JP7335537B2 - 発光装置および面発光光源 - Google Patents
発光装置および面発光光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7335537B2 JP7335537B2 JP2022124126A JP2022124126A JP7335537B2 JP 7335537 B2 JP7335537 B2 JP 7335537B2 JP 2022124126 A JP2022124126 A JP 2022124126A JP 2022124126 A JP2022124126 A JP 2022124126A JP 7335537 B2 JP7335537 B2 JP 7335537B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- layer
- light reflecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 237
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 80
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 74
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 74
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 65
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 5
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 79
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09372—Pads and lands
- H05K2201/09409—Multiple rows of pads, lands, terminals or dummy patterns; Multiple rows of mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Description
図1は、本開示のある実施形態に係る発光装置200の構造の一例を示す断面図である。図2は、発光装置200の構造の他の一例を示す断面図である。図3は、本実施形態に係る発光装置200の例示的な上面図である。図1および図2に示す模式的な断面は、図3に示すA-A’線断面の一部に相当する。これらの図には、互いに直交するx軸、y軸、およびz軸が記載されている。本開示の図面中に示すx軸、y軸、およびz軸のそれぞれが示す方向は、全ての図面の間で共通である。
例では、x方向の配列ピッチpxとy方向の配列ピッチpyとは、等しい。ここで、発光素子の配列ピッチとは、隣接する2つの発光素子の出射面に垂直な光軸L間の距離(例えば図1参照)を意味する。配列ピッチpx、pyのそれぞれは、0.5mm以上10.0mm以下に設定し得る。本実施形態において、配列ピッチpxおよびpyのそれぞれは、2.0mm程度であり得る。
配線基板10は上面10aおよび下面10bを有する。配線基板10の上面10a側に複数の発光素子20が配置され、支持される。配線基板10は、それぞれが配線パターンを有する複数の導体配線層(または金属層)と、絶縁層11とを有する。本実施形態では、配線基板10は、第1導体配線層12aおよび第2導体配線層12bを積層した構造を有する。第1導体配線層12aおよび第2導体配線層12bは、絶縁層11内に設けられたビア13を介して電気的に接続されている。絶縁層11の一部は、配線基板10の上面10aのうち発光素子20が実装された領域以外の領域を覆っている。なお、導体配線層が有する配線パターンについては後で詳しく説明する。
続されている。他方、第2導体配線層12bは、配線基板10の下面10b側に設けられている。第2導体配線層12bは、外部の制御回路(不図示)から配線基板10のコネクタC(図3参照)を介して複数の発光素子20に電力を供給するため配線パターンを有している。導体配線層の材料は、配線基板10の絶縁体に用いられる材料、製造方法等に応じて適宜選択され得る。例えば、配線基板10の絶縁体の材料としてエポキシ樹脂を用いる場合は、導体配線層の材料には、加工し易い材料を選択することが好ましい。例えば、銅、ニッケル等の金属層をメッキ、スパッタリング、蒸着、プレスによる貼り付けによって形成し、フォトリソグラフィー等によって金属層を所定の配線パターンに加工することにより、配線基板10の導体配線層を得られる。あるいは、印刷により、導体配線層を得てもよい。配線パターン上にソルダレジストをコーティングすることにより、配線パターンの表面の酸化が抑制される。
いる。この接続関係により、配線パターンPC2を介して、発光素子20の負極21cに電圧駆動信号がセグメント単位で供給される。
上述したとおり、本実施形態では、複数の発光素子20は、x方向およびy方向に沿って2次元に配列されており、x方向の配列ピッチpxとy方向の配列ピッチpyは、等しい。しかしながら、複数の発光素子20の配列は、この例に限られない。x方向とy方向との間で発光素子20の配列ピッチが異なっていてもよいし、複数の発光素子20の2次元配列の2方向は、直交していなくてもよい。また、配列ピッチは、等間隔に限られず、不等間隔であってもよい。例えば、配線基板10の中央から周辺に向かって間隔が広くなるように複数の発光素子20が配列されていてもよい。
り得る。
光反射部材30は、配線基板10上に配置され、配線基板10の上面10aおよび複数の発光素子20のそれぞれの側面20cを覆う部材である。光反射部材30は、正極21aおよび負極21cを覆い、かつ、発光素子20の下面20bと配線基板10の上面10aの間の隙間を埋めるように形成され得る。ただし、アンダーフィル樹脂がその隙間に充填されていてもよい。アンダーフィル樹脂によって、発光素子20と配線基板10との間の熱膨張係数の差によって生じ得る応力を緩和したり、放熱性を高めたりすることが可能となる。
可能となる。発光素子20の下面20b側にも光反射部材30を設けることにより、配線基板10の上面10aに向かう光を光反射部材30で反射して発光素子20の上方に導光することができる。その結果、発光素子20から発せられる光の利用効率を向上させることができる。
波長変換層40は、複数の発光素子20のうちの対応する発光素子20が有する出射面20aの上方に配置されている。換言すると、複数の波長変換層40が、複数の発光素子20の上方に位置している。図2に示されるように、発光装置200は、複数の発光素子20が有する複数の出射面20aと複数の波長変換層40との間に位置する複数の接着層45をさらに有し得る。つまり、複数の発光素子20のそれぞれが有する上面20aと、複数の波長変換層40のうちの、その発光素子20に対応する波長変換層40との間に接着層45が配置されていてもよい。
図1および図2に示すように、複数の光反射層50が複数の波長変換層40上に配置される。光反射層50のそれぞれは、入射光の一部を透過し、一部を反射する半遮光層である。光反射層50の厚さは、例えば50μm以上100μm以下の範囲に設定し得る。本実施形態における光反射層50の厚さは、例えば50μm程度であり得る。光反射層50は、光反射部材30と同様に、樹脂と、樹脂に分散した反射材の粒子である、酸化チタン
、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等の酸化物の粒子とを含む材料から形成され得る。酸化物の粒子の平均粒子径は、例えば0.05μm以上30μm以下程度である。光反射層50は、顔料、光吸収材、蛍光体等をさらに含んでいてもよい。光反射層50を形成するための樹脂材料には、アクリレート樹脂、エポキシ樹脂等を主成分とした光硬化性樹脂を用いることができる。
保護層60は、光反射部材30上に配置され、複数の波長変換層40および複数の光反射層50の少なくとも側面を覆う層である。図1に示されるように、保護層60は、さら
に、複数の光反射層50が有する複数の上面50aを覆うように形成され得る。
および図7に例示するような矩形状に限定されず、台形状、図8に示すような三角形状または図9に示すような半円形状であってもよい。凸部30wの断面形状は、あるいは、半楕円形状、不定形状であってもよい。凸部30wの表面の断面視における形状も、直線状または円弧状に限定されず、任意の曲線状、または、段差もしくは屈曲を含むような形状であってもよい。
の側面の断面視における形状は、直線状もしくは円弧状、またはこれらの組み合わせに限定されず、段差または屈曲を含むような形状であってもよい。
面発光光源300においては、保護層60の上に拡散板71を設けてもよい。換言すれば、拡散板71は、保護層60の上面60aから間隔をあけて面発光光源300に設けら
れてもよいし、上面60aの少なくとも一部に直接に接していてもよい。拡散板71は、入射する光を拡散させ、透過させる。光を拡散させる構造は、拡散板71の表面に凹凸を設けたり、拡散板71中に屈折率の異なる材料を分散させたりすることによって拡散板71に設けられる。拡散板71は、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂等、可視光に対して光吸収の少ない材料から形成される。拡散板71として、光拡散シート、ディフューザーフィルム等の名称で市販されている光学シートを利用してもよい。拡散板71の厚さは、例えば約0.443mmであり得る。
拡散板71の上方に位置するプリズムアレイ層72、73のそれぞれは、それぞれが所定の方向に延びる複数のプリズムが配列された構造を有する。例えば、プリズムアレイ層72は、図24および図25において、それぞれがy方向に延びる複数のプリズムを有し、プリズムアレイ層73は、それぞれがx方向に延びる複数のプリズムを有する。本明細書では、プリズムアレイ層72、73を積層した構造を「プリズムシート」と呼ぶ。プリズムアレイ層72、73は、種々の方向から入射する光を、発光装置200に対向する表示パネル(不図示)に向かう方向(図中の+z方向)に屈折させる。これにより、面発光光源300の発光面である透光積層体70の上面70aから出射する光が主として上面70aに垂直(z軸に平行)な成分を多く含むこととなる結果、面発光光源300を正面(z方向)から見た場合の輝度を高めることができる。プリズムアレイ層72、73として、市販されているバックライト用の光学部材を広く利用できる。プリズムアレイ層72、73の厚さは、それぞれ、例えば0.07mm、0.09mm程度であり得る。
る光の偏光方向を揃え、表示パネルの輝度向上に有効な偏光方向の光を高効率で得られる。
図26、および、図27から図30を参照して、発光装置200および面発光光源300の製造方法の一例を説明する。図27から図29に、発光装置200の製造方法に含まれる各製造工程を説明するための工程断面図を示している。図30に、面発光光源300の製造方法に含まれる製造工程を説明するための工程断面図を示している。
る。次に、波長変換層上に光反射層の樹脂材料を塗布して硬化させることにより、シート状の積層体が完成する。その積層体を、例えば0.8mm角のサイズに個片化することにより、上述の複数のシート片が得られる。
い。
10a、20a、30a、60a、70a :上面
10b、20b、71b :下面
11 :絶縁層
12a :第1導体配線層
12b :第2導体配線層
13 :ビア
15a、15b :ランド
20 :発光素子
20c :側面
21a :正極
21c :負極
25 :回路素子
30、30A、30S :光反射部材
30w :凸部
31 :(第2)凹部
31c、61c :凹面
40 :波長変換層
45 :接着層
50、50D :光反射層
50a :上面
60、60B :保護層
61 :(第1)凹部
65、65f :区画部材
70 :透光積層体
70s :境界線
71 :拡散板
72、73 :プリズムアレイ層
80、81 :テープ
90 :枠
100、100A、100B、100D、100S :光源部
200、200A~200E、200S :発光装置
300、300S :面発光光源
DV :区画構造
Claims (13)
- 上面を有する配線基板と、
前記配線基板上に配置され、かつ、前記配線基板の配線層に電気的に接続された複数の発光素子と、
前記配線基板の上面に配置された、複数の貫通孔が設けられたシート状の光反射部材と、
平面視において前記複数の貫通孔の内側にそれぞれ位置する複数の封止部材と、
それぞれが、前記複数の発光素子のうちの対応する発光素子の上面を覆う複数の波長変換層と、
前記複数の波長変換層上に配置され、入射光の一部を透過し、一部を反射する複数の光反射層と、
上面および上面とは反対側の下面を有し、前記光反射部材の少なくとも一部上に位置する保護層と
を備え、
前記複数の発光素子のそれぞれは、平面視において前記光反射部材の前記複数の貫通孔のうち対応する1つの内側に位置し、
前記複数の封止部材のそれぞれは、前記複数の貫通孔のうち対応する1つの内部において前記光反射部材と前記発光素子との間に配置されており、
前記保護層は、前記複数の発光素子の配列において互いに隣接する2つの発光素子間に位置する溝であって、前記上面から前記下面まで貫通している溝を有する、発光装置。 - 前記溝は、平面視において前記複数の発光素子のそれぞれを囲んでいる、請求項1に記載の発光装置。
- 光反射性を有する区画部材をさらに備え、
前記区画部材は、前記溝の内部に位置する部分を含む、請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記区画部材は、前記溝の形状を規定する内側面を少なくとも覆う層状を有する、請求項3に記載の発光装置。
- 前記区画部材は、樹脂層である、請求項3または4に記載の発光装置。
- 前記溝は、前記保護層の上面に位置する開口を有し、かつ、断面視において前記開口よりも幅の広い部分を前記保護層の内部に有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記複数の波長変換層は、平面視において前記複数の光反射層と重なり、
平面視において、各波長変換層または各光反射層の領域は、前記複数の発光素子のうちの対応する1つの前記上面を包含する、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。 - 平面視において、前記複数の光反射層のそれぞれは、ドット状の光反射パターンを有しており、
前記光反射パターンのドット密度は、前記複数の光反射層のそれぞれにおいて、前記光反射層の外側から中心に向けて高くなる、請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記配線基板は、フレキシブルプリント基板である、請求項1から8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記光反射部材は、樹脂シートである、請求項1から9のいずれか一項に記載の発光装
置。 - 前記配線基板上に配置された回路素子をさらに備え、
前記光反射部材は、前記回路素子を覆っている、請求項1から10のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記回路素子は、前記発光素子のうちの2つ以上に接続されるドライバまたは保護素子である、請求項11に記載の発光装置。
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置の上方に配置された拡散板と、
前記拡散板の上方に配置されたプリズムシートと、
を備える面発光光源。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019143127 | 2019-08-02 | ||
JP2019143127 | 2019-08-02 | ||
JP2020019135 | 2020-02-06 | ||
JP2020019135 | 2020-02-06 | ||
JP2020074798 | 2020-04-20 | ||
JP2020074798 | 2020-04-20 | ||
JP2020126638A JP6849139B1 (ja) | 2019-08-02 | 2020-07-27 | 発光装置および面発光光源 |
JP2021028144A JP7125635B2 (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-25 | 発光装置および面発光光源 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021028144A Division JP7125635B2 (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-25 | 発光装置および面発光光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022164682A JP2022164682A (ja) | 2022-10-27 |
JP7335537B2 true JP7335537B2 (ja) | 2023-08-30 |
Family
ID=74259599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022124126A Active JP7335537B2 (ja) | 2019-08-02 | 2022-08-03 | 発光装置および面発光光源 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11594665B2 (ja) |
JP (1) | JP7335537B2 (ja) |
CN (1) | CN112310056B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018125138A1 (de) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils |
KR20190106885A (ko) * | 2019-08-28 | 2019-09-18 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
US20220302101A1 (en) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | Raxium, Inc. | Method for display manufacturing using groups of micro-leds and micro-led arrays |
JP7422336B2 (ja) * | 2021-07-28 | 2024-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源 |
CN113888994B (zh) * | 2021-12-06 | 2022-03-15 | 华引芯(武汉)科技有限公司 | 发光器件及显示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005234397A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 導光板、これを用いる面状照明装置および液晶表示装置 |
JP2010541154A (ja) | 2007-09-27 | 2010-12-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄型側面発光ledを用いた薄型バックライト |
JP2012108494A (ja) | 2010-10-25 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2017028124A (ja) | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
WO2017038081A1 (ja) | 2015-09-01 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 映像表示装置 |
JP2017054894A (ja) | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018101521A (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | オムロン株式会社 | 導光板、面光源装置、表示装置及び電子機器 |
JP2018107257A (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2018199011A1 (ja) | 2017-04-26 | 2018-11-01 | シチズン電子株式会社 | バックライト |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002335020A (ja) | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP4397394B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2010-01-13 | ディジタル・オプティクス・インターナショナル・コーポレイション | 高密度照明システム |
US7344952B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs |
JP2008187030A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP5779097B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2015-09-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | コーティングされた発光デバイス及び発光デバイスをコーティングする方法 |
JP5689225B2 (ja) | 2009-03-31 | 2015-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN102472915B (zh) * | 2009-08-27 | 2015-01-21 | Lg电子株式会社 | 背光单元和显示装置 |
EP2470947B1 (en) * | 2009-08-27 | 2016-03-30 | LG Electronics Inc. | Optical assembly, backlight unit and display apparatus thereof |
CN104321694B (zh) * | 2009-08-27 | 2018-04-10 | Lg 电子株式会社 | 背光单元和显示装置 |
JP2012243822A (ja) | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
RU2586385C2 (ru) | 2011-09-20 | 2016-06-10 | Конинклейке Филипс Н.В. | Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения |
US20140070235A1 (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | Peter Scott Andrews | Wire bonds and light emitter devices and related methods |
KR101973613B1 (ko) | 2012-09-13 | 2019-04-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 |
KR101997243B1 (ko) | 2012-09-13 | 2019-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명 시스템 |
JP5527456B2 (ja) | 2013-04-10 | 2014-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6164038B2 (ja) | 2013-10-16 | 2017-07-19 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP6269702B2 (ja) | 2015-11-30 | 2018-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US10461065B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-10-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
JP6365592B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2018-08-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
EP3273297B1 (en) * | 2016-07-20 | 2021-05-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10663794B2 (en) * | 2017-05-03 | 2020-05-26 | Innolux Corporation | Display devices |
JP7174216B2 (ja) * | 2017-10-23 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよび集積型発光モジュール |
WO2020004845A1 (ko) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 엘이디 칩들을 이용하는 플렉시블 조명 장치 및 디스플레이 패널 |
US11488941B2 (en) * | 2019-05-02 | 2022-11-01 | Innolux Corporation | Light-emitting device |
-
2020
- 2020-07-31 CN CN202010758305.4A patent/CN112310056B/zh active Active
- 2020-07-31 US US16/945,046 patent/US11594665B2/en active Active
-
2022
- 2022-08-03 JP JP2022124126A patent/JP7335537B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-27 US US18/102,240 patent/US11901498B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005234397A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 導光板、これを用いる面状照明装置および液晶表示装置 |
JP2010541154A (ja) | 2007-09-27 | 2010-12-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄型側面発光ledを用いた薄型バックライト |
JP2012108494A (ja) | 2010-10-25 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2017028124A (ja) | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
WO2017038081A1 (ja) | 2015-09-01 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 映像表示装置 |
JP2017054894A (ja) | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018101521A (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | オムロン株式会社 | 導光板、面光源装置、表示装置及び電子機器 |
JP2018107257A (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2018199011A1 (ja) | 2017-04-26 | 2018-11-01 | シチズン電子株式会社 | バックライト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230178702A1 (en) | 2023-06-08 |
CN112310056B (zh) | 2024-06-18 |
US11594665B2 (en) | 2023-02-28 |
JP2022164682A (ja) | 2022-10-27 |
US11901498B2 (en) | 2024-02-13 |
US20210036198A1 (en) | 2021-02-04 |
CN112310056A (zh) | 2021-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7125636B2 (ja) | 発光装置 | |
US11906156B2 (en) | Light emitting device | |
JP6857496B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7335537B2 (ja) | 発光装置および面発光光源 | |
JP7315852B2 (ja) | 発光装置および面発光光源 | |
TWI784376B (zh) | 發光裝置以及液晶顯示裝置 | |
JP7530019B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP7108217B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7125635B2 (ja) | 発光装置および面発光光源 | |
JP2021012884A (ja) | 光源装置 | |
JP2021027129A (ja) | 発光装置 | |
JP7189464B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7054018B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2022142639A (ja) | 面状光源および面状光源モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230525 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230731 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7335537 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |