x方向延伸的多个配线图案PA1。这些配线图案PA1沿段的4行4列的排列的y方向地配置,各配线图案PA1具有位于同一行的多个连接盘15a之间的连接。即,各配线图案PA1将位于同一行的多个发光元件20的正极21a彼此电连接。位于多个行的多个配线图案PA1经由导通孔13与设置于第2导体配线层12b的共同的配线图案PA2电连接。配线图案PA2沿y方向延伸,与连接器C连接。利用该连接关系,从配线图案PA2向全部的发光元件20的正极21a供给共同的电压驱动信号。
另外,第1导体配线层12a还包含与每个段对应设置的阴极的配线图案PC1。阴极的配线图案PC1与阴极侧的连接盘15b连接,经由导通孔13与配线图案PC2电连接。配线图案PC2与每个段对应地设置于第2导体配线层12b,与连接器C连接。利用该连接关系,经由配线图案PC2以段为单位向发光元件20的负极21c供给电压驱动信号。
上述的阳极和阴极的配线图案能够以段为单位驱动发光元件矩阵。光源部100可以进行局部调光动作。
再次,参照图1。
(发光元件20)
如上所述,在本实施方式中,多个发光元件20沿x方向和y方向二维地排列,x方向的排列间距px与y方向的排列间距py相等。然而,多个发光元件20的排列不限于该例。在x方向与y方向之间发光元件20的排列间距可以不同,多个发光元件20的二维排列的2个方向可以不正交。另外,排列间距不限于等间隔,也可以是不等间隔。例如,可以以从配线基板10的中央向周边间隔变宽的方式排列多个发光元件20。
发光元件20是半导体发光元件,作为发光元件20,可以利用半导体激光器、发光二极管等公知的发光元件。本实施方式中,作为发光元件20例示发光二极管。从发光元件20射出的光的波长可以选择任意的波长。例如,作为产生具有蓝色~绿色的波长的光的发光元件,可以应用使用了ZnSe、氮化物系半导体(InxAlyGa1-x-yN,0≤X,0≤Y,X+Y≤1)、GaP的元件。另外,作为产生具有红色的波长的光的发光元件,可以使用包含GaAlAs、AlInGaP等半导体的半导体发光元件。并且,也可以将由这些以外的材料形成的半导体发光元件用于发光元件20。使用的半导体的组成以及发光元件的发光色、大小以及个数等可以根据目的、设计式样适当地选择。
发光元件20例如具有透光性的基板和层叠于基板上的半导体层叠结构。半导体层叠结构包括有源层和夹着有源层的n型半导体层和p型半导体层。发光元件20优选含有能够射出短波长的光的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN,0≤X,0≤Y,X+Y≤1)。由此,能够高效激发后述的波长转换层40中的荧光体。可以根据半导体的材料和/或其混晶度来选择各种发射波长。
n型半导体层和p型半导体层分别与负极21c和正极21a电连接。发光元件20具有射出光的上表面(或者射出面)20a和位于与上表面20a相反的一侧的下表面20b。发光元件20可以在同一面侧具有正负的电极,可以在不同的面具有正负的电极。本实施方式的正极21a和负极21c都位于下表面20b侧。
发光元件20的正极21a和负极21c电连接并固定在设置于配线基板10的上表面10a的第1导体配线层12a。在本实施方式中,配线基板10可以使用FPC。发光元件20可以以光源部100的形式安装于配线基板10,也可以直接安装于配线基板10。
发光元件20典型的是裸芯片。发光元件20可以具备用于扩大从上表面20a射出的光的射出角度的透镜等。从配线基板10的上表面10a到发光元件20的上表面20a为止的z方向的高度例如可以约为0.425mm。
设置于发光装置200的多个发光元件20可以包含2种以上的发光元件20。多个发光元件20,例如可以包含产生具有蓝色的波长的光的发光元件、产生具有绿色的波长的光的发光元件和产生具有红色的波长的光的发光元件。从提高从发光装置200射出的光的显色性的观点来决定发光装置200使用的发光元件的种类。
(光反射部件30)
光反射部件30是配置于配线基板10上的、覆盖配线基板10的上表面10a和多个发光元件20的各自的侧面20c的部件。光反射部件30可以以覆盖正极21a和负极21c且埋入发光元件20的下表面20b和配线基板10的上表面10a之间的缝隙的方式形成。但是,该缝隙中可以填充底部填充树脂。利用底部填充树脂,能够缓和由发光元件20与配线基板10之间的热膨胀系数之差产生的应力或能够提高散热性。
光反射部件30由包含树脂和分散于树脂的反射材料的粒子的材料形成。反射材料的粒子的例子是氧化钛、氧化铝、氧化硅、氧化锌等氧化物的粒子。氧化物的粒子的平均粒径例如为0.05μm~30μm左右。光反射部件30可以进一步含有颜料、光吸收材料、荧光体等。用于形成光反射部件30的树脂材料可以使用以丙烯酸树脂、环氧树脂等为主成分的光固化性树脂。光反射部件30中的使光散射的反射材料的粒子可以均匀地分布。
光反射部件30的上表面30a可以具有包含至少一个凹面31c的凹部31(第2凹部)。凹部31的形状可以由制造光反射部件30时使树脂材料固化后产生的凹痕来规定。凹部31可以具备具有连续地形成的多个凹面31c的结构。例如,上表面30a可以具有凹部31,该凹部31具有俯视下在光反射部件30的上表面30a中的多个发光元件20之间的区域连续地形成的多个凹面31c。更详细地说明,则凹部31可以包含各自在x方向延伸的多个槽和各自在y方向延伸的多个槽。俯视下,在x方向延伸的多个槽分别位于与y方向邻接的2个发光元件20的上表面20a之间,在y方向延伸的多个槽分别位于与x方向邻接的2个发光元件20的上表面20a之间。在x方向延伸的多个槽与在y方向延伸的多个槽可以相互交叉。在光反射部件30的上表面30a中的多个发光元件20的多个上表面20a的区域以外的区域形成有在x方向延伸的多个槽和在y方向延伸的多个槽,它们相互交叉,从而凹部31可以格子状地形成于上表面30a。对于凹部的形状,具体而言,对于凹痕的凹面的曲率可以通过调整树脂中含有的反射材料的浓度来控制,理论上,可以精密地控制多个凹面的形状。如后所述,凹部31被形成保护层60的树脂材料所填充。
光反射部件30具有保护多个发光元件20的功能。另外,光反射部件30具有将从发光元件20特别是从侧面20c发出的光反射并向发光元件20的上方导光的功能。其结果,能够提高从发光元件20发出的光的利用效率。光反射部件30还具有将从后述的波长转换层40向保护层60入射的光反射并向光源部100的与配线基板10相反的一侧导光的功能。而且,上表面30a具有凹部31的情况下,因凹痕的凹面而使光的反射次数在光反射部件30内增加,因此能够进一步提高光的提取效率。通过在发光元件20的下表面20b侧也设置光反射部件30,能够利用光反射部件30将朝向配线基板10的上表面10a的光反射,从而向发光元件20的上方导光。其结果,能够提高从发光元件20发出的光的利用效率。
(波长转换层40)
波长转换层40配置于多个发光元件20中的所对应的发光元件20所具有的射出面20a的上方。换言之,多个波长转换层40位于多个发光元件20的上方。如图2所示,发光装置200还可以具有位于多个发光元件20所具有的多个射出面20a与多个波长转换层40之间的多个粘接层45。换句话说,在多个发光元件20各自具有的上表面20a与多个波长转换层40中的与该发光元件20对应的波长转换层40之间可以配置有粘接层45。
波长转换层40典型的是由树脂中分散有荧光体的粒子的材料形成。波长转换层40吸收从发光元件20射出的光的至少一部分,产生与从发光元件20发出的光的波长不同波长的光。例如,波长转换层40将来自发光元件20的蓝色光的一部分进行波长转换而产生黄色光。根据这样的构成,由在波长转换层40通过的蓝色光和从波长转换层40发出的黄色光的混色,得到白色光。波长转换层40的厚度例如可以设定为100μm~200μm的范围。本实施方式的波长转换层40的厚度例如可以为100μm左右。
作为分散荧光体等粒子的母材,可以使用有机硅树脂、改性有机硅树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、脲树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或氟树脂、或者包含这些树脂的2种以上的树脂。通过使与母材折射率不同的材料分散在波长转换层40的材料中,可以对波长转换层40赋予光扩散的功能。例如,可以使氧化钛、氧化铝、氧化硅、氧化锌等粒子分散在波长转换层40的母材中。
荧光体可以使用公知的材料。荧光体的例子,有KSF系荧光体等氟化物系荧光体、CASN等氮化物系荧光体、YAG系荧光体,β赛隆荧光体等。YAG系荧光体是将蓝色光转换为黄色光的荧光体的例子,KSF系荧光体和CASN是将蓝色光转换为红色光的荧光体的例子,β赛隆荧光体是将蓝色光转换为绿色光的荧光体的例子。荧光体也可以是量子点荧光体。
波长转换层40可以含有例如将蓝色光分别转换为红色光和绿色光的多种的荧光体。该情况下,发光装置200通过使从发光元件20发出的蓝色光入射到波长转换层40,能够将红色、蓝色、绿色的光混合而射出白色光。并不是必须设置于发光装置200的多个波长转换层40中包含的荧光体在它们之间是相同的。可以在多个波长转换层40之间使荧光体不同。
(光反射层50)
如图1和图2所示,多个光反射层50配置于多个波长转换层40上。光反射层50各自为使入射光的一部分透过而将一部分反射的半遮光层。光反射层50的厚度例如可以设定为50μm~100μm的范围。本实施方式的光反射层50的厚度例如可以为50μm左右。光反射层50与光反射部件30同样为树脂和分散于树脂的反射材料的粒子,可以由包含氧化钛、氧化铝、氧化硅等氧化物的粒子的材料形成。氧化物的粒子的平均粒径例如为0.05μm~30μm左右。光反射层50还可以进一步含有颜料、光吸收材料、荧光体等。用于形成光反射层50的树脂材料可以使用以丙烯酸树脂、环氧树脂等为主成分的光固化性树脂。
俯视下,多个波长转换层40与多个光反射层50重叠。但是,多个波长转换层40可以分别与多个光反射层50中所对应的光反射层50的至少一分重叠。波长转换层40或者光反射层50的区域包含多个发光元件20中所对应的发光元件20所具有的射出面20a。即,关注某一个段时,俯视下的波长转换层40或者光反射层50的区域的面积等于或者大于射出面20a的面积。光反射层50的区域的中心和波长转换层40的区域的中心优选位于在与对应的发光元件20的射出面20a垂直的方向延伸的光轴L上。
多个光反射层50(或者多个波长转换层40)各自的区域典型的是俯视下具有矩形的形状。例如,光反射层50的区域为正方形,其一边的长度可以为0.5mm左右。但是,光反射层50的区域有时也可以具有圆形状。
通过将光反射层50设置于发光元件20正上方的位置,能够有效地屏蔽从波长转换层40向与光轴L平行的方向发出的光,提高发光元件20的正上方以外的区域的亮度。换言之,能够有效地抑制发光装置200的上表面的亮度不均,得到更均匀的光。
在本实施方式中,从发光元件20的射出面20a到光反射层50为止的距离非常短,为100μm左右。因此,俯视下,例如,通过光反射层50的区域与射出面20a完全重叠,能够将光反射层50的面积设为最小限,并且抑制发光元件20的正上方的区域的亮度,提高发光元件20的正上方以外的区域的亮度。光反射层50的区域为圆形状,并且发光元件20的射出面20a具有正方形时,光反射层50的区域的直径可以等于射出面20a的正方形的对角线的长度。
多个光反射层50各自在俯视下可以具有点状的光反射图案。即,各光反射层50各自可以是形成为点状的多个光反射部件的集合。该情况下,可以从光反射层50的区域的外侧向中心变高增加光反射层50内的光反射图案的点密度。作为一个例子,点状的光反射图案可以为由使光反射层50中的光散射的反射材料的粒子的分布所规定的图案。反射材料的粒子可以在发光元件20的配光角的绝对值小的区域(即距光轴L的倾斜小的角度范围),以比配光角的绝对值大的区域更高的密度分布。这样,能够根据配光角的绝对值来改变透光率,能够根据点的密度来控制光的反射率或者透射率。另外,作为另一个例子,通过控制光反射层50的膜厚,能够根据配光角的绝对值来改变透光率。可以随着发光元件20的配光角的绝对值变小,换句话说,随着从光反射层50的区域的外侧接近光轴,逐渐增大光反射层50的膜厚。
(保护层60)
保护层60是配置于光反射部件30上的、覆盖多个波长转换层40和多个光反射层50的至少侧面的层。如图1所示,保护层60还可以以覆盖多个光反射层50所具有的多个上表面50a的方式形成。
图1所示的例中,保护层60的上表面60a中的位于光反射层50的上方的区域是平坦面。但是,保护层60的上表面60a中的位于光反射层50的上方的区域也可以为向保护层60的上方凸出的曲面。这种情况下,保护层60的上表面60a中的位于光反射层50的上方的区域的中心部的高度与周缘部的高度之间的差例如可以为10nm~50μm。
如图2所示,多个上表面50a可以不被保护层60覆盖。换句话说,多个上表面50a可以从保护层60露出。
本实施方式中,保护层60是透光性的树脂层,与保护层60对置的光反射部件30的上表面30a与保护层60相接。作为保护层60的材料,例如,可以使用丙烯酸树脂、环氧树脂、有机硅树脂或者混合这些的树脂材料。保护层60可以含有氧化钛、氧化铝、氧化硅、氧化锌等光扩散材料。由此,能够使从波长转换层40向保护层60入射的光或者被光反射部件30反射的光扩散。其结果,能够抑制发光装置200的上表面的亮度不均。保护层60的厚度(从光反射部件30的上表面30a到保护层60的上表面60a为止的沿图的z方向的距离)例如可以为150μm左右。
保护层60的上表面60a具有包含至少一个凹面61c的凹部61(第1凹部)。凹部61的形状可以由保护层60的形成时使树脂材料固化后产生的凹痕来规定。例如,凹部61可以具备具有连续地形成的多个凹面61c的结构。本申请的图1、图2等附图中,从容易理解的观点出发,特别将凹部61的形状夸张地进行了图示。俯视下,保护层60的上表面60a可以具有在上表面60a中的多个光反射层50之间的区域连续地形成的多个凹面61c。凹部61可以具有如下形状:俯视下在保护层60的上表面60a中与多个光反射层50重叠的区域以外具有在x方向或y方向延伸的多个凹面。例如,凹部61可以通过各自在x方向延伸的多个槽和各自在y方向延伸的多个槽的交叉,从而格子状地形成在上表面60a。图1所示的剖面结构中,各自的凹面61c的底61a(上表面60a中最低的部分)位于相对于波长转换层40的上表面的位置的下方,换句话说,位于光反射部件30侧。对于凹部的形状,具体而言,对于凹痕的凹面的曲率,可以通过调整树脂材料的浓度而进行控制。另外,也能够精密地控制多个凹面的形状。
发光装置200由材料不同的多个部件构成。因此,因各部件的热膨胀系数之差而产生应力,发光装置200可能产生弯曲。一般,主要由树脂材料形成的部件,比FPC更容易热膨胀。例如,在发光装置200工作时发光元件20发热而使内部温度上升,因配线基板10与保护层60或者光反射部件30等部件之间的热膨胀系数之差,导致发光装置200有时产生弯曲。保护层60和光反射部件30中的至少一者可以具有比配线基板10更大的热膨胀系数。例如,配线基板10的热膨胀系数为20ppm/℃左右,光反射部件30的热膨胀系数为100ppm/℃左右,保护层60的热膨胀系数为200ppm/℃左右。因此,有可能因发光元件20的发热而导致发光装置200在热膨胀系数大的保护层60侧翘曲(发光装置200的中央部在图中的+z方向凸出而翘曲)。
本实施方式的发光装置200在保护层60的上表面60a具有凹部61。根据在保护层60的上表面60a具有凹部61的构成,与发光装置200的弯曲相反(图中的-z方向)地凹部61凹陷,因此即便像保护层60和光反射部件30那样主要由树脂形成的部件膨胀时,也能够缓和弯曲的程度,具有这样的优点。并且,图1中例示的构成和图2中例示的构成中,光反射部件30的上表面30a也形成有凹部31。凹部31也在与发光装置200容易弯曲的方向相反的方向(在图中的-z方向)凹陷,因此能够进一步缓和弯曲的程度。这样,根据本公开的实施方式,能够缓和由光反射部件30或者保护层60与配线基板10之间的热膨胀系数之差而产生的弯曲的程度。
图6是示意性地表示本公开的另一个实施方式的发光装置200A的结构的一个例子的剖视图。图7是示意性地表示发光装置200A的结构的另一个例子的剖视图。与图1和图2同样,图6和图7示意性示出在与图3所示的A-A’线相同的位置将发光装置200A切断时的剖面的一部分。图6中例示的构成中,与参照图1说明的例子同样,保护层60覆盖光反射层50的上表面50a。另一方面,图7中例示的构成中,与参照图2说明的例子同样,光反射层50的上表面50a从保护层60露出。
本实施方式的发光装置200A,如图6和图7中虚线椭圆所示,在排列于配线基板10的多个发光元件20的排列中,具有位于相互邻接的2个发光元件20之间的分隔结构DV。如后述,分隔结构DV例如设置为包围多个发光元件20,规定各自包含多个发光元件20中的一个的单位区域。
与图1和图2所示的发光装置200相比,代替光源部100,发光装置200A具有光源部100A。光源部100A可以包含光反射部件30A代替光反射部件30。光反射部件30A在其上表面30a侧具有从光反射部件30A向保护层60内突出的凸部30w。即,该例中,分隔结构DV以位于光反射部件30A的上表面30a的凸部30w的形式设置在发光装置200A上。
该例子中,在凹部31的内部形成有凸部30w。例如俯视下凹部31沿某个方向延伸时,凸部30w也沿凹部31线状地形成。换言之,凸部30w可以为沿凹部31延伸的壁状的结构。
以光反射部件30A的上表面30a为基准时的、凸部30w中的最高的部分(顶部),在图中的Z方向上,例如位于波长转换层40的下表面与上表面之间。如后述,凸部30w例如有与光反射部件30A的材料相同的材料形成,从而具有光反射性。即,作为分隔结构DV的凸部30w具有抑制从相互邻接的2个单位区域中的一个单位区域中的发光元件20发出的光向另一个单位区域内入射的功能。
设置这样的分隔结构DV以包围各单位区域的发光元件20,从而在例如使相互邻接的2个单位区域中的一个发光元件20为点亮状态,使另一个发光元件20为熄灭状态时,能够抑制光进入发光元件20熄灭的单位区域。因此,单位区域间的边界的对比度提高,其结果,能够更好地应用局部调光动作。
图8和图9示出凸部30w的剖面形状的例子。凸部30w的剖面形状不限定于如图6和图7中例示的矩形状、梯形状,也可以为如图8所示的三角形状或者图9所示的半圆形状。或者,凸部30w的剖面形状也可以为半椭圆形状、不规则形状。凸部30w的表面的剖面图中的形状也不限于直线状或者圆弧状,也可以为任意的曲线状或者包含高低差或弯曲的形状。
图10是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200B的结构的一个例子的剖视图。图11是示意性地表示发光装置200B的结构的又一个例子的剖视图。与图6和图7同样,图10和图11也示意性示出在与图3所示的A-A’线相同的位置切断发光装置200B时的剖面的一部分。
与图1和图2所示的发光装置200相比,图10和图11中例示的发光装置200B具有在其一部分包含保护层60B的光源部100B代替光源部100。图11是从保护层60B露出光反射层50的上表面50a的例子。
在保护层60B设置有作为分隔结构DV的槽60g。与上述的凸部30w同样,槽60g可以为沿凹部31线状地延伸的结构。从光反射层50导入到保护层60B,入射到规定槽60g的形状的侧面的光的一部分在槽60g的侧面的位置被反射。即,通过在保护层60B设置槽60g,从而与在光反射部件30A形成凸部30w作为分隔结构DV的情况同样地得到抑制相互邻接的2个单位区域间的漏光的效果。
图12示意性地表示作为分隔结构DV的槽60g的配置的一个例子。图12示出了光源部100B具有18行18列的单位区域的排列的情况下的槽60g的配置的一个例子。图12中例示的构成中,分隔结构DV包含多个槽60g。这些槽60g各自二维地排列的单位区域UR中相互邻接的2个单位区域间沿x方向或者y方向直线状延伸。换言之,该例中的分隔结构DV为设置于光源部100B的保护层60B的格子状的槽。各槽60g的俯视图中的宽度例如为220μm左右。
槽60g不限于沿x方向或者y方向从光源部100B的一端到另一端连续直线状地延伸的结构。图13中例示的构成中,关注位于二维地排列的多个单位区域UR中最外周的单位区域以外的单位区域的一个时,以包围该单位区域中包含的发光元件20的方式配置4个槽60g。这样,槽60g可以设置为包围单位区域UR中的发光元件20。不是必须具有各单位区域UR中包围发光元件20的连续的形状(例如矩形状)。另外,对于单位区域UR的二维排列中位于最外周的单位区域,不是必须槽60g俯视下包围发光元件20的四方。
对于上述的凸部30w的配置,也可以设为与槽60g的配置相同。与槽60g同样,凸部30w也可以以包围各单位区域UR的发光元件20的方式设置于光源部100A。例如,作为分隔结构DV的凸部30w可以以格子状的壁部的形式形成于光反射部件30A的上表面30a。
图14~图16示出槽60g的剖面形状的例子。槽60g的形状不限定于如图10和图11中例示的V槽,可以采用各种的形状。图14是以U槽的形式在保护层60B设置槽60g的例子。这样,规定槽60g的形状的1个以上的侧面的形状不限于平面状,也可以是包含曲面的形状。槽60g的侧面的剖视下的形状不限于直线状或圆弧状或者这些的组合,也可以为包含高低差或者弯曲的形状。
对于槽60g的深度,例如,从保护层60B的上表面60a到光反射部件30的上表面30a为止的距离的例如20%~100%的范围。从相互邻接的2个单位区域UR之间的对比度的提高的观点出发,以到达光反射部件30的上表面30a地形成槽60g是有利的。这时,槽60g的剖面形状如图15中例示可以为梯形状。图16是以侧面相对于光反射部件30的上表面30a基本垂直的方式形成槽60g的例子。应予说明,以达到光反射部件30的上表面30a的深度形成槽60g时,保护层60B包含空间上与单位区域UR对应地分离的多个部分。应予说明,槽60g的宽度不是必须从保护层60B的上表面60a向光反射部件30的上表面30a变窄。可以采用位于保护层60B的上表面60a的槽60g的开口的宽度比位于槽60g中保护层60B的内部的部分的宽度更窄的形状。
图17是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200C的结构的一个例子的剖视图。图18是示意性地表示发光装置200C的结构的又一个例子的剖视图。与参照图10说明的例子同样,图17所示的发光装置200C包含配线基板10和光源部100B,该例中的分隔结构DV除了槽60g,还具有位于槽60g的内部的分隔部件65。同样,图18所示的发光装置200C与图11所示的例子比较,包含位于槽60g的内部的分隔部件65。
分隔部件65例如由与光反射层50或者光反射部件30相同的材料形成,从而具有光反射性。图17所示的例子和图18所示的例子中,槽60g的内部被分隔部件65填充。通过在槽60g的内部配置分隔部件65,能够更有利地提高相互邻接的2个单位区域UR之间的对比度。分隔部件65可以配置在所有槽60g内,也可以配置在一部分槽60g内。槽60g的内部可以像这些例子那样被分隔部件65填充,也可以被空气充满。
图19示出可设置于槽60g的内部的分隔部件的形状的另一个例子。图19所示的例子中,层状的分隔部件65f以覆盖槽60g的侧面的方式配置于分隔结构DV。如该例子,例如可以以树脂层的形式在槽60g内形成分隔部件。分隔部件65f也可以为金属膜、电介质多层膜等反射膜。
图20是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200D的结构的一个例子的剖视图。图21是示意性地表示发光装置200D的结构的又一个例子的剖视图。与参照图1说明的构成比较,图20所示的发光装置200D具有光源部100D代替光源部100。光源部100D包含光反射层50D代替光反射层50。与图21所示的例子同样,发光装置200D具有在其一部分包含多个光反射层50D的光源部100D。图20中例示的构成中,光反射层50D的上表面50a被保护层60覆盖,相对于此,图21中例示的构成中,光反射层50D的上表面50a从保护层60露出。
图20中例示的构成和图21中例示的构成中,光反射层50D的侧面50c与波长转换层40的侧面40c不一致,光反射层50D的一部分从波长转换层40的上表面40a突出。换言之,沿z方向观察,光反射层50D的上表面50a的面积比波长转换层40的上表面40a的面积大。
如上所述,设置于波长转换层40上的光反射层(这里为光反射层50D)是可透过一部分入射光的半遮光层。因此,即便设置在波长转换层40上设置的光反射层,在保护层60的上表面60a中波长转换层40的正上方的区域与其周围的区域之间也会产生大的亮度差。通过在波长转换层40上配置具有俯视下比波长转换层40的上表面40a更大的面积的光反射层50D,光反射层50D与光反射部件30之间反复进行反射,从而能够使从波长转换层40导入到保护层60的光传播到更远离发光元件20的位置。光到达更远离发光元件20的位置,其结果,沿z方向观察时,缓和保护层60的上表面60a中波长转换层40的正上方的区域与其周围的区域之间的亮度差。即,得到改善亮度不均的效果,防止波长转换层40的正上方的区域看起来像点光源。从波长转换层40的侧面40c到光反射层50D的侧面50c为止的距离(图20中以两箭头OH表示)例如为50μm左右。
图22是示意性地表示本公开的又一个实施方式的发光装置200E的结构的一个例子的剖视图。图23是示意性地表示发光装置200E的结构的又一个例子的剖视图。图22中例示的构成与图23中例示的构成之间的不同点是图23所示的例子中光反射层50的上表面50a从保护层60露出。
与参照图1说明的构成比较,图22和图23所示的发光装置200E是与配线基板10的导体配线层电连接的电路元件,进一步具有与发光元件20不同的电路元件。该例中,发光元件20和电路元件25一起安装于配线基板10,电路元件25整体被光反射部件30覆盖。
电路元件25例如可以为与2个以上发光元件20连接的驱动器或者齐纳二极管等保护元件。将保护元件配置于配线基板10作为电路元件25时,电路元件25可以与各单位区域UR的发光元件20电以串联或者并联的方式连接。换言之,电路元件25可以分别与包含发光元件20的单位区域UR对应地安装于配线基板10。
通过在配线基板10不仅安装发光元件20,还安装电路元件25,从而能够简化与连接器C连接的外部的控制电路的结构。另外,通过将配线基板10上的电路元件25埋入光源部100的例如光反射部件30,能够避免电路元件25吸收从发光元件20射出的光,能够避免将电路元件25安装于配线基板10而引起光的利用效率降低。
图24是表示本公开的又一个实施方式的面发光光源300的结构的一个例子的剖视图。图25是表示面发光光源300的结构的又一个例子的剖视图。面发光光源300具有上述的发光装置200或者200A~200E中任一个以及具有扩散板71、棱镜阵列层72和73的透光层叠体70。透光层叠体70的形状俯视下例如为矩形。图24例示了在具有图1示出的剖面结构的发光装置200上层叠透光层叠体70而得到的面发光光源300的剖面结构,另一方面,图25例示了在具有图2中示出的剖面结构的发光装置200上层叠透光层叠体70而得到的面发光光源300的剖面结构。
(扩散板71)
面发光光源300中可以在保护层60上设置扩散板71。换言之,扩散板71可以从保护层60的上表面60a隔开间隔地设置于面发光光源300,可以与上表面60a的至少一部分直接接触。扩散板71使入射的光扩散、透过。使光扩散的结构通过在扩散板71的表面设置凹凸或者使折射率不同的材料分散在扩散板71中而设置于扩散板71。扩散板71例如由聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯树脂等对可见光吸收少的材料形成。作为扩散板71,可以利用光扩散板、扩散膜等名称市售的光学片材。扩散板71的厚度例如可以约为0.443mm。
图24中例示的构成和图25中例示的构成中,面发光光源300具有在保护层60的上表面60a所具有的凹部61与扩散板71的下表面71b之间形成的空间。该空间例如被空气充满。换言之,本实施方式中,面发光光源300具有位于上表面60a的凹部61的凹面61c与扩散板71的下表面71b之间的空气层。通过在保护层60与扩散板71之间设置空气层,可以使从波长转换层40入射到保护层60的光中的以较大入射角向凹面61c入射的成分向光反射部件30的上表面30a反射。通过凹面61c与光反射部件30的上表面30a之间反复进行反射,能够对于从远离发光元件20的位置提取的光,提高光的提取效率。
(棱镜阵列层72、73)
位于扩散板71的上方的棱镜阵列层72、73分别具有各自在规定的方向延伸的多个棱镜排列而成的结构。例如,棱镜阵列层72在图24和图25中具有各自在y方向延伸的多个棱镜,棱镜阵列层73具有各自在x方向延伸的多个棱镜。本说明书中,将层叠棱镜阵列层72、73的结构称为“棱镜片”。棱镜阵列层72、73使从各自的方向入射的光在朝向与发光装置200对置的显示面板(未图示)的方向(图中的+z方向)折射。由此,从面发光光源300的发光面即透光层叠体70的上表面70a射出的光主要包含大量与上表面70a垂直(与z轴平行)的成分,结果能够提高从正面(z方向)观察面发光光源300时的亮度。作为棱镜阵列层72、73,可以广泛利用市售的背光灯用的光学部件。棱镜阵列层72、73的厚度分别例如可以为0.07mm、0.09mm左右。
透光层叠体70可以具有片状的棱镜片,该片状的棱镜片具有层叠2张棱镜阵列层的结构。棱镜片的厚度可以为0.08mm左右。这样,能够棱镜片的厚度抑制为将2长棱镜阵列层单纯层叠时的厚度的一半左右。作为棱镜片,例如可以使用3M公司的高度结构光学复合体(ASOC)。通过采用这样的棱镜片,能够使面发光光源300进一步薄型化。这样的薄型的面发光光源300在智能手机等用途中特别有用。棱镜片可以与扩散板71直接接触,也可以从扩散板71隔开间隔地设置于透光层叠体70。
面发光光源300还可以具有位于棱镜阵列层73的上方的反射型偏振层(不图示)。反射型偏振层选择性透过与配置于显示面板,例如液晶显示面板的背光灯侧的偏光板的偏振方向一致的偏振方向的光,使与其偏振方向垂直的方向的偏振光向棱镜阵列层72、73侧反射。从反射型偏振层返回的偏振光的一部分在棱镜阵列层72、73以及扩散板71再次反射时偏振方向改变,被转换为具有液晶显示面板的偏光板的偏振方向的偏振光,再次向反射型偏振层入射,向显示面板射出。由此,整合从发光装置200射出的光的偏振方向,高效率地得到对提高显示面板的亮度有效的偏振方向的光。
近年,关于游戏机、智能手机等市场中要求的发光装置的厚度的配置小于2.0mm,有时例如要求1.5mm~1.65mm这样非常严苛的配置。本公开的实施方式的发光装置200能够充分满足该要求。并且,利用设置于波长转换层40的正上方的光反射层50能够适当抑制从发光装置200的发光面射出的光的亮度不均。
图26例示了沿图3中示出的A-A’线切断的情况下的面发光光源300的剖面结构中光源部100的边缘的部分。图26中例示的构成中,配线基板10和光源部100通过覆盖它们的周围的胶带80固定。胶带80的一部分沿光源部100的保护层60的上表面60a的边缘形成为框状。胶带80中位于保护层60的上表面60a上的部分作为粘接层发挥功能,利用该粘接层,包围光源部100的周围的矩形的框90固定于光源部100上。具有扩散板71、棱镜阵列层72和73的透光层叠体70被框90固定于光源部100上。该例中,沿框90与透光层叠体70的分界线70s,框状的胶带81设置于框90和透光层叠体70的上表面。作为胶带80、81,可以使用例如日东电工社制的双面粘接胶带(型号:No.5606BN)。
根据这样的组装结构,不需要再确保在FPC的边缘配置框的空间,因此能够将配置光源部100的区域放大到配线基板10的外边缘附近。这样,能够在不变更作为配线基板10的FPC的尺寸的情况下,最大限度地利用FPC上的区域而将光源部100配置于FPC上。
[2.发光装置200的制造方法]
参照图26、图27~图30,对发光装置200和面发光光源300的制造方法的一个例子进行说明。图27~图29中示出用于对发光装置200的制造方法中包含的各制造工序进行说明的工序剖面图。图30中示出对面发光光源300的制造方法中包含的制造工序进行说明的工序剖面图。
首先,准备作为配线基板10的例如FPC和多个发光元件20。接下来,如图27所示,在配线基板10安装发光元件20。从提高发光元件20相对于配线基板10的接合强度的观点出发,可以在发光元件20的下表面20b与配线基板10的上表面10a之间的空间填充底部填充树脂。
接下来,将安装了发光元件20的状态的配线基板10配置于模具框内,如图28所示,例如通过灌封将光固化树脂材料注入模具框内。用紫外线照射赋予到配线基板10上的树脂材料使其固化,从而形成覆盖多个发光元件20各侧面的光反射部件30。此时,例如,可以以伴随树脂材料的固化的凹痕的形式在树脂材料的表面形成凹部31。
在将波长转换层40和光反射层50形成在发光元件20的正上方前的任一阶段,准备各自在波长转换层上具有光反射层的层叠结构的多个片。例如,首先,准备在波长转换层上层叠光反射层的片状的层叠体。例如可以如下得到这样的层叠体。首先,将树脂中分散了荧光体的粒子的材料注入模具框内使其固化,得到片状的波长转换层。接下来,在波长转换层上涂布光反射层的树脂材料使其固化,完成片状的层叠体。通过将该层叠体单片化为例如0.8mm见方的尺寸,得到上述的多个片。
形成光反射部件30后,例如,在多个发光元件20各自的射出面20a涂布粘接材料,如图29所示,在各射出面20a贴上片。向涂布了粘接材料的射出面20a上配置片,例如可以使用贴片装置(贴片机)。此时,贴片装置以片的中心位于光轴L上的方式进行定位。从发光元件20的射出面20a整体被片覆盖的观点出发,优选片的面积大于射出面20a的面积。由此,可以缓和对定位精度的要求。这样,能够在多个发光元件20的正上方形成多个波长转换层40和多个光反射层50。如图所示,光源部100可以具有位于发光元件20的上表面20a与波长转换层40之间的粘接层45。
接下来,将在各发光元件20的射出面20a的上方配置有波长转换层40和光反射层50的结构配置在模具框内,通过灌封等将透明树脂材料赋予光反射部件30。此时,以覆盖光反射层50的上表面50a的方式将透明树脂材料赋予到光反射部件30。其后,利用紫外线的照射、加热等使树脂材料固化,能够形成覆盖多个波长转换层40和多个光反射层50的至少侧面的保护层60。此时,通过在固化的树脂材料的表面例如形成凹痕,在保护层60形成凹部61。经由上述的工序,得到具有与图1所示的结构相同的结构的发光装置200。应予说明,可以通过研削等将固化的树脂材料的一部分除去,从而使光反射层50的上表面50a从固化的树脂材料露出。或者,可以通过向光反射部件30赋予透明树脂材料的工序中在光反射层50的上表面50a以外的区域赋予透明树脂材料,使透明树脂材料固化,从而形成保护层60。根据这样的工序,得到具有与图2所示的结构相同的结构的发光装置200。
此外,在光反射部件30形成前,通过在配线基板10安装电路元件25,得到图22和图23中例示的发光装置200E。光反射部件30的材料固化后,将光反射部件30的材料进一步利用点胶机等例如以线状赋予到固化的材料的表面,使其固化,从而形成图6等中例示的凸部30w。作为参照图10等说明的分隔结构DV的槽60g在形成保护层60后,通过激光照射或者使用旋转砂轮的切削等将保护层60的一部分除去而形成。形成槽60g后,例如用光反射部件30的材料填充槽60g,使光反射部件30的材料固化,得到具有图17、图18所示的分隔部件65的发光装置200C。通过打印等将光反射部件30的材料赋予槽60g的表面,从而形成图19所示的分隔部件65f。
代替在多个发光元件20各自的射出面20a贴上在波长转换层上具有光反射层的层叠结构的片,可以将由分散有荧光体的粒子的树脂等形成的荧光片贴在各射出面20a。将透明树脂材料赋予光反射部件30而固化后,通过研削等使荧光片的表面露出。通过在荧光片的表面涂布光反射层的树脂材料使其固化,将由光反射层的树脂材料形成的树脂片贴在荧光片的表面,能够形成从如图20和图21所示的波长转换层40的上表面40a突出的形状的光反射层50D。
根据需要,将扩散板等光学部件配置于保护层60的上方。例如,如图26所示,用胶带80覆盖配线基板10和发光装置200的周围。此时,沿发光装置200的保护层60的边缘将胶带80的一部分配置在保护层60的上表面60a上。由此,能够在保护层60的上表面60a形成框状的粘接层。接下来,通过粘接层在发光装置200上固定框90。
接下来,如图26和图30所示,在发光装置200的保护层60上配置透光层叠体70而利用框90将透光层叠体70固定于发光装置200。此时,在保护层60的凹部61与扩散板71的下表面71b之间形成空气层。作为透光层叠体70所具有的棱镜阵列层72,例如,可以使用3M公司制的棱镜膜(型号:BEF4 DML),作为棱镜阵列层73,可以使用3M公司制的棱镜膜(型号:TBEF2 DT LS)。其后,沿在透光层叠体70的上表面侧出现的框90与透光层叠体70的分界线70s贴上框状的胶带81。代替利用框90的固定,也可以利用激光焊接在保护层60上固定透光层叠体70。经由上述的工序得到面发光光源300。
代替通过使施加在配线基板10上的树脂材料固化而形成光反射部件30,可以通过在配线基板10上配置树脂片等来得到具有光反射部件的光源部。例如,在配线基板10上安装发光元件20后,如图31所例示,利用粘接片等将在与配线基板10上的多个发光元件20对应的位置设置有贯穿孔32的树脂片配置在配线基板10上。由此,能够在配线基板10上形成在与多个发光元件20对应的位置具有贯穿孔32的光反射部件30S。
作为光反射部件30S,可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等为母材的光反射性的树脂片。多个贯穿孔32的形成方法没有特别限定。例如通过冲孔在树脂片形成贯穿孔,能够得到在所希望的位置设有贯穿孔32的光反射部件30S。应予说明,像图22和图23所示的例子那样,在配线基板10上配置电路元件25的情况下,也可以预先在与电路元件25对应的位置形成贯穿孔32。
当树脂片用于光反射部件30S的形成时,光反射部件30S的上表面30a基本上为平坦面。换言之,光反射部件30S的上表面30a基本上不具有凹部。然而,通过在树脂片上线状地赋予树脂材料使树脂材料固化,或者通过将线状或者格子状的树脂部件接合在树脂片上,能够在光反射部件30S的上表面30a侧形成俯视下包围发光元件20的形状的凸部30w。
形成光反射部件30S后,如图32所示,根据需要将各贯穿孔32的内部用树脂材料填充。配置于贯穿孔32的内部的树脂材料可以是透明的树脂材料,也可以是与光反射层50等材料相同的光反射性的树脂材料。其后,使贯穿孔32内的树脂材料固化,能够在贯穿孔32内形成密封部件34。密封部件34的上表面34a与光反射部件30S的上表面30a基本整合。密封部件34的一部分可以位于发光元件20的下表面20b与配线基板10的上表面10a之间的缝隙(底部填充)。应予说明,覆盖配线基板10上的各发光元件20的侧面的光反射部件整体可以由树脂片和配置于设置于树脂片的贯穿孔32内的树脂材料形成。或者,可以通过将上述的光反射部件30或者光反射部件30A的一部分替换为树脂片和配置于设置于树脂片的贯穿孔32内的树脂材料,形成覆盖各发光元件20的侧面的光反射部件。
形成密封部件34后,在各发光元件20的上方配置波长转换层40和光反射层50。此时,波长转换层40可以以覆盖密封部件34的方式形成于发光元件20的射出面20a的上方。并且,与参照图29说明的例子同样地形成覆盖光反射部件30S和密封部件34的保护层60(参照图33)。保护层60可以覆盖光反射层50的上表面50a,也可以不覆盖。通过形成保护层60,能够在配线基板10上得到其一部分包含光反射部件30S的光源部100S。通过以上的工序,得到具有光源部100S和配线基板10的发光装置200S。
如图34中例示,可以在上述的发光装置200S的保护层60上配置透光层叠体70。例如通过利用框90将透光层叠体70固定于发光装置200S,得到在其一部分包含光源部100S的面发光光源300S。
本公开的实施方式的发光装置可以作为面发光光源300、300S的部件进行制造和销售。例如,从部件供应商接受发光装置200的供给的制造商,利用上述的方法将本公开的实施方式的发光装置和透光层叠体70等其他构成部件进行组装,可以制造和销售具备发光装置的面发光光源。这样的面发光光源例如可以优选地用作液晶显示装置的背光光源。
产业上的可利用性
本公开的发光装置和面发光光源可以用于液晶显示器的背光光源、各种照明设备等。

Claims (22)

1.一种发光装置,具备:
配线基板;
多个发光元件,配置于所述配线基板上且与所述配线基板的配线层电连接;
光反射部件,配置于所述配线基板上且覆盖所述多个发光元件的各自的侧面;
多个波长转换层,各自位于所述多个发光元件中所对应的发光元件所具有的射出面的上方;
多个光反射层,配置于多个波长转换层上;
透光性的保护层,配置于所述光反射部件上且覆盖所述多个波长转换层和所述多个光反射层的至少侧面;
并且,所述保护层的上表面具有第1凹部,所述第1凹部在俯视下的所述多个光反射层的区域以外至少包含一个凹面。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述保护层还覆盖所述多个光反射层的上表面。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,俯视下,所述多个波长转换层与所述多个光反射层重叠,
俯视下,各波长转换层或者各光反射层的区域包含所述多个发光元件中所对应的发光元件所具有的所述射出面。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其中,进一步具备位于所述多个发光元件所具有的多个射出面与所述多个波长转换层之间的多个粘接层。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的发光装置,其中,俯视下,所述多个光反射层各自具有点状的光反射图案,
所述光反射图案的点密度在所述多个光反射层的各自中,从所述光反射层的外侧向中心变高。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的发光装置,其中,所述配线基板为柔性印刷电路基板。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的发光装置,其中,所述保护层和所述光反射部件中的至少一者具有比所述配线基板更大的热膨胀系数。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的发光装置,其中,所述第1凹部具有连续地形成的多个凹面。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的发光装置,其中,所述多个波长转换层的厚度为100μm~200μm。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的发光装置,其中,所述多个光反射层的厚度为50μm~100μm。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的发光装置,其中,进一步具备分隔结构,所述分隔结构位于所述多个发光元件的阵列中相互邻接的2个发光元件间,各自规定包含所述多个发光元件中的一个的单位区域,抑制从所述2个发光元件中的一个射出的光入射到包含另一个发光元件的单位区域内。
12.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述分隔结构包含设置于所述保护层的1个以上的槽。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其中,在俯视下,所述1个以上的槽包围各个所述多个发光元件。
14.根据权利要求12或13所述的发光装置,其中,所述分隔结构包含至少一个分隔部件,所述分隔部件配置于所述1个以上的槽的内部,各自具有光反射性。
15.根据权利要求14所述的发光装置,其中,各槽的内部被所述分隔部件填充。
16.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述分隔结构各自包含从所述光反射部件向所述保护层内突出的1个以上的凸部。
17.根据权利要求16所述的发光装置,其中,在俯视下,所述1个以上的凸部包围各个所述多个发光元件。
18.根据权利要求16或17所述的发光装置,其中,所述1个以上的凸部由与所述光反射部件相同的材料形成。
19.根据权利要求1~18中任一项所述的发光装置,其中,所述光反射部件具有与所述保护层对置的上表面,
所述光反射部件的所述上表面具有第2凹部,该第2凹部是在所述多个发光元件所具有的多个上表面的区域以外连续地形成有多个凹面而成。
20.根据权利要求1~19中任一项所述的发光装置,其中,所述保护层含有光扩散材料。
21.一种面发光光源,具备:
权利要求1~20中任一项所述的发光装置,
配置于所述保护层的上方的扩散板,和
配置于所述扩散板的上方的棱镜片。
22.根据权利要求21所述的面发光光源,其中,进一步具备位于所述保护层的所述第1凹部的所述至少一个凹面与所述扩散板之间的空气层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113888994A (zh) * 2021-12-06 2022-01-04 华引芯(武汉)科技有限公司 发光器件及显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018125138A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils
JP7422336B2 (ja) * 2021-07-28 2024-01-26 日亜化学工業株式会社 面状光源

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102165611A (zh) * 2008-09-25 2011-08-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 有涂层的发光器件及其涂覆方法
CN102472915A (zh) * 2009-08-27 2012-05-23 Lg电子株式会社 背光单元和显示装置
CN104321694A (zh) * 2009-08-27 2015-01-28 Lg电子株式会社 背光单元和显示装置
CN108242442A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 日亚化学工业株式会社 发光装置
US20180321558A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Innolux Corporation Display devices
CN109804284A (zh) * 2016-12-20 2019-05-24 欧姆龙株式会社 导光板、面光源装置、显示装置以及电子设备

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002335020A (ja) 2001-05-10 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP4397394B2 (ja) * 2003-01-24 2010-01-13 ディジタル・オプティクス・インターナショナル・コーポレイション 高密度照明システム
JP4264013B2 (ja) * 2004-02-20 2009-05-13 富士フイルム株式会社 導光板、これを用いる面状照明装置および液晶表示装置
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
JP2008187030A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
US20090086508A1 (en) 2007-09-27 2009-04-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin Backlight Using Low Profile Side Emitting LEDs
JP5689225B2 (ja) 2009-03-31 2015-03-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP2470947B1 (en) * 2009-08-27 2016-03-30 LG Electronics Inc. Optical assembly, backlight unit and display apparatus thereof
US8891051B2 (en) * 2010-10-25 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Backlight and display device
JP2012243822A (ja) 2011-05-16 2012-12-10 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置とその製造方法
IN2014CN01876A (zh) 2011-09-20 2015-05-29 Koninkl Philips Nv
US20140070235A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Peter Scott Andrews Wire bonds and light emitter devices and related methods
KR101997243B1 (ko) 2012-09-13 2019-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
KR101973613B1 (ko) 2012-09-13 2019-04-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP5527456B2 (ja) 2013-04-10 2014-06-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6164038B2 (ja) 2013-10-16 2017-07-19 豊田合成株式会社 発光装置
JP6142902B2 (ja) 2015-07-23 2017-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6688956B2 (ja) * 2015-09-01 2020-04-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 映像表示装置
JP6337859B2 (ja) 2015-09-08 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6269702B2 (ja) 2015-11-30 2018-01-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3174109B1 (en) 2015-11-30 2020-11-18 Nichia Corporation Method of manufacturing a light emitting device
WO2018199011A1 (ja) * 2017-04-26 2018-11-01 シチズン電子株式会社 バックライト
US11482568B2 (en) * 2018-06-28 2022-10-25 Lumens Co., Ltd. Flexible lighiing device and display panel using micro LED chips
US11488941B2 (en) * 2019-05-02 2022-11-01 Innolux Corporation Light-emitting device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102165611A (zh) * 2008-09-25 2011-08-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 有涂层的发光器件及其涂覆方法
CN102472915A (zh) * 2009-08-27 2012-05-23 Lg电子株式会社 背光单元和显示装置
CN104321694A (zh) * 2009-08-27 2015-01-28 Lg电子株式会社 背光单元和显示装置
CN109804284A (zh) * 2016-12-20 2019-05-24 欧姆龙株式会社 导光板、面光源装置、显示装置以及电子设备
CN108242442A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 日亚化学工业株式会社 发光装置
US20180321558A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Innolux Corporation Display devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113888994A (zh) * 2021-12-06 2022-01-04 华引芯(武汉)科技有限公司 发光器件及显示装置

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