JP7108217B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7108217B2 JP7108217B2 JP2021049627A JP2021049627A JP7108217B2 JP 7108217 B2 JP7108217 B2 JP 7108217B2 JP 2021049627 A JP2021049627 A JP 2021049627A JP 2021049627 A JP2021049627 A JP 2021049627A JP 7108217 B2 JP7108217 B2 JP 7108217B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- light diffusing
- reflecting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 56
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 3
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
Description
図1は、本実施形態に係る発光装置100の構造の一例を示す断面図である。図には、互いに直交するx軸、y軸、およびz軸の3軸によって張られる三次元座標系が記載されている。他の添付図面でも、同様の三次元座標系が記載され、x軸、y軸、およびz軸は、それぞれ、全ての図面で共通の方位を指す。
00の厚さ(z方向の高さ)は、0.5mm以上0.8mm以下であり得る。以下、各構成要素を詳細に説明する。
配線基板10は上面10aおよび下面10bを有する。配線基板10の上面10a側に複数の発光素子20が配置され、支持される。配線基板10は、第1導体配線層12a、第2導体配線層12bおよび絶縁層11を有しており、複数の発光素子20は第1導体配線層12aに電気的に接続されている。第1導体配線層12aおよび第2導体配線層12bは、絶縁層11によって絶縁されており、ビア13を介して電気的に接続されている。配線基板10の上面10aのうちの、発光素子20を実装する領域以外の部分は、絶縁層11で覆われている。
よい。
複数の発光素子20は、配線基板10の上面10a側に配置され、導体配線層11に電気的に接続されている。図2Aは、発光装置100から後述する波長変換部材61を取り除いた構造を示す上面図である。図2Aにおいて、3×3個の発光素子20に着目し、それらを拡大して図示している。
0はFPCであり、発光素子20は、配線基板10に直接実装されている。
第1光拡散部材30は、配線基板10上に配置されている。第1光拡散部材30は、複数の貫通孔30hを有し、光拡散材を含有する。複数の発光素子20のそれぞれは、複数の貫通孔30hのうちの対応する貫通孔内に配置されている。第1光拡散部材30の厚さh3は、例えば0.30mm程度であり得る。
第1光反射層40は、配線基板10と第1光拡散部材30との間に位置する。光反射層として、例えばポリエステル系樹脂から形成された多層膜構造を有する高反射フィルムが用いられる。光反射層として高反射フィルムを用いる場合は、第1光拡散部材30の貫通孔30hに対応する貫通孔を有することが好ましい。高反射フィルムは、可視光領域に属する波長範囲(例えば400nmから800nm)において高い反射率を有する。高反射フィルムは、その波長範囲において、例えば98%以上の高い反射率を有していることが好ましい。高反射フィルムに、例えば3M社製の反射フィルム(ESR 80v2)を好適に利用することができる。ただし、第1光反射層40は、高反射フィルムに限られず、金属膜であってもよく、誘電体多層膜であってもよい。第1光反射層40の厚さh2は、例えば0.065mm程度であり得る。
せることができる。その結果、発光素子20から発せられる光の利用効率を向上させることができる。特に、光反射層として高反射フィルムを用いて、反射時における光エネルギーの損失を最小限に抑えることにより、発光装置100の輝度を向上させることが可能となる。
複数の第2光拡散部材50は、複数の発光素子20を覆い、第1光拡散部材30が有する複数の貫通孔30h内に配置されている。それぞれの第2光拡散部材50は、貫通孔30h内において、貫通孔30hの内面30s、第1光反射層40の側面40c、配線基板10の上面10aの一部、発光素子20の、上面20a、下面20bおよび側面20cに接している。換言すると、第2光拡散部材50は、複数の発光素子20を覆い、かつ、貫通孔30hの内面30s、第1光反射層40の側面40c、および配線基板10の上面10aの一部の接するよう、貫通孔30hを充填している。ただし、貫通孔30hの内面30sおよび/または第1光反射層40の側面40cと、第2光拡散部材50との境界に沿って部分的または局所的な空隙が形成されていてもよい。このような空隙は、例えば製造に起因して生じ得る。後で詳しく説明するように、配線基板10の上面10aと複数の第2光拡散部材50との間に、第1光反射層40とは異なる他の光反射層が位置し得る。
図7Fに示すように、発光装置100は、配線基板10と複数の第2光拡散部材50との間に位置する第2光反射層55をさらに備え得る。第2光反射層55は、第3光反射層51と同じ材料から形成され得る。このように、発光素子20の裏面側に光反射層を設けることで、配線基板10の上面10aに向かう光を光反射層で反射して第2光拡散部材50に導光することができる。その結果、発光素子20から発せられる光の利用効率をさらに向上させることができる。
第3光反射層51は、複数の第2光拡散部材50と後述する波長変換部材61との間に位置する。第3光反射層51は、第1光拡散部材30が有する複数の貫通孔30h内に配置された複数の複数の第2光拡散部材50を覆い、複数の貫通孔30hのそれぞれの開口30fを埋める。発光素子20の上面20aから貫通孔30hの開口30fまでのz方向の高さh8は、例えば0.210mm程度であり得る。
の配光角の絶対値が小さい領域において、配光角の絶対値が大きい領域よりも高密度で分布していてもよい。
波長変換部材61は、第1光拡散部材30および複数の第2光拡散部材50の上に配置されている。波長変換部材61は、発光素子20が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有する。波長変換部材61は、典型的には、樹脂等の透光性の母材に蛍光体の粒子が分散された部材である。また、波長変換部材61は、蛍光体の焼結体等を用いることもできる。波長変換部材61は、発光素子20から出射された光の少なくとも一部を吸収し、発光素子20から発せられる光の波長とは異なる波長の光を発する。例えば、波長変換部材61は、発光素子20からの青色光の一部を波長変換して黄色光を発する。このような構成によれば、波長変換部材61を通過した青色光と、波長変換部材61から発せられた黄色光との混色によって、白色光が得られる。波長変換部材61の厚さh4は、例えば0.1mm程度であり得る。
透光積層体60は、プリズムアレイ層62、63をさらに有し得る。プリズムアレイ層62、63のそれぞれは所定の方向に延びる複数のプリズムが配列された構造を有する。例えば、プリズムアレイ層62は、図3において、y方向に延びる複数のプリズムを有し、プリズムアレイ層63はx方向に延びる複数のプリズムを有する。本明細書では、プリズムアレイ層62、63を積層した構造を「プリズムシート」と呼ぶこととする。プリズムアレイ層62、63は、種々の方向から入射する光を発光装置100に対向する表示パネル(不図示)に向かう方向(z方向)に屈折させる。これにより、発光装置100の発光面である透光積層体60の上面60aから出射する光は主として上面60aに垂直(z軸に平行)な成分が多くなり、発光装置100を正面(z方向)から見た場合の輝度を高めることができる。プリズムアレイ層62、63として、市販されているバックライト用の光学部材を広く利用できる。プリズムアレイ層62、63の厚さh5、h6はそれぞれ、例えば0.07mm、0,09mm程度であり得る。
図7Aから図7Fを参照して、発光装置100の製造方法の例を説明する。図7Aから図7Fは、発光装置100の製造方法に含まれる各製造工程を説明するための工程断面図である。
酸化物の粒子とを含む材料から形成される。例えば、複数の貫通孔30h内において、発光素子20の裏面側に位置する配線基板10の上面10aを覆うように上記材料を塗布することにより、第2光反射層55が形成される。第1光反射層40および第2光反射層55は、共通の層として同じ材料を用いて形成され得る。
10a、20a、30a、50a、60a :上面
10b、20b、30b :下面
11 :絶縁層
12a :第1導体配線層
12b :第2導体配線層
13 :ビア
20 :発光素子
20c、40c :側面
30 :第1光拡散部材
30c :傾斜面
30f :開口
30h :貫通孔
30s :内面
40 :第1光反射層
50 :第2光拡散部材
51 :第3光反射層
52 :光拡散層
55 :第2光反射層
60 :透光積層体
61 :波長変換部材
62、63 :プリズムアレイ層
64 :プリズムシート
100 :発光装置
Claims (8)
- 複数の発光素子と、
複数の貫通孔を有し、光拡散材を含有する第1光拡散部材であって、前記複数の発光素子のそれぞれは、前記複数の貫通孔のうちの対応する貫通孔内に配置されている第1光拡散部材と、
前記複数の発光素子を覆い、前記複数の貫通孔内に配置された複数の第2光拡散部材であって、それぞれが光拡散材を含有する複数の第2光拡散部材と、
前記複数の発光素子の上方に配置され、前記第1光拡散部材上に部分的に配置される第1光反射層と、
前記複数の発光素子に電気的に接続し、かつ、前記第1光拡散部材を支持する配線基板と、
前記配線基板と前記第1光拡散部材との間に位置する第2光反射層と、
前記配線基板と前記複数の第2光拡散部材との間に位置する第3光反射層と、
を備 え、
前記第3光反射層の上面は、前記第2光反射層の上面よりも下方に位置する、 発光装置。 - 前記第2光反射層の側面は、前記複数の第2光拡散部材に接する、請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1光反射層は、樹脂と、樹脂に分散した反射材の粒子とを含む、請求項1または2に記載の発光装置。
- それぞれの第2光拡散部材が含有する前記光拡散材の含有率は、前記第1光拡散部材が含有する前記光拡散材の含有率よりも高い、請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前 記第1光拡散部材および前記複数の第2光拡散部材の上に配置された波長変換部材を備え、
前 記第1光反射層は、前記複数の第2光拡散部材と前記波長変換部材との間に位置する、請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第1光拡散部材と前記波長変換部材との間に位置する光拡散層をさらに備える、請求項5に記載の発光装置。
- 前記複数の貫通孔のそれぞれの内面は、前記複数の発光素子のうちの対応する発光素子の上面よりも高い位置において、上方に向かって広がる傾斜面を含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の上方に位置するプリズムシートをさらに備える、請求項5または6に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021049627A JP7108217B2 (ja) | 2019-08-02 | 2021-03-24 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019143125A JP6860044B2 (ja) | 2019-08-02 | 2019-08-02 | 発光装置 |
JP2021049627A JP7108217B2 (ja) | 2019-08-02 | 2021-03-24 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019143125A Division JP6860044B2 (ja) | 2019-08-02 | 2019-08-02 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021106277A JP2021106277A (ja) | 2021-07-26 |
JP7108217B2 true JP7108217B2 (ja) | 2022-07-28 |
Family
ID=74259762
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019143125A Active JP6860044B2 (ja) | 2019-08-02 | 2019-08-02 | 発光装置 |
JP2021049627A Active JP7108217B2 (ja) | 2019-08-02 | 2021-03-24 | 発光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019143125A Active JP6860044B2 (ja) | 2019-08-02 | 2019-08-02 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11450707B2 (ja) |
JP (2) | JP6860044B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022044709A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 京セラ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP7314474B2 (ja) | 2021-07-19 | 2023-07-26 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源 |
JP7422336B2 (ja) | 2021-07-28 | 2024-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源 |
KR20230047747A (ko) * | 2021-10-01 | 2023-04-10 | 주식회사 루멘스 | 면광원 모듈 및 그 제조방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149451A (ja) | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Sony Corp | 導光板、バックライト装置とその製造方法及び液晶表示装置 |
JP2007227286A (ja) | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 照明装置、及びこれを用いた表示装置 |
WO2007105671A1 (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 面光源装置 |
WO2012091255A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Lg Electronics Inc. | Display apparatus |
JP2012195350A (ja) | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2019513300A (ja) | 2015-03-20 | 2019-05-23 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 光拡散の方法と装置 |
JP2021027129A (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6156388A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JPH0710504Y2 (ja) * | 1989-03-10 | 1995-03-08 | 三洋電機株式会社 | 多色発光led装置 |
JP2005010436A (ja) | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd | バックライト装置 |
JP2005018997A (ja) | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd | バックライト装置 |
JP2007018936A (ja) | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
US20070170449A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Munisamy Anandan | Color sensor integrated light emitting diode for LED backlight |
JP2008059786A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Seiko Instruments Inc | 照明装置およびこれを備える表示装置 |
JP5383101B2 (ja) | 2008-06-23 | 2014-01-08 | 三菱電機株式会社 | 面状光源装置および表示装置 |
JP2010008837A (ja) | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
US20110037740A1 (en) | 2008-12-15 | 2011-02-17 | Panasonic Corporation | Planar illumination device and liquid crystal display |
JP5330306B2 (ja) | 2010-03-30 | 2013-10-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2011210674A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sumita Optical Glass Inc | 発光装置 |
JP5684486B2 (ja) | 2010-03-26 | 2015-03-11 | 株式会社住田光学ガラス | 発光装置 |
CN102102817A (zh) | 2009-12-22 | 2011-06-22 | 株式会社住田光学玻璃 | 发光装置、光源及其制造方法 |
JP5931896B2 (ja) | 2010-11-15 | 2016-06-08 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 照明ユニット |
JP5595962B2 (ja) | 2011-03-30 | 2014-09-24 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
CN107505769B (zh) * | 2017-08-15 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背光结构和显示装置 |
KR102446576B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2022-09-27 | 서울반도체 주식회사 | 백라이트 유닛 |
KR20200041419A (ko) * | 2018-10-11 | 2020-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2019
- 2019-08-02 JP JP2019143125A patent/JP6860044B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-31 US US16/944,766 patent/US11450707B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-24 JP JP2021049627A patent/JP7108217B2/ja active Active
-
2022
- 2022-08-11 US US17/885,903 patent/US11929387B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149451A (ja) | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Sony Corp | 導光板、バックライト装置とその製造方法及び液晶表示装置 |
JP2007227286A (ja) | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 照明装置、及びこれを用いた表示装置 |
WO2007105671A1 (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 面光源装置 |
WO2012091255A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Lg Electronics Inc. | Display apparatus |
JP2012195350A (ja) | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2019513300A (ja) | 2015-03-20 | 2019-05-23 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 光拡散の方法と装置 |
JP2021027129A (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11450707B2 (en) | 2022-09-20 |
US20220384520A1 (en) | 2022-12-01 |
JP6860044B2 (ja) | 2021-04-14 |
US20210036050A1 (en) | 2021-02-04 |
US11929387B2 (en) | 2024-03-12 |
JP2021106277A (ja) | 2021-07-26 |
JP2021027128A (ja) | 2021-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7125636B2 (ja) | 発光装置 | |
US11585516B2 (en) | Light emitting device | |
US11043620B2 (en) | Light emitting device | |
JP7108217B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7315852B2 (ja) | 発光装置および面発光光源 | |
JP7335537B2 (ja) | 発光装置および面発光光源 | |
JP7041364B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7125635B2 (ja) | 発光装置および面発光光源 | |
JP7189464B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7054018B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6773156B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6923832B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210521 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220627 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7108217 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |